专利名称：一种在集成电路仿真平台上标注mos管的方法及其装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路(IC)电子设计自动化(EDA)领域，特别指一种 在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置。
背景技术：
一、 集成电路电子设计自动化(EDA)
电子设计自动化(EDA)是从计算机辅助设计(CAD)、计算机辅助制造 (CAM)、计算机辅助测试(CAT)和计算机辅助工程(CAE)的概念发展而 来的。它以计算机为工具，以EDA软件为平台，极大地提高了集成电路设计 的效率。
EDA软件构成了一个集成电路仿真平台，在这个平台上，设计者利用软件 提供的各种功能，完成集成电路设计。它是现代集成电路设计所不可缺少的技 术手段，电路工程师依靠它完成集成电路的设计、仿真、测试，最后得到符合 目标的芯片。具体表现为在各种工具软件，如让用户输入电路图、版图的编辑 软件，将高级语言编译成基本电路的综合软件，检查电气规则、版图规则等各 种设计规范的软件，等等。
从功能上看，每种EDA软件都是将一种数据转换成另一种数据，每种数 据都是从某个角度描述部分或整个电路。比如，描述功能结构的电路图，描述 生产结构的版图，描述连接关系的网表，等等。整个集成电路设计流程就是通 过各种设计工具，将面向设计者的数据一步步转换成面向生产的数据。比如， 编辑软件将用户的鼠标、键盘输入转换成结构化的电路描述，网表生成软件将 结构化的电路描述转换到便于计算机处理的描述连接关系的网表，布局布线软 件将网表转换到便于生产的版图，等等。
二、 集成电路标注
集成电路标注是一种介于生产形式和的电子信息之间的描述形式，用于表示实际生产出来的元件和连接关系。它包括全部连接相关信息，如元件、接口、 连线等；还包括部分可选的生产相关的图形信息，如元件范围、栅极图形、连 线路径、连线所在层、通孔位置等。为了便于用户阅读，部分元件图形可以采 用简化方式，如用一个代表元件范围的矩形和数个代表元件端口的矩形所构成 的符号代表整个元件，省略元件的有源区、阱等其它用于生产的图形；又如用 细化的线代替有宽度的连线，用小圆孔代替固定大小的方孔。 一般来说，集成 电路标注包括元件、端口、连线、通孔、文本等基本元素。
集成电路标注编辑器是将用户输入转换成集成电路标注的软件工具。软件 接受包括键盘、鼠标按键及坐标的用户输入，剔除其中的非法操作，将剩下的 信息翻译成各种元素的位置、大小、朝向等数据。
三、 MOS管标注
集成电路版图的一个显著特点就是元件数量多，金属氧化物半导体场效应 晶体管(MOSFET，以下简称MOS管)是集成电路标注中最基本的一种元件， 其数量相当庞大。该标注元件包括范围、端口位置、栅长度(L)、栅宽度(W)、 重复个数(M)等必需信息；可以选择包括栅图形等方便用于阅读的信息。
四、 已有MOS管标注方法 目前已有的MOS管标注方法分为两类。
一类方法是将MOS管做成和非门、与门类似的模板，输入坐标即可标注 一个MOS管。其缺点是每个模板只能有一种尺寸(W、 L)，不同尺寸需要创 建不同的模板。通常，模拟电路和定制电路中包含多种不同尺寸的MOS管， 需要定义多个模板，不利于管理和使用。
另一类方法是每标注一个MOS管就输入它的范围、栅极图形、端口位置。 比如，第一步输入MOS管范围的两个点坐标，第二步输入代表栅图形的两个 或多个点坐标，第三部输入端口位置坐标。其缺点是每个MOS管都需要固定 数量的坐标输入，输入数据量比较大。图1示出传统的要求用户输入全部MOS 管参数信息的MOS管标注方法的流程图。
因此，现在已有的两种MOS管标注方法或者需要创建很多模版，难于管 理，或者需要用户输入MOS管的全部信息。由此两者的MOS管标注效率一 直较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及 其装置，以通过该方法及装置来提升MOS管标注的效率。
本发明之一 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置。包括历 史数据判断模块，用于对历史数据库是否为"空"进行判断当"空"时输出 "无历史数据"结果；当非"空"时输出"有历史数据"结果；输入数据模块， 对于所述历史数据判断模块输出为"无历史数据"结果时，该输入数据模块接 受用户输入的MOS管端点信息，以相应端点坐标信息进行输出；布局算法模 块，用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历 史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS';判断比较模块，用于 将所述布局算法模块输出的MOS管计算值MOS'与所需要标注的目标MOS管 MOS"进行是否一致的判断，输出"一致"或"不一致"结果，当"不一致"时， 反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息；标注存储模块，用于对所述 判断比较模块输出为"一致"结果的目标MOS管MOS"进行标注，并存储该已 经标注的目标MOS管MOS"的参数信息至历史数据库。
在上述的标注MOS管的装置中，布局算法模块包括依次连接朝向计算(Fl) 模块、栅计算(F2)模块及端口计算(F3)模块。
在上述的标注MOS管的装置中，输入数据模块接受用户输入的MOS管端 点信息为不定长的端点信息，即MOS管的部分或全部参数信息。
在上述的标注MOS管的装置中，MOS管端点信息包括MOS管位置、有 源区信息、朝向、栅信息、栅宽、栅长、端口位置。
本发明之二 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法。包括第 一判断步骤判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史 数据送入布局算法步骤进行计算；当无历史数据时，进入输入步骤；输入步骤， 用户输入MOS管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出；布局算法步骤， 对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算， 输出MOS管计算值MOS';第二判断步骤将MOS管计算值MOS'与所需要标 注的目标MOS管MOS"进行是否一致的判断，当"不一致"时，反馈至所述输 入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当第二判断步骤判断为"一致"时，进行MOS管MOS"标注，存储已经标注的MOS管MOS"的参数信息至历史 数据库。
在上述的标注MOS管的方法中，布局算法步骤包括依次进行的朝向计算 (Fl)、栅计算(F2)及端口计算(F3)。
在上述的标注MOS管的方法中，输入步骤中用户输入MOS管端点信息为 不定长的端点信息，即MOS管的部分或全部参数信息。
在上述的标注MOS管的方法中，朝向计算(Fl)的内容包括有源区的 两个输入端点，当由左上至右下时，朝向为上；当由右下至左上时，朝向为下； 当由右上至左下时，朝向为右；当由左下至右上时，朝向为左。
在上述的标注MOS管的方法中，栅计算(F2)的内容包括栅按朝向穿 过有源区，在朝向方向高出最小线宽；在反方向，高出最小线宽的一半。
在上述的标注MOS管的方法中，端口计算(F3)的内容包括G端口位 于栅上有源区外高出最小线宽部分的中心，由栅计算(F2)模块计算得到的栅 将有源区分为两部分，S端口、 D端口分别在该两部分的中心。
本发明由于采用了以上技术方案，使其具有以下的优点和特点
1、 高效性。本发明的MOS管标注方法，由于采用了历史数据记忆、MOS 管参数动态计算，使用户不需要输入MOS管的全部参数信息，就可标注完成 一个MOS管。大大提升了 MOS管标注的效率；
2、 智能化。本发明的MOS管标注方法，由于记忆历史数据、强调MOS 管各参数间的关联、拥有MOS管各参数间的布局算法，在标注的任何时刻， 都可计算出一个MOS管的全部参数信息。用户在标注的时候，输入MOS管的 一个或少量几个信息，便计算出MOS管的其它参数信息与版图上的MOS管相 符，直接创建一个MOS管完毕。
图1示出传统的要求用户输入全部MOS管参数信息的MOS管标注方法 的流程图2示出本发明在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置的示意图； 图3示出本发明在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法流程图；图4 (a) (d)示出了MOS管朝向(Dir)的算法(^ )示意图5示出了MOS管栅的算法(F2)示意图6 (a) (c)示出端口的计算法则的示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施方式对本发明作进一步的详细说明。 本发明之一， 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置。 参见图2，本发明，即标注MOS管的装置包括
历史数据判断模块1，用于对历史数据库是否为"空"进行判断当"空" 时输出"无历史数据"结果；当非"空"时输出"有历史数据"结果。
历史数据判断模块的功能是判断是否有历史数据，历史数据模块的输入是 历史数据库，输出结果为有历史数据或无历史数据。当数据库为"空"时，结
果为"无历史数据"，进入输入数据模块2， 一般标注第一个MOS管^^^时为
这种结果；当历史数据库有历史数据时，结果为"有历史数据"，直接进入布 局算法模块， 一般标注第一个以后的MOS管M0^、……时为这一种结果。
输入数据模块2，对于所述历史数据判断模块1输出为"无历史数据"结 果时，该数据输入模块2接受用户输入端点信息，MOS管端点信息包括MOS 管位置、有源区信息、朝向、栅信息、栅宽、栅长、端口位置，用户输入的端 点信息可以为不定长的端点信息，即MOS管的部分或全部参数信息，并以相 应端点坐标信息进行输出；
布局算法模块3，用于接受所述输入数据模块2输出的端点坐标信息或接 受历史数据库中的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS'。
布局算法模块3的输入有两个来源输入数据模块2的输出(端点信息)
及历史数据库中的历史数据，这两种数据都是一些端点的坐标信息，开始标注 一个MOS管时，当标注第一个MOS管M。《时，输入数据为端点信息；当标
注第一个以后的MOS管(MOS2、 MOS3......)时，输入的是历史数据。输出为按
照布局算法计算得到的MOS管MCW'。该模块的运算处理为布局算法，布局算 法由朝向计算F1模块、栅的计算F2模块及端口计算F3模块三个算法构成。 判断比较模块4，用于将所述布局算法模块3输出的MOS管计算值MOS'与
8所需要标注的目标MOS管MOS"进行是否一致的判断，MOS' = MOS" ( MOS'与 MOS" —致)输出"一致"结果，或MOS'^MOS" (MOS'与MOS"不一致)输出"不 一致"结果。当"不一致"时，反馈至所述输入数据模块2进行补充端点信息； 标注存储模块5，用于对所述判断比较模块4输出为"一致"结果的目标 MOS管MOS"进行标注，并存储已经标注的目标MOS管MOS"的参数信息至历 史数据库。
本发明之二， 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法。 参见图3， 5. —种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法，包括 第一判断步骤判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接
取历史数据送入布局算法步骤进行计算；当无历史数据时，进入输入步骤； 输入步骤，用户输入MOS管端点信息，该端点信息为不定长的端点信息，
即MOS管的部分或全部参数信息，并以相应端点坐标信息进行输出，MOS管
端点信息包括MOS管位置、有源区信息、朝向、栅信息、栅宽、栅长、端口
位置；
布局算法步骤，对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据， 进行布局算法计算，输出MOS管计算值A/OS';
第二判断步骤将MOS管计算值MOS'与所需要标注的目标MOS管MOS"进 行是否一致的判断，当"不一致"时，反馈至所述输入步骤进行补充输入端点 信息；
标注存储步骤，当第二判断步骤判断为"一致"时，进行MOS管MOS"标 注，存储已经标注的MOS管MOS"的参数信息至历史数据库。
在上述的发明即标注MOS管的方法及其装置中，布局算法包括依次进行 的朝向计算(Fl)、栅计算(F2)及端口计算(F3)。
在具体实施中，对历史数据的集合G皿s只记录前一标注MOS管的数据信 息。设标注M0^ 、 ^'、 A 、『2 、 ^2 、 G2 、 S2 、 A)管时前一
个标注的MOS管为^^' (乂《、A、、 A 、 ^ 、 P《、G, 、 S 、 A) ， MOS 即为历史数据，用户输入m个数据。即Q顺—MOW, D={《^2,……,《}。输 入的m个数据即为m个点，每个点用5表示。
如果m为1，采用上一个MOS管的宽度、高度、朝向，栅宽、栅长、及
9端口位置，在/^处创建新的MOS管。
如果m为2，以S、 g为MOS管范围，并根据《到S的方向计算MOS管 朝向、宽、高，并以该宽、高为关键字，在历史数据中査找最相近的MOS管 的栅，根据MOS管的有源区范围及栅的形状计算MOS的端口位置，创建新的 MOS管。
如果m为3，以^、 g为MOS管范围，并根据《到g的方向计算MOS管 朝向、宽、高，以S为MOS管的栅的第一边，栅宽(L)、栅长(W)采用历 史数据中最接近的数值，根据MOS管的有源区范围及栅的形状计算MOS的端 口位置，创建新的MOS管。
如果m为4，以《、^为MOS管范围，并根据^到S的方向计算MOS管 的朝向、宽、高，以g 、 g确定MOS管的位置及栅宽(L)。栅长(W)采 用历史数据中最接近的数值，根据MOS管的有源区范围及栅的形状计算MOS 的端口位置，创建新的MOS管。
如果m为5，以S、 g为MOS管范围，并根据P0到P1的方向计算MOS 管的朝向、宽、高，以尸3 、 g确定MOS管的位置及栅宽(L)，以g为MOS 管的栅长(W) ， P5同时会确定MOS管的部分形状，未能确定的MOS管形 状采用历史数据中最接近的，根据MOS管的有源区范围及栅的形状计算MOS 的端口位置，创建新的MOS管。
如果m为n(n》5)，以f、尸2为MOS管范围，并根据P0至U Pl的方向计 算MOS管的朝向、宽、高，以g 、 g确定MOS管的位置及栅宽(L)，以g 至《来确定Mos管的栅长(W)及栅的形状，未能确定的MOS管形状采用历 史数据中最接近的，根据MOS管的有源区范围及栅的形状计算MOS的端口位 置，创建新的MOS管。
如果m为n (n》5)，且《(5<7'<")为画栅结束的特殊数据。^至《—,于 前述相同，来确定MOS管的AR、 L、 W、 PS;数据《+,至《来确定MOS管的 G、 D、 S。
朝向(Dir)计算F1:输入端点中有两点是MOS有源区的参数信息，MOS 管的朝向也由这两点计算得来，图4示出了 MOS管朝向(Dir)的算法(《)， D'(《、Yi)、 AK、 Y2)为有源区入的端点数据，MOS管朝向(Dir)的确定方法为
当12>《、y2<K ， Dir = Up ，即MOS管朝向为上(如图4(a));
当；^〈Xp y2>}^ ， Dir = Down ，即MOS管朝向为下(如图4(b));
当X2〈X,、 y2<K ， Dir = Right ，即MOS管朝向为右(如图4(c));
当义2>;^、 y2>i; ， Dir = Left ，即MOS管朝向为左(如图4(d))。
栅计算F2:栅的参数有栅长(L)、栅宽(W)等。当解析出用户未输入栅参数时，栅长L会从历史数据中取得，布局算法由有源区信息(AR)、栅宽(L)计算栅信息(PS)。图5示出了MOS管栅的算法(《)，栅的中轴线(虚线)过有源区的长Z"的中点，与有源区宽度『^平行。设最小线宽为￡,,栅在MOS管朝向方向高出有源区的长度为^,在MOS管朝向反方向长出有源区的长度为^/、 ^的确定方法为
当用户输入栅的一些端点信息时，如图中"'(《、Yi)、 D2CA、 Y》两点，则
栅的中线为与。1 、 A中间，栅长L为丄,2-《I
端口计算F3:端口的计算主要为确定MOS管的G端口、 D端口及S端口的位置，图6示出端口的计算法则。在图6(a)中，栅将有源区分为两部分区域A和区域B，栅的两端位于有源区外，其中MOS管朝向一端的区域为C，端口计算方法为-
G端口位于区域C的中心；
S端口位于区域A的中心；
D端口位于区域B的中心。
在图6(b)中，栅的走向经过原来计算到的端口位置，此时G端口的计算方法与图6(a)相同，栅的走向仍将有源区分为两个部分区域A和B ，此时端口S 、 D分别位于区域A和B中。
综上所述，本发明是一种基于历史数据和布局算法的可变的MOS管标注方法和标注装置，由于采用了历史数据记忆、MOS管参数动态计算，使用户不需要输入MOS管的全部参数信息，就可标注完成一个MOS管，可大大提升MOS管标注的效率。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求所限定。
权利要求
1.一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置，特征在于，包括历史数据判断模块，用于对历史数据库是否为“空”进行判断当“空”时输出“无历史数据”结果；当非“空”时输出“有历史数据”结果；输入数据模块，对于所述历史数据判断模块输出为“无历史数据”结果时，该输入数据模块接受用户输入的MOS管端点信息，以相应端点坐标信息进行输出；布局算法模块，用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS′；判断比较模块，用于将所述布局算法模块输出的MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″进行是否一致的判断，输出“一致”或“不一致”结果，当“不一致”时，反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息；标注存储模块，用于对所述判断比较模块输出为“一致”结果的目标MOS管MOS″进行标注，并存储该已经标注的目标MOS管MOS″的参数信息至历史数据库。
2. 根据权利要求l所述的标注MOS管的装置，其特征在于所述的布局 算法模块包括依次连接朝向计算(Fl)模块、栅计算(F2)模块及端口计算(F3)模块。
3. 根据权利要求l或2所述的标注MOS管的装置，其特征在于所述的 输入数据模块接受用户输入的MOS管端点信息为不定长的端点信息，即MOS 管的部分或全部参数信息。
4. 根据权利要求1或2所述的标注MOS管的装置，其特征在于所述的 MOS管端点信息包括MOS管位置、有源区信息、朝向、栅信息、栅宽、栅长、 端口位置。
5. —种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法，包括 第一判断步骤判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史数据送入布局算法步骤进行计算；当无历史数据时，进入输入步骤；输入步骤，用户输入MOS管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出； 布局算法步骤，对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS';第二判断步骤将MOS管计算值MOS'与所需要标注的目标MOS管MOS"进行是否一致的判断，当"不一致"时，反馈至所述输入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当第二判断步骤判断为"一致"时，进行MOS管MOS"标 注，存储已经标注的MOS管MOS"的参数信息至历史数据库。
6. 根据权利要求5所述的标注MOS管的方法，其特征在于所述的布局 算法步骤包括依次进行的朝向计算(Fl)、栅计算(F2)及端口计算(F3)。
7. 根据权利要求5或6所述的标注MOS管的方法，其特征在于所述的 输入步骤中用户输入MOS管端点信息为不定长的端点信息，即MOS管的部分 或全部参数信息。
8. 根据权利要求6所述的标注MOS管的方法，其特征在于所述的朝向 计算(Fl)的内容包括有源区的两个输入端点，当由左上至右下时，朝向为 上；当由右下至左上时，朝向为下；当由右上至左下时，朝向为右；当由左下 至右上时，朝向为左。
9. 根据权利要求6所述的标注MOS管的方法，其特征在于所述的栅计 算(F2)的内容包括栅按朝向穿过有源区，在朝向方向高出最小线宽；在反 方向，高出最小线宽的一半。
10. 根据权利要求6所述的标注MOS管的方法，其特征在于所述的端 口计算(F3)的内容包括G端口位于栅上有源区外高出最小线宽部分的中心， 由栅计算(F2)模块计算得到的栅将有源区分为两部分，S端口、 D端口分别 在该两部分的中心。
全文摘要
本发明涉及一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置，其方法包括第一判断步骤判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史数据送入布局算法步骤进行计算；输入步骤，用户输入MOS管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出；布局算法步骤，对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS′；第二判断步骤将MOS管计算值MOS′与所需要标注的目标MOS管MOS″进行是否一致的判断，当“不一致”时，反馈至所述输入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当“一致”时，进行MOS管MOS″标注，存储已经标注的MOS管MOS″的参数信息至历史数据库。本发明提升MOS管标注的效率。
文档编号G06F17/50GK101604342SQ20081003874
公开日2009年12月16日 申请日期2008年6月10日 优先权日2008年6月10日
发明者姚海平 申请人:圣景微电子(上海)有限公司