改进rfid智能卡中的耦合和与rfid智能卡的耦合的制作方法

改进rfid智能卡中的耦合和与rfid智能卡的耦合的制作方法
【专利摘要】一种双接口（DI）智能卡（100），其包括：芯片模块（CM）；模块天线（MA）；卡体（CB）；和卡天线（CA），其具有反相连接为“准偶极子”的两个线圈（D，E）。电容性短线（B，C）与模块天线（MA）的天线结构（A）相连接。模块天线（MA）仅与卡天线（CA）的线圈（D或E）的一个线圈相重叠。卡天线（CA）可以由一根连续的金属丝形成。铁氧体（156）将模块天线（MA）从接触垫（C）屏蔽开，并增强模块天线（MA）和卡天线（CA）之间的耦合。
【专利说明】改进RF ID智能卡中的耦合和与RF ID智能卡的耦合
【技术领域】
[0001]本发明涉及“安全文件”，例如电子护照，电子ID卡和智能卡，其具有RFID (射频识别)芯片或芯片模块，并以非接触模式(IS014443)操作，包括双接口(DI，或DIF)卡，它也可以在接触模式(IS07816-2)进行操作，并且更具体地，涉及改进智能卡内的部件之间的耦合，例如与芯片模块(CM)相关联的模块天线(MA)和位于智能卡的卡体(CB)上的卡天线(CA)之间的耦合，从而改进与外部RFID读取器之间的相互作用。
【背景技术】
[0002]为便于讨论，RFID应答器通常包括基底、设置在基底上或基底中的RFID芯片(或芯片模块)、和设置在基底上或基底中的天线。应答器可以形成安全文件的基础，所述安全文件例如是电子护照、智能卡或身份证。
[0003]RFID芯片(CM)可以以非接触摸式(如IS014443)运行，或可以是双接口(DIF)模块，其可以也以接触模式(如IS07816-2)和非接触模式工作。芯片模块可以从由与其进行通信的外部RFID读取器装置提供的RF信号中获得能量。
[0004]基底可以被称为“镶嵌基底”(例如用于电子护照)或“卡体”(如用于智能卡)，可以包括材料的一层或更多层诸如聚氯乙烯(PVC)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、PET (掺杂PE)、PET-G (PE的衍生物)、TeslinTM、纸或棉/落棉等材料。除非另外明确指出，当在此使用“镶嵌基底”时，应当包括“卡体”，反之亦然。
[0005]芯片模块(可以是引线框架式芯片模块或环氧玻璃型芯片模块。环氧树脂玻璃模块可以使用通孔电镀在一侧(接触侧)或两侧被金属化以便与天线互连。除非另外明确指出，当在此使用“芯片模块”时，应当包括“芯片”，反之亦然。
[0006]天线可以是自接合(或自粘贴)金属丝。一种将天线金属丝安装至基底的传统方法是:使用振动的超声波发生器(超声工具)，通过毛细作用供给金属丝，并将其镶嵌入或粘贴至基底的表面。天线的典型的图案为大体矩形的，呈具有数匝线圈的平面(平面)的线圈(盘绕件)形式。天线金属丝的两端可以例如通过热压(TC)接合连接至芯片模块的端子(或端子区域，或接触垫)。参见，例如US6698089和US6233818，其通过引用并入本文。
[0007]将天线包括在芯片模块(天线模块)中的任何布置的问题是:与更传统的天线相t匕，总天线区域相当小(例如约15mm xl5mm),所述传统的天线可以通过将数阻(例如4或5)金属丝嵌入在镶嵌基底或安全文件的卡体的周边附近而形成(在此情形下，总天线区域可以是约80mm x50mm,约20倍大)。当天线被包括在芯片模块中时,所获得的实体可以被称作“天线模块”
[0008]一胜现有抟术
[0009]下面的专利和公开文献通过弓I用整体地并入此文中。
[0010]US5084699 (Trovan, I"2)题为 “Impedance Matching Coil Assembly For AnInductively Coupled Transponder”(用于电感稱合应答器的阻抗匹配线圈组件)。注意图
5。用于感应供电的应答器中的线圈包括初级线圈(156)和次级线圈(158)，其卷绕在形成铁氧体棒(160 )的同一线圈周围。初级线圈的引线(162 )悬空而二次线圈的引线(164)连接到应答器的集成识别电路。
[0011]题为“ContactlessChip Card” (非接触芯片卡)的”US5955723 (siemens, 1999)中公开了一种包括半导体芯片的数据载体构造。注意图1。第一导体回路(2)连接到半导体芯片(1)，具有至少一个线圈，并具有与上述半导体芯片的尺寸大体相当的横截面面积。至少一个第二导体回路(3)具有至少一个线圈、与所述数据载体构造的尺寸大体相当的横截面面积和形成与所述第一导体回路(2)的尺寸大体相当的第三回路(4)的区域。第三回路(4)与第一导体回路(2)和至少一个第二导体回路(3)彼此电感耦合。
[0012]US6378774 (Toppan，2002)题为 “IC Module and Smart Card”(IC 模块和智能卡)。注意图12A、B和17A、B。智能卡包括用于非接触传送的天线和IC模块。IC模块既具有接触型的功能又具有非接触型的功能。IC模块和天线分别包括第一和第二的耦合线圈，其被设置成彼此紧密耦合，并且IC模块和天线是通过变压器耦合以非接触状态耦合。
[0013]Toppan的天线(4)包括两个类似的线圈(图4a，4b)，其在图17A中被示出为设置在基底(5)的相对侧上，一个大体在另一个之上。耦合线圈(3)与所述卡天线(4)相关联。另一个耦合线圈(8)与芯片模块(6)相关。如最佳从图12A和12B可见，这两个耦合线圈(3、8)具有大体相同的尺寸，并且一个大体设置在另一个之上。
[0014]题为“Adjusting Resonance Frequency By Adjusting Distributed Inter-TurnCapacity”(“通过调整线匝间电容分布来调整谐振频率”)的US7928918 (Gemalto, 2011)公开了一种用于调整谐振电路的谐振频率的方法，其线匝具有规则的节距以产生杂散线匝间电容。
[0015]US2009/0152362 (Assa Abloy, 2009)公开了“Coupling Device for TransponderAnd Smart Card With Such Device”(用于应答器的稱合装置和具有该装置的智能卡)。注意图6。耦合装置由连续导电路径形成，所述连续导电路径具有中央部分(12)和两个端部分(11，11’)，中央部分(12)形成用于与应答器装置电感耦合的至少一个小的盘绕件，端部部分(11，11’)各形成用于与读取器装置电感耦合的大的盘绕件。
[0016]ASSA ABLOY示出，外端部分(11)的内端和内端部分(11’)的外端与耦合线圈(12)相连接。外端部分(11)的外端(13)和内端部分(11’ )的内端(13’ )未被连接(松散)。
[0017]US2010/0176205 (SPS, 2010)题为 “Chip Card With Dual CommunicationInterface”(具有双通讯接口的芯片卡)。注意图4。卡体(22)包括用于浓缩和/或放大电磁波的装置(18)，器可以引导所接收的电磁流量，具体地，从由非接触式芯片卡读取器朝向微电子模块(11)的天线(13)的线圈引导。用于浓缩和/或放大电磁波的装置(18)可以由设置在卡本体(22)的空腔下面(23)的接收所述微电子模块(11)的金属板构成，也可以由天线构成，该天线由设置在卡体(22)内空腔(23)下方接收微电子模块(11)的至少一个线圈构成。
[0018]还参照以下文件:CA2279176，DE4311493,US6142381, US6310778, US6406935,US6719206, US2009/0057414 ；US2010/0283690 ;和 US2011/0163167。

【发明内容】

[0019]一种双接口(DI)智能卡(100)，其包括:芯片模块(CM);模块天线(MA);卡体(CB);和卡天线(CA)，其具有反相连接为“准偶极子”的两个线圈(D，E)。电容性短线(B，C)与模块天线(MA)的天线结构(A)相连接。模块天线(MA)仅与卡天线(CA)的线圈(D或E)的一个线圈相重叠。卡天线可以由一根连续的金属丝形成。铁氧体(156)将模块天线(MA)从接触垫(CP)屏蔽开，并增强模块天线(MA)和卡天线(CA)之间的耦合。
[0020]双接口(DIF)智能卡包括:
[0021]-大体矩形的卡体CB,其可以是多层结构,尺寸为约50mmx80mm,
[0022]-DIF芯片模块CM，尺寸为约8mm xlOmm,在芯片模块CM的一侧具有金属接触垫(CP)，在芯片模块CM的另一侧具有模块天线MA，以及
[0023]-卡天线CA，其绕卡体CB的周边延伸，并具有与卡体CB大体相同的总尺寸。
[0024]模块天线MA具有扁平盘绕件图案的数个线匝，可以是圆形的、椭圆的或具有四个侧边缘的大体矩形，可以与芯片模块CM具有大体相同的总体尺寸。模块天线可以包括卷绕为扁平线圈的金属丝元件，或者可以从绝缘层(例如环氧树脂玻璃膜或带)上的导电层蚀刻为扁平线圈图案。
[0025]卡天线CA可以包括两个线圈-外线圈D和设置在外线圈D内部的内线圈E。内线圈E和外线圈D具有彼此基本相同的长度，每个都具有两个端部(位置)7、8、9、10，并被反相连接为“准偶极子”。例如，外线圈D的外端(7)与内线圈E的内端10连接(或连续)。
[0026]卡天线CA可以通过传统的金属丝嵌入法形成，或者通过诸如加成工艺或减成工艺等金属丝嵌入法之外的技术形成为导电迹线或图案。
[0027]天线模块AM被设置为使得其模块天线MA与内线圈E或外线圈D的一个重叠，而不与另一个重叠。不需要单独的耦合线圈使模块天线MA与卡天线CA耦合。公开了卡天线CA的不同构造，例如:
[0028]-天线模块AM设置在卡天线CA的内部，模块天线MA仅与内线圈E重叠。
[0029]-天线模块AM可以设置在卡天线CA的外部，其模块天线MA仅与内线圈E重叠，或者设置在卡天线内部，其模块天线MA重叠在外线圈D上。
[0030]-可以设置附加的一个或多个天线模块AM1、AM2，并与卡天线CA耦合以提供附加的功能
[0031]-卡天线CA可以替代地形成为单个线圈，其可以被“准偶极子”(两个线圈D、E反相连接)要求更多的线匝。
[0032]为减缓金属接触垫CP对模块天线MA和卡天线CA之间的耦合的负面影响，诸如铁氧体的屏蔽元件可以插置在天线模块AM中，在模块天线MA和芯片模块CM的接触垫CP之间。
[0033]模块天线MA可以包括“主”天线结构A和两个附加天线结构B、C，附加天线结构是从天线结构A的端部延伸的电容性短线。
[0034]天线模块AM可以包括在诸如电子护照封面、智能卡、ID卡等的安全文件中。
[0035]根据本发明的某些实施例，智能卡(100)包括:天线模块(AM)，其包括:至少一个芯片或芯片模块(CM)和模块天线(MA);卡体(CB)，其具有至少一个表面和外周；和卡天线(CA)，其绕卡体(CB)的外周延伸；其特征在于，所述天线模块(MA)的至少一部分与所述卡天线(CA)的至少一部分重叠以便在没有与卡天线(CA)相关联的耦合线圈的中介的情形下与所述卡天线的至少一部分耦合。[0036]根据本发明的某些实施例，将具有至少一个非接触模式的芯片模块(CM)耦合至设置在智能卡的卡体(CB)上的卡天线(CA)的方法包括:在具有芯片模块(CM)的天线模块(AM)中提供模块天线(MA)，其特征在于:提供卡天线(CA)作为“准偶极子”天线，所述“准偶极子”天线具有彼此反相连接的两个线圈部分。所述卡天线(CA)具有内线圈(E)和外线圈(D);以及所述模块天线(MA)与所述内线圈和外线圈(E，D)的仅一个相重叠。
[0037]在制造接触和非接触交易卡时使用特别天线构造的预层叠阵列。在应用中，卡天线夹在智能卡的外层和印刷层之间，与卡体CB中的植入的天线模块AM电磁耦合，获得优于现有的DIF技术的读/写范围。这种收发数据的方法也是对芯片卡模块和卡体中嵌入的天线之间的不可靠互连的主要改进。
[0038]安全打印机可以使用现有的智能卡磨制和芯片模块植入系统制造制造与双接口卡兼容的EMV (Europay,MasterCard和VISA)。某些特征可以包括不同的片材设计以使打印压力形式，对每个RFID芯片的优选的读/写距离，优异的机械和电子特性，以及能容易地与现有的智能卡制造工艺相结合。
【专利附图】

【附图说明】
[0039]详细参考公开实施例，参考附图示出实施例的非限制性示例。附图通常是示意图。为说明清楚起见，附图中的一些元件可能被夸大，另一些可能被省略。尽管通常在各示例性实施例的上下文中描述本发明，但应当理解，这并不意味着将本发明限制于这些特定的实施例，并且各种实施例的单独特征可相互结合。
[0040]图1A、1B是根据本发明的DIF智能卡的截面图。
[0041]图1C是根据本发明的智能卡的天线模块(AM)的线圈子组件的截面图。
[0042]图1D是根据本发明的DIF智能卡的截面图。
[0043]图1E是根据本发明的DI芯片模块的截面图。
[0044]图2A是根据本发明的天线模块(AM)的示意图。
[0045]图2B是图2A的天线模块(AM)的截面图。
[0046]图3A是根据本发明的智能卡的卡天线(CA)的示意图。
[0047]图3B是图3A的与卡天线(CA)相关联的反应部件(电容和电感)等效电路图。
[0048]图4A是根据本发明的某些实施例的卡天线CA的构造的示意图(平面图)。
[0049]图4B是图4A中示出的构造的截面图。
[0050]图4C、4D、4E、4F、4G、4H是根据本发明的某些实施例的卡天线CA的构造的示意图(平面图)。
[0051]图41、4J是根据本发明的某些实施例的具有卡天线(CA)构造的智能卡的截面图。
[0052]图5A、5B、5C、ro、5E、5F、5G、5H是根据本发明的某些实施例的卡天线(CA)的不同构造和与一个或更多天线模块AM相互作用的不同装置的示意图(平面图)。
[0053]图6A用于将手机粘贴件(MPS)施加至手机的技术的截面图，图6B是根据本发明的某些实施例的在将手机粘贴件(MPS)施加至手机的技术中使用的屏蔽元件的截面图。
[0054]图7A、7B、7C、7D是根据本发明的某些实施例的制造天线模块(AM)的方法所涉及的步骤的透视图。
[0055]图7E是实现本文公开的发明的一些实施例的智能卡的透视图。图7F是具有穿过天线模块AM的凹陷的天线金属丝的卡体CB的部分的透视图。
【具体实施方式】
[0056]将描述各种实施例以说明本发明的教导，这些实施例应被解释为说明性的而非限制性的。基本上在下文中，安全文件(其可以是智能卡或国民身份证)形式的应答器可作为本文所公开的本发明的实施例的各种特征的示例进行讨论。如显而易见的，许多特征和实施例可以适用于(容易地并入)安全文件的其它形式，如电子护照。
[0057]基本上在下文中，通过在镶嵌基底或卡体中嵌入金属丝而形成的天线结构作为示例进行讨论。然而，应当理解的是，天线可以使用除了将金属丝嵌在基底内之外的其它工艺形成，例如以下加成工艺或减成工艺:打印天线结构、线圈绕制技术(例如在US6295720中所公开的)、形成于单独的天线基底上并转移到镶嵌基底(或其层)中的天线结构，从基底上的导电层蚀刻(包括激光蚀刻)而成的天线结构，沉积在基底的通道中的导电材料等等。
[0058]下面的描述大多是在双接口(D1、DIF)智能卡的情形下，大多涉及其非接触式操作。许多本文阐述的教导可以适用于仅具有非接触操作模式的电子护照等。通常，本文阐述的任何尺寸都是近似的，并且本文所阐述的材料旨在是示例性的。
[0059]通过将芯片模块CM与卡天线CA耦合而非连接，消除了芯片模块CM与卡体天线之间的物理连接(如在US7980477中所述)的“弱联系”。然而，与直接物理接触相比，耦合更难以实现。因此，模块天线MA和卡天线CA之间(从而和非接触读取器的天线之间)的有效耦合很重要
[0060]本文所公开的卡天线CA (和其它特征)可以增加具有电容耦合和电感耦合的天线模块AM和外部非接触读取器之间的有效操作距离。其通过在天线模块AM所在位置处集中由读取器天线生成的磁场而将能量传送给天线模块AM。
[0061]图1A示出了 DIF智能卡,包括:
[0062]-DIF芯片模块CM，其设置在基底或模块带MT的下侧；
[0063]-一定数量(例如6)的接触垫CP，用于在模块带MT的顶侧实现接触界面(IS07816);以及
[0064]-模块天线MA，其设置在模块带MT的下侧，通常由被蚀刻的导体或金属丝形成，具有盘绕件(线圈)图案。
[0065]-基底MT支承和引起芯片模块CM、接触垫CP和模块天线MA之间的相互连接，并且可以是单面的，仅一侧金属化，或者是双面的，两面都被金属化。
[0066]-芯片模块CM可以以任何合适的方式连接至模块带MT,如倒装芯片(flip-chip)连接(如图1A所示出的)或引线接合(如图1B所示出的)。
[0067]-如本文所使用的，“芯片模块”包括一个或多个裸露半导体片(芯片)。“混合型”芯片模块可包括用于接触界面的芯片和用于非接触界面的芯片等。DIF芯片方案的示例可参考US6378774(Toppan，2002)，其中一个芯片执行接触功能而另一芯片执行非接触功能的两个芯片方案的示例可参考US2010/0176205 (SPS，2010)。
[0068]-芯片模块CM、芯片带MT、接触垫CP和模块天线MA—起构成“天线模块” AM。
[0069]智能卡还包括:
[0070]-基底，对于智能卡而言，所述基底可以被称为“卡体”CB。(对于电子护照而言，所述基底是“键嵌基底”。)
[0071]-卡体天线(CBA)(或简称卡天线CA)被示出为绕卡体CB的周边设置，通常是具有多个线匝的矩形、平面盘绕件的形式。
[0072]-如本文所使用的，卡体CB旨在涵盖支承卡天线CA和接收天线模块AM的任何基底。可以在卡体内设置凹陷用于接收天线模块AM。
[0073]一些示例性的和/或近似的尺寸、材料和规格可以是:
[0074]-模块带(MT):基于环氧树脂的带,60μ m厚
[0075]-芯片模块(CM):NXP SmartMx 或 Infineon SLE66,或其它
[0076]-天线模块(AM): 15mmX 15mm 和 300 μ m 厚
[0077]-模块天线(MA):几圈50μ m的铜金属丝，大约是芯片模块CM的尺寸(尺寸不大于AM)。
[0078]-卡体CB:约50mmX 80mm, 300 μ m厚,聚碳酸酯(PC)。卡体及其卡天线显著(如20倍)大于芯片模块CM及其模块天线MA。
[0079]-卡天线CA:3-12匝112 μ m铜自接合线，超声波嵌入在卡体CB中。
[0080]诸如覆盖层的 附加层(未示出)可以层叠到卡体，以完成智能卡的构造。
[0081]图1A示出了具有用于在接触模式(IS07316)中经由接触垫CP与芯片模块CM相互作用(提供电力并交换数据)的触点的接触读写器，并示出了具有用于通过卡天线CA和模块天线MA与芯片模块CM相互作用的天线的非接触读写器。
[0082]图1B示出了(分解图)DIF智能卡100的总体结构，包括
[0083]-环氧树脂玻璃基底(MT)102，其在其顶部表面(如所见的)具有数个接触垫(CP)104，用于在操作的“接触模式”中制造与外部读取器的接触模式操作的接触界面；
[0084]-数个接合垫106可以设置在带102的相对面上；
[0085]-在其前(底部，如所示的)表面上具有数个(仅示出两个)接合垫110的DIF芯片模块(CM) 108 ；
[0086]-模块天线(MA)112，其包括(例如)数匝金属丝，例如具有3x8构造(3层，每层具有8匝)，并具有两个端部112a和112b。
[0087]芯片模块108可以安装至带102的下侧(如所示的)，其接触垫110例如通过传统的金属丝接合连接至带102的下侧(如所观察的)上的接合垫106的选择的垫。为说明清楚起见，仅示出两个金属丝接合连接件114a和114b。替代地，对于至少一些连接，可以穿过带102提供开口(未示出)，以直接金属丝接合至接触垫104的下侧。如果需要的话，除了用于接触界面(IS0-7816)的接触垫104，在带102的前(顶部)表面上的金属化可包括用于连接模块天线112的端部112a、112b和影响互连(布线)的区域(未示出)。
[0088]模块天线112通过其端部112a、112b在带102的下侧例如被热压接至两个接合垫106,如图所示。
[0089]上面描述的元件(通常是模块带102、芯片模块108和模块天线112)的集合可以被称为“天线模块”118。
[0090]智能卡的卡体(CB) 120具有嵌入在其周边的内侧附件的较大的卡天线(CA) 122。模块天线112与卡天线122耦合(电磁耦合)，以改进智能卡与外部非接触读取器的耦合。卡天线122可以使用常规超声波金属丝嵌入技术形成在卡体120上。[0091]为增强模块天线112和卡天线122之间的耦合，表现出电磁耦合性质的材料(如铁氧体)可以作为薄膜124以任何所需的图案设置在卡体120的表面上，或者可以作为颗粒126以任何所需的图案结合或嵌入在卡体120中，或者两者(薄膜和颗粒)兼而有之。
[0092]使用铁氧体作为材料以增强耦合或屏蔽(防止)耦合在此作为具有高电磁导磁率的材料的示例加以讨论，其经常被以各种形式与天线结合使用。参见例如US5084699(Trovan)0
[0093]DIF芯片模块的线圈天线子组件
[0094]图1C示出了智能卡(例如图1B的DIF智能卡100)的线圈子组件130的构造。模块天线(MA)的金属丝线圈112可以使用任何合适的线圈卷绕器卷绕，并设置在膜支承层132 上。
[0095]模块天线MA可包括数匝金属丝，例如具有3x8构造(3层，每层具有8匝)，并具有两个端部112a和112b。金属线可以具有约为80 μ m的直径，所获得的模块天线112具有大约240μπι (3Χ80μπι)的总厚度(或高度)。模块天线MA可以具有环(圆柱)的形式，环的内径(ID)约9mm,以及约IOmm的外径。
[0096]薄膜支承层132可以是丁腈薄膜,60 μ m厚,并具有约10_15mmX 10_15mm的整体外形尺寸，或是模块天线MA (安装于其上)的约两倍(一个维度上的总尺寸)大。
[0097]穿过膜132设置中央开口 134，其与模块天线MA的位置大体对齐，并具有与模块天线MA的内径ID几乎一样大的直径。开口 134可以通过冲压操作而形成。当天线模块AM被组装时，开口 134用于容纳芯片模块(例如108)及其金属丝接合。
[0098]可以通过薄膜132设置两个开口 136a和136b (与中央开口 134在同一个冲压操作中形成)，以允许天线金属丝端部112a和112b分别接合至模块带MT (102)上的接合垫(106，图 1B)。
[0099]脱离衬里138可以设置在膜132的一侧，例如与模块天线MA相对的一侧。中央开口 134可以或可以不延伸通过脱离衬里138延伸，脱离衬里138可以是纸，其厚度为约60 μ m0
[0100]模块天线MA可以用粘合剂(未示出)固定到支承薄膜132，所获得的结构可以被称为“模块天线子组件”。可以制备多个模块天线子组件，其可以排列成子组件阵列(m X η行和列)或位于连续的带(一长行)上，以便随后例如通过层压组装至模块带MT。(将图1C中所示的组件倒置，安装至图1B中示出的模块带102)。然后，芯片模块(108)可通过模块天线MA中的中央开口安装到模块带(102 )并如下面描述那样连接到模块带上的接合垫(106 )。
[0101]作为使用“双面”模块带MT (之所以被称为“双面”模块带是因为其在两面具有金属垫(以及内导电通孔))的替代，模块带可以是“单面”的，仅一侧具有例如用于接触垫CP金属化物。对于单面带，开口从带的芯片模块侧延伸到接触垫CP的背面侧的下方，用于连接于此。(也可以以此方式实现将模块天线连接至接触垫的选择的垫的露出的背面。)
[0102]另一个DIF智能卡
[0103]图1D示出了示例性的双接口(DIF)智能卡140，其中DIF芯片模块(CM) 148被安装至互连基底(MT) 142，所述互连基底(MT) 142在其一个表面上(顶部，如所示出的)具有接触界面的接触垫(CP) 144。线圈天线(MA) 152被设置为无触点模式，并通过基底MT被连接到芯片模块CM。模块天线MA通常在芯片模块CM的与接触垫CP相对的侧(底部，如图所示)上。基底MT、芯片模块CM、接触垫CP和线圈天线MA (以及铁氧体元件156，在下面描述)一起可以被称为“天线模块”(AM)。
[0104]天线模块(AM)被安装到具有卡天线(CA) 162的卡体(CB) 160。在非接触模式下，模块天线(MA) 152与卡天线(CA) 162相互作用，卡天线(CA) 162继而与外部读取器(未示出)的天线(未示出)相互作用。一些细节可能包括:
[0105]-该天线模块和模块天线相对较小，如IOmmXIOmm
[0106]-卡体和卡天线相对较大，如50mmx80mm
[0107]-模块天线可基本上位于卡天线(如图中所示)的正上方，卡天线的其余部分可以远离芯片模块和模块天线
[0108]-卡天线可以用导电迹线或类似物制成，换言之，使用嵌入金属丝(最简单的“传统的”技术)之外的技术。
[0109]DIF模块的顶侧的接触垫CP是金属的，因而可以使在模块天线MA和卡天线CA之间传递的RF信号衰减。为了减轻衰减并增强模块天线和卡天线之间(最终在芯片模块和外部读取器之间)的耦合，铁氧体元件(FE) 156可被设置(插置，插入)在芯片模块和模块天线之间，-或者，换言之，在接触垫(CP) 144和模块天线(MA) 152之间。
[0110]铁氧体元件FE可以覆盖由芯片和天线限定或由接触垫限定的区域的至少50%的区域，该区域具有无源电磁元件，该无源电磁元件可以增强模块天线MA和卡天线CA之间的电磁耦合，使得信号强度(对于在模块天线MA和卡天线CA之间在任意方向传递的信号)增加例如至少+3dB，使得 智能卡140和外部非接触卡读取器(图1A)之间的有效距离也随之增加，例如使得读/写(和能量收集)能力从约3 - 5cm增加至约6 - 10公分。
[0111]铁氧体元件156可以是材料的单独的层，例如来自TDK公司或Kitagawa (见http://www.kitagawa.de/index.php?id=8&L=l )。铁氧体元件 156 可以在安装模块天线之前喷洒在芯片模块的底部表面。铁氧体元件156可以是连续的(或接续的，除了允许通过铁氧体元件将天线模块连接至芯片模块的开口)，或者可以是不连续的(例如，网格或筛子)。如图所示，可以在铁氧体元件/层156中设置开口 158，用于将芯片模块CM安装到基底142。铁氧体元件156可以具有光滑的表面，或可以是波纹，或形成有“角反射器”图案用于增强模块天线MA和卡片天线CA之间稱合。铁氧体元件156可包括纳米结构,如纳米颗粒,纳米线或纳米管。铁氧体(或其它)元件156可以不在模块天线MA和芯片模块CM (接触垫CP)之间，只要获得所希望的效果即可。可以将铁氧体之外的材料用于“铁氧体元件”。可以用任何材料替代铁氧体，例如具有高电磁导率的材料，增加模块天线MA和卡天线CA之间的耦合(能量转移效率)。
[0112]图1B的芯片模块可以植入在卡体CB中，卡体CB可以包括管芯，该管芯附着至环氧玻璃胶带和金属丝接合至该环氧玻璃胶带，被填充有透明的UV-浇铸化合物(环氧树脂)的障碍物(其在带上方的厚度约为400μπι)的封装的连接。保护硅管芯的“障碍物和填充”的形状为圆形，直径约为6mm。铁氧体元件FE被安装在障碍物和周边地区的表面上，以作为对抗电磁场的衰减的屏蔽。金属丝模块天线MA被安装到铁氧体层，金属丝端部由热压缩合至环氧树脂玻璃带的端部区域。
[0113]在替代结构中，芯片模块CM可以包括具有其自己的天线(例如，在US6373447)的芯片，或者直接与卡天线CA耦合(无模块天线MA)，或者与天线模块(AM)(其与卡天线耦合)耦合。
[0114]图1E示出了双接口芯片模块(CM)，其可以与设置在卡体(CB)内的卡天线(CA)直接连接。接触垫(CP)设置在芯片模块(CM)的顶部表面上作为接触接口。两个端子设置在芯片模块的底部表面上用于与卡天线连接。双接口(DI)芯片可被金属丝接合到芯片模块的带基底上的各接触垫(CP)。可以施加圆顶封装体以保护DI芯片和金属丝接合。
[0115]如本文中所讨论的，可以设置模块天线(MA)，与芯片模块结合，用于将芯片模块电磁耦合至卡天线。并且，如上所述，铁氧体可并入到所获得的天线模块(AM)中以改进模块天线与卡天线之间的f禹合。
[0116]模块天线(MA)可以是设置在芯片模块(MA)的圆顶封装体模具块上的扁平的卷绕线圈。
[0117]市售的芯片模块(CM)或天线模块(AM)(如NXP的SmartMX或Infineon SLE66，或其它)可以与本发明结合使用，本发明可以是“现成的”或具有本文中公开的修改，如将模块天线MA添加到芯片模块CM上，或在所获得的天线模块AM中增添铁氧体元件)。
[0118]现在将讨论的本发明的一些方面包括对模块天线MA (图2A、2B)的改进和对卡天线(图3A，3B)的改进。
[0119]模块天线(MA)的电容件短线(capacitive stub) [0120]图2A、2B示出了天线模块(AM) 200的实施例，包括:
[0121]-芯片模块(CM)208，其具有两个端子208a、208b
[0122]-电感金属丝天线结构(A)210，其形成为嵌入金属丝的扁平线圈，具有多个(如12)的线匝，并具有两个端部，即外端I (线匝的靠外的一匝的端部)和内端2 (线匝的靠内的一匝的端部)
[0123]ο天线A的总长度可以是400mm
[0124]ο天线A的端部I和2可以连接到芯片模块的端子。
[0125]ο芯片模块可以设置在天线A的线匝内(在线匝的内部)
[0126]ο天线A的外匝可以跨越天线A的内匝以被布置到芯片模块CM
[0127]-电容性天线扩展(或短线，或“天线结构”)B和C也形成为嵌入金属丝的扁平线圈，具有多个线匝，并被连接到如下所述的电感金属丝天线。
[0128]芯片模块208和天线A210可以设置在多层天线基底200的层222中或设置在该层上。芯片模块208可以设置在部分地延伸穿过层222 (如图所示)的凹陷(袋)206中，或者可以被布置在完全延伸穿过层222的凹陷(开口)中，芯片模块208由底层224支承。
[0129]在图2B中，芯片模块被示出为“面向上”，而其用于与天线A连接的端子在其顶侧上。或者，芯片模块可被定向为“面朝下”，其天线接收端子在其底侧(例如延伸穿过基底222)，而用于接触界面的另一组端子(未示出)在其顶侧。
[0130]AM200的其它变型可以包括，但不限于:
[0131]-天线A可以在层222的底部上
[0132]-短线B212可以在层224的底部上
[0133]-短线C214可以在层226的底部上
[0134]-短线B和C可以在单层的顶部和底部表面上，所述单层可以在层222的上方或下方[0135]短线B212可形成为金属丝的扁平线圈，具有多个(如12)线匝，并在覆盖层222的层224中具有两个端部，即外匝的外端3和内匝的内端4。短线B可以具有约400mm的总长度，并可以与天线A对齐(直接在其上方)。
[0136]短线C214可形成为金属丝的扁平线圈，具有多个(如12)线匝，并在覆盖层222的层226中具有两个端部，即外匝的外端5和内匝的内端6。短线C可以具有约400mm的总长度，并可以与天线A对齐(正下方)。可以通过蚀刻、印刷或其它工艺而非使用嵌入金属丝来形成短线B和C。
[0137]在图2A的示意图中，天线A和短线B、C示出为彼此横向偏移。在图2B中，电感金属丝天线A和电容性金属丝扩展B和C被示出为彼此上下定位和对齐。如图2A中最佳所示的，天线结构A、B、C的每一个都可以形成为具有多个线匝、总长度(从一端到另一端)和足迹(长X宽)的扁平线圈图案，并且可以在这些方面彼此基本相同。如在图2B所最佳示出的，天线结构A、B、C可以设置为基本上一个直接在另一个之上。
[0138]图2B示出短线B、C的匝数、长度、宽度、节距和图案可以基本彼此相同(匹配)，且它们可以在天线模块200的层中叠置对齐，使得其线匝一匝一匝地彼此对齐。短线B、C也可以基本匹配，并与天线A对齐。电容和谐振电路形成在A+B和A+C之间。天线A示出为设置在短线B和C的多层之间的层中，天线A可以设置在短线B和C的两层上方或下方的层中。
[0139]虚线()表示短线B212的内端4可以例如在端子208b处连接至天线A210的外端1，短线C的外端5可以例如在端子208b处连接至天线A的内端2。短线B的外端3和短线C的内端6可以不被连接(保持敞开)。
[0140]可选地，竖直箭头U，丨)表示短线B的外端3可以连接到天线A的外端I (例如在端子208b处)，短线C的内端可以连接至天线A的内端。
[0141]请注意，在这任一情况下，短线B、C的“相反”(内与外)端连接至天线A的两端1、2 (即，B的内端4和C的外端5)。如本文所使用的，“在相反方向连接”指的是两个短线中的一个(B或C)的内端与天线(A)的一端连接，而两个短线中的另一个(C或B)的外端与天线(A)的另一端连接。通常不期望短线的“相同”端(如两个内端)与天线A的端部连接。本文中所讨论的连接(互连)可以以任何常规方式进行，如通过穿过层的通过、层上的迹线、接合、焊料焊接、压接、熔焊等。
[0142]将短线B和C定位为彼此紧邻，一个在另一个之上，天线A位于他们之间，这在A和短线B、C之间形成通过天线结构A、B、C之间的杂散电容实现的额外的谐振电路。暴露于来自天线A的相同的电磁场的耦合的短线B和C之间的相互作用可以有利地减小天线A的自谐振(或自共振)频率。短线B靠近天线A，短线C靠近天线A，因此短线B靠近短线C。
[0143]在电子器件中，电容和电感分别具有寄生电感和电容。对于一个电容器，电感主要是由于物理尺寸(包括引线)引起的。由于电容和电感的串联创建一个振荡电路，所以，使用步进式脉冲刺激时，所有的电容器和电感器都振荡。该振荡的频率是自谐振频率(SRF)。
[0144]天线模块AM的尺寸可为大约10-15mm xl0-15mm，其当然可以是圆形而非矩形。由于相对较小的可用区域时，天线模块的尺寸的电感金属丝环可以具有大约75MHz的自谐振频率。叠置的紧密耦合的天线结构(短线B和C)可以用作金属丝形成的电容器(具有敞开的金属丝端3和6)，所述电容器可以将所形成的应答器谐振频率降低至更期望的约13-17MH的值，从而增加电压将功率传送给芯片模块。
[0145]通过将结构(短线)B、C的附加的金属丝线匝移动至分开的面，叠置的紧密耦合的金属丝(或其它导电迹线)天线结构(短线B和C)的原理有利于将天线A所占的空间降到最小。这个原理可以比将数个电感金属丝天线(所有的金属丝端部被连接)串联或并联更有效。能通过制造更多的常规的导电表面(板)抵消谐振频率来形成天线A的电容式扩展。使用金属丝的一个优点是便于使用金属丝嵌入技术进行制造，并更好地利用空间。天线模块可能有非常有限的空间限制。
[0146]对上述“解决方案”的各种替代方案可以包括但不限于:
[0147]-在同一层具有两个短线B和C，但其线匝彼此交错，
[0148]-使短线B和C的一个或两个与天线A在同一层，
[0149]-使两个短线B和C在同一层，但二者在天线A的同一侧(覆盖或叠置)
[0150]-将短线B的外端3而非内端4连接至天线A的外端I,并将短线C的内端6而非外端5连接至天线A的内端2,
[0151]-使仅一个短线(B或C)通过其外端或内端(仅一端)连接至天线A的外端或内端(仅一端)，优选连接相反方向(一个的外端连接至另一个的内端)的端部，但是相同方向(内端连接至内端，外端连接至外端)的连接也是可能的。
[0152]“准偶极子”卡天线(CA)
[0153]图3A示出了基本上是平面的、通常为矩形的金属丝的盘绕件的总体形式的卡天线350，所述金属丝嵌入在卡体(CB，未示出)中，并包括两个不同的部分(或线圈或天线结构，或“极”)352、354，如下所示:
[0154]-外线圈(D)具有数阻金属丝、外端7和内端8
[0155]-内线圈(E)具有数阻金属丝、外端9和内端10
[0156]ο注意，所述内线圈E被示为虚线，用于与外线圈D (实线)相区别。
[0157]-外线圈D和内线圈E各可具有约1200mm的总长度。内线圈和外线圈具有彼此基本相同的长度。
[0158]-内线圈E和外线圈D均被认为是卡天线CA的“天线结构”。(比较模块天线MA的“天线结构” A、B和C)。
[0159]内线圈E和外线圈D连接为具有“反相”的“准偶极子”天线。外线圈D的外端7与内线圈E的内端10以任何合适的方式相连接，例如通过使用在基底中的单独的跳线或导电迹线。连接件“j”标有356并且可以简单地是节点。外线圈D的内端8和内线圈E的外端9没有被连接。
[0160]内线圈E和外线圈D可以彼此靠近地电感耦合，内线圈E和外线圈D中的感应电压可以具有彼此相反的相位。内线圈E和外线圈D可形成在相同的层，内线圈E布置在外线圈D的内部，或者它们可以形成在基底上彼此覆盖的层中，基本上彼此对齐。内线圈E和外线圈D可形成为嵌入金属丝等的扁平线圈，该扁平线圈具有一定数量的匝数及约1200_的总长度。
[0161]耦合天线350可以使用传统的金属丝嵌入技术(使用超声波的超声焊极，例如在US6233818中所描述)形成在基底(或卡体)上，所述金属丝嵌入技术例如如下所示:
[0162]-开始将金属丝嵌入在位置9(内线圈E的外端)，并继续嵌入到位置10 (内线圈E的内端)，从而形成数匝(例如2、3或4匝)内天线线圈E
[0163]-停止嵌入(关掉超声波，抬起超声焊极)，在下一步骤中，在数匝内线圈E的上方将金属丝引导(导引)至位置7，所述位置7将是外线圈D的外端的线匝，不切断金属丝。
[0164]ο跃过内线圈E使得不必具有连接外线圈D的端部10和内线圈E的内端7的单独的连接桥或跳线(在这里，“7”和“ 10 “是位置，而非端部)
[0165]-在位置7(外天线结构的外端)处恢复嵌入并继续，形成数匝(例如2、3或4匝)外天线结构(D)，如果有必要，跃过已铺设一体跳线356。
[0166]如图示的，形成连接件“j”的金属丝的部分“a”可以经过内线圈E的两个(如图所示)已铺设线匝的上方，部分“b”可以经过外线圈E的两个(如图所示)待铺设线匝的下方。所有这些都是在图案的底部(本质上是在各线匝的相对的公共位置，即“6点位置”)。关于经过外天线结构的下方金属丝连接件“ j ”，应当理解，金属丝连接件“ j ”可以简单地嵌入在基底(卡体)的表面中，当铺设外线圈D的线匝时，暂时停止嵌入，使得线匝能跃过嵌入的金属丝连接件“j”。内线圈E的外端9和外线圈D的内端8可以敞开(不与任何部件连接)。
[0167]经过外天线结构D的下方的金属丝连接件“j”的部分“b”可以例如通过激光烧灼铺设在预先形成在基底(卡体)中的通道中，这可以使得在铺设外天线结构跃过金属丝连接件“ j ”期间不需要关掉超声波。
[0168]通过以这种方式(将内线圈E的内端10连接至外线圈D的外端7，或“反相”)连接内线圈E和外线圈D，内线圈E和外线圈D被非常靠近地耦合，由于内线圈E的感应电压可以表现出与外线圈D中的感应电压的相位相反的相位(相位反转)，效果是加和的。外线圈D与内线圈E的电抗耦合(电容和电感)可允许与其它可能的方案相比以较少的匝数实现卡体天线CA。
[0169]很容易将外线圈(E和D)的连接形成表现出相位反转的“准偶极子”卡天线与US6378774 (Toppan)和 US2009/0152362 (Assa Abloy)作对比。
[0170]-注意，例如在AssaAbloy中公开了两个“末端部分” 11和11’(对应于外线圈D和内线圈E),外末端部分11的外端和内末端部分11’的内端(对应于卡天线CA的端部或位置7和10)未被连接。外末端部分11的内端和内末端部分11’的外端(对应于未被连接的卡天线CA的端部8和9)以中央部分12连接，形成与应答器装置(对应于天线模块AM)电感耦合的至少一个小盘绕件电感的耦合。注意，在图3A (没有类似的耦合线圈)中，耦合是将天线模块AM直接设置在卡天线CA的一部分上而实现的，如在下面更详细的讨论。
[0171]-Toppan还需要单独的稱合线圈(3)
[0172]内线圈E和外线圈D可以在无需单独的跳线或迹线的情况下使用常规的布线埋入技术形成为连续的结构，例如，如下所示:
[0173]-开始将金属丝嵌入在位置9(内线圈E的外端)，并继续嵌入到位置10，从而形成数匝(例如2、3或4匝)内线圈E
[0174]-停止嵌入(关掉超声波,抬起超声焊极),在下一步骤中，在数阻内线圈E的上方将金属丝引导(导引)至位置7，所述位置7将是外线圈D的外端的线匝，不切断金属丝。跃过内天线线圈E使得不必具有连接外线圈的端部10和内线圈的端部7的单独的跳线。在这里，“7”和“10”代表对应于外线圈和内线圈的各外端和内端的位置)。
[0175]ο位置7和10之间金属丝的部分可被称为“连接桥”或“连接跳线”356。(并且，如所述的，如果两个线圈D和E彼此不是一体的，则使用单独的“跳线”来连接端部7和10)
[0176]-在跃过内线圈E之后，在位置7(外线圈D的外端)处恢复嵌入并继续，形成数匝外天线线圈D，如果有必要，跃过已铺设的连接桥356。
[0177]ο注意，在图中，连接桥356的部分“a”经过内线圈E的线匝的上方，连接桥356的部分“b”经过外线圈D的线匝的下方。
[0178]ο经过外天线结构D的下方的连接桥356的部分“b”可以例如通过激光烧灼铺设在预先形成在基底(卡体)中的通道中，这可以使得在铺设外天线线圈D跃过连接桥356期间不需要关掉超声波。
[0179]卡天线CA可以包括绝缘的80 μ m的铜线(直径:80 μ m),46mmx76_ (比卡略小)，线匝的节距为300 μ m,谐振频率13.56MHz。
[0180]图3B示意性地示出，卡天线350由外线圈D和内线圈E组成，其目的是作为非限制性的实例用于说明卡天线可能如何起作用。在这个示例中，外线圈D具有3匝由电感L1、L2和L3模制的线圈，内线圈E具有3匝由电感L4、L5和L6模制的线圈。所有的电感(L)受所有线圈之间的耦合影响。电容C1-C6为线圈固有的杂散电容
[0181]电容C7-C9描述在内线圈E和外线圈D之间存在紧密耦合情况下两个线圈E和D之间的相互作用。这些附加的电容减小卡天线(CA)的自谐振频率，并且可以使得不需要额外的电容元件。
[0182]电容(C)可以受 到金属丝节距的影响，电感(L)受到的匝数的影响。
[0183]例如，卡天线350的自谐振频率是由形成在线圈D和E之间的杂散电容制造(单独起作用，互不干扰)。只具有一个线圈结构(而不是两个)将导致比所希望的自谐振频率高的自谐振频率，例如约40-50MHz。自谐振频率可以通过以下来减小:(I)增加线匝的数量(电感)或(2)增加容量(降低金属丝节距)。增加线匝的数量增加电感并降低的自谐振频率。在金属丝端部8和9被连接而7和10没有被连接的情况下，将形成标准线圈，两个线圈结构的数量都增加。这将导致在一定的自谐振频率(例如，50-60MHZ)。在相同数量的线匝或相同长度的金属丝的情况下，如所示的连接线圈D和E将自谐振频率减小至约13-17MHZ。
[0184]天线樽块AM和卡天线CA的构诰
[0185]以上讨论了如何天线模块AM的模块天线MA与卡天线CA如何相互作用以及如何使用“反相”连接的两个线圈构造卡天线CA以形成“准偶极”天线的技术特征。以下说明卡天线CA的各种具体的构造(布置)。在各情形下，卡天线CA通常具有绕卡体CB周边延伸的矩形盘绕件的形式。在一些附图中，为了说明的清楚起见，卡体CB可以省略。卡天线旨在天线模块在非接触模式下工作的方式工作，该天线模块包括但不限于DIF模块，并且还包括具有各自的“芯片上”天线(例如在US6373447中公开)的半导体芯片。
[0186]本文所说明的所有的示出的构造(只有一种例外，例外是图4C所示的)中，卡天线CA是具有两个互连的线圈(或“极”)的“准偶极子”形式。这两个线圈应具有基本彼此相同的匝数、彼此相同的长度和彼此相同的节距，并且在其大部分周长上彼此的间隔尽可能地小。它们可以以彼此相同的“方向”(顺时针或逆时针)卷绕。自然能对这些参数(长度、节距、间距、方向)的任一作出改变,其中一些在本文中讨论。
[0187]图4A、4B示出卡天线CA，示例性的天线模块AM被定位为与卡天线CA耦合。天线模块AM包括DIF芯片模块CM和用于无触点模式的天线MA，以及用于接触模式的接触垫CP。如上所述，卡体CB设置有卡天线CA，所述卡天线CA可以是具有内线圈E和外线圈D的两个线圈的“准偶极子”。(线“j”代表内线圈E的内端10与外线圈D的外端7的连接，如上所述)。可以使用112 μ m的自接合金属丝形成卡天线CA,或可以使用任何加成工艺(如印刷)或减成工艺(如蚀刻)将卡天线CA形成为导电迹线。
[0188]天线模块AM大体是矩形的，具有四边。模块天线MA也大体为矩形的，具有四边。卡天线CA也大体为矩形的，具有四边。
[0189]应当理解，在本文所阐释的所有的说明中，不同的“矩形”天线结构(A、B、C、D、E、MA、CA)将通常具有倒圆的边缘，而且模块天线MA可以被形成为圆形线圈，或者可以简单地是圆形或椭圆形。
[0190]天线模块AM被示出为设置(在智能卡中定位)成使得模块天线MA的四个侧边中的至少一个仅与卡天线CA的内线圈E的至少一些线匝相重叠，以使得前者与后者有效地耦合(优选没有与任何外线圈D相重叠)。不需要单独的耦合线圈。
[0191] 天线模块AM，特别是其模块天线MA，可以与外线圈D而非内线圈E相重叠。然而，重要的是，天线模块AM，特别是其模块天线MA，不同时与内线圈E和外线圈D相重叠。
[0192]卡天线CA的未连接的端部8和9可以定位于彼此靠近，在内线圈E和外线圈D的中间。通过金属丝跳线(或带)连接两个线圈，卡天线形成工作频率约13-17MHZ的谐振电路。
[0193]连接件“j”使得点(或端部)7、10的电势为相同的水平。当内线圈E和外卷绕D暴露于读取器(图1A)的相同的磁通量时，增加线圈的电压。两个线圈的布置是很重要的，连接件“ j”导致相反转，并具有加和效应。
[0194]卡天线CA的优选的自谐振频率可以是约13-17MHZ，这可以制造卡天线CA与模块天线MA之间最紧密的耦合，从而相对于外部读取器增强(增加)读/写距离。
[0195]天线模块AM与模块天线MA物理上重叠并直接耦合至两个线圈卡天线CA，这样的布置与 US6378774 (Toppan)和 US2009/0152362 (Assa Abloy)形成鲜明的对比，US6378774和US2009/0152362都依赖于两个线圈卡天线之外的单独耦合器线圈以实现与模块天线的耦合。本发明的这一直接耦合特征可归因于内线圈E与外线圈D连接的方法:内卷绕E与外线圈D连接成其是“反相”，并且使得模块天线MA仅仅与内线圈和外线圈中的一个或另一个重叠。
[0196]图4C示出卡天线的变型，在此标记为“F”(而非CA)，仅具有一个连续的金属丝线圈(而非两个线圈)，并具有两个未被连接的端部11和12。具有模块天线MA的天线模块AM被定位为与卡天线F的侧边缘中的至少一个重叠。在该图中，模块天线MA与卡天线F的所
有线匝重叠。
[0197]通常，这种单线圈构造可能需要更多的(如20)的金属丝线匝以与内线圈E和外线圈D各具有仅3或4线匝的“准偶极子”的构造一样有效。更多的线匝的需要更多的区域，这对智能卡可能是问题。更多的线匝还导致更僵硬的天线结构，这可能导致机械问题，如在卡体CB中的微裂纹。单个线圈构造可能对电子护照比对智能卡更实用。在本文公开的卡天线CA的任何实施例中，金属丝可以是“蜿蜒”的来解决这些问题中的一些。
[0198]涂层(如颗粒或纳米颗粒形式的图层)可以施加于例如卡体CB的一侧或两侧(参见图1B，涂层124)。可以施加导电涂层以形成电容，导电涂层可以被施加为与内线圈E和外线圈D的部分相接触。这种额外的电容可以提高卡天线CA的性能。这可以对图4C的单线圈构造特别有利(减少所需的线匝数)。
[0199]图4D示出了卡天线的变型，其被标注为CA，其类似于图4A的卡天线CA，不同之处在于此处的两个线圈E和D彼此交错，而非线圈E完全设置在另一线圈D的内部。线圈D和E的端部7、8、9、10相当于图4A的卡天线CA的线圈的D和E的端部7、8、9、10，并且其被连接，以使卡天线的CA被类似地构造为“准偶极子”。
[0200]由于线圈D和E的交织，仅使其中的一个或另一个与天线模块AM重叠没有效率或效果。
[0201]图4E示出了卡天线CA的变型,其中内线圈E的至少一部分与外线圈D间隔得更远，其中天线模块AM与卡天线CA重叠。这里，与内线圈的其它三侧相比，内线圈E的一整侦仪右侧，如图所示)与外线圈D间隔得更远。
[0202]该增大的间隔使得能更容易地对天线模块AM定位以使得其模块天线MA与内线圈E的所有线匝重叠而不与外线圈的任何线匝重叠。然而，增加内线圈和外线圈之间的间隔可能会导致效率有所下降。
[0203]图4F示出增加间隔的变型。这里，不是内线圈E的一整侧与外线圈D的相应侧间隔得更远，而是仅使得内线圈的该侧(这里示出为底侧)的相对小的部分与外线圈D更远，即，仅在需要使天线模块AM重叠以将模块天线MA耦合到卡天线CA的内线圈E的位置处使得内线圈的该侧与外线圈D更远。
[0204]这种结构的优点是在卡天线CA的大部分上保留了线圈E和线圈D的期望的紧密间隔。(仅在模块天线MA与卡天线CA相互作用的位置处减小该间隔。)
[0205]图4G示出了一个变型，其中，不是内线圈和外线圈具有相同的“旋转方向”(如两个都是逆时针，如在图4A所示的)，而是卡天线CA的内和外线圈形成为具有彼此相反的旋转方向。这里，外线圈D形成为具有逆时针旋转方向(从端部7到端部10)，而内线圈E形成为具有顺时针旋转方向(从端部9到端10)。其它的构造相同，外线圈D的外端7至内线圈E的内端10的“7/10”连接与前述相同(图4A)，外线圈的内端8和内线圈E的外端9未被连接，与前述相同。
[0206]理论上，由于线圈之间的寄生电容，单个线圈可以形成在没有电容器的情况下形成谐振电路。但是，这种构造可能将卡天线CA的谐振频率增加至在13.56MHz操作时不利的水平。
[0207]图4H示出了一个变型，其中内、外线圈的端部的连接与前述示例中的连接方式(内线圈的内端连接至外线圈的外端)相反。基于图4G的“相反旋转方向”构造，这里的外线圈D的内端8与内线圈的外端9连接,夕卜线圈D的外端7和内线圈E的内端10未被连接。可以以以下方式实现“8/9”连接:仅通过制造“U”形拐弯而铺设(嵌入)金属丝，使得卡天线(CA)是具有不间断的长度的金属丝的(上文提及过，作为两个线圈的单独跳线的替代，如在图3A中所讨论的)。替代地，在铺设外线圈D，从7点到8点做“U”形拐弯交错返回。
[0208]这种构造可能将卡天线CA的谐振频率增加至在13.56MHz操作时不利的水平。
[0209]图41示出了一个变型，其中的“准-偶极”卡天线CA的两个线圈一个堆叠在另一个之上，例如，一个线圈F在卡体CB的一层的顶表面上，而另一线圈G在该层的底表面上。换言之，这里的两个线圈F、G是在明显不同的平面上，而在之前的实施例中，线圈D和E是在基本相同的平面上。如在前面的示例中，两个线圈F和G彼此相似，并且可被“反相”连接(未示出)。
[0210]前文提及过，期望天线模块AM仅与“反相”连接的“准偶极子”卡天线CA的两个线圈中的一个相互作用(通过其模块天线MA)，这种效果可以通过以下方式获得:在模块天线MA和期望被屏蔽的卡天线CA的线圈之间提供一种屏蔽材料(如铁氧体)的方式，而卡天线CA的另一线圈不被屏蔽。这可以通过在卡体CB中至少在天线模块AM将定位于卡体CB之上的位置处提供铁氧体颗粒而实现。可替换地，一层的铁氧体材料的可以设置在卡体CB的顶表面和线圈F之间，在顶部线圈F之下。这允许并且还可以是趋于增加模块天线MA与卡体CB的顶部的线圈F之间的耦合，同时使得其与卡体CB的下方的线圈G的耦合衰减。
[0211]所述基底的厚度决定了透气性，因而决定了两个线圈F和G的之间的稱合的效率。电介质可以是聚合物，例如聚碳酸酯或特斯林TM (Teslin?)。
[0212]图4J示出了屏蔽“准偶极”卡天线CA的两个线圈中的一个的另一示例。在这种情况下，线圈可能是内线圈和外线圈，如结合图4A描述的，两个均设置在卡体CB的顶表面上。内线圈E在外线圈D的内部。
[0213]屏蔽材料如铁氧体可被选择性地在天线模块AM可以与外线圈D相互作用的位置处施加在所述外线圈D上。额外的铁氧体材料可以在相同位置处施加在卡体CB下，以进一步减少天线模块与外线圈D的不期望的耦合。
[0214]在图41、4J的这些“屏蔽”的实施例中，屏蔽材料应仅施加于卡体CB上的位置处或底部处或外线圈(G或D，即与试图将其与模块天线MA的耦合减至最小的线圈)处，并且其一般应避免屏蔽底部或外线圈(G或D)的其余大部分，这是因为，底部或外线圈在与外部的非接触式读取器(参见图1A)的天线的耦合中起重要作用。
[0215]卡天线CA的其它构造
[0216]在上述各种构造中，卡天线CA是基本上是平面的矩形盘绕件的形式(在图41中的构造除外，其中具有两个平面)，天线模块AM的一个侧边缘与卡天线CA的至少一部分重叠，通常只与其两个线圈的一个重叠。下面描述用于改进耦合的卡天线一些额外的构造，其中(通常):
[0217](i)天线模块AM可与卡天线CA的外线圈D (而非内线圈E)重叠
[0218](ii)天线模块AM的两个或更多个边缘可以与卡天线CA两个线圈(D或E)的一个(或另一个)相从叠
[0219](iii)两个或更多的天线模块可以设置在智能卡中，各与卡天线CA相互作用，并且可能彼此相互作用。
[0220]在下面描述的实施例中，天线模块AM将会示出在卡体CB与卡天线CA的“简化”显示中。为了说明的清楚起见，一些细节(如内和外线圈的端部之间的互连)可以被省略。[0221 ] 应当理解，任何合适的非接触(或DIF)天线模块AM (或芯片模块中，或具有集成天线的芯片)可以用于与卡天线CA的示例性构造相互作用，该示例性构造包括市售的天线模块(可以只具有天线A，不具有电容性短线B，C)。
[0222]天线结构的不同图案(A、B、C、D、E)被示处为“大体矩形”。应当理解的，其它的图案也可以是合适的，例如避免尖角的椭圆形，或增加天线结构的总长度、减缓卡体CB增加刚度的之字形(曲折)等。[0223]图5A示出了卡天线CA的实施例，其在卡体CB上具有内线圈E和外线圈D。第一天线模块AMl被设置为在一侧(右，如所示)与卡天线CA的内线圈E重叠，第一天线模块AMl也可以是如上描述的DIF天线模块。
[0224]通常，模块天线MA的至少一个部分与卡天线CA的至少一部分耦合，用于在没有与卡天线CA相关联的耦合线圈的中介的情形下与其耦合。这里，矩形的模块天线MA的一侧被示出为与卡天线的CA的内线圈E重叠。模块天线MA可以具有其它形状，诸如圆形或椭圆形，其可以与外线圈而非内线圈E重叠。在一些本文所公开的实施例中，例如通过使矩形模块天线MA与卡天线的选择的部分重叠来增加模块天线MA和卡天线CA之间的重叠。
[0225]具有其自身的模块天线MA的第二天线模块AM2被设置为在其另一侧(左侧，如图所示)与卡天线CA的内线圈E重叠，第二天线模块AM2也可以是用于多应用应答器的提供额外的安全性的仅具有非接触式功能的天线模块，等等。两个天线模块AMl和AM2被耦合到相同器件(卡天线CA的内线圈E)，能够彼此通信并与外部读取器通信(参见图1A)。
[0226]图5B示出了将天线模块的AM3的两个侧边缘耦合到卡天线CA的示例。在这里，天线模块AM3设置矩形卡天线CA的一角，如右上角，使得天线模块AM3的顶部边缘和右侧边缘与内线圈E的顶部边缘和右边缘的一部分重叠。这是非接触式只读(IS014443)天线模块AM3的合适位置。其它规定的形式因素(例如压印区)可能禁止在智能卡上将具有接触垫的DIF天线模块定位在该位置。
[0227]将模块天线MA双边缘耦合到卡天线CA可以比单边缘耦合提供(其它因素相同)更强的耦合。
[0228]图5C示出了将天线模块AM的两个侧边缘耦合到卡天线CA的另一示例。这里，卡天线CA偏离矩形形状:在其右上角(如所示)，其从卡的顶部边缘向内成一定的角度，然后朝着卡体CB的右边缘向外成一定的角度，这两个直角在卡天线CA的右上角造成的“L形”路径(缺失，缺口)，大致具有天线模块AM的尺寸。
[0229]在图5B的前述示例中，天线模块的AM3在智能卡中的右上角，并不能有接触接口。这里，天线模块AM可以设置在卡体CB的中间，与图4A、4C、4D、4G、4H、5A中任一所示的相同，并且因此能适当地是具有接触垫的DIF天线模块。(第二仅非接触天线模块(未图示)，能设置在卡体CB的右上角，在右上角其与外线圈D耦合以提供附加的功能，如以上相对于图5A所讨论的。)
[0230]图示出了一种构造，其中卡天线CA偏离矩形形状，其具有“U”形缺口(或切口)，该缺口包括两个直角，从卡天线的CA的右边缘向内延伸，在卡体CB的中部，具有合适的形状和尺寸以容纳设置在卡体CB的中部的天线模块AM，天线模块AM可以适当地是具有接触垫的DIF天线模块。在图4A中，天线模块AM与内线圈E耦合，在图中，天线模块AM与外线圈D耦合。
[0231]图5C的构造使得天线模块AM的2边与卡天线CA耦合，“U形”切口允许天线模块AM的3个边与卡天线CA耦合，耦合效率随之增加。在此构造中，天线模块AM与外线圈D而非内线圈E重叠。
[0232]第二天线模块可以以图5A (AM2)的方式进行添加，第二天线模块与另一线圈(内线圈E)耦合。上文提及，这些耦合主要与非触点模式相关，将两个天线模块的每一个耦合到两个耦合天线线圈(D或E)的不同线圈可以提供额外的性能。[0233]图5E示出了一种构造，其中卡天线CA偏离矩形形状，其具有“U”形突起，从卡天线的CA的右边缘向外延伸，在卡体CB的中部，具有合适的形状和尺寸以容纳设置在卡体CB的中部的天线模块AM，天线模块AM可以适当地是具有接触垫的DIF天线模块。与图(其具有向内的缺口，天线模块AM设置卡天线CA的外部，与外线圈D耦合)相对照。在这里，卡天线CA向外突出，天线模块AM设置在卡天线CA的内部，与内线圈E耦合。
[0234]这种构造使得天线模块AM与卡天线CA的内部线圈E边耦合。(上文提及，图的构造也提供了三边耦合，但是是与外线圈D耦合)
[0235]通过这种构造示出的优点是，给定的天线模块(AMl)可以与内线圈E耦合，而其它给定的至少一个天线模块可以容易地定位成在“L”切口的任一边与外线圈D耦合。
[0236]图5F示出了一种构造，其中卡天线CA偏离矩形形状，其具有“U”形突起，以与图5E中的“U”形突起相同(为讨论目的)的方式从卡天线的CA的右边缘向外延伸，在卡体CB的中部，类似地DIF天线模块设置在该突起中。
[0237]该图示出，额外的天线模块AM2可以设置在卡体CB的中部，在卡天线CA的左侧，并且可以适当地是具有接触垫的第二 DIF天线模块。另外或替代地，第三天线模块AM3可以布置在卡天线CA的右上角(如图所示)，在卡天线的CA的外部，以与卡天线CA的外线圈D耦合。或者，第三天线模块AM3或又一个天线模块可以被设置在卡天线CA的右下角。
[0238]能够容易地通过使卡天线CA在不同于第一天线模块(AMl)的位置处并入额外的天线模块(AM2、AM3),这一特征是与Assa Abloy或Toppan的又一显著不同之处，AssaAbloy和Toppan中的任何一个对每个附加的天线模块都要求附加的稱合线圈。
[0239]图5G是示出具有卡天线CA的卡体CB的右上角的简图。外线圈D (实线)有4匝金属丝，并且靠近的卡体CB的外边缘。内部线圈E (虚线)有4匝金属丝，位于外线圈的D内部，朝向卡体CB的内部。构造卡天线CA的一些考虑包括:
[0240]-在这个示例中，模块天线MA与内线圈E重叠
[0241 ]-两个线圈E、D可具有致相同的线匝数(如均具有3或4个)，具有彼此相同的长度和相同的节距，并且要在其大部分周长上彼此的间隔尽可能地小。内线圈E的最外的线匝和外线圈D的最里面的线匝之间的间隔应保持为可能地小，以最大限度地提高反应耦合。
[0242]-卡天线CA可以进行微调(共振频率调整)改变外线圈D的最外的线匝的节距(t匕较US7928918，Gemalto)
[0243]-内线圈E的最外线匝应尽可能靠近外线圈D的最里面的线匝，以便两个线圈E，D有效耦合
[0244]图5H示出了类似于图5C的卡天线CA的构造。为了说明清楚起见，对内线圈E和外线圈D均只示出两个线匝(其通常会有3或4各线匝)。内线圈E和外线圈D不是形成有直角(图5C)的“L”形缺口，而是具有更“柔和”的弓形(弯曲)的路径，包括弧弯部分(其中圆形模块天线MA与内线圈E重叠)，例如具有90度的圆周(与上述的与矩形模块天线MA中的一个或多个边缘耦合相对比)。通常，目标是要覆盖尽可能多卡天线CA与模块天线MA之间的重叠表面区域。此构造示出具有圆模块天线MA的天线模块AM，并且卡天线CA被图案化成在卡体CB上的合适的位置处提供大量重叠的机会。构造卡天线CA的其它考虑包括:
[0245]-连接的端部或部分7、10应尽可能靠近地在一起
[0246]-线圈的线匝可以稍微分开，以容纳位于卡天线中部的自由端8、9。[0247]-通过激光烧蚀或磨制在基底制造用于连接件“j”的通道
[0248]-注意，端部8，9在中部分离外线圈D和内线圈E。该“金属丝中断”应保持为尽可能地小，使的外线圈D的最里面的线匝和内线圈E的最外的线匝保持与彼此紧密靠近。
[0249]非接触式RFID标签的应用
[0250]为引导从高频RFID标签发出的磁通场，具有高导磁率的铁氧体层可以被集成到卡体的中间层，所述层容纳有具有磁性填充剂的树脂区域、聚合物中的铁氧体纳米颗粒或烧结的铁氧体的片材，目的是降低涡流损耗并将RFID标签与下面的金属表面(例如手机中的金属外壳)去耦合。在HF频带中的该屏蔽防止由电池的金属表面上的感应涡电流引起的载波(13.56MHz)的衰减。在没有屏蔽的情形下，涡电流建立的磁场反转载波的方向。
[0251]图6A示出了手机650，其在其前表面(图中面朝下)上具有显示器和键盘，并含有一个电池组(“电池”)。非接触式RFID装置(“标签”)660设置在手机的背面(顶部，如图所示)上。标签660内部具有用于与外部RFID读取器680相互作用的天线662。天线662可以是与标签成一体的传统的天线。读取器680还具有与其相关联的天线682，通常比示出的大得多。
[0252]标签660是手机贴纸(MPS)的示例，其可用于电子支付，电子票务，忠诚度和访问控制应用。
[0253]铁氧体(或其它合适的材料)的屏蔽元件670设置在手机650的背面和标签660之间，以减轻标签和读取器之间的耦合的衰减。该元件可以是薄膜或带子的形式，并且可以在两侧具有粘合剂以便将非接触式标签粘贴到手机。在两侧具有粘合剂的双面胶带是众所周知的，如用于安装地毯。
[0254]图6B示出铁氧体的屏蔽元件670可以包括:
[0255]-芯层(或基底)672，其可以是几厘米宽的细长的带的形式，具有两个表面，铁氧体(或其它)颗粒(包括纳米结构)分散在整个表面上
[0256]-在带的底表面上的粘接剂层674(如所示)
[0257]-在带的顶表面上的粘合剂层676(如所示)，以及
[0258]-保护顶部粘合剂层676的剥离层678，其将被剥离和丢弃。
[0259]屏蔽元件以辊的形式适当地递送，类似于普通的双背面胶带，当屏蔽带670被卷起(在辊供应形式)时，释放层防止底部粘合剂层674粘贴到的顶部粘合层676。
[0260]某@牛产工艺
[0261]图7A示出了天线模块(AM)的示例性的制造和组装的第一步，包括:
[0262]-具有金、镍或钯镀层的铜箔，
[0263]-模块带(MT)，例如传统的“超级35mm”带
[0264]-超级35mm带。可以穿过带设置孔，用于从带的另一侧连接到所述箔的底面，如用镀通孔(PTH)
[0265]图7B示出了在天线模块(AM)的制造和组装的又一步骤。箔被激光蚀刻以具有用于接触界面的数个(如6)接触垫(CP)。这是很多银行卡等上见到的熟悉的接触端子块。在带的相对侧(不可见)，设置有芯片模块CM和模块天线MA。
[0266]图7C、7D示出了该模块带MT的相对侧。(在此视图中，接触垫CP是不可见的。)镀通孔(PTH)和一些互连件是可见的。DI芯片可被安装到模块带MT，并金属丝接合到镀通孔PTH和互连件。可以安装和连接模块天线MA。可以施加圆顶封装体(树脂制的保形涂层)以保护管芯和金属丝接合，模块天线MA充当为圆顶封装体的障碍体。替代地，所述模块天线MA可被安装到天线模块AM的模制块(圆顶封装体)，作为扁平天线结构。
[0267]如上文所讨论(图1D，156)的，可设置铁氧体层，其具有用于互连(如金属丝接合)的孔。图7C示出(右侧)，可以通过在铁氧体层设置开口(图1D，158)，以容纳管芯。
[0268]图7E示出了使用图7D的天线模块形成的DI智能卡，其在具有卡天线(CA)的卡体(CB)上。
[0269]可以在诸如卡体CB的基底上形成通道，以接受铺设于其中的金属丝(或导电材料)。(例如，US7028910 - Schlumberger)。可以形成用于接受天线模块AM的凹陷。(参见图1A、图7E)。可以使用激光烧蚀在基底形成通道和凹陷。
[0270]图7F示出了天线金属丝，其延伸进入凹陷，横过凹陷的底部，并从凹陷引出，以接受天线模块AM (图7E)。为了说明的清楚起见，仅示出了卡体CB的相关部分天线金属丝的一个线匝。当模块天线MA被植入在卡体CB时，这有利于最大限度地减少模块的天线MA和卡天线的CA之间的距离，靠得很近确保模块天线MA与卡天线的CA的有效耦合。
[0271]虽然已经以有限数量的实施例描述了本发明，但这些不应被解释为对本发明的(多个)的范围的限制，而是作为某些实施例的示例。根据本文阐释的公开，本领域技术人员可以设想也在本发明的范围内的其它可能的变型、修改和实施方式。
【权利要求】
1.一种智能卡(100)，其包括: 天线模块(AM)，其包括:至少一个芯片或芯片模块(CM)和模块天线(MA)； 卡体(CB)，其具有至少一个表面和外周；和 卡天线(CA)，其绕所述卡体(CB)的外周延伸； 其特征在于，所述模块天线(MA)的至少一部分与所述卡天线(CA)的至少一部分重叠以便在没有与卡天线(CA)相关联的耦合线圈的中介的情形下与所述卡天线的至少一部分耦合。
2.根据权利要求1所述的智能卡，其中: 所述卡天线(CA)包括彼此反相连接的两个线圈(D、E);以及 所述天线模块(MA)仅与所述两个线圈(D、E)的一个相重叠以与所述两个线圈(D、E)的一个耦合。
3.根据权利要求1所述的智能卡，其中所述卡天线(CA)包括: 外线圈(D)，其具有外端(7)和内端(8)； 内线圈(E)，其具有外端(9)和内端(10)； 所述内线圈(E)的内端(10)与所述外线圈(D)的外端(7)相连接； 所述外线圈(D)的内端(8)和所述内线圈(E)的外端(9)未被连接。
4.根据权利要求1所述的智能卡，其中: 所述卡天线(CA)形成有缺口或切口(图5C、5D、5E、5F、5H)，用于使模块天线(MA)与卡天线(CA)的重叠最大化。
5.根据权利要求1所述的智能卡，还包括:与所述卡天线(CA)重叠的(图5A、5F)附加的一个或更多天线模块(AM2、AM3 )。
6.根据权利要求1所述的智能卡，其中(图2A)所述模块天线(MA，200)包括: 第一天线结构(A)，其是具有第一端和第二端(1，2)的线圈的形式； 第二天线结构(B)，其是具有第一端和第二端(3，4)的线圈的形式； 第三天线结构(C)，其是具有第一端和第二端(5，6)的线圈的形式； 所述第二天线结构(B)的第一端(4)与所述第一天线结构(I)的第一端(I)相连接，并连接至所述芯片模块(CM)的第一端子，所述第二天线结构(B)的第二端(3)未被连接；和所述第三天线结构(C)的第一端(5)与所述第一天线结构(I)的第二端(2)相连接，并连接至所述芯片模块(CM)的第二端子，所述第三天线结构(C)的第二端(6)未被连接。
7.根据权利要求1所述的智能卡，还包括: 铁氧体材料(124、126 ;图1B)，其设置于所述卡体上或所述卡体内，用于增强所述模块天线(MA)与所述卡天线(CA)的f禹合。
8.根据权利要求1所述的智能卡，其中所述天线模块(AM)还包括: 用于接触模式操作的接触垫(CP )。
9.根据权利要求8所述的智能卡，还包括: 铁氧体元件(FE ;图1D、7C、7D、7E)，用于将模块天线(MA)从接触垫(CP)去耦合。
10.根据权利要求9所述的智能卡，其中: 所述卡天线(CA)被图案化(5C、ro、5E、5F、5H)，以增加所述模块天线(MA)和所述卡天线(CA)的选择的部分之间的重叠。
11.将具有至少一个非接触模式的芯片模块(CM)耦合至设置在智能卡的卡体(CB)上的卡天线(CA)的方法，包括: 在具有芯片模块(CM)的天线模块(AM)中提供模块天线(MA)，其特征在于: 提供卡天线(CA)作为“准偶极子”天线，所述“准偶极子”天线具有彼此反相连接的两个线圈部分。
12.根据权利要求11所述的方法，其中: 所述卡天线(CA)具有内线圈(E)和外线圈(D);以及 所述模块天线(MA)与所述内线圈和外线圈(E，D)的仅一个相重叠。
13.根据权利要求11所述的方法，其中:所述芯片模块(CM)是具有接触垫(CP)的双接口(DI)芯片模块，所述芯片模块还包括: 铁氧体(FE，156)，其设置在模块天线(MA)和接触垫(CP)之间。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述模块天线(MA，200)包括: 第一天线结构(A)，其是具有两端(1，2)的线圈的形式； 第二天线结构(B)，其是具有第一端(4)和第二端(3)的线圈的形式，所述第一端(4)与所述第一天线结构(A)的一端(I)相连接,所述第二端(3)未被连接；和 第三天线结构(C)，其是具有第一端(5)和第二端(6)的线圈的形式，所述第一端(5)与所述第一天线结构(A)的另一端(2)相连接,所述第二端(6)未被连接； 所述第二天线结构和所 述第三天线结构形成第一天线结构(A)的电容性短线。
15.根据权利要求11所述的方法，还包括: 使卡天线(CA)图案化(图5C、5D、5E、5F、5H)，以使得与所述模块天线(MA)的重叠最大化。
【文档编号】G06K19/077GK103907125SQ201180074021
【公开日】2014年7月2日 申请日期:2011年12月6日 优先权日:2011年8月8日
【发明者】大卫·芬恩, 克劳斯·乌蒙荷芙 申请人:菲尼克斯阿美特克有限公司