射频识别标签芯片自动失谐稳压电路的制作方法
【专利摘要】一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线、片外匹配网络、整流及电源产生模块、接收和发送模块、数字基带控制模块及存储单元，其特点在于在所述的片外匹配网络和所述的整流及电源产生模块之间增加了自动失谐片内匹配网络，该自动失谐片内匹配网络由电压反馈电路、压控阻抗变换单元及电压控制开关第一MOS管构成。本发明能主动地调节片内匹配网络参数，稳定所需工作电压范围。
【专利说明】射频识别标签芯片自动失谐稳压电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路。特别是一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路。
【背景技术】
[0002]随着微电子技术的飞速发展，CMOS工艺已能制造应用于微波波段的芯片,射频电路能集成到大规模数字电路的芯片上。以CMOS工艺制造的低成本无线系统将会开拓出更为宽广的应用领域。射频标签就是一个前景非常好的应用领域。
[0003]当1973年条形码被推出时，其
【发明者】曾经预言:25年以后，将有一种新的技术来替代条形码。现在，射频标签已经走到人们面前。它不仅仅是条形码的简单替换品，更能综合无线通讯、微电子、互联网等最新信息技术，对所有社会产品进行从生产、销售、使用甚至回收处理进行全过程监控管理，极大地提高整个社会的运转效率。
[0004]射频标签的工作频段包括，1:低频标签工作频率在30kHz - 300kHz,典型的工作频率有:125kHz，133kHz。2:高频标签工作频率在3MHz — 30MHz，典型的工作频率为13.56MHz ο 3:超高频标签工作频率大于400MHz，典型工作频率为915MHz、2.45GHz、5.8GHz。
[0005]一个完整的射频标签通常包括:天线1，片外匹配网络2，整流及电源产生模块3，接收及发送4，数字基带模块及存储单元5。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，该电路能主动地调节片内匹配网络参数，稳定所需工作电压范围。
[0007]本发明的技术解决方案如下:
[0008]一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线、片外匹配网络、整流及电源产生模块、接收和发送模块、数字基带控制模块及存储单元，其特点在于在所述的片外匹配网络和所述的整流及电源产生模块之间增加了自动失谐片内匹配网络，该自动失谐片内匹配网络由电压反馈电路、压控阻抗变换单元及电压控制开关第一 MOS管构成:
[0009]所述的电压反馈电路，由电阻、第二 MOS管、第三MOS管、第四MOS管构成，所述的电阻的一端接所述的整流及电源产生模块的电压输出端，所述的电阻的另一端接所述的第二 MOS管的漏极，第二 MOS管的栅极与漏极相连，第三MOS管的栅极与漏极相连，所述的第四MOS管的栅极与漏极相连，所述的第二 MOS管的源极接第三MOS管的漏极、第三MOS管的源极接第四MOS管的漏极，第四MOS管的源极接地，所述的第二 MOS管的栅极与所述的第一MOS管的栅极相连；
[0010]所述的压控阻抗变换单元由可变电阻和可变电容并联组成，所述的可变电阻和可变电容的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管的源极相连；
[0011]所述的第一 MOS管的漏极经所述的片外匹配网络接所述的天线。
[0012]本发明的技术效果如下:
[0013]本发明射频识别标签芯片自动失谐稳压电路能自动检测整流及电源产生模块产生的电压，调整自动失谐片内匹配网络匹配参数，实现稳定所需工作电压。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是射频识别电子标签芯片的传统结构
[0015]图2是本发明射频识别标签芯片自动失谐稳压电路结构图
[0016]图3本发明自动失谐片内匹配网络6的结构图
[0017]图4本发明中电压反馈电路7的结构图
[0018]图5压控阻抗变换单元8的结构图
[0019]图6本发明自动失谐片内匹配网络6电路具体实施例示意图【具体实施方式】
[0020]下面通过实施例进一步说明本发明，但不应以此限制本发明的保护范围。
[0021]先请参阅图2，由图可见，本发明射频识别标签芯片自动失谐稳压电路是在现有射频识别电子标签芯片的结构图1增加自动失谐片内匹配网络6构成的，图3为本发明自动失谐片内匹配网络6结构图，所述的自动失谐片内匹配网络6由电压反馈电路7、压控阻抗变换单元8及电压控制开关MOS管Ml组成。
[0022]所述的电压反馈电路7结构图如图4所示，由电阻Rl，分压MOS管M2、M3、M4组成，输入为整流及电源产生模块3产生的电源电压,输出为输出控制电压。
[0023]所述的压控阻抗变换单元8结构图如图5所示，由压控可变电阻R2及压控可变电容Cl通过一定的连接方式组成。
[0024]图6为本发明自动失谐片内匹配网络6 —个实施例的电路图，在图6中，电阻R1、M2、M3、M4组成的电压反馈电路，监测整流及电源产生模块3生成的电压并且提供偏置电压给MOS管Ml的栅级，控制压控阻抗变换单元可变电阻R2、可变电容Cl，自动改变R2、Cl的阻抗值，第一 MOS管Ml的漏级接天线端。
[0025]本发明射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线1、片外匹配网络2、整流及电源产生模块3、接收和发送模块4、数字基带控制模块及存储单元5，在所述的片外匹配网络2和所述的整流及电源产生模块3之间增加了自动失谐片内匹配网络6，该自动失谐片内匹配网络6由电压反馈电路7、压控阻抗变换单元8及电压控制开关第一 MOS管Ml构成:
[0026]所述的电压反馈电路7，由电阻R1、第二 MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4构成，所述的电阻Rl的一端接所述的整流及电源产生模块3的电压输出端，所述的电阻Rl的另一端接所述的第二 MOS管M2的漏极，第二 MOS管M2的栅极与漏极相连，第三MOS管M3的栅极与漏极相连，所述的第四MOS管M4的栅极与漏极相连，所述的第二 MOS管M2的源极接第三MOS管M3的漏极、第三MOS管M3的源极接第四MOS管M4的漏极，第四MOS管M4的源极接地，所述的第二 MOS管M2的栅极与所述的第一 MOS管Ml的栅极相连；
[0027]所述的压控阻抗变换单元8由可变电阻R2和可变电容Cl并联组成，所述的可变电阻R2和可变电容Cl的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管Ml的源极相连；
[0028]所述的第一 MOS管Ml的漏极经所述的片外匹配网络2接所述的天线I。
[0029]实验表明，本发明电路能自动改变自动失谐片天线端口的阻抗特性，达到稳定所需工作电压的效果。
【权利要求】
1.一种射频识别标签芯片自动失谐稳压电路，包括天线(I)、片外匹配网络(2)、整流及电源产生模块(3)、接收和发送模块(4)、数字基带控制模块及存储单元(5)，其特征在于在所述的片外匹配网络(2)和所述的整流及电源产生模块(3)之间增加了自动失谐片内匹配网络(6)，该自动失谐片内匹配网络(6)由电压反馈电路(7)、压控阻抗变换单元(8)及电压控制开关第一 MOS管(Ml)构成: 所述的电压反馈电路(7)，由电阻(R1)、第二 MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)构成，所述的电阻(Rl)的一端接所述的整流及电源产生模块(3)的电压输出端，所述的电阻(Rl)的另一端接所述的第二 MOS管(M2)的漏极，第二 MOS管(M2)的栅极与漏极相连，第三MOS管(M3)的栅极与漏极相连，所述的第四MOS管(M4)的栅极与漏极相连，所述的第二 MOS管(M2)的源极接第三MOS管(M3)的漏极、第三MOS管(M3)的源极接第四MOS管(M4)的漏极，第四MOS管(M4)的源极接地，所述的第二 MOS管(M2)的栅极与所述的第一MOS管(Ml)的栅极相连； 所述的压控阻抗变换单元(8)由可变电阻(R2)和可变电容(Cl)并联组成，所述的可变电阻(R2)和可变电容(Cl)的一端接地，另一端接所述的第一 MOS管(Ml)的源极相连；所述的第一 MOS管(Ml)的漏极`经所述的片外匹配网络(2)接所述的天线(I)。
【文档编号】G06K19/077GK103606003SQ201310652366
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年12月5日 优先权日:2013年12月5日
【发明者】李强, 杨晓飞 申请人:上海坤锐电子科技有限公司, 沈阳市海洋智能产业有限公司