非接触rfid模块及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种非接触射频识别RFID模块，包括：一具有导电功能的基板，该基板的两端具有互相之间不导通的导电端；位于所述基板上端的非接触射频识别RFID芯片，所述非接触RFID芯片的天线发射和接收衬垫PAD上具有凸块；位于所述基板和非接触射频识别RFID芯片之间的异向导电介质；所述天线发射/接收衬垫PAD上的凸块通过异向导电介质与所述导电端相连；对所述非接触射频识别RFID芯片、异向导电介质和基板的端面进行整体的包封的包封材料。本发明还公开了一种非接触射频识别RFID模块的制造方法。本发明能够提高非接触射频识别RFID模块的性能，缩小其外形尺寸，提高加工效率。
【专利说明】非接触RF ID模块及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及非接触RFID (射频识别rad1 frequency identificat1n)模块生产制造领域，特别是涉及一种非接触RFID模块。本发明还涉及一种采用倒扣芯片(FlipChip)工艺方法来生产制造非接触RFID模块的方法。
【背景技术】
[0002]在RFID实际应用中，随着应用环境的不断扩展，对于非接触RFID模块的性能提升、外形尺寸缩小以及加工效率提高等提出了更高的要求。目前常规的方法都是采用打线的方式来加工非接触RFID模块，模块尺寸缩小空间有限，且加工效率较低。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种非接触RFID模块，能够提高非接触RFID模块的性能，缩小其外形尺寸，提高加工效率；为此，本发明还要提供一种所述非接触RFID模块的制造方法。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的非接触RFID模块，包括:
[0005]一具有导电功能的基板，该基板的两端具有互相之间不导通的导电端；位于所述基板上端的非接触射频识别RFID芯片，所述非接触RFID芯片的天线发射和接收PADQf-)上具有凸块；位于所述基板和非接触射频识别RFID芯片之间的异向导电介质；所述天线发射和接收PAD上的凸块通过异向导电介质与所述导电端相连；对所述非接触射频识别RFID芯片、异向导电介质和基板的端面进行整体的包封的包封材料。
[0006]所述非接触RFID模块的制造方法，采用倒扣芯片工艺方法，将所述非接触RFID芯片翻转，使所述非接触RFID芯片的天线发射和接收PAD上的凸块通过异向导电介质与具有导电功能的基板的两端相连，然后在所述非接触RFID芯片背面用包封材料进行整体的包封保护，形成最终的非接触RFID模块。
[0007]本发明能够降低非接触RFID芯片与基板之间的连线距离，减少了寄生效应对非接触RFID芯片的干扰，进而提升非接触RFID模块性能。
[0008]非接触RFID模块面积尺寸理论上可以做到和非接触RFID芯片面积一样大小，厚度比常规非接触RFID模块要薄。
[0009]采用倒扣芯片工艺方法，其加工对象是单颗非接触RFID芯片，与常规打线工艺相比(其加工对象是非接触RFID芯片上每个PAD)，其生产加工效率被大大提升。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0011]图1是非接触RFID模块的制造方法实施例一剖面示意图；
[0012]图2是图1的俯视图；
[0013]图3是非接触RFID模块的制造方法实施例二剖面示意图；
[0014]图4是图3的俯视图。
【具体实施方式】
[0015]实施例一
[0016]参见图1、2所示，非接触RFID模块包含有一颗非接触RFID芯片1，一块基板4，位于所述非接触RFID芯片I和基板4之间的异向导电介质5，以及包封材料6。所述非接触RFID芯片I的天线发射和接收PAD上具有凸块2。所述基板4上覆有金属导电层3，形成覆有金属导电层的基板。所述金属导电层3上有两个导电端，该导电端位于基板4的两端，其互相之间不导通。
[0017]采用倒扣芯片工艺方法加工制造非接触RFID模块，翻转非接触RFID芯片1，使其天线发射和接收PAD上的凸块2通过异向导电介质5与基板4上的金属导电层3两端的导电端相连，并在非接触RFID芯片I背面用包封材料6 (—般包封材料都为树脂类聚合物)进行整体的包封保护，形成最终的非接触RFID模块。
[0018]实施例二
[0019]参见图2，所述非接触RFID模块包含有一颗非接触RFID芯片I，一块由金属直接形成的基板8，位于所述非接触RFID芯片I和基板8之间的异向导电介质5，以及包封材料
6。所述非接触RFID芯片I的天线发射/接收PAD上具有凸块2。金属基板8的两端上有两个导电端，其互相之间通过外部连筋7连接。
[0020]采用倒扣芯片工艺方法加工制造非接触RFID模块，翻转非接触RFID芯片1，使其天线发射和接收PAD上的凸块2通过异向导电介质5与位于金属基板8两端的导电端相连，并在非接触RFID芯片I背面用包封材料6 (—般包封材料都为树脂类聚合物)进行整体的包封保护。最后将金属基板3的外部连筋7切除，以确保两个导电端之间不导通，形成最终的非接触RFID模块。
[0021]在上述实施例中:
[0022]非接触RFID芯片的PAD上通过电镀、化学镀、植球等方式，形成高度为十几到几十微米的凸块。
[0023]所述凸块的主要材料为金、铜、锡或铅等中的任意一种金属，或者是所述金、铜、锡或铅中任意两种或两种以上金属组合物。
[0024]所述覆有金属导电层的基板，其基板本身的材质一般是不导电的，通常会采用FR4(玻璃纤维环氧树脂)、PI (聚酰亚胺)、PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)等聚合物材料。
[0025]所述异向导电介质在空间X、Y、Z三个方向中，只允许其中垂直非接触RFID芯片表面的那一个方向电导通。
[0026]所述异向导电介质本身需要具有粘性，以确保非接触RFID芯片与基板的可靠连接。
[0027]以上通过【具体实施方式】对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种非接触射频识别RFID模块，其特征在于，包括: 一具有导电功能的基板，该基板的两端具有互相之间不导通的导电端；位于所述基板上端的非接触射频识别RFID芯片，所述非接触RFID芯片的天线发射和接收衬垫PAD上具有凸块；位于所述基板和非接触射频识别RFID芯片之间的异向导电介质；所述天线发射和接收衬垫PAD上的凸块通过异向导电介质与所述导电端相连；对所述非接触射频识别RFID芯片、异向导电介质和基板的端面进行整体的包封的包封材料。
2.如权利要求1所述的模块，其特征在于:所述具有导电功能的基板为一个覆有金属导电层的基板，所述金属导电层的两端上有两个导电端，该导电端互相之间不导通。
3.如权利要求1所述的模块，其特征在于:所述具有导电功能的基板为一个由金属直接形成的基板，该由金属直接形成的基板的两端上有两个导电端，两个导电端之间不导通。
4.如权利要求1所述的模块，其特征在于:所述异向导电介质在空间X、Y、Z三个方向中，只允许其中垂直非接触射频识别RFID芯片表面的那一个方向电导通。
5.如权利要求1所述模块，其特征在于，所述凸块的材料为金、铜、锡或铅中任意一种金属，或者是所述金、铜、锡或铅中任意两种或两种以上金属组合物。
6.一种非接触射频识别RFID模块的制造方法，其特征在于:采用倒扣芯片工艺方法，将非接触射频识别RFID芯片翻转，使所述非接触射频识别RFID芯片的天线发射/接收衬垫PAD上的凸块通过异向导电介质与具有导电功能的基板两端上的导电端相连，然后在所述非接触射频识别RFID芯片背面用包封材料进行整体的包封保护，形成最终的非接触射频识别RFID模块。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于:所述凸块采用电镀、化学镀或植球方式，在所述非接触射频识别RFID芯片的天线发射和接收衬垫PAD上形成高度为十几到几十微米的凸块。
8.如权利要求6或7所述方法，其特征在于，所述凸块的材料为金、铜、锡或铅中任意一种金属，或者是所述金、铜、锡或铅中任意两种或两种以上金属组合物。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于:所述具有导电功能的基板为一个覆有金属导电层的基板，所述金属导电层的两端上有两个导电端。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于:所述覆有金属导电层的基板，其基板自身材质不导电，采用玻璃纤维环氧树脂FR4、聚酰亚胺PI或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET聚合物材料制作。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于:所述具有导电功能的基板为一个由金属直接形成的基板，该由金属直接形成的基板的两端上有两个导电端，其互相之间通过外部连筋连接；在所述非接触射频识别RFID模块加工完后，断开外部连筋，以确保两个导电端之间不导通。
12.如权利要求6所述的方法，其特征在于:所述异向导电介质在空间X、Y、Z三个方向中，只允许其中垂直非接触射频识别RFID芯片表面的那一个方向电导通。
13.如权利要求6所述的方法，其特征在于:所述异向导电介质本身具有粘性，以确保非接触射频识别RFID芯片与基板的可靠连接。
【文档编号】G06K19/077GK104463308SQ201310440384
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年9月24日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】金玮, 肖海滨, 孙雪芳 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司