本公开涉及一种窗构件，更具体地，涉及一种增强的窗构件以及一种制造该增强的窗构件的方法。
背景技术：
通常，具有显示屏的电子装置包括通过其可以看到显示屏的窗构件。容纳构件可以容纳电子装置、显示屏和窗构件。窗构件保护显示屏和电子装置，并为用户提供通过其可以观察到图像并且可以接收触摸输入的有效区域。因此，用户通过窗构件向电子装置提供输入或接收由电子装置产生的信息。此外，通过窗构件保护电子装置不受外部冲击的影响。技术实现要素：一种制造窗构件的方法包括对初始窗构件执行包括执行第一离子交换处理的第一增强操作。第一离子交换处理包括在等于或大于大约500℃的第一温度的温度下施加离子盐。应力消除操作包括对被执行了第一增强操作的初始窗构件执行热处理和/或盐处理。第二增强操作包括对被执行了应力消除操作的初始窗构件执行第二离子交换处理。一种制造窗构件的方法包括对初始窗构件执行包括执行第一离子交换处理的第一增强操作，从而使初始窗构件具有第一表面压应力和第一压缩深度。应力消除操作包括对被执行了第一增强操作的初始窗构件执行热处理和/或盐处理，从而使第一表面压应力减小至第二表面压应力并且从而使第一压缩深度变为不同于第一压缩深度的第二压缩深度。第二增强操作包括对被执行了应力消除操作的初始窗构件执行第二离子交换处理，从而使第二表面压应力增大至第三表面压应力。窗构件包括包含第一表面和在第一方向上面对第一表面的第二表面的基体。基体具有在第一方向上限定的厚度。第一离子盐分布在基体中并且每个第一离子盐具有第一离子半径。第二离子盐分布在基体中并且每个第二离子具有大于第一离子半径的第二离子半径。根据从基体的第一表面沿第一方向增大的深度的压应力变化形成第一曲线，第一曲线在压应力大于大约0mpa的深度范围内包括斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点。窗构件包括第一表面和面对第一表面的第二表面。窗构件具有在第一表面和第二表面之间的在第一方向上限定的厚度。窗构件在第一表面上具有小于大约150mpa的压应力，并且具有根据从第一表面沿第一方向增大的深度变化的压应力曲线。压应力曲线包括在等于或小于转变点的深度处的第一曲线和在大于转变点的深度处的第二曲线。第一曲线具有等于或大于大约-200mpa/μm且等于或小于大约-40mpa/μm的平均斜率。第二曲线具有与第一曲线不同的平均斜率。转变点大于大约15μm。一种制造窗构件的方法包括执行第一增强操作，所述第一增强操作包括在等于或大于大约500℃的第一温度下使初始窗构件暴露于第一增强环境的离子交换处理操作。第一增强环境包括第一离子盐。第二增强操作包括在小于大约500℃的第二温度下将第一增强的初始窗构件提供到第二增强环境，从而对第一增强的初始窗构件执行离子交换处理。第二增强环境包括第二离子盐。附图说明当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本公开的更完整的理解和本公开的许多附加的方面将变得显而易见，在附图中：图1a是示出根据本公开的示例性实施例的电子装置的组装的透视图；图1b是示出图1a中示出的电子装置的分解的透视图；图2a是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的应力分布的曲线图；图2b是示出根据对比实施例的作为窗构件的深度的函数的应力分布的曲线图；图3a是示出根据本公开的示例性实施例的电子装置的组装的透视图；图3b是示出图3a中示出的电子装置的分解的透视图；图4是示出根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的流程图；图5a至图5g是示出根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的剖视图；图6是示出根据本公开的示例性实施例的窗构件的应力的变化的曲线图；图7a和图7b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力变化的曲线图；图8a和图8b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力变化的曲线图；图9a和图9b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的离子浓度变化的曲线图；图10a和图10b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的离子浓度变化的曲线图；图11a是示出根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的流程图；图11b是示出制造图11a的窗构件的方法的一部分的流程图；图12是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图；图13是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图；以及图14a和图14b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图。具体实施方式在描述附图中示出的本公开的示例性实施例中，为了清楚的目的使用特定术语。然而，本公开不意图限于这样选择的特定术语，将理解的是，每个特定元件包括以相似的方式操作的所有技术等同物。在下文中，将参照附图详细地解释本发明。图1a是示出根据本公开的示例性实施例的电子装置ds的组装的透视图。图1b是示出图1a中示出的电子装置ds的分解的透视图。将参照图1a和图1b详细地描述根据本公开的示例性实施例的电子装置ds。参照图1a，电子装置ds可以具有在第一方向dr1上具有预定的厚度的三维形状。电子装置ds可以包括有效区域ar和可以在有效区域ar的至少一个边上围绕有效区域ar的外围区域br。有效区域ar和外围区域br可以共用由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面，第二方向dr2和第三方向dr3中的每个可以与第一方向dr1基本垂直。有效区域ar可以是执行电子装置ds的输入和/或输出功能的区域。根据本公开的示例性实施例，电子装置ds可以是显示装置，但是不限于显示装置。因此，当电子装置ds被激活时，有效区域ar显示图像im。根据本发明的示例性实施例，有效区域ar可以是用于在电子装置ds被激活之后感测外部触摸或环境光的区域。因此，有效区域ar可以根据包括在电子装置ds中的组件在各个区域中操作，本发明不应限于通过有效区域ar使用电子装置ds的方式的特定示例中的任何一个。外围区域br设置为与有效区域ar相邻。例如，外围区域br可以具有围绕有效区域ar的边缘的形状。然而，外围区域br可以仅与有效区域ar的边缘的一部分相邻。可选择地，可以将外围区域br一起从电子装置ds中省略。参照图1a和图1b，电子装置ds包括诸如窗的窗构件100、诸如显示器的显示构件200以及诸如框架或外壳的容纳构件300。容纳构件300、显示构件200和窗构件100可以顺序地布置在第一方向dr1上。窗构件100可以是电子装置ds的若干外部构件中的一个。窗构件100可以与容纳构件300结合，以限定设置有内组件的内区域。在内区域内可以保护内组件不受外部冲击和环境污染物的影响。例如，窗构件100可以限定电子装置ds的前表面。窗构件100可以包括刚性材料。例如，窗构件100可以包括玻璃或塑料材料。因此，窗构件100可以保护电子装置ds的内组件不受外部冲击和环境污染物(诸如液体、蒸汽和反应物质)的影响。窗构件100可以通过包含离子盐来增强。离子盐可以包括一价碱离子。例如，离子盐可以包括钠离子和钾离子。这将在后面详细地描述。窗构件100可以包括布置在由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面上的第一区域100-ar和第二区域100-br。第一区域100-ar可以是光学透明区域。第一区域100-ar透射由显示构件200产生的图像im，以允许图像im被用户识别。有效区域ar可以基本由第一区域100-ar限定并且与第一区域100-ar对齐。第二区域100-br设置为与第一区域100-ar相邻。第二区域100-br具有比第一区域100-ar的光学透射率低的光学透射率，从而使得第二区域100-br比第一区域100-ar难透视。第一区域100-ar可以具有由第二区域100-br限定的形状。根据本发明的示例性实施例，可以从电子装置ds中省略第二区域100-br。窗构件100可以在由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面上包括第一(上)表面us和在第一方向dr1上与第一表面us分离的第二(下)表面ls。第一表面us可以与第二表面ls基本平行。第一表面us可以限定电子装置ds的前表面。第一表面us与暴露于使用电子装置ds的用户的表面对应。第二表面ls可以是面对显示构件200的表面。在图1a中示出的组装的透视图中，第二表面ls不暴露于电子装置ds的外部。窗构件100可以具有在第一方向dr1上限定的厚度th。厚度th可以与第一表面us和第二表面ls之间的分离程度对应。窗构件100可以是薄的。例如，窗构件100的厚度th可以等于或小于大约0.5mm。虽然窗构件100具有大约0.5mm的厚度，但是窗构件100可以足够坚固以承受外部冲击。这将在后面详细地描述。因为根据本发明的示例性实施例的电子装置ds包括薄的窗构件100，所以电子装置ds可以是纤薄的、轻质的和高度光学透明的等。如上所讨论的，窗构件100可以是既薄又坚固的。因此，电子装置ds可以制成相对纤薄并且抵抗由外部冲击引起的损坏。这将在后面详细地描述。显示构件200可以设置在窗构件100与容纳构件300之间。显示构件200产生图像im。由显示构件200产生的图像im可以向用户提供信息。显示构件200可以包括基体层210和器件层220。基体层210可以包括绝缘材料。例如，基体层210可以是玻璃基底、塑料基底或者包括有机层和/或无机层的堆叠膜，但是基体层210不限于这些组件。例如，根据本示例性实施例的基体层210可以包括各种组件并且不应限于任何一个实施例。器件层220可以包括响应于电信号而激活的各种电气器件。例如，器件层220可以包括产生图像im的显示器件。例如，器件层220可以包括有机发光器件、电润湿器件、液晶电容器或电泳器件。根据本发明的示例性实施例，器件层220可以包括诸如触摸传感器、光学传感器等的传感器器件。器件层220可以例如包括用于执行电子装置ds的各种功能的各种器件。容纳构件300可以是电子装置ds的外部构件中的一种。容纳构件300与窗构件100结合，以密封并保护内组件不受外部环境的影响。例如，容纳构件300可以限定电子装置ds的后表面。容纳构件300可以包括底部310(例如背面板)和侧壁部320。底部310和侧壁部320可以限定预定的内空间sp或腔。显示构件200可以容纳在内空间sp内。底部310可以与由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面基本平行。然而，底部310可以可选择地弯曲并且/或者可以包含一个或更多个开口或突出特征。当在平面图中观察时，底部310可以至少与显示构件200叠置。底部310可以具有等于或大于显示构件200的面积的面积。虽然侧壁部320可以可选择地被稍微倒圆以向外凸出，但是侧壁部320连接到底部310并且从底部310基本在第一方向dr1上延伸。侧壁部320可以限定电子装置ds的在第一方向dr1上的厚度。在图1a的组装的透视图中，侧壁部320可以围绕显示构件200的边缘。电子装置ds还可以包括容纳在内空间sp中的各种附加组件。例如，电子装置ds还可以包括向显示构件200供应电力的组件、使窗构件100与显示构件200结合的组件以及使显示构件200与容纳构件300结合的组件。电子装置ds可以以包括各种组件的各种结构设置并且不应局限于这里作为示例描述的特定结构。图2a是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的应力分布的曲线图，图2b是示出根据对比实施例的作为窗构件的深度的函数的应力分布的曲线图。图2a涉及图1b中示出的窗构件100的性质。参照图2a和图2b，在窗构件100中发生的应力的水平可以根据深度而变化。深度可以被定义为对应于窗构件100的表面中的一个表面的第一表面us(参照图1b)和在第一方向dr1(参照图1b)上朝向窗构件100的厚度的中心与第一表面us分隔开预定的分离距离的点之间的距离。相似地，深度可以被定义为对比实施例的表面中的一个表面和朝向对比实施例的厚度的中心与所述一个表面分隔开的点之间的距离。应力可以是在窗构件100的厚度方向上与窗构件100的表面分隔开相应深度的点处的应力。相似地，应力可以是存在于对比实施例中的相应点处的应力。在图2a和图2b中，发生在窗构件100中并由深度引起的应力的类型已经表示为压应力。如图2a和图2b中所示，在窗构件100中深度为零(0)的点处(例如，在与窗构件100的表面对应的点处)的压应力可以被称为“表面压应力”。此外，在窗构件100中，压应力为零(0)的点可以被称为“压缩深度”。在下文中，将参照图2a和图2b详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件100的压应力行为。如图2a中所示，根据本公开的示例性实施例的窗构件100的压应力曲线pl示出了等于大约800mpa的表面压应力以及等于大约80微米的压缩深度。如图2b中所示，根据对比实施例的曲线pl-r，表示深度为零(0)的点处的压应力的表面压应力为大约650mpa，并且在压应力为零(0)的点处，压缩深度为大约70微米。例如，根据本公开的示例性实施例的窗构件100具有比对比实施例的表面压应力高的表面压应力和比对比实施例的压缩深度大的压缩深度。参照图2a和图2b，当将本公开的曲线pl和对比实施例的曲线pl-r进行比较时，曲线pl在等于或小于压缩深度的深度范围内可以被划分成具有大的斜率的部分和具有小的斜率的部分。根据本发明的示例性实施例，基于绝对值来确定斜率的大小。例如，本公开的曲线pl在小于大约15微米的深度范围内具有比对比实施例的曲线pl-r的斜率大的斜率，并且在等于或大于大约15微米的深度范围内具有小于对比实施例的曲线pl-r的斜率的斜率。同时，在等于或小于压缩深度的深度范围内，本公开的曲线pl可以包括斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点。例如，第一斜率sl1为大约1mpa/μm。在等于或小于压缩深度的深度范围内，对比实施例的曲线pl-r可以包括斜率的绝对值等于或大于大约2mpa/μm的点。例如，第二斜率sl-r为大约2.62mpa/μm。本公开的曲线pl可以包括斜率为零(0)的点。因此，如图2a中所示，本公开的曲线pl可以包括向上凸起的峰值点pk。曲线pl在压应力为大约零处具有第二斜率sl2。第二斜率sl2的绝对值高于第一斜率sl1的绝对值。根据本发明的一些示例性实施例，只要曲线pl包括斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点，本公开的曲线pl就可以具有各种形状，本公开的曲线pl不应限于任何一个实施例。根据本公开的示例性实施例的曲线pl示出了比对比实施例的曲线pl-r的表面压应力高的表面压应力，并且由于高的斜率而在低的深度中迅速达到低的压应力。此外，根据本公开的示例性实施例的曲线pl具有比对比实施例的曲线pl-r的压缩深度高的压缩深度，但是具有比曲线pl-r的斜率低的斜率，从而引起压应力的减小。由于压应力而施加到窗构件100的应力可以与由曲线pl限定的面积对应。由于压应力而施加到窗构件100的应力可以通过在等于或大于压缩深度范围内产生的负的压应力(例如，张力)来消除。在这种情况下，形成为消除施加到窗构件100的应力的内张力可以被称为中心张力。当施加到窗构件100的应力增大时，在等于或大于压缩深度的深度范围内产生的中心张力增大。在这种情况下，当窗构件100的厚度减小时，没有足够的长度来确保等于或大于压缩深度的深度范围。结果，中心张力会快速增大，窗构件100的耐久性会降低。根据本公开的示例性实施例的窗构件100具有曲线pl，曲线pl包括具有比对比实施例的斜率大的斜率的部分和具有比对比实施例的斜率小的斜率的部分。因此，虽然曲线pl具有比对比实施例的曲线pl-r的表面压应力高的表面压应力和比对比实施例的曲线pl-r的压缩深度高的压缩深度，但是可以通过控制斜率来形成比由对比实施例的曲线pl-r形成的面积小的面积。因此，窗构件100可以基本上同时具有高的压缩深度和低的中心张力，因此即使窗构件100是相对薄的，窗构件100也可以是高度可靠和耐久的并且提供足够的稳定性和保护。根据本公开的示例性实施例的窗构件100在被增强的同时可以是薄的，因此窗构件100可以有助于电子装置ds变薄。图3a是示出根据本公开的示例性实施例的电子装置ds-1的组装的透视图，图3b是示出图3a中示出的电子装置ds-1的分解的透视图。在下文中，将参照图3a和图3b详细地描述电子装置ds-1。在图3a和图3b中，相同的附图标记可以表示图1a至图1b中的相同的元件，因此就省略描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经讨论的相应元件的描述相似。参照图3a，电子装置ds-1可以包括有效区域ar-1和外围区域br-1。有效区域ar-1可以在由第一方向dr1、与第一方向dr1交叉的第二方向dr2以及与第一方向dr1交叉的第三方向dr3限定的空间中具有弯曲形状。外围区域br-1设置为与有效区域ar-1相邻。外围区域br-1可以具有与有效区域ar-1的弯曲形状对应的弯曲形状。图像通过有效区域ar-1显示。例如，第一图像im1和第二图像im2可以通过有效区域ar-1显示。第一图像im1通过由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面显示并且向第一方向dr1提供。第二图像im2通过由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面显示并且向第三方向dr3提供。根据本公开的示例性实施例的电子装置ds-1可以通过具有弯曲形状的有效区域ar-1朝向各个方向显示图像。因此，电子装置ds-1可以向用户提供使用电子装置ds-1的各种方式。如图3a和图3b中所示，电子装置ds-1可以包括窗构件100-1、显示构件200-1和容纳构件300-1。窗构件100-1可以具有从由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面向下弯曲的弯曲形状。窗构件100-1可以包括第一区域100-ar1和第二区域100-br1。第一区域100-ar1可以与由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面基本平行。第一区域100-ar1可以与有效区域ar-1对应。第二区域100-br1可以包括从第一区域100-ar1向下弯曲的区域。该向下弯曲的区域可以与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面基本平行。第二区域100-br1可以与外围区域br-1对应。除了窗构件100-1具有弯曲形状之外，窗构件100-1可以具有与窗构件100(参照图1b)的结构和功能相同的结构和功能。因此，就省略附加的描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经讨论的相应窗构件100的描述相似。显示构件200-1可以设置在窗构件100-1与容纳构件300-1之间。显示构件200-1可以具有从由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面向下弯曲的弯曲形状。显示构件200-1包括基体层210-1和器件层220-1。基体层210-1和器件层220-1可以具有从由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面向下弯曲的弯曲形状。因为根据本公开的示例性实施例的器件层220-1具有弯曲形状，所以可以产生第一图像im1和第二图像im2。可以在不同的方向上显示这些图像，基本在第一方向dr1上显示第一图像im1并且基本在第三方向dr3上显示第二图像im2。因此，显示构件200-1可以朝向各个方向提供图像并且增加电子装置ds-1的可用性。容纳构件300-1设置在显示构件200-1下方。容纳构件300-1与窗构件100-1结合以限定电子装置ds-1的外部的一部分并且保护电子装置ds-1的内组件。容纳构件300-1具有可以与显示构件200-1的各种形状结合的形状，因此显示构件200-1和其它附加的组件可以容纳在电子装置ds-1中。如上所述，根据本公开的示例性实施例的电子装置ds-1包括具有弯曲形状的窗构件100-1，因此可以保护具有各种形状的显示构件200-1和其它电气组件不受外部环境的污染。此外，因为窗构件100-1可以在具有各种形状的同时确保机械强度，所以可以增加电子装置ds-1的可靠性。图4是示出根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的流程图。图5a至图5g是示出根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的剖视图。为了便于解释，图5a至图5g示出了由第一方向dr1和第三方向dr3限定的截面上的变化。在下文中，将参照图4和图5a至图5g详细地描述窗构件的制造方法。在图4和图5a至图5g中，相同的附图标记表示图1a至图3b中的相同的元件，因此就省略描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经讨论的相应元件的描述相似。参照图4，根据本公开的示例性实施例的制造窗构件100的方法可以包括第一增强操作s100、应力消除操作s200和第二增强操作s300。第一增强操作s100可以包括离子交换操作。根据本公开的示例性实施例的窗构件100的制造方法可以通过第一增强操作s100从初始窗构件100-i形成第一窗构件100-s1。图5a至图5c可以与第一增强操作s100对应。第一增强操作s100可以是增强初始窗构件100-i的操作。初始窗构件100-i可以包括刚性绝缘基底。例如，初始窗构件100-i可以是玻璃基底。例如，如图5a中所示，初始窗构件100-i可以包括媒介md和多个钠离子(na+)。钠离子(na+)可以分布(例如溶解或另外混合或者悬浮)在媒介md(溶剂或另一载体材料)内。初始窗构件100-i可以是去除了氧化锂(li2o)、氧化硼(b2o3)或五氧化二磷(p2o5)的玻璃基底。例如，初始窗构件100-i包括铝硅酸钠玻璃。根据本公开的示例性实施例的初始窗构件100-i可以包括由各种材料形成的玻璃基底，而不限于特定材料。第一增强操作s100可以包括离子交换处理。因此，第一增强操作s100可以用包含预定的离子盐的盐处理初始窗构件100-i。具体地，如图5b和图5c中所示，向初始窗构件100-i提供多个钾离子(k+)，以形成第一窗构件100-s1。第一窗构件100-s1可以包括媒介md以及分布在媒介md中的钠离子(na+)和钾离子(k+)。钾离子(k+)可以是替代分布在媒介md中的钠离子(na+)的离子。可以以各种方式来提供钾离子(k+)。例如，可以以离子液体的状态来提供钾离子(k+)。例如，将初始窗构件100-i暴露于熔融盐，以向初始窗构件100-i提供存在于熔融盐中的钾离子(k+)。熔融盐可以是混合盐。例如，熔融盐可以是硝酸钠(nano3)与硝酸钾(kno3)混合的混合盐。存在于熔融盐中的钾离子(k+)的至少一部分渗透到初始窗构件100-i中，以以一一对应的方式替代钠离子(na+)。在这种情况下，可以向第一表面us和第二表面ls提供熔融盐。因为以液态提供熔融盐，所以初始窗构件100-i的表面可以暴露于钾离子(k+)。可以以各种方法来提供根据本公开的示例性实施例的钾离子(k+)，提供钾离子(k+)的方法不应限于任何一个实施例。例如，只要离子能够替代钠离子(na+)，就可以以各种实施例来提供向初始窗构件100-i提供的离子。例如，向初始窗构件100-i提供的离子可以是具有与钠离子(na+)相同的最外层电子数的一价正离子。与钠离子(na+)相比，钾离子(k+)具有相对大的离子半径。因此，将比钠离子(na+)大的钾离子(k+)提供到放置钠离子(na+)的位置，并且相对于媒介md产生压应力。由钾离子(k+)提供的压应力会在初始窗构件100-i的表面(即，第一表面us和第二表面ls)上引起表面压应力。因此，第一窗构件100-s1会具有预定的表面压应力。从初始窗构件100-i的外部注入到初始窗构件100-i中的钾离子(k+)可以从初始窗构件100-i的表面进入初始窗构件100-i至预定的深度。预定的深度可以表示第一表面us或第二表面ls与钾离子(k+)之中的在第一方向dr1上距离第一表面us或第二表面ls最远的钾离子之间的分离距离。因此，第一窗构件100-s1可以具有预定的压缩深度。如上所述，压缩深度可以与压应力变为零(0)的深度对应。实施第一增强操作s100的温度可以与初始窗构件100-i的变形点有关。可以在相对于低于变形点大约50℃的温度的大约±20℃的温度下实施第一增强操作s100。变形点可以根据初始窗构件100-i的材料或晶体结构改变。例如，在初始窗构件100-i的变形点为大约580℃的情况下，可以在大约500℃或以上的温度下实施第一增强操作s100。根据本公开的示例性实施例的第一增强操作s100在相对高的温度下执行离子交换，因此钾离子(k+)可以渗透到初始窗构件100-i中，离子交换可以是活跃的。根据本公开的第一增强操作s100的温度可以高于用于传统的增强玻璃的制造方法的缓慢冷却温度的温度范围。在等于或低于大约500℃的温度下对具有大约580℃的变形点的初始窗构件100-i执行第一增强操作s100的情况下，相对于相同的暴露时间，初始窗构件100-i的压缩深度会比在高于500℃的温度下的压缩深度低。为了增大压应力或压缩深度，增大暴露时间。因此，工艺效率下降，并且制造成本增加。然后，如图4中所示，可以执行应力消除操作s200。应力消除操作s200可以与图5d和图5e对应。应力消除操作s200消除经第一增强处理的初始窗构件(在下文中，被称为“第一窗构件”)100-s1的压应力，以形成经应力消除处理的初始窗构件(在下文中，被称为“第二窗构件”)100-s2。第二窗构件100-s2可以具有比第一窗构件100-s1的压应力低的压应力。根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法可以通过应力消除操作s200来控制钾离子(k+)的移动。例如，参照图5d和图5e，在应力消除操作s200中，钾离子(k+)可以在第一窗构件100-s1的厚度方向上移动到中心部分ctr。当提供压应力的钾离子(k+)从第一表面us和第二表面ls移动到中心部分ctr时，可以减小由表面压应力源对第一表面us和第二表面ls施加的影响。因此，在第二窗构件100-s2的第一表面us和第二表面ls中的每个处测量的表面压应力可以低于第一窗构件100-s1的表面压应力。在这种情况下，第二窗构件100-s2的表面压应力可以小于大约150mpa。当提供压应力的钾离子(k+)从第一表面us和第二表面ls移动到中心部分ctr时，具有比表面压应力大的压应力的点可以存在于第二窗构件100-s2内部。因为提供压应力的钾离子(k+)通过应力消除操作s200移动为与中心部分ctr相邻，所以具有最大压应力的点可以从第一表面us和第二表面ls移动到中心部分ctr。在这种情况下，钾离子(k+)可以从表面移动到第二窗构件100-s2的比其在第一窗构件100-s1中的深度深的深度。因此，第二窗构件100-s2的压缩深度可以大于第一窗构件100-s1的压缩深度。第二窗构件100-s2的压缩深度可以对后面描述的窗构件100的压缩深度施加影响。例如，应力消除操作s200可以包括热处理操作。可以在大约500℃或以上的温度下执行热处理操作。当温度升高时，可以缩短第一窗构件100-s1暴露于热源的时间。在这种情况下，应力消除操作s200还可以包括盐处理操作。可以在与热处理操作基本相同的时间下执行盐处理操作。例如，可以在第一窗构件100-s1暴露于液体盐的同时执行热处理操作。液体盐可以是包含钾离子的盐与包含钠离子的盐混合的混合盐。应力消除操作s200可以通过控制混合盐的混合比来形成具有各种耐久性的第二窗构件100-s2。例如，当包含钠离子的盐的混合比增大时，可以形成具有相对高的表面压应力的第二窗构件100-s2。然而，应力消除操作s200可以通过各种方法执行并且不应限于任何一个实施例。然后，如图4中所示，可以执行第二增强操作s300。第二增强操作s300可以与图5f和图5g对应。第二增强操作s300可以是对第二窗构件100-s2执行离子交换处理以增强第二窗构件100-s2的操作。经第二增强处理的初始窗构件100(在下文中，被称为“窗构件”)可以与图1a中示出的窗构件100对应。例如，向第二窗构件100-s2提供离子盐，以形成窗构件100。离子盐可以是替代分布在媒介md中的钠离子(na+)的离子。例如，离子盐可以包括钾离子(k+)。在第二增强操作s300中向第二窗构件100-s2提供的离子盐可以与在第一增强操作s100中向初始窗构件100-i提供的离子盐不同。可以在第二增强操作s300中通过各种方法向第二窗构件100-s2提供离子盐。例如，可以通过使用单一盐来提供离子盐。例如，可以使用硝酸钾(kno3)来向第二窗构件100-s2提供钾离子(k+)。然而，第二增强操作s300中的离子盐可以提供为混合盐，并且不应限于任何一个实施例。可以在低于执行第一增强操作的温度的温度下执行第二增强操作。例如，可以在等于或大于大约380℃且等于或小于大约460℃的温度下执行第二增强操作。如图5g中所示，窗构件100包括设置于其中的钾离子(k+)。窗构件100可以包括未被钾离子(k+)替代的钠离子(na+)。通过第二增强操作s300，窗构件100具有比第二窗构件100-s2的表面压应力高的表面压应力。可以通过在第二增强操作s300中注入的钾离子(k+)来提供比第二窗构件100-s2的表面压应力高的表面压应力。根据本公开的示例性实施例的窗构件100的表面压应力可以比第一窗构件100-s1的表面压应力高。与初始窗构件100-i相比，应力消除操作s200之后的第一窗构件100-s1可以允许从外部源提供的离子盐更容易地注入其中。根据本公开的示例性实施例的窗构件100具有比第一窗构件100-s1更多的调节表面压应力的能力，因此窗构件100可以耐于抗外部冲击并且具有增加的可靠性。根据本公开的示例性实施例，只要窗构件具有比第二窗构件的表面压应力高的表面压应力，窗构件100就可以具有各种尺寸。图6是示出根据本公开的示例性实施例的窗构件的应力变化的曲线图。图6示出了表示根据本公开的示例性实施例的作为窗构件100的深度的函数的压应力变化的曲线pl-es和表示根据对比实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力变化的曲线pl-rs。为了便于解释，一起示出了窗构件100的截面以及曲线pl-es和pl-rs，对比实施例的曲线pl-rs由虚线表示，本公开的曲线pl-es由实线表示。窗构件100可以与图1b中示出的窗构件100对应。在下文中，将参照图6详细地描述窗构件的应力变化。出现在窗构件100中的压应力可以根据深度而变化。在这种情况下，深度表示在从窗构件100的表面朝向窗构件100的内侧的深度方向上的距离，深度方向可以与从第一表面us和在第一方向dr1上面对第一表面us的第二表面ls沿基本平行于第一方向dr1的方向朝向窗构件100的内侧的方向对应。因此，深度可以定义为关于沿第三方向dr3延伸并且穿过对应于窗构件100的厚度的一半的点的线双侧对称。作为双侧对称的参考线的中心线可以与图5d中示出的中心部分ctr对应。窗构件100可以在第一表面us和第二表面ls上具有第一表面压应力cs。在图6中，第一表面us上的压应力与第二表面ls上的压应力基本相同，但是第一表面us上的压应力与第二表面ls上的压应力可以不同。窗构件100可以具有第一压缩深度dl。如上所述，第一压缩深度dl可以与压应力变为零(0)的深度对应。窗构件100可以在第一压缩深度dl周围具有彼此不同的应力。窗构件100可以在小于第一压缩深度dl的深度处具有压应力并且在大于第一压缩深度dl的深度处具有张力。张力可以是针对压应力形成的内张力。因为窗构件100形成针对压应力的张力，所以可以减少由压应力引起的窗构件100的变形，并且可以平衡应力。例如，张力示出为负的压应力。窗构件100可以在大于第一压缩深度dl的深度处具有第一中心张力ct。为了便于解释，在图6中，第一中心张力ct示出为在大于第一压缩深度dl的深度范围内具有恒定值。然而，根据本公开的一些示例性实施例，窗构件100可以具有在大于第一压缩深度dl的深度范围内可变的张力，在这种情况下，第一中心张力ct可以定义为在大于第一压缩深度dl的深度范围内的张力的平均值。例如，由本公开的曲线pl-es在第一压缩深度dl的范围内形成的面积可以与由本公开的曲线pl-es在大于第一压缩深度dl的深度范围内形成的面积基本相同。例如，由距离第二表面ls第一压缩深度dl的范围内的压应力限定的第一面积a1与由距离第一表面us第一压缩深度dl的范围内的压应力限定的第二面积a2的总和可以与由大于第一压缩深度dl的深度范围内的张力限定的第三面积a3基本相同。根据本公开的示例性实施例的窗构件100形成限定由张力限定的第三面积a3的曲线pl-es，使得第三面积a3与由压应力限定的第一面积a1和第二面积a2的总和相同，因此可以防止窗构件100由于增强操作期间的压应力而损坏。因此，可以对窗构件100执行增强操作，窗构件100可以具有增加的耐久性。当与对比实施例的曲线pl-rs比较时，窗构件100的第一表面压应力cs可以低于对比实施例的表面压应力cs-r。窗构件100的第一压缩深度dl可以大于对比实施例的压缩深度dl-r。因此，当将本公开的曲线pl-es和对比实施例的曲线pl-rs进行比较时，压应力的变化的斜率可以在第一压缩深度dl的范围内降低。当第一压缩深度dl变为大于对比实施例的压缩深度dl-r时，斜率可以减小，由压缩深度范围内的压应力限定的面积可以比对比实施例的曲线pl-rs中的由压缩深度范围内的压应力限定的面积减小得多。因此，可以减小等于或大于第一压缩深度dl的深度范围内需要的张力的强度。例如，本公开中的第一中心张力ct可以小于对比实施例中的中心张力ct-r。因为由压缩深度dl的范围内的压应力限定的面积减小，所以即使第一中心张力ct是低的，也可以保持应力的平衡。可以通过应力消除操作s200(参照图4)来实现第一压缩深度dl的增加和第一表面压应力cs的强度的降低。根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法还包括应力消除操作s200，以形成具有高的压缩深度和低的中心张力的窗构件100，因此可以形成具有增加的耐久性的窗构件。图7a和图7b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力变化的曲线图。图7a和图7b示出了根据本公开的示例性实施例的作为由窗构件的制造方法的每个操作形成的每个结果的深度的函数的压应力变化。为了便于解释，图7a示出了表示作为第一窗构件100-s1(参照图5c)的深度的函数的压应力变化的第一曲线pl1-a和表示作为第二窗构件100-s2(参照图5e)的深度的函数的压应力变化的第二曲线pl2-a，图7b示出了表示作为窗构件100(参照图5g)的深度的函数的压应力变化的第三曲线pl3-a。在下文中，将参照图7a和图7b详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件100。参照图7a，第一曲线pl1-a示出了通过第一增强操作s100(参照图4)形成的第一窗构件100-s1的压应力的分布。例如，通过在大约四小时期间在大约530℃的温度下将初始窗构件100-i(参照图5a)暴露于混合盐来执行第一增强操作s100，所述混合盐通过将硝酸钠(nano3)与硝酸钾(kno3)以3:7比例混合而获得。因此，参照第一曲线pl1-a，第一窗构件100-s1可以具有第一表面压应力cs1-a和第一压缩深度dl1-a。如图7a中所示，第二曲线pl2-a示出了通过应力消除操作s200(参照图4)形成的第二窗构件100-s2的压应力的分布。例如，通过在大约120分钟期间在大约530℃的温度下对第一窗构件100-s1进行热处理来执行应力消除操作s200。因此，参照第二曲线pl2-a，第二窗构件100-s2可以具有第二表面压应力cs2-a和第二压缩深度dl2-a。在这种情况下，在大约200mpa或以下来测量第二表面压应力cs2-a。参照第一曲线pl1-a和第二曲线pl2-a，第一表面压应力cs1-a通过应力消除操作s200减小到第二表面压应力cs2-a。应力消除操作s200消除相应构件的表面压应力。根据本公开的示例性实施例的第二表面压应力cs2-a可以小于大约150mpa。根据窗构件的制造方法，通过应力消除操作s200来消除出现在表面上的压应力，因此可以分散通过第一增强操作s100形成的表面残余应力。此外，参照第一曲线pl1-a和第二曲线pl2-a，第一压缩深度dl1-a通过应力消除操作s200增大到第二压缩深度dl2-a。应力消除操作s200可以增大相应构件的压缩深度。根据窗构件的制造方法，产生压应力的离子通过应力消除操作s200移动为与中心部分相邻，因此可以将压缩深度控制为增大。压缩深度可以与压应力层的深度对应。如图7b中所示，第三曲线pl3-a示出了通过第二增强操作s300(参照图4)形成的窗构件100的压应力的分布。例如，通过在大约三十分钟期间在大约420℃的温度下将第二窗构件100-s2暴露于硝酸钾(kno3)的单一盐来执行第二增强操作s300。因此，参照第三曲线pl3-a，窗构件100可以具有第三表面压应力cs3-a和第三压缩深度dl3-a。参照第二曲线pl2-a和第三曲线pl3-a，第二表面压应力cs2-a通过第二增强操作s300增大到第三表面压应力cs3-a。第二增强操作s300提供提供窗构件100的表面压应力的钾离子。在这种情况下，在大约800mpa下测量第三表面压应力cs3-a。第三表面压应力cs3-a具有大于在大约300mpa下测量的第一表面压应力cs1-a的值。根据窗构件的制造方法，因为在应力消除操作s200之后执行第二增强操作s300，所以与当仅执行第一增强操作s100时相比，窗构件可以具有更多的调节表面压应力的能力。因此，根据本公开的示例性实施例的窗构件100可以具有增加的抵抗外部冲击和损坏的耐久性。参照图7b，在等于或小于第三压缩深度dl3-a的深度范围内，第三曲线pl3-a可以划分成第一部分和第二部分。第一部分是与表面相邻的深度部分，根据深度的压应力变化在与第一增强操作之后的第一曲线pl1-a相比时表现相对大。第二部分是与第三压缩深度dl3-a相邻的深度部分，根据深度的压应力变化在与第一增强操作之后的第一曲线pl1-a相比时表现相对小。在这种情况下，第三曲线pl3-a可以包括第二部分中的斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点。例如，图7b中示出的第一斜率sl1-a具有大约-0.6mpa/μm的值。例如，根据本公开的示例性实施例的窗构件100可以具有在第三压缩深度dl3-a的范围内具有小于2mpa/μm的绝对值的斜率的压缩深度-压应力的曲线。例如，第三曲线pl3-a可以包括第二部分中的斜率为大约0mpa/μm的点。例如，在根据本公开的示例性实施例的窗构件100中，可以存在沿深度增大的方向不存在压应力变化的部分。这意味着会出现包括压应力在窗构件100中以渐变的方式变化的部分的曲线。该结果可能是由提供压应力的钾离子从表面移动到中心部分并且压应力从表面移动到中心部分的应力消除操作s200引起的。例如，第三曲线pl3-a可以包括第二部分中的斜率为大约0mpa/μm的点。因此，第三曲线pl3-a可以具有向上凸起的峰值点pk-a。峰值点pk-a可以存在于第三压缩深度dl3-a的范围内，峰值点pk-a可以是向压应力增大的方向凸起的点。根据其它实施例，只要第三曲线pl3-a具有第二部分中的斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点，根据本公开的示例性实施例的第三曲线pl3-a就可以具有各种形状。此外，参照第一曲线pl1-a和第二曲线pl2-a，第一压缩深度dl1-a通过应力消除操作s200增大到第二压缩深度dl2-a。应力消除操作s200可以增大相应构件的压缩深度。随着压缩深度增大，窗构件100的表面硬度可以增大。因此，可以增大窗构件100的抵抗外部冲击的弹性，并且可以防止出现在窗构件100的外部上的裂纹传播。根据本公开的示例性实施例的窗构件100的制造方法还包括应力消除操作，因此可以在第二增强操作中精细地控制根据深度的压应力变化的斜率。因此，虽然压缩深度是大的，但是可以通过减小根据深度的压应力变化的斜率来防止中心张力增大。由于外部冲击，中心张力的增大加速了窗构件的分散。根据本公开，即使向窗构件施加外部冲击，也可防止窗构件的分散增加。根据示例性实施例，可以增强具有薄的厚度的窗构件，因此薄型窗构件可以具有增加的耐久性。图8a和图8b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力变化的曲线图。图8a和图8b示出了根据本公开的示例性实施例的作为由窗构件的制造方法的每个操作形成的每个结果的深度的函数的压应力变化。为了便于解释，图8a示出了表示作为第一窗构件100-s1(参照图5c)的深度的函数的压应力变化的第一曲线pl1-s和表示作为第二窗构件100-s2(参照图5e)的深度的函数的压应力变化的第二曲线pl2-s，图8b示出了表示作为窗构件100(参照图5g)的深度的函数的压应力变化的第三曲线pl3-s。图8a和图8b示出了与通过用盐处理进行应力消除操作s200(参照图4)形成的第二窗构件100-s2有关的曲线图。在下文中，将参照图8a和图8b详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件100。在下面的描述中，就省略描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经相对于图7a和图7b讨论的相应元件的描述相似。例如，应力消除操作s200可以包括通过将第一窗构件100-s1暴露于熔融盐来对第一窗构件100-s1(参照图5c)进行热处理的操作。熔融盐可以包括混合盐。例如，熔融盐可以是通过将硝酸钠(nano3)与硝酸钾(kno3)混合而获得的盐。在这种情况下，混合盐可以通过以与第一增强操作s100(参照图4)中的比例不同的比例将硝酸钠(nano3)和硝酸钾(kno3)混合来获得。如图8a中所示，被施加了第一增强操作的第一窗构件100-s1的曲线pl1-s通过应力消除操作s200改变为第二窗构件100-s2的曲线pl2-s。在这种情况下，表面压应力可从第一表面压应力cs1-s减小到第二表面压应力cs2-s，并且压缩深度可以从第一压缩深度dl1-s增大到第二压缩深度dl2-s。如图8b中所示，被施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s从第二表面压应力cs2-s变为具有第三表面压应力cs3-s。第三表面压应力cs3-s可以大于第二表面压应力cs2-s。被施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s具有第三压缩深度dl3-s。第三压缩深度dl3-s可以高于第一压缩深度dl1-s。在这种情况下，被施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s在等于或小于第三压缩深度dl3-s的深度范围中可以划分成第一部分和第二部分，其中，曲线pl3-s在第一部分中具有通常比施加了第一增强操作的第一窗构件100-s1的曲线pl1-s的斜率值大的斜率值，曲线pl3-s在第二部分中具有通常比施加了的第一增强操作的第一窗构件100-s1的曲线pl1-s的斜率值小的斜率值。根据窗构件的制造方法，因为附加地执行应力消除操作，所以获得了压应力根据窗构件的深度变化并且包括具有变化的斜率的部分的曲线。施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s可以包括第二部分中的斜率的绝对值小于大约2mpa/μm的点。例如，第一斜率sl1-s和第二斜率sl2-s中的每个的斜率的绝对值小于大约2mpa/μm。施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s可以包括第二部分中的斜率的绝对值等于或大于大约0mpa/μm的点。因此，施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s可以包括第二部分中的基本平行于水平轴的直线部分或向上凸起的部分。例如，图8b中示出的峰值点pk-s表现为施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-s具有凸起形状。根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法还包括应力消除操作，因此可以精细地控制压应力的根据深度的曲线。因此，虽然压应力的深度在具有薄的厚度的窗构件中增大，但是可以通过减缓斜率来防止中心张力增大，因此窗构件可以具有增加的耐久性。图9a和图9b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的离子浓度变化的曲线图。图9a和图9b示出了根据本公开的示例性实施例的作为由窗构件的制造方法的每个操作形成的每个结果的深度的函数的离子浓度变化。图9a和图9b中示出的离子浓度变化可以是钾离子(k+)的浓度的变化。为了便于解释，图9a示出了表示作为第一窗构件100-s1(参照图5c)的深度的函数的离子浓度变化的第一曲线pl1-ia和表示作为第二窗构件100-s2(参照图5e)的深度的函数的离子浓度变化的第二曲线pl2-ia，图9b示出了表示作为窗构件100(参照图5g)的深度的函数的离子浓度变化的第三曲线pl3-ia。例如，可以通过使用热处理作为应力消除操作s200(参照图4)来形成第二窗构件100-s2。因此，图9a和图9b分别示出了相对于图7a和图7b的离子浓度变化。在下文中，将参照图9a和图9b详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件100。在下面的描述中，就省略描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经相对于图7a、图7b、图8a和图8b讨论的相应元件的描述相似。参照图9a，被施加了第一增强操作的第一窗构件100-s1的曲线pl1-ia通过应力消除操作s200变为第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia。在这种情况下，钾离子(k+)的表面浓度表现为在第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia中比其在第一窗构件100-s1的曲线pl1-ia中减少得多。如上所述，注入到第一窗构件100-s1中的钾离子(k+)在应力消除操作s200中移动。与第一窗构件100-s1的表面相邻地存在的钾离子(k+)通过应力消除操作s200移动到第一窗构件100-s1的中心部分。因此，表面中的离子浓度减小。参照图9a，第一窗构件100-s1的曲线pl1-ia在第一点d1的深度处与第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia交叉。在等于或大于第一点d1的深度处的钾离子(k+)的离子浓度在第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia中比其在第一窗构件100-s1的曲线pl1-ia中高。这可以意味着钾离子(k+)通过应力消除操作s200移动为与第一窗构件100-s1的中心部分相邻。如图9b中所示，被施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-ia具有比第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia的表面离子浓度高的表面离子浓度。这可以视为由通过第二增强操作s300附加地注入的钾离子(k+)引起的变化。参照图9b，当与第一窗构件100-s1的曲线pl1-ia进行比较时，被施加了第二增强操作的窗构件100的曲线pl3-ia可以划分成浓度变化的斜率相对大的部分和浓度变化的斜率的相对小的部分。浓度变化的斜率的相对小的部分具有接近零(0)的斜率。如上所述，钾离子(k+)可以与提供压应力的源对应，钾离子(k+)的位置和浓度变化可以与相应构件的压应力的分布有关。根据本公开的示例性实施例的窗构件还包括应力消除操作，可以控制钾离子(k+)的浓度分布，以具有具备与表面相邻的部分中的陡峭的斜率和与中心部分相邻的部分中的平缓的斜率的分布。因此，虽然钾离子(k+)达到与中心部分相邻的深度，但是可以防止中心张力增大，因此可以增加窗构件的耐久性。图10a和图10b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的离子浓度变化的曲线图。图10a和图10b示出了根据本公开的示例性实施例的作为由窗构件的制造方法的每个操作形成的每个结果的深度的函数的离子浓度变化。图10a和图10b中示出的离子浓度变化可以是钾离子(k+)浓度的变化。为了便于解释，图10a示出了表示作为第一窗构件100-s1(参照图5c)的深度的函数的离子浓度变化的第一曲线pl1-is和表示作为第二窗构件100-s2(参照图5e)的深度的函数的离子浓度变化的第二曲线pl2-is，图10b示出了表示作为窗构件100(参照图5g)的深度的函数的离子浓度变化的第三曲线pl3-is。例如，可以通过使用盐处理作为应力消除操作s200(参照图4)来形成第二窗构件100-s2。因此，图10a和图10b分别示出了相对于图8a和图8b的离子浓度变化。在下文中，将参照图10a和图10b详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件100。在下面的描述中，就省略描述来说，可以假定的是，省略的描述至少与已经相对于图9a和图9b讨论的相应元件的描述相似。参照图10a，施加了第一增强操作的第一窗构件100-s1的曲线pl1-is通过应力消除操作s200改变为第二窗构件100-s2的曲线pl2-is。在这种情况下，钾离子(k+)的表面浓度表现为在第二窗构件100-s2的曲线pl2-is中比其在第一窗构件100-s1的曲线pl1-is中减少得多。如上所述，注入到第一窗构件100-s1中的钾离子(k+)在应力消除操作s200中移动。与第一窗构件100-s1的表面相邻地存在的钾离子(k+)通过应力消除操作s200移动到第一窗构件100-s1的中心部分。因此，表面中的离子浓度降低。参照图10a，第一窗构件100-s1的曲线pl1-is在第二点d2的深度处与第二窗构件100-s2的曲线pl2-is交叉。等于或大于第二点d2的深度处的钾离子(k+)的离子浓度在第二窗构件100-s2的曲线pl2-is中比其在第一窗构件100-s1的曲线pl1-is中高。如上所述，这意味着钾离子(k+)通过应力消除操作s200移动到与第一窗构件100-s1的中心部分相邻。参照图9a和图10a，第二窗构件100-s2的曲线pl2-is的表面离子浓度可以表现为低于图9a中示出的第二窗构件100-s2的曲线pl2-ia的表面离子浓度，在第二点d2之前可以出现向上的凸起形状。当应力消除操作s200还包括盐处理操作时，与当应力消除操作s200仅包括热处理操作时相比，应力消除操作s200可以对钾离子(k+)的移动施加较大的影响。因此，在施加了盐处理的图10a的曲线pl2-is中可以观察到比在图9a的曲线pl2-ia中的离子浓度变化快的离子浓度变化。如图10b中所示，施加了第二增强操作s300的窗构件100的曲线pl3-is具有比第二窗构件100-s2的曲线pl2-is的表面离子浓度增加的表面离子浓度。这可以视为通过第二增强操作s300附加地注入到窗构件100中的钾离子(k+)的变化。参照图10b，当与第一窗构件100-s1的曲线pl1-is进行比较时，被施加了第二增强操作s300的窗构件100的曲线pl3-is划分成浓度变化的斜率相对大的部分和浓度变化的斜率相对小的部分。以上详细描述如图10a和图10b中所示。根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法还包括执行热处理和盐处理的应力消除操作，因此可以增大注入到窗构件中的离子的移动性。因此，可以增加窗构件的耐久性，并且可以实施增强工艺。图11a是示出本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法的流程图，图11b是示出制造图11a的窗构件的方法的一部分的流程图。参照图11a，根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法可以包括第一增强操作s1000和第二增强操作s2000。如图11a中所示，可以从制造窗构件的方法省略图4中示出的应力消除操作s200。例如，可以通过两次增强操作来制造根据本公开的窗构件。在下文中，将参照图11a和图11b详细地描述根据本公开的示例性实施例的制造窗构件的方法。第一增强操作s1000增强初始窗构件。参照图11a和图11b，第一增强操作s1000可以包括离子交换操作s1100和碱度控制操作s1200。离子交换操作s1100向初始窗构件提供第一增强环境。第一增强环境包括包含在等于或高于大约500℃的高温下的温度条件和第一离子盐的离子交换环境。离子交换操作s1100可以与图4中示出的第一增强操作s100基本对应。因此，第一增强环境可以包括包含温度条件和钾离子盐的离子交换环境，所述温度条件具有相对于比初始窗构件的变形点低大约50℃的温度的大约±20℃的温度范围。因此，预定的压应力会出现在经第一增强的窗构件的表面上。就省略描述来说，可以假设的是，省略的描述至少与已经讨论的相应元件的描述相似。碱度控制操作s1200控制第一增强操作s1000的环境中的碱度。碱度控制操作s1200可以在离子交换操作s1100开始之后开始或者可以与离子交换操作s1100一起开始。碱度控制操作s1200可以是在第一增强操作s1000中提供添加剂以减小碱度的步骤。因此，碱度控制操作s1200可以减小第一增强环境的碱度。例如，随着离子交换操作s1100的进行，第一增强环境中的一些盐的浓度可以增大。例如，第一增强环境的离子交换环境可以包括包含混合盐的液体溶液。作为示例，在第一增强环境的离子交换环境包括包含钾离子盐和碳酸盐离子盐的液态的混合盐的情况下，钾离子盐在进行离子交换操作时渗透到初始窗构件中，因此混合盐中的碳酸盐离子盐的相对浓度可以增大。因此，在第一增强环境中，碱度会逐渐增大。在这种情况下，碱度控制操作s1200中提供的添加剂与剩余的碳酸盐离子盐反应，因此第一增强环境的碱度可以逐渐减小。添加剂可以包括各种材料，以减小碱度。作为示例，添加剂可以包括化学稳定的氧化物材料，诸如酸性氧化物材料或两性氧化物材料。例如，添加剂可以包括b2o3、sio2、al2o3、sno2或其组合。添加剂可以包括硅基氧化物。例如，添加剂可以包括氮化硅基材料。添加剂控制第一增强环境的碱度，但是不与初始窗构件反应。根据本公开的示例性实施例，在碱度控制操作s1200中可以少量提供添加剂。作为示例，可以以等于或大于大约0.1％并且等于或小于大约1％的比例向第一增强环境的处于液态的混合盐提供添加剂。如上所述，当减小第一增强操作s1000的碱度时，窗构件可以更抗腐蚀。这将在后面描述。参照图11a，可以执行第二增强操作s2000。在这种情况下，增强的窗构件可以进入第二增强操作s2000而不经历附加的应力消除操作。因此，可以简化窗构件的制造方法，并且可以降低窗构件的制造成本。然而，根据本公开的一些示例性实施例，还可以在进入第二增强操作s2000之前执行应力消除操作，因此可以增加窗构件的可靠性。然而，根据本发明的窗构件的制造方法不限于这里描述的示例。第二增强操作s2000可以包括离子交换操作。第二增强操作s2000可以与图4中示出的第二增强操作s300对应。第二增强操作s2000可以与前面相对于图4描述的基本相同。窗构件的制造方法还包括碱度控制操作，因此可以制造具有增加的可靠性的窗构件。图12是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图。为了便于解释，图12包括示出作为通过图11a中示出的第一增强操作增强的窗构件的深度的函数的压应力的曲线。此外，为了便于解释，图12示出了第一曲线pl-c1和第二曲线pl-c2。第一曲线pl-c1可以示出作为仅被施加了第一增强操作s1000的离子交换操作s1100的窗构件的深度的函数的压应力。因此，第一曲线pl-c1可以与图5c中示出的第一窗构件100-s1的压应力曲线对应。第二曲线pl-c2可以与被施加了第一增强操作s1000的离子交换操作s1100和碱度控制操作s1200两者的窗构件的压应力曲线对应。例如，因为在第一增强操作s1000中还对根据本公开的示例性实施例的窗构件执行碱度控制操作s1200，所以窗构件可以具有从第一曲线pl-c1变为第二曲线pl-c2的压应力行为。为了便于解释，图12示出了具有与图6中示出的平均斜率对应的平均斜率的示意曲线图。在下文中，将参照图12详细地描述根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法。如图12中所示，第一曲线pl-c1在深度为零(0)的点处具有表面压应力cs并且当压应力为零(0)时具有压缩深度dl。在这种情况下，取决于距表面的深度的增大的第一曲线pl-c1的平均斜率可以与相对于压缩深度dl的表面压应力cs对应。第二曲线pl-c2具有与第一曲线pl-c1的表面压应力cs和压缩深度dl相同的表面压应力cs和相同的压缩深度dl，但是它不应限于此或者不应受此限制。例如，因为对窗构件执行碱度控制操作s1200，所以可以在表面压应力cs和压缩深度dl中的至少一个上发生变化，但是本发明不限于此。第二曲线pl-c2具有转变点tp。转变点tp可以表示斜率突然改变的点。第二曲线pl-c2相对于转变点tp包括具有第一斜率的第一曲线s1和具有第二斜率的第二曲线s2。第一曲线s1示出了从深度为零(0)的表面到转变点tp的深度范围内的压应力行为。第一曲线s1以具有平均斜率的直线的形式示出。例如，第一曲线s1可以具有等于或大于大约-200mpa/μm并且等于或小于大约-40mpa/μm的平均斜率。第一曲线s1的平均斜率的绝对值可以大于第一曲线pl-c1的平均斜率的绝对值。例如，随着深度增大，与出现在表面上的表面压应力cs相比，在等于或小于转变点tp的深度范围内的压应力可以大大减小。因为第二曲线pl-c2包括第一曲线s1，所以当与第一曲线pl-c1相比时，第二曲线pl-c2可以具有相对低的压应力。根据本公开，可以通过碱度控制操作消除与表面相邻的区域中的压应力。因此，窗构件可以通过在第一增强操作期间控制与表面相邻的深度中的压应力而更耐腐蚀，腐蚀会在加工中发生，因此可以增加窗构件的可靠性。第二曲线s2示出了等于或大于转变点tp的深度范围内的压应力行为。第二曲线s2的平均斜率的绝对值可以小于第一曲线pl-c1的平均斜率的绝对值。例如，第二曲线s2可以具有等于或大于大约-8mpa/μm且等于或小于大约-2mpa/μm的平均斜率。随着深度增大，与等于或小于转变点tp的深度范围相比，在等于或大于转变点tp的深度范围内施加的压应力可以稍微减小。在这种情况下，根据本公开，因为施加到具有与转变点tp对应的深度的点的压应力的大小充分降低，所以即使在等于或大于转变点tp的深度中压应力以小斜率减小，压应力的大小也可以是小的。因此，与第一曲线pl-c1相比，在等于或大于转变点tp的深度范围内出现的压应力可以具有相对小的大小。如上所述，在距离表面压缩深度dl的范围内经第一增强的窗构件中出现的压应力可以对在等于或大于压缩深度dl的深度范围内施加到经第一增强的窗构件的中心张力施加影响。例如，被第二曲线pl-c2占据的面积小于被第一曲线pl-c1占据的面积。例如，根据本公开，因为窗构件的制造方法还包括碱度控制操作，所以可以产生转变点tp，因此可以控制窗构件的压应力行为，使得窗构件在相同的表面压应力cs和相同的压缩深度dl下具有低的中心张力。因此，可以增加窗构件的在工艺和使用中的可靠性。图13是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图。为了便于解释，图13示出了参考曲线pl-fn、第一曲线pl-11和第二曲线pl-21。此外，为了便于解释，以具有平均斜率的直线示出参考曲线pl-fn、第一曲线pl-11和第二曲线pl-21中的每条。参照图13，参考曲线pl-fn具有预定的表面压应力cs、预定的压缩深度dl和预定的平均斜率。参考曲线pl-fn的平均斜率可以是压缩深度dl与表面压应力cs的比例。第一曲线pl-11可以具有第一转变点p1。第一曲线pl-11可以相对于平均斜率突然改变的第一转变点p1划分成彼此区分开的两部分。如上所述，第一转变点p1可以通过碱度控制操作s1200形成(参照图12)。第一曲线pl-11可以在等于或小于第一转变点p1的深度中具有具备大于参考曲线pl-fn的平均斜率的绝对值的绝对值的平均斜率并且在等于或大于第一转变点p1的深度中具有具备小于参考曲线pl-fn的平均斜率的绝对值的绝对值的平均斜率。第二曲线pl-21可以具有第二转变点p2。第二曲线pl-21可以相对于平均斜率突然改变的第二转变点p2划分成彼此区分开的两部分。如上所述，第二转变点p2可以通过碱度控制操作s1200形成。第二曲线pl-21在等于或小于第二转变点p2的深度中可以具有具备大于参考曲线pl-fn的平均斜率的绝对值的绝对值的平均斜率并且在等于或大于第二转变点p2的深度中可以具有具备小于参考曲线pl-fn的平均斜率的绝对值的绝对值的平均斜率。如图13中所示，可以控制根据本公开的示例性实施例的窗构件，使得在各个深度处形成转变点。根据本公开，可以在保持表面压应力cs和压缩深度dl的同时通过形成转变点并控制转变点的位置来控制窗构件的中心张力。在窗构件的转变点从第一转变点p1移动到第二转变点p2的情况下，窗构件的中心张力可以增大。然而，压应力的变化可以稳定地变化到转变点。在窗构件的转变点从第二转变点p2移动到第一转变点p1的情况下，窗构件的中心张力可以减小。因此，窗构件可以具有高的抗冲击性。根据本公开的示例性实施例的窗构件的转变点可以大于大约15μm。因此，虽然窗构件具有高的表面压应力，但是可以防止发生在工艺期间的或由于使用中的外部污染物或冲击引起的窗构件的腐蚀。当根据本公开的示例性实施例的窗构件的转变点增大时，转变点对窗构件的中心张力施加影响。因此，可以在中心张力不太大的范围内确定转变点。作为示例，在具有大约0.8mm的厚度和大约67mpa的极限中心张应力的窗构件中，转变点可以等于或小于大约30μm。在根据本公开的示例性实施例的窗构件的制造方法中，在增加相对于工艺的抗腐蚀性并且具有稳定的中心张应力的范围内形成转变点，因此可以增大窗构件的可靠性。图14a和图14b是示出根据本公开的示例性实施例的作为窗构件的深度的函数的压应力的曲线图。图14a和图14b示出了穿过深度为大约15μm的点的参考线rl。在下文中，将参照图14a和图14b描述本公开的示例性实施例。为了便于解释，图14a示出了第一曲线pl11、第二曲线pl12、第三曲线pl13和第四曲线pl14。第一曲线pl11、第二曲线pl12、第三曲线pl13和第四曲线pl14可以是通过在第二增强操作s2000(参照图11a)中施加不同的时间条件获得的示例性实施例的压应力曲线。例如，第一曲线pl11表示在大约30分钟期间执行第二增强操作s2000的第一示例性实施例，第二曲线pl12表示在大约60分钟期间执行第二增强操作s2000的第二示例性实施例，第三曲线pl13表示在大约90分钟期间执行第二增强操作s2000的第三示例性实施例，第四曲线pl14表示在大约120分钟期间执行第二增强操作s2000的第四示例性实施例。除了时间条件之外，向第一示例性实施例至第四示例性实施例施加的其它条件可以彼此相同。在下面的表1中示出了关于第一曲线pl11、第二曲线pl12、第三曲线pl13和第四曲线pl14中的每条的详细数值结果。表1第二增强时间第一平均斜率第二平均斜率转变点第一曲线(pl11)30分钟-103mpa/μm-1.8mpa/μm9μm第二曲线(pl12)60分钟-80mpa/μm-1.8mpa/μm12μm第三曲线(pl13)90分钟-68mpa/μm-2.2mpa/μm15μm第四曲线(pl14)120分钟-54mpa/μm-2.7mpa/μm17μm如表1中所示，第一曲线pl11、第二曲线pl12、第三曲线pl13和第四曲线pl14可以通过改变第二增强时间而具有彼此不同的转变点tp(参照图12)。作为等于或小于转变点tp的深度范围内的平均斜率的第一平均斜率可以与图12中示出的第一曲线s1的平均斜率对应。作为等于或大于转变点tp的深度范围内的平均斜率的第二平均斜率可以与图12中示出的第二曲线s2的平均斜率对应。参照表1，与第四示例性实施例对应的第四曲线pl14具有超过大约15μm的转变点。例如，参照图14a，第一曲线pl11、第二曲线pl12和第三曲线pl13的相对于参考线rl的转变点存在于等于或小于参考线rl的深度处。因此，根据第四示例性实施例的窗构件可以具有比第一示例性实施例至第三示例性实施例的抗腐蚀性高的抗腐蚀性，窗构件可以在加工期间较不易受到损坏。根据本公开，因为控制相对于相同工艺条件的第二增强操作的工艺时间(持续时间)，所以可以控制转变点。因此，可以通过控制传统工艺的工艺时间而不添加单独的工艺来增加窗构件的可靠性。为了便于解释，图14b示出了第五曲线pl21、第六曲线pl22、第七曲线pl23和第八曲线pl24。第五曲线pl21、第六曲线pl22、第七曲线pl23和第八曲线pl24可以是通过在第二增强操作s2000中施加不同的时间条件而获得的示例性实施例的压应力曲线或被施加了图4中示出的应力消除操作s200的示例性实施例的压应力曲线。例如，第五曲线pl21和第六曲线pl22可以是示出通过添加应力消除操作的制造方法制造的实施例的压应力行为的曲线，第七曲线pl23和第八曲线pl24可以是示出通过不添加应力消除操作的制造方法制造的实施例的压应力行为的曲线。第五曲线pl21涉及在应力消除操作s200之后在大约30分钟期间执行第二增强操作s2000的第五示例性实施例，第六曲线pl22涉及在应力消除操作s200之后在大约120分钟期间执行第二增强操作s2000的第六示例性实施例，第七曲线pl23涉及在第一增强操作s1000之后在不施加应力消除操作s200的情况下在大约60分钟期间执行第二增强操作s2000的第七示例性实施例，第八曲线pl24涉及在第一增强操作s1000之后在不施加应力消除操作s200的情况下在大约90分钟期间执行第二增强操作s2000的第八示例性实施例。例如，参照图14b，第五曲线pl21的相对于参考线rl的转变点存在于等于或小于参考线rl的深度处，第六曲线pl22、第七曲线pl23和第八曲线pl24的转变点存在于超过参考线rl的深度处。因此，根据第六示例性实施例至第八示例性实施例的窗构件可以具有比第五示例性实施例的窗构件的抗腐蚀性高的抗腐蚀性，窗构件在加工期间较不易受到损坏。根据本公开，相对于相同的工艺条件或应力消除操作的添加，可以通过控制第二增强操作的工艺时间来控制转变点。作为示例，参照第五曲线pl21和第六曲线pl22，虽然进一步向窗构件施加应力消除操作，但是可以通过控制第二增强操作的工艺时间(持续时间)来改变转变点的位置。此外，参照第七曲线pl23和第八曲线pl24，虽然不进一步向窗构件施加应力消除操作，但是可以通过控制第二增强操作的工艺时间(持续时间)来控制转变点的位置。此外，参照第六曲线pl22、第七曲线pl23和第八曲线pl24，在不向窗构件施加应力消除操作的情况下，可以减小第二增强操作的工艺时间(持续时间)，以控制转变点的位置。根据本公开的示例性实施例，可以通过控制增强操作的各个工艺条件来改变转变点的位置，因此可以控制窗构件的压应力行为。虽然这里已经参照附图描述了本发明的示例性实施例，但是理解的是，本发明不限于这些示例性实施例，而是在本公开的精神和范围内可以做出各种改变和修改。当前第1页12