专利名称：工艺余量的评价方法、测定条件的设定方法和程序的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件的制造方法的光刻技术，特别是涉及光刻工艺余量的评价方法。
背景技术：
为了评价光刻的工艺余量，就必须精度良好地测定光刻胶图形的尺寸对曝光量和焦点位置的依赖性。随着半导体器件的电路图形的微细化、光刻胶图形的微细化，光刻胶的边沿粗糙度和尺寸测定装置的误差等，就不断变成为不能忽视的那种程度的大。有时候就不能精度良好地测定光刻胶图形的尺寸，就是说，归因于光刻胶图形的尺寸的参差而不能正确地评价工艺余量。
以往，采用使曝光量和焦点位置摆动的办法进行曝光，测定光刻胶尺寸，计算工艺余量而与光刻胶尺寸的参差没有关系(例如，参看专利文献1和专利文献2)。对计算出来的工艺余量的再现性或进行误差评价的手段是贫乏的。因此，存在着过大或过小地评价工艺余量的危险性。
特开平10-199787号公报(权利要求1，图1)[专利文献2]特开平02-224319号公报(权利要求1)发明内容本发明就是鉴于以上的情况而发明的，目的在于提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量评价方法。
本发明的目的还在于提供可进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定方法。
本发明的目的还在于提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价程序。
本发明的目的还在于提供可以进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定程序。
为了解决上述课题，本发明的第1特征在于具有下述事项的工艺余量的评价方法对要在被曝光衬底上形成图形的曝光工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值；对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸；根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ED-tree(ED-树)，计算多个工艺余量；计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量度的分散。
本发明的第2特征在于具有如下事项的测定条件的设定方法对要在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，每隔第1间隔等间隔地设定多个曝光量的设定值，每隔第2间隔等间隔地设定多个焦点位置的设定值；对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸；根据每一种组合的模拟测定尺寸计算多个ED-tree，计算多个工艺余量；计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量度的分散；为了减小曝光量的余量的分散减小第1间隔或第2间隔，为了增大曝光量的余量度的分散加大第1间隔或第2间隔。
本发明的第3特征在于使计算机执行如下步骤的工艺余量的评价程序对在被曝光衬底上形成图形的曝光工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值的步骤；对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸的步骤；根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量的步骤；和计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量度的分散的步骤。
本发明的第4特征在于使计算机执行如下步骤的测定条件的设定程序对在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，每隔第1间隔等间隔地设定多个曝光量的设定值，每隔第2间隔等间隔地设定多个焦点位置的设定值的步骤；对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸的步骤；根据每一种组合的模拟测定尺寸计算多个ED-tree，计算多个工艺余量的步骤；计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量度的分散的步骤；为了减小曝光量的余量度的分散减小第1间隔或第2间隔，为了增大曝光量的余量度的分散加大第1间隔或第2间隔的步骤。
图1是本发明的实施形态1已附加上工艺余量的测定条件的设定装置的构成图。
图2是本发明的实施形态1的工艺余量的评价方法的流程图。
图3是本发明的实施形态1的已附加上工艺余量的测定条件的设定方法流程图。
图4是用来说明在本发明的实施形态1的实施例的工艺余量的评价方法中给计算出来的光刻胶尺寸加上所产生的随机数的步骤的说明图。(a)是随机数加上前的光刻胶尺寸的曝光量和焦点位置的依赖性，(b)是加上随机数后的同样的依赖性。
图5示出了本发明的实施形态1的实施例的工艺余量的评价方法的ED-tree。
图6是用来说明表明本发明的实施形态1的实施例的工艺余量的评价方法的焦点深度和曝光量的余量度的关系的余量曲线的说明图。
图7示出了本发明的实施形态1的实施例的工艺余量的评价方法的余量曲线的参差。
图8是用来说明本发明的实施形态1的实施例的已附加上工艺余量的测定条件的设定方法说明图。
图9是本发明的实施形态2的工艺余量的评价方法的流程图。
图10是用来说明在本发明的实施形态2的实施例的工艺余量的评价方法中给计算出来的光刻胶尺寸加上所产生的随机数的步骤的说明图。
图11示出了本发明的实施形态2的实施例的工艺余量的评价方法的余量曲线的参差。
具体实施例方式
以下参看
本发明的实施形态和实施例。在以下的图面的说明中，对于同一或类似的部分都赋予同一或类似的标号。但是，应当留意图面是模式性的图面，与现实的图面是不同的。此外，即便是在图面彼此间也理所当然地包括彼此的尺寸的关系或比率不同的部分。
(实施形态1)(测定条件的设定装置1和工艺余量的评价装置2)本发明的实施形态1的可进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定装置1，如图1所示，具有工艺余量的评价装置2、所希望的再现性设定部分12、测定节距变更部分13和输入输出部分14。
本发明的实施形态1的工艺余量评价装置2，具有测定节距等设定部分3、随机数产生分布的定义部分4、光刻胶尺寸计算部分5、随机数产生部分6、随机数附加部分7、ED-tree计算部分8、工艺余量计算部分9、再现性计算部分10和输入输出部分11。
在测定节距等设定部分3中，对要在衬底上形成半导体器件的光刻胶的电路图形的曝光的工艺，每隔第1间隔地按照等间隔节距设定多个曝光量的设定值，每隔第2间隔地按照等间隔节距设定多个焦点位置的设定值。
在随机数产生分布定义部分4中，在光刻胶的图形的测定尺寸具有参差、分散时，用与该分散同等程度的分散的分布定义产生的随机数。
在光刻胶尺寸计算部分5中，采用输入曝光量的设定值和焦点位置的设定值的办法，计算光刻胶的图形的计算尺寸。
在随机数产生部分6中，产生在随机数产生分布的定义部分4中定义的随机数。
在随机数附加部分7中，给计算尺寸加上随机数，产生模拟测定尺寸。
在ED-tree计算部分8中，根据曝光量的设定值、焦点位置的设定值和模拟测定尺寸计算ED-tree。
在余量曲线计算部分9中，根据ED-tree计算余量曲线。
在再现性计算部分10中，计算在相当于半导体衬底的最大高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量度的分散。如果曝光量的余量度的分散大，则曝光量的余量度易于参差，就可以判断为曝光量的余量度的再现性低。
在输入输出部分11中，输入曝光量的设定值、焦点位置的设定值和随机数的分散，输出曝光量的余量度的分散。
在所希望的再现性设定部分12中，设定可进行具有工艺余量的工艺的评价测定的曝光量的余量度的分散。
在测定节距变更部分13中，变更多个曝光量的设定值的第1间隔，多个焦点位置的设定值的第2间隔。
在输入输出部分14中，输入所希望的曝光量的余量的分散，输出优化后的第1间隔和第2间隔。
另外，测定条件的设定装置1，可以用执行测定条件的设定程序的计算机实现。此外，工艺余量的评价装置2，可以用执行工艺余量的评价程序的计算机实现。
(工艺余量的评价方法)图1的工艺余量的评价装置2实施本发明的实施形态1的第1工艺余量的评价方法。第1工艺余量的评价方法，如图2所示，首先，在步骤S1中，在测定节距等设定部分3中，对要在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值Ej(j＝1～n)和多个焦点位置的设定值Fi(i＝1～m)。此外，把所希望的余量曲线的条数设定为多条。再有，在步骤S1中，在随机数产生分布的定义部分4中，把尺寸随机数Rij的产生分布的分散设定值为使得变成为与图形的测定尺寸的分布的分散相等。
在步骤S2中，把自变数i和j设定为初始值1。
在步骤S3中，在光刻胶尺寸计算部分5中，对于曝光量的设定值E1和焦点位置的设定值F1的组合(1、1)，计算图形的计算尺寸CD11。计算尺寸CD11，给出图形尺寸的所谓的模拟真值。另外，也可以不使用计算尺寸CD11而代之以使用实际的测定值。
在步骤S4中，在随机数产生部分6中，对于组合(1、1)产生尺寸随机数R11。尺寸随机数R11，对模拟真值提供图形尺寸的模拟测定误差。
在步骤S5中，在随机数附加部分7中，对于组合(1、1)计算已给计算尺寸CD11加上了尺寸随机数R11的模拟测定尺寸CDr11。
在步骤S6中，对所有的组合(i、j)判断是否已计算了模拟测定尺寸Cdrij。在尚未对所有的组合(i、j)都进行了计算的情况下，就向步骤S7前进。在步骤S7中，给自变数i或j加上1，返回步骤S3。在已对所有的组合(i、j)都进行了计算的情况下，就向步骤S8前进。在步骤S8中，在ED-tree计算部分8中，使用所有的组合(i、j)的焦点位置的设定值Fi、曝光量的设定值Ej和模拟测定尺寸CDrij，计算1组的ED-tree。
在步骤S9中，在余量曲线计算部分9中，根据1组的ED-tree计算1条余量曲线。
在步骤S10中，判断是否已达到了所希望的余量曲线的条数。在尚未达到的情况下，就返回步骤S2。在已达到的情况下，就向步骤S11前进。
在步骤S11中，在再现性计算部分10中，根据相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度DOF的所希望的条数的余量曲线的曝光量的余量度的分布，计算分散。或者，根据相当于曝光装置的曝光量的最大的变动的曝光量的余量度的所希望的条数的余量曲线的焦点深度DOF的分布，计算分散。结果变成为这些分散越小则再现性越高。
工艺余量的评价方法的所有的步骤，已分别作为可以使计算机执行的步骤，存储在计算机的内部存储器或外部存储器内。工艺余量的评价程序由这些步骤构成。
倘采用实施形态1的工艺余量的评价方法，则可以评价工艺余量的误差。
(测定条件的设定方法)图1的测定条件的设定装置1实施本发明的实施形态1的测定条件的设定方法。测定条件的设定方法，如图3所示，首先，在步骤S21中，在所希望的再现性设定部分12中，对要在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值Ej(j＝1～n)和多个焦点位置的设定值Fi(i＝1～m)。此外，设定所希望的曝光量的余量度的再现性，或焦点深度的再现性。具体地说，设定相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度DOF的所希望的条数的余量曲线的曝光量的余量度的分布的分散。或者，设定相当于曝光装置的曝光量的最大的变动的曝光量的余量度的所希望的条数的余量曲线的焦点深度DOF的分布的分散。
其次，在步骤S22中，在工艺余量的评价装置2中，执行第1工艺余量的评价方法。然后，计算曝光量余量度的再现性或焦点深度的再现性。
在步骤S23中，判断计算出来的再现性和所希望的再现性之间的大小关系。具体地说，判断计算出来的分散和所希望的分散之间的大小关系。在计算出来的再现性对所希望的再现性小(计算出来的分散对所希望的分散大)的情况下，就向步骤S24前进，减小测定节距。在计算出来的再现性对所希望的再现性大(计算出来的分散对所希望的分散小)的情况下，就向步骤S26前进，加大测定节距。在计算出来的再现性对所希望的再现性是同等(计算出来的分散对所希望的分散是同等的)的情况下，就向步骤S25前进，输出在计算中使用的测定节距。归因于把该所输出的测定节距用做实际上进行测定时的测定节距，就可以决定使被评价的工艺余量的误差变成为允许值以下的那样的曝光量和焦点位置摆动的采样计划。然后，就可以在使工艺余量的误差变成为允许值以下的条件下，使采样计划的采样数变成为最小。
为了使测定节距的大小关系明确起来，理想的是以恒定的间隔设定多个曝光量或曝光量的对数的设定值Ej，以恒定的间隔设定多个焦点位置的设定值。
测定条件的设定方法的所有的步骤，作为可以使计算机执行的步骤，已分别存储在计算机的内部存储器或外部存储器内。测定条件的设定程序由这些步骤构成。
(实施形态1的实施例)(工艺余量的评价)本发明的实施形态1的实施例的第1工艺余量的评价方法，首先，在图2的步骤S1中，如图4(a)所示，以0.25mJ/cm2的间隔从5.25mJ/cm2到7.25mJ/cm2设定多个曝光量的设定值，和以0.2微米的间隔从-0.4微米到0.4微米设定多个焦点位置的设定值。曝光量的测定值的节距间隔以正确曝光量为基准是4％。此外，作为所希望的余量曲线设定为10条。再有，还要设定尺寸随机数Rij的产生分布的分散σ(σ定为2nm)和平均值0。在这里，分散σ规定为可以使光刻胶的边沿粗糙度或尺寸测定中的再现性等视在光刻胶尺寸变化的分散值。作为尺寸随机数Rij的产生分布的分布函数，可以使用任意的形状的分布函数。例如，二项分布函数、阶跃函数、三角形状的分布函数、梯形形状的分布函数等。另外，自变数i和j从设定值小的数开始按照顺序分配。
在步骤S2中，把自变数i和j设定为初始值1。
在步骤S3中，对于曝光量的设定值5.25mJ/cm2和焦点位置的设定值-0.4微米的组合(1、1)，把86nm计算为图形的光刻胶尺寸CD11。计算上的曝光条件为曝光波长λ＝193nm，孔径数NA＝0.6，照明的相干性σ＝0.3。掩模是勒本松(レベンソン)型相移掩模。掩模尺寸为70nm光刻胶的目标值为70nm。
在步骤S4中，对组合(1、1)作为尺寸随机数R11使之产生2nm。
在步骤S5中，对组合(1、1)给光刻胶尺寸CD11的86nm加上尺寸随机数R11的2nm。如图4(b)所示，作为和求模拟测定值CDr11的88nm。
在步骤S6中，对于所有的组合(i、j)，判断是否已计算了模拟测定值CDrij。由于尚未对所有的组合(i、j)进行计算，故向步骤S7前进。在步骤S7中，给自变数加上1，返回步骤S3。
图4(a)示出了同样地已对所有的组合(i、j)计算了模拟测定值CDrij的情况下的光刻胶尺寸CDij。图4(b)示出了模拟测定值CDrij。
其次，在步骤S8中，在ED-tree计算部分8中，用所有的组合(i、j)的焦点位置的设定值Fi、曝光量的设定值Ej和模拟测定尺寸CDrij，计算1组的ED-tree。模拟测定尺寸CDrij进行回归分析，进行平滑化。
借助于该平滑化，计算图5所示的那样的各个焦点位置的设定值处的模拟测定尺寸CDr对于光刻胶目标值尺寸变成为90％、100％、110％的曝光量。借助于此，就可以求图5的实线的ED-tree。另外，图5的虚线的ED-tree，是对未附加尺寸随机数R的计算出来的光刻胶尺寸CD的ED-tree。可知ED-tree的实线和虚线的曲线不完全一致。此外，光刻胶尺寸的余量设定为±7nm，对源于光刻胶尺寸的目标值尺寸的差的目标值尺寸的比被设定为±10％。
在步骤S9中，在余量曲线计算部分9中，根据图5的实线的模拟测定尺寸CDr的ED-tree计算余量曲线。如图6所示，根据以光刻胶尺寸的余量度为基础的ED-tree，设定工艺余量的窗口M1到M3。把相当于窗口M1到M3的横向宽度的曝光量的对数的差，对窗口M1到M3的左边所示的曝光量的对数的比，定为曝光量的余量度EL1到El3。把相当于窗口M1到M3的纵向宽度的焦点位置的差，定为焦点深度DOF1到DOF3。图7所示的所谓余量曲线21，是曝光量余量度EL1到EL3与焦点深度(所谓的焦点余量度)DOF1到DOF3之间的关系。另外，图7的虚线的余量曲线是以图5的虚线的ED-tree为基础的余量曲线。可知实线的余量曲线21已从虚线的余量曲线偏离开来。
在步骤S10中，判断是否已达到了所希望的余量曲线的条数的10条。由于尚未达到，故要返回步骤S2，一直到达到10条为止反复进行该循环，就可以得到图7所示的那样的10条的余量曲线21到30。
在步骤S11中，根据相当于被曝光基板的最大高低差的焦点深度0.3微米处的10条的余量曲线的曝光量的余量度的分布，计算分散。焦点深度0.3微米处的虚线的余量曲线的曝光量的余量度EL为19.7％。焦点深度0.3微米处的实线的余量曲线21到30的曝光量的余量度EL的平均值为19.5％。焦点深度0.3微米处的实线的余量曲线21到30的曝光量的余量度EL的分布的分散σEL的3倍的分散3σEL为4.8％。
这些余量曲线21到30的分布范围的宽度给出光刻工艺余量的再现性或误差。要想加大光刻工艺余量的再现性，就要使余量曲线21到30的分布范围的宽度变窄。窄的范围的宽度，可用小的分散3σEL表示。这样一来，就可以估计工艺余量的再现性。
(测定条件的设定)本发明的实施形态1的实施例的测定条件的设定方法，首先，在图3的步骤S21中，把焦点深度0.3微米处的10条的余量曲线的曝光量的余量度分布的所希望的分散3σEL设定为3.0％。另外，曝光量的设定值和焦点位置的设定值，与图2的步骤S21的图4(a)同样地设定。
其次，在步骤S22中，执行第1工艺余量的评价方法。然后，作为焦点深度0.3微米处的余量曲线21到30的曝光量的余量度EL的分布的分散σEL的3倍的分散3σEL输出4.8％。就是说，如图8所示，作为曝光量的设定值的节距间隔，以正确曝光量为基准是4％，这相当于以0.25mJ/cm2间隔从曝光量的设定值5.25m J/cm2到7.25m J/cm2，在作为多个焦点位置的设定值的节距间隔为200nm的A点处，分散3σEL为4.8％。
同样地，如果改变曝光量的设定值的节距间隔ΔE，焦点位置的设定值的节距间隔ΔF求曝光量的余量的分散3σEL，则可以得到图8所示的那样的曝光量余量度的分散3σEL的等高线。因此，要想减小计算出来的分散3σEL，只要减小曝光量的设定值的节距间隔ΔE，或焦点位置的设定值的节距间隔ΔF即可。反之，要想加大计算出来的分散3σEL，只要加大曝光量的设定值的节距间隔ΔE，或焦点位置的设定值的节距间隔ΔF即可。
在步骤S23中，判断计算出来的分散3σEL的4.8％和所希望的3.0％之间的大小关系。由于对所希望的分散来说计算出来的分散大，故要向步骤S24前进，如图8的点B所示，使焦点位置的设定值的节距间隔ΔF一直减小到75nm为止。在点B处，分散3σEL变成为3.0％。由于对于所希望的再现性来说计算出来的再现性是同等的，故向步骤S25前进，输出在计算中使用的曝光量的设定值的节距间隔ΔE的4％，和焦点位置的设定值的节距间隔ΔF的75nm。此外，例如在要想把分散3σEL抑制到3％以下的情况下，曝光量的设定值的节距间隔ΔE也可以是3％，焦点位置的设定值的节距间隔ΔF也可以为100nm。采用把这些输出的测定节距用做实际上进行测定时的测定节距的办法，就可以决定使被评价的工艺余量的误差变成为允许值以下那样的曝光量和焦点位置摆动的采样计划。因此，结果就变成为作为在该采样计划中决定的工艺条件的曝光量的焦点位置的设定值，具备具有可补偿的精度的工艺余量。
(实施形态2)图1的工艺余量评价装置2实施本发明的实施形态2的第2工艺余量的评价方法。第2工艺余量的评价方法，如图9所示，首先，在步骤S13中，在测定节距等设定部分3中，对要在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值Ej(j＝1～n)和多个焦点位置的设定值Fi(i＝1～m)。此外，还要把所希望的余量曲线的条数设定为多条。此外，在步骤S13中，在随机数产生分布的定义部分4中，把光量随机数Reij的产生分布的分散设定为使得与曝光装置的曝光量的实效值的分布的分散变成为相等。把位置随机数Rfij的产生分布的分散设定为使得变成为与曝光装置的焦点位置的实效值的分布的分散相等。
在步骤S2中，把自变数i和j设定为初始值1。
在步骤S14中，在随机数产生部分6中，对于组合(1、1)产生位置随机数Rf11。在步骤S15中，在随机数附加部分7中，对于组合(1、1)计算给焦点位置的设定值F1加上位置随机数Rf11后的模拟焦点位置Fr11。
在步骤S16中，在随机数产生部分6中，对于组合(1、1)产生光量随机数Re11。在步骤S17中，在随机数附加部分7中，对于组合(1、1)计算给曝光量的设定值E1加上光量随机数Re11后的模拟曝光量Er11。
在步骤S18中，在光刻胶尺寸计算部分5中，对于模拟曝光量Er11和模拟焦点位置Fr11的组合(1、1)，计算模拟测定值CDr11。
其次，向步骤S6前进。以后的实施形态2的工艺余量的评价方法与实施形态1的工艺余量的评价方法是同样的。
倘采用实施形态2的工艺余量的评价方法，则可以评价工艺余量的误差。另外，实施形态1的工艺余量的评价方法和实施形态2的工艺余量的评价方法，采用同时计算模拟初始值CDr11的办法，则可以用更高的精度评价工艺余量的误差。
(实施形态2的实施例)本发明的实施形态2的实施例的第2工艺余量的评价方法，首先，在图9的步骤S13中，如图10所示，以0.05mJ/cm2的间隔从0.8mJ/cm2到1.15mJ/cm2设定多个曝光量的设定值，和以0.1微米的间隔从-0.4微米到0.3微米设定多个焦点位置的设定值。曝光量的测定值的节距间隔以正确曝光量为基准是5％。此外，作为所希望的余量曲线设定为32条。再有，把光量随机数的分散σe设定为1％，把位置随机数的分散σf设定为100nm。把光量随机数的平均值设定为0。位置随机数的平均值也设定为0。
在步骤S2中，把自变数i和j设定为初始值1。
在步骤S14中，对组合(1、1)产生位置随机数Rf11。在步骤S15中，对组合(1、1)计算给焦点位置的设定值F1加上位置随机数Rf11后的模拟焦点位置Fr11。在步骤S16中，对于组合(1、1)产生光量随机数Re11。在步骤S17中，对于组合(1、1)计算给曝光量的设定值E1加上光量随机数Re11后的模拟测定值Er11。在步骤S18中，对于模拟曝光量Er11和模拟焦点位置Fr11的组合(1、1)计算模拟测定值CDr11。对曝光量的设定值0.8mJ/cm2和焦点位置的设定值-0.4微米的组合(1、1)，把0.087微米计算为图形的模拟测定值CDr11。在计算中使用的曝光条件为曝光波长λ＝248nm，孔径数NA＝0.68，照明的相干性σ＝0.75，环带遮挡率ε为2/3，掩模是6％透过率的半色调型相移掩模。掩模尺寸为130nm。
另外，如图10所示，也可以给模拟测定值CDr11加上平均值为0，分散σCD为2nm的尺寸随机数。在这里，分散σCD规定为可以使光刻胶边沿的粗糙度或尺寸测定的再现性等视在光刻胶尺寸变化的分散值。
其次，向步骤S6前进。以后的实施形态2的工艺余量的评价方法与实施形态1的工艺余量的评价方法是同样的。进行回归分析，使数据平滑化。使得在各个焦点位置处的模拟测定值CDr11对于目标值尺寸130nm来说尺寸的余量度变成为±13nm的范围内那样地计算曝光量，求ED-tree。然后，如图11所示，求32条的余量曲线。这些32条的余量曲线的分布范围的宽度将给出光刻工艺余量的再现性或误差。焦点深度为0.3微米处的、曝光量的余量度的分散σEL可评价为1.5％。如上所述，倘采用实施形态2的工艺余量的评价方法，则可以评价工艺余量的误差。
如上所述，倘采用本发明，则可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价方法。
倘采用本发明，则可以提供可进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定方法。
倘采用本发明，则可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价程序。
倘采用本发明，则可以提供可以进行具有工艺余量的工艺的评价测定的测定条件的设定程序。
权利要求
1.一种工艺余量的评价方法，其特征在于具有对在被曝光衬底上形成图形曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量；和计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散。
2.根据权利要求1所述的工艺余量的评价方法，其特征在于上述图形的测定尺寸具有尺寸分散，对上述模拟测定尺寸的计算，具有对上述每一个组合计算上述图形的计算尺寸；对上述每一个组合产生具有上述尺寸分散的多个尺寸随机数；和对上述每一个组合计算给上述计算尺寸加上上述尺寸随机数后的多个上述模拟测定尺寸。
3.根据权利要求1所述的工艺余量的评价方法，其特征在于上述曝光量的实效值具有光量分散，上述焦点位置的实效值具有位置分散，对上述模拟测定尺寸的计算，具有对上述每一个组合计算产生具有上述光量分散的多个光量随机数；对上述每一个组合计算给上述曝光量的设定值加上上述光量随机数后的多个模拟曝光量；对上述每一个组合计算产生具有上述位置分散的多个位置随机数；对上述每一个组合计算给上述焦点位置的设定值加上上述位置随机数后的多个模拟焦点位置；和基于上述每一个组合中上述模拟曝光量和上述模拟焦点位置，计算上述图形的计算尺寸，由此计算多个上述模拟测定尺寸。
4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的工艺余量的评价方法，其特征在于以恒定的间隔设定上述多个曝光量或曝光量的对数的设定值，以恒定的间隔设定上述多个焦点位置的设定值。
5.一种测定条件的设定方法，其特征在于具有对在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，每隔第1间隔等间隔地设定多个曝光量的设定值，每隔第2间隔等间隔地设定多个焦点位置的设定值；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸计算多个ED-tree，计算多个工艺余量；计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散；为了减小上述曝光量的余量度的分散，减小上述第1间隔或上述第2间隔，为了增大上述曝光量的余量度的分散，加大上述第1间隔或上述第2间隔。
6.一种工艺余量的评价程序，其特征在于使计算机执行对在被曝光衬底上形成图形的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值的步骤；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸的步骤；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量的步骤；和计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散的步骤。
7.一种测定条件的设定程序，其特征在于使计算机执行对在被曝光衬底上形成图形的曝光的工艺，每隔第1间隔等间隔地设定多个曝光量的设定值，每隔第2间隔等间隔地设定多个焦点位置的设定值的步骤；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸的步骤；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸计算多个ED-tree，计算多个工艺余量的步骤；计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散的步骤；和为了减小上述曝光量的余量度的分散，减小上述第1间隔或上述第2间隔，为了增大上述曝光量的余量度的分散，加大上述第1间隔或上述第2间隔的步骤。
全文摘要
可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价方法。对在被曝光衬底上形成图形的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值。对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸。根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ED－tree，计算多个工艺余量。计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量的分散。
文档编号G06F17/50GK1497671SQ03134790
公开日2004年5月19日 申请日期2003年9月29日 优先权日2002年10月1日
发明者三本木省次 申请人:株式会社东芝