一种提高电容触摸屏灵敏度的方法
【专利摘要】本发明公开了一种提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，采用透明、高介电常数的材料作为所述电容触摸屏的面板材料,用于提高所述电容触摸屏操作敏感度和信号噪音比，其中，所述高介电常数的材料可采用单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料，所述单晶体材料可通过改变晶向或添加掺杂剂来提高其介电常数。本发明采用透明、高介电常数的材料作为电容触摸屏的面板材料,且通过改变单晶体材料的晶向或添加掺杂剂等方法提高介电常数，进而有效的提高电容式触摸屏的操作敏感度和信号噪音比。
【专利说明】一种提高电容触摸屏灵敏度的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电容触摸屏【技术领域】，尤其涉及一种提高电容触摸屏灵敏度的方法。【背景技术】
[0002]电容触摸屏是一种改善人际操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点，电容触摸屏在许多电子产品中已获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。
[0003]电容触摸屏分为单点式和多点式触摸屏，其中表面电容触摸屏仅能实现单点控制，投射电容触摸屏为多点式电容触摸屏，投射电容触摸屏可分为自电容触摸屏和互电容触摸屏。自电容触摸屏的电容是相对地面的寄生电容，当手指接触到触摸屏后寄生电容增力口，通过X和Y轴的扫描检测到触碰位置的寄生电容变化而探测到触碰位置。互电容触摸屏是通过探测位于衬底的同一面并由绝缘材料隔开的不同层、同一衬底不同面或者不同衬底不同层的耦合电容变化来确定的，当手指接触到触摸屏后，由于手指的寄生电容导致x、Y探测电极的耦合电容变化而探测到触碰位置的。电容触摸屏不管是何种触摸方式，都需要触摸屏具有较高的灵敏度，现有技术中的触摸屏灵敏度不高，给用户的使用带来了不便。
【发明内容】
[0004]本发明主要是解决现有技术中所存在的技术问题，从而提供一种能明显提高电容触摸屏的操作敏感度和信号噪音比的提高电容触摸屏灵敏度的方法。
[0005]本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
[0006]本发明的提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，采用透明、高介电常数的材料作为所述电容触摸屏的面板材料，用于提高所述电容触摸屏操作敏感度和信号噪音比，其中，所述高介电常数的材料可采用单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料，所述单晶体材料可通过改变晶向或添加掺杂剂来提高其介电常数。
[0007]进一步地，所述单晶体材料为蓝宝石单晶体材料，所述蓝宝石单晶体材料的晶向可以为其C面、A面或M面。
[0008]进一步地，所述蓝宝石单晶体材料为纯蓝宝石单晶体材料或为添加掺杂剂的单晶体材料，所述掺杂剂包括T1、Mg、Mn、Fe、C中的一种或多种。
[0009]进一步地，所述单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料的厚度范围为0.l_3mm。
[0010]进一步地，所述高介电常数的材料，其在小于IMhz条件下介电常数范围为5-1000。
[0011]进一步地，所述电容触摸屏采用的触摸技术是In Cell触摸技术、On Cell触摸技术，OGS触摸技术或TOL触摸技术。
[0012]与现有技术相比，本发明的优点在于:采用透明、高介电常数的材料作为电容触摸屏的面板材料，且通过改变单晶体材料的晶向或添加掺杂剂等方法提高介电常数，进而有效的提高电容式触摸屏的操作敏感度和信号噪音比。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本发明的提高电容触摸屏灵敏度的方法的电容触摸屏与LCD功能层相互独立的层置不意图；
[0015]图2是本发明的提高电容触摸屏灵敏度的方法的电容触摸屏与LCD功能层部分整合的层叠示意图；
[0016]图3是本发明的提高电容触摸屏灵敏度的方法的电容触摸屏与LCD功能层完全整合的层叠示意图；
[0017]图4是本发明的提高电容触摸屏灵敏度的方法的接触信号水平的定义示意图。【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0019]本发明的主要构思在于:根据电容公式:
【权利要求】
1.一种提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，其特征在于:采用透明、高介电常数的材料作为所述电容触摸屏的面板材料，用于提高所述电容触摸屏操作敏感度和信号噪音比，其中，所述高介电常数的材料可采用单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料，所述单晶体材料可通过改变晶向或添加掺杂剂来提高其介电常数。
2.根据权利要求1所述的提高电容触摸屏灵敏度的方法，其特征在于:所述单晶体材料为蓝宝石单晶体材料，所述蓝宝石单晶体材料的晶向可以为其C面、A面或M面。
3.根据权利要求2所述的提高电容触摸屏灵敏度的方法，其特征在于:所述蓝宝石单晶体材料为纯蓝宝石单晶体材料或为添加掺杂剂的单晶体材料，所述掺杂剂包括T1、Mg、Mn、Fe、C中的一种或多种。
4.根据权利要求3述的提高电容触摸屏灵敏度的方法，其特征在于:所述单晶体材料、多晶体材料或非晶体材料的厚度范围为0.l-3mm。
5.根据权利要求4述的提高电容触摸屏灵敏度的方法，其特征在于:所述高介电常数的材料，其在小于IMhz条件下介电常数范围为5-1000。
6.根据权利要求1述的提高电容触摸屏灵敏度的方法，其特征在于:所述电容触摸屏采用的触摸技术是In Cell触摸技术、On Cell触摸技术，OGS触摸技术或TOL触摸技术。
【文档编号】G06F3/044GK103777833SQ201410022302
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月17日 优先权日:2014年1月17日
【发明者】季泳 申请人:贵阳嘉瑜光电科技咨询中心