一种RF卡读卡器电路的制作方法

文档序号:12748416阅读:1896来源:国知局
一种RF卡读卡器电路的制作方法与工艺

本发明涉及读卡器,特别是指一种RF卡读卡器电路。



背景技术:

RFID(射频识别)是利用无线方式对电子数据载体( 电子标签) 进行识别的一种新兴技术。与接触式IC 卡和条形码识别等系统比较,它有着巨大的优势。利用射频识别技术,能有效实现对数量大、分布区域广的信息进行智能化管理,达到高效快捷运作的目的,特别是在第二代身份证、物流、交通航运、自动收费、超市、门禁系统管理、服务领域等方面有着广泛的应用前景。13.56M RFID 技术应用场合众多, 卡片类型众多,目前部署数量最大。

目前市场13.56MRFID 读卡器类型众多,价格不菲但性能一般,不能满足消费者对于高性价比的需求,究其根本原因,就是核心电路不够卓越,亟待改进与提升。



技术实现要素:

为解决上述技术问题,本发明的目的是提供一种RF卡读卡器电路。

本发明所采用的技术方案为:

一种RF卡读卡器电路,包括MCU及分别与MCU连接的RF芯片、电源电路、USB接口电路、指示电路,该RF芯片通过天线匹配电路与RF天线连接,所述RF芯片包括接口控制器以及分别与接口控制器通信连接的顺序控制器、寄存器、先进先出控制器、EEPROM单元、加密单元、随机数发生器、中断控制器、计数器、可编程定时器、时期帧生成单元、循环冗余/奇偶校验单元、编解码控制器、串行数据控制器,该串行数据控制器输出端连接有解调器并且输入端连接RF发射器。

所述RF芯片还包括与顺序控制器连接的复位控制单元。

所述RF芯片还包括与顺序控制器连接的时钟生成单元。

所述MCU连接有第一晶振电路,该第一晶振电路由电阻R6、电容C10、电容C11以及8.0MHz晶体振荡器Y2组成。

所述RF芯片连接有第二晶振电路,该第二晶振电路由电阻R7、电容C23、电容C24以及13.56MHz晶体振荡器Y1组成。

所述天线匹配电路包括EMC低通滤波电路、阻抗匹配电路、信号耦合电容、分频电路,该阻抗匹配电路一端与RF天线连接并且另一端连接信号耦合电容,该信号耦合电容分别与EMC低通滤波电路、分频电路连接,该EMC低通滤波电路输入端与RF芯片信号发射端TX2连接,该分频电路输出端与RF芯片信号接收端RX连接。

所述EMC低通滤波电路由电感L1、电容C17、电容C26组成,所述阻抗匹配电路由电阻R20、电容C18、电容C25组成以用于匹配天线阻抗,所述信号耦合电容包括电容C19、电容C20,所述分频电路包括电阻R14、电阻R15。

本发明的有益效果:本发明采用全新的RF芯片结构,支持S50、S70卡读写,满足非接触式IC卡标准协议,适用于32位的Windows 7系统和Windows 8操作系统,USB2.0接口,工作电压;USB端口输入直流5伏,和改变的LDO(lm1117-3.3v)为3.3V,电流小于300mA,主控芯片:STM32F103C8T6 -的32核心处理器,工作主频72MHz,64 - 128 KB的闪存和SRAM进行; RF芯片FM1701采用0.6微米CMOS EEPROM工艺,在13.56MHz非接触式通信协议下,基于Mifare加密算法的密钥加密单元和保存EEPROM,SPI接口通信,数字/模拟/发射模式有独立的电源,实现了消费者对于高性价比的追求。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的说明。

图1为本发明RF卡读卡器电路的原理框架图;

图2为本发明第一晶振电路的电路图;

图3为本发明第二晶振电路的电路图;

图4为本发明天线匹配的电路图。

具体实施方式

参阅图1所示,为本发明的一种RF卡读卡器电路,包括MCU及分别与MCU连接的RF芯片、电源电路、USB接口电路、指示电路,该RF芯片通过天线匹配电路与RF天线连接,所述RF芯片包括接口控制器以及分别与接口控制器通信连接的顺序控制器、寄存器、先进先出控制器、EEPROM单元、加密单元、随机数发生器、中断控制器、计数器、可编程定时器、时期帧生成单元、循环冗余/奇偶校验单元、编解码控制器、串行数据控制器,该串行数据控制器输出端连接有解调器并且输入端连接RF发射器,所述RF芯片还包括与顺序控制器连接的复位控制单元,所述RF芯片还包括与顺序控制器连接的时钟生成单元。

如图2,所述MCU连接有第一晶振电路,该第一晶振电路由电阻R6、电容C10、电容C11以及8.0MHz晶体振荡器Y2组成。如图3,所述RF芯片连接有第二晶振电路,该第二晶振电路由电阻R7、电容C23、电容C24以及13.56MHz晶体振荡器Y1组成。

如,4所示,所述天线匹配电路包括EMC低通滤波电路、阻抗匹配电路、信号耦合电容、分频电路,该阻抗匹配电路一端与RF天线(ANT)连接并且另一端连接信号耦合电容,该信号耦合电容分别与EMC低通滤波电路、分频电路连接,该EMC低通滤波电路输入端与RF芯片信号发射端TX2连接,该分频电路输出端与RF芯片信号接收端RX连接。

其中,所述EMC低通滤波电路由电感L1、电容C17、电容C26组成,所述阻抗匹配电路由电阻R20、电容C18、电容C25组成以用于匹配天线阻抗,所述信号耦合电容包括电容C19、电容C20,所述分频电路包括电阻R14、电阻R15,R14、R15对接收信号进行分频,以防止接收信号电压太高而损坏芯片。

以上所述仅为本发明的优先实施方式,本发明并不限定于上述实施方式,只要以基本相同手段实现本发明目的的技术方案都属于本发明的保护范围之内。

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