本公开的示例性实施例涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种能够感测触摸的电子装置。
背景技术
电子装置通过接收电信号而被激活。电子装置包括显示图像的显示装置以及感测从外部施加的触摸的触摸屏。
电子装置可以包括将被电信号激活的不同的导电图案。导电图案被激活的区域显示信息或示出对来自外部的触摸的响应。因此，电子装置可以通过感测施加的触摸来提供触摸信息，或者可以基于此来操作不同的应用。因此，本公开提供这一种能够感测从外部施加的触摸位置和触摸强度的电子装置。
该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对发明构思的背景的理解。因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员来说已知的或在这里公开的主题的有效提交日期之前公开可用的现有技术的信息。
技术实现要素：
示例性实施例提供了一种电子装置，所述电子装置包括：基体基底，被构造为对应于从外部施加的外力地改变平面图中的面积；传感器，设置在基体基底上，且被构造为感测从外部施加的触摸，并且对应于从外部施加的外力地改变平面图中的面积。传感器包括：第一电极，设置在基体基底上；第二电极，设置在基体基底上，并与第一电极形成电场；介电层，设置在第一电极与第二电极之间。介电层在基体基底在平面图中具有第一面积时的厚度与介电层在基体基底在平面图中具有与第一面积不同的第二面积时的厚度基本上相同。
平面图中的面积可以是平面图中的投影面积。
基体基底可以包括在外力为0mpa的第一模式下的第一面积以及在外力大于0mpa的第二模式下的第二面积。
第二面积可以大于第一面积。
介电层在第一模式下的上表面面积可以与介电层在第二模式下的上表面面积基本上相同。
介电层在第一模式下的投影面积可以小于介电层在第二模式下的投影面积。
基体基底的上表面可以包括多个凹陷部分和多个凸起部分。
基体基底可以包括限定多个凹陷部分和多个凸起部分的多个峰间隔和多个谷间隔。
基体基底的下表面可以是平坦的。
基体基底在第一模式下的厚度可以比基体基底在第二模式下的厚度厚。
介电层在与峰间隔的叠置区域中的厚度可以与介电层在与谷间隔叠置的区域中的厚度基本上相同。
第二电极可以包括压阻材料。
第一电极和第二电极可以包括相同的材料。
第一电极和第二电极可以是光学透明的。
第一电极和第二电极可以包括不同的材料。
在基体基底具有第一面积时的第一电极厚度可以不同于在基体基底具有第二面积时的第一电极厚度。
示例性实施例也提供了一种电子装置，所述电子装置包括基体基底和传感器，所述基体基底具有弹性，并包括由凹陷部分和凸起部分限定的上表面，所述传感器设置在上表面上，以感测从外部施加的触摸。
传感器可以包括：第一电极，设置在上表面上；第二电极，设置在第一电极上并包括压阻材料；介电层，具有弹性，并设置在第一电极与第二电极之间。
传感器可以感测触摸的位置和强度。
第二电极的电阻可以与触摸的强度成反比。
基体基底可以包括在从外部施加第一外力的第一模式下的第一面积以及在施加比第一外力大的第二外力的第二模式下的第二面积。
基体基底可以交替地布置并包括限定凹陷部分和凸起部分的峰间隔和谷间隔，其中，峰间隔中的每个的高度和谷间隔中的每个的深度可以在第一模式和第二模式下彼此不同。
第一电极根据第一外力的厚度变化可以不同于第二电极根据第二外力的厚度变化。
传感器可以感测基体基底的伸长程度。
介电层在第一模式下的厚度可以与介电层在第二模式下的厚度基本上相同。
第二电极的上表面的面积在第一模式和第二模式下可以基本上相同。
电子装置还可以包括设置在基体基底与传感器之间以显示图像的显示层，其中，第一电极和第二电极是光学透明的。
将要理解的是，前述的一般描述和随后的详细描述是示例性的和解释性的，并且意图提供所要求保护的公开的进一步解释。
附图说明
附图示出了本公开的实施例，并与描述一起用来解释本公开的原理，其中，包括附图以提供对本公开的进一步的理解，并且附图并入该说明书中并构成该说明书的一部分。
图1是示出了根据本公开的示例性实施例的电子装置的透视图。
图2a和图2b是示出了根据图1中示出的电子装置的第一模式和第二模式的状态的透视图。
图3a和图3b是图1中示出的电子装置的局部剖视图。
图4a、图4b和图4c是根据示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
图5a、图5b和图5c是示出了根据示例性实施例的电子装置的透视图。
图6a和图6b是根据示例性实施例的电子装置的透视图。
图7a是示出了图6a中示出的电子装置的局部剖视图。
图7b是示出了图6b中示出的电子装置的局部剖视图。
图7c是示出了图7a和图7b中示出的一些构造的示意性剖视图。
图8a是示出了对比实施例的关于伸长率的电阻变化的图。
图8b是示出了示例性实施例的关于伸长率的电阻变化的图。
图9a是示出了根据示例性实施例的电子装置的随时间变化的电流变化的图。
图9b是示出了根据示例性实施例的电子装置的随时间变化的电流变化的图。
图10a是根据示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
图10b是根据另一示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
图11a是根据其它示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
图11b是根据其它示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
图12a、图12b、图12c和图12d是示出了根据示例性实施例的第一电极的关于时间的电流变化的图。
图13a是根据示例性实施例的电子装置的示意性剖视图。
图13b是根据示例性实施例的电子装置的示意性剖视图。
图14a、图14b、图14c、图14d和图14e是示出了根据示例性实施例的电子装置的制造方法的剖视图。
具体实施方式
在随后的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供各种示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等效布置的情况下来实施各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出公知结构和装置，以避免不必要地使各种示例性实施例模糊不清。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供各种示例性实施例的各种细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离所公开的示例性实施例的情况下，各种图示的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面可以另外结合、分离、互换和/或重新布置。另外，在附图中，为了清楚和描述性的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间的元件或层。另外，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三个轴，并可以以更宽的含义来进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种、者)”和“从由x、y和z组成的组中选择的至少一个(种、者)”可以被解释为只有x、只有y、只有z或者x、y和z中的两个或更多个的任意组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。
尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
出于描述性的目的，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语，并由此来描述如图中所示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。除了在图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。另外，装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其它方位)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不是意图成为限制。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。另外，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照作为理想的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将是预期的。因此，在此公开的示例性实施例不应该被理解为局限于具体示出的区域的形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。如此，图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图成为限制。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在这里明确这样定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的上下文中它们的含义相一致的含义，并且将不会以理想化或过于形式化的含义解释它们。
在下文中，将参照附图详细地解释本公开。
图1是示出了根据本公开的示例性实施例的电子装置的透视图，图2a和图2b是示出了根据图1中示出的电子装置的模式的状态的透视图。在下文中，将参照图1、图2a和图2b来详细地解释本公开。
如图1中所示，电子装置10包括基体基底100和传感器200。在示例性实施例中，电子装置10是由第一方向dr1和第二方向dr2限定的圆形形状，并且是在第三方向dr3上具有预定厚度的圆形板。然而，所示出的形状仅是示例性的，并且在不脱离发明构思的范围的情况下，电子装置10可以具有诸如多边形板形状、圆形形状或椭圆形形状的不同形状。
电子装置10可以被划分为触摸区域ta和外围区域sa。触摸区域ta可以是在感测从外部施加的触摸tc之后用于产生电信号的区域。
外围区域sa与触摸区域ta相邻布置。即使提供触摸tc，外围区域sa也可不被激活。同时，可以在根据本公开的一个示例性实施例的电子装置10中省略外围区域sa。
参照图1、图2a和图2b，电子装置10可以具有弹性。电子装置10的面积可以通过从外部施加的力而增大或减小。图2a和图2b示出了以两种模式向电子装置10提供触摸tc的触摸状态。所述两种模式通过由外部施加的力而改变的电子装置10的面积状态来进行区分。
图2a示出了正常模式下的电子装置10-n。正常模式可以不具有外力。即，在正常模式下施加到电子装置10-n的外力可以为0mpa。
正常模式下的电子装置10-n可以与图1的电子装置10基本上对应，并可以不改变电子装置10的面积。当向电子装置10-n提供触摸tc时，电子装置10-n感测触摸tc，并产生电信号。
图2b示出了应变模式下的电子装置10-s。应变模式可以是存在外力的状态。即，在应变模式下向电子装置10-s施加的外力可以大于0mpa。
应变模式下的电子装置10-s可以是电子装置10通过外力改变面积的状态。因此，在应变模式下的电子装置10-s的面积可以大于电子装置10-n的面积。
在示例性实施例中，外力ts可以是在相对于第三方向dr3的垂直方向上向电子装置10施加的张应力。外力ts可以是具有各种方向的力。
例如，外力ts可以是与第一方向dr1或第二方向dr2平行或相交的力。当外力ts在相对于第三方向dr3的垂直方向上时，外力ts可以具有不同的方向，但是示例性实施例不应限于此。同时，外力ts的方向可以包括极化力(polarizedforce)的方向。
对于根据一个示例性实施例的电子装置10中的相同的触摸tc，电子装置10-n在正常模式下的感测程度可以与电子装置10-s在应变模式下的感测程度基本上相同。再者，对于相同的触摸tc，通过电子装置10-n在正常模式下产生的电信号可以与通过电子装置10-s在应变模式下产生的电信号对应。
因此，虽然电子装置10的形状被外部施加的力改变，但是触摸感测特性可以保持一致。随后将详细地描述关于此的详细描述。
参照图1，电子装置10可以包括基体基底100和传感器200。可以沿第三方向dr3堆叠基体基底100和传感器200。然而，这被示出为示例，额外的组件可以布置在基体基底100与传感器200之间，但是示例性实施例不应限于此。
基体基底100可以包括具有弹性的材料。在该公开中，弹性意味着容易被外力拉伸，并在去除外力时具有可容易地回到原始状态的回复力和恢复力。基体基底100的弹性可以变形超过大约30％。
基体基底100的平面图中的面积可以根据从外部施加的张力而变化。平面图中的面积可以是投影在平面图中的平面上的面积。
基体基底100可以包括具有弹性的绝缘材料。基体基底100可以包括具有预定缓冲作用的材料。例如，基体基底100可以包括聚二甲基硅氧烷pdms、ecoflex和聚氨酯pu中的至少一种。当基体基底100包括具有弹性的绝缘材料时，基体基底100可以包括不同的材料，但是不应限于任何一个示例性实施例。
传感器200设置在基体基底100上。传感器200感测从外部施加的触摸tc。传感器200产生与感测的触摸tc对应的电信号，并将其提供到外部。电子装置10可以经由传感器200提供与触摸tc相关的信息。
传感器200可以感测与触摸tc相关的不同信息。用于触摸tc的信息可以包括从触摸tc施加的位置信息和强度信息。同时，这被示出为示例，由传感器200感测的关于触摸tc的信息可以包括各种因素，但是不限于任何一个示例性实施例。
传感器200可以包括弹性。传感器200的弹性可以大于基体基底100的弹性。因此，传感器200可以容易地响应于基体基底100的形状变化，并可以对外力具有改善的可靠性。随后将详细地描述对传感器200的详细描述。
图3a和图3b是图1中示出的电子装置的局部剖视图。为了便于解释，与图2a对应的状态的正常模式的电子装置10-n的一部分描绘在图3a中，与图2b对应的状态的应变模式的电子装置10-s的一部分描绘在图3b中。
在下文中，将参照图3a和图3b描述根据本示例性实施例的电子装置。对于图1至图2b中描述的解释的构造和相同的构造，将使用相同的附图标记，并将省略详细的描述。
如上面所描述的，由于正常模式的电子装置10-n与不施加外力的电子装置对应，因此正常模式的电子装置10-n与图1中示出的电子装置10基本上相同。在下文中，正常模式的电子装置10-n将被描述为图1中示出的电子装置10的对应装置。
如上面所描述的，应变模式的电子装置10-s可以处于提供预定的外力的状态中。当去除外力时，应变模式的电子装置10-s可以恢复到正常模式的电子装置10-n。在该示例性实施例中，没有示出存在于应变模式的电子装置10-s中的外力。
如图3a中所示，传感器200包括第一电极210、第二电极220和介电层230。第一电极210设置在基体基底100上。设置多个第一电极210，并且多个第一电极210设置在基体基底100上以彼此分隔开。
第一电极210可以具有弹性。因此，第一电极210可以以与基体基底100的伸长率和收缩率对应的稳定方式来拉伸和变形。
第一电极210可以包括具有弹性的导电材料。第一电极210可以包括光学透明的材料。
例如，第一电极210可以包括压阻材料。另外，第一电极210可以通过以下物质的混合物来形成：从由透明材料(诸如氧化铟锡ito、银纳米线agnw、碳纳米管cnt、石墨烯、聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot:pss)、聚乙炔、聚对苯撑、聚吡咯和聚苯胺)组成的组中选择的至少一种；以及从由弹性材料(诸如聚二甲基硅氧烷pdms、ecoflex和聚氨酯pu)组成的组中选择的至少一种。
第二电极220设置在基体基底100上。第二电极220可以设置在第一电极210上。在该示例性实施例中，第二电极220可以被设置为与第一电极210叠置。
将触摸tc提供到传感器200的上侧。因此，相比于第一电极210，触摸tc可以被更接近地提供到第二电极220。
第二电极220可以包括多个导电图案。第二电极220可以包括具有弹性的导电材料。第二电极220可以包括透明材料。
例如，第二电极220可以包括压阻材料。另外，第二电极220可以通过以下物质的混合物来形成：从由透明材料(诸如氧化铟锡ito、银纳米线agnw、碳纳米管cnt、石墨烯、聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot:pss)、聚乙炔、聚对苯撑、聚吡咯和聚苯胺)组成的组中选择的至少一种；以及从由弹性材料(诸如聚二甲基硅氧烷pdms、ecoflex和聚氨酯pu)组成的组中选择的至少一种。
在该公开中，第二电极220可以包括具有高压阻的材料。第二电极220可以设置在传感器200中并且与触摸tc最接近。由于第二电极220由高压阻材料形成，因此根据示例性实施例的其它电子装置可以对触摸tc的强度具有改善的灵敏度。
这被示出为示例，然而，第一电极210和第二电极220中的每个可以包括不同的材料，并且不局限于任何一个具体的示例性实施例。
介电层230可以设置在第一电极210与第二电极220之间。介电层230可以被设置为与第一电极210和第二电极220中的每个叠置。
介电层230的形状可以通过外力ts而变形。介电层230可以拉伸大约10％以上，并且具有在去除外力时能够恢复到原始状态的弹性。
介电层230可以包括具有弹性的绝缘材料。例如，介电层230可以包括从由具有弹性的聚二甲基硅氧烷pdms、ecoflex和聚氨酯pu组成的组中选择的一种或更多种材料。
另外，介电层230可以包括纳米颗粒。例如，介电层230可以通过以上描述的具有弹性的材料和诸如氧化铝al2o3、氧化铪hfo2、氧化锆zro2、氧化钡钛batio3、氧化钛tio2的氧化物的混合物来形成。然后，通过控制用于介电层230的氧化物颗粒的分布或体积，可以对介电层230的介电常数不同地设计。
在该公开中，基体基底100和传感器200具有它们的弹性。因此，正常模式的电子装置10-n和应变模式的电子装置10-s具有相同的构造，但是可以存在由形状变化导致的不同点。电子装置10可以通过改变形状来稳定地释放由提供到电子装置10的外力ts导致的应力。
形状的变化可以包括每个组件在第三方向dr3上的厚度变化和每个组件在平面图中的面积变化。如上面所描述的，平面图中的面积可以是由第一方向dr1和第二方向dr2限定的投影面积。
本公开中的厚度可以是由第三方向dr3限定的厚度，另外面积可以是由第一方向dr1和第二方向dr2限定的投影面积。因此，根据每个构造的形状，构造中的每个的上表面的面积和构造中的每个的平面的面积可以相同或不同。
基体基底100可以通过外力而变形为应变模式的基体基底100-s。应变模式的基体基底100-s的厚度th1-s可以不同于正常模式的基体基底100的厚度th1。应变模式的基体基底100-s的厚度th1-s可以比正常模式的基体基底100的厚度th1薄。
介电层230可以通过外力而转变成应变模式的介电层230-s。应变模式的介电层230-s的厚度th2-s可以与正常模式的介电层230的厚度th2基本上相同。
由于介电层230即使施加外力也维持其厚度，使得传感器200的电容可以不因施加外力而变化。因此，尽管传感器200已经由于外力而使其变形，但是能够防止使触摸灵敏度劣化的问题。
第一电极210可以转变成应变模式的第一电极210-s，第二电极220可以转变成应变模式的第二电极220-s。
应变模式的第一电极210-s的厚度th3-s与不具有外力的正常模式的第一电极210的厚度th3之间不存在差异或者存在非常小的差异。应变模式的第二电极220-s的厚度th4-s与不具有外力的正常模式的第二电极220的厚度th4之间不存在差异或者存在非常小的差异。因此，对由外力引起的第一电极210和第二电极220的厚度变化导致的传感器200的触摸灵敏度的影响可以是小的。
同时，应变模式的第一电极210-s在第一方向dr1上的宽度wd210-s不同于不具有外力的正常模式的第一电极210在第一方向dr1上的宽度wd210，应变模式的第二电极220-s在第一方向dr1上的宽度wd220-s不同于不具有外力的正常模式的第二电极220在第一方向dr1上的宽度wd220。
第一电极210的宽度wd210和第二电极220的宽度wd220中的每个可以与投影面积相关。因为外力，应变模式的第一电极210-s在平面图中的面积可以大于不具有外力的正常模式的第一电极210在平面图中的面积，应变模式的第二电极220-s在平面图中的面积可以大于不具有外力的正常模式的第二电极220在平面图中的面积。
应变模式的第一电极210-s的上表面的实际面积与第一电极210的上表面的实际面积基本上相同。应变模式的第二电极220-s的上表面的实际面积与第二电极220的上表面的实际面积基本上相同。
可以通过改变基体基底100的上表面面积来改变第一电极210-s的上表面的面积和第二电极220的上表面的面积。基体基底100经由厚度变化来释放由外力导致的应力，并维持上表面的不变的实际面积。
因此，应变模式的第一电极210-s的上表面的实际面积和应变模式的第二电极220-s的上表面的实际面积可以维持与其上不施加外力的正常模式的面积基本上相同的面积。
传感器200的触摸灵敏度可以与第一电极210的实际上表面面积、第二电极220的实际上表面面积以及由介电层230的厚度限定的电容相关。
即使当应变模式的基体基底100-s的厚度th1-s由于外力ts而从正常模式的基体基底100的厚度th1转变，第一电极210的实际上表面面积、第二电极220的实际上表面面积和介电层230的厚度也可以维持一致。
正常模式的电子装置10-n和应变模式的电子装置10-s可以基本上维持一致的触摸灵敏度。因此，能够实现即使形状因外力而变形也能够为用户提供稳定的触摸环境的电子装置。
图4a至图4c是根据示例性实施例的电子装置的局部剖视图。图4a示出了施加了第一触摸tc-t的正常模式的电子装置10-n，图4b示出了施加了第二触摸tc-f的正常模式的电子装置10-n，图4c示出了施加了第一触摸tc-t的应变模式的电子装置10-s。
在下文中，将参照图4a至图4c描述根据本示例性实施例的电子装置。同时，相同的附图标记将表示图1至图3b中描述的相同的组件，并且将省略详细的描述。
参照图4a，当向正常模式的电子装置10-n施加第一触摸tc-t时，预定电容cts可以形成在传感器200中。第一触摸tc-t可以包括对传感器200的接触触摸和接近触摸。当第一触摸tc-t是接触触摸时，第一触摸tc-t可以具有不使传感器200的形状变形的强度。
传感器200可以经由通过第一触摸tc-t的电容cts来检测是否提供了第一触摸tc-t。从传感器200产生的电信号可以包括第一触摸tc-t的位置信息。
参照图4b，当向正常模式的电子装置10-n施加第二触摸tc-f时，预定电容cfs可以形成在传感器200中。第二触摸tc-f可以包括对传感器200的接触触摸。
第二触摸tc-f的强度可以使传感器200的形状变形。因此，第一电极210、第二电极220和介电层230的形状中的至少一个可以通过第二触摸tc-f而变形。
传感器200可以经由通过第二触摸tc-f的电容cfs来检测第二触摸tc-f的强度。从传感器200产生的电信号可以包括第二触摸tc-f的力信息。
根据本公开的示例性实施例的电子装置可以经由一个传感器200来检测触摸的所有位置和强度。因此，即使没有单独的压力传感器，也可以检测各种触摸信息，使得能够提供具有纤细且简单的结构的电子装置。
参照图4c，当向应变模式的电子装置10-s提供第一触摸tc-t时，预定电容cts-s能够形成在应变模式的传感器层200-s中。当第一触摸tc-t与提供到正常模式的传感器200的第一触摸tc-t相同时，形成在应变模式的传感器层200-s中的电容cts-s可以与形成在正常模式的传感器200中的电容cts基本上相同。
如上所述，无论外力如何，每个传感器200的厚度和感测面积保持一致，或者即使厚度和感测面积被改变，也可以被控制为维持基本电容。因此，即使电子装置的形状变化，电子装置也具有一致的触摸灵敏度，并且即使当形状通过外力而变形时也可以为用户提供稳定的触摸感测环境。
图5a至图5c是示出了根据示例性实施例的电子装置的透视图。图5a示出了正常模式的电子装置10s，图5b示出了第一应变模式的电子装置10s-s1，图5c示出了第二应变模式的电子装置10s-s2。
如图5a中所示，电子装置10s可以呈由第一方向dr1和第二方向dr2限定的四边形板形状并具有由第三方向dr3限定的厚度。电子装置10s的投影形状可以是由彼此面对的两边限定的四边形形状，一侧沿第一方向dr1延伸，另一侧沿第二方向dr2延伸。
电子装置10s可以根据从外力施加的位置和方向而变成不同的形状。
如图5b中所示，第一应变模式的电子装置10s-s1可以具有正常模式的电子装置10s的顶点伸长的伸长形状。因此，第一应变模式的电子装置10s-s1的投影形状可以是由朝向内部的凸曲线限定的四边形形状。
提供到正常模式的电子装置10s的外力ts1可以是从正常模式的电子装置10s的中心面向正常模式的电子装置10s的顶点施加的力，或者可以是朝向第一方向dr1和第二方向dr2的对角方向施加的力。
如图5c中所示，第二应变模式的电子装置10s-s2可以具有正常模式的电子装置10s的角扩大的伸长形状。因此，第二应变模式的电子装置10s-s2的投影形状可以是由朝向外部的凸曲线限定的四边形形状。
提供到正常模式的电子装置10s的外力ts2可以是从正常模式的电子装置10s的中心面向正常模式的电子装置10s的侧边施加的力，或者可以是朝向第一方向dr1或第二方向dr2的对应方向施加的力。
电子装置可以根据正常模式的电子装置的形状以及在应变模式下施加的力强度或方向而在应变模式下变成各种形状。由于电子装置包括弹性，因此电子装置可以由于外力而改变其形状，并对外力具有改善的可靠性。
图6a至图6b是根据示例性实施例的电子装置的透视图。图7a是示出了图6a中示出的电子装置的局部剖视图。图7b是示出了图6b中示出的电子装置的局部剖视图。
图7c是示出了图7a和图7b中示出的一些构造的示意性剖视图。图8a是示出了对比实施例的关于伸长率的电阻变化的图。图8b是示出了示例性实施例的关于伸长率的电阻变化的图。
图6a示出了正常模式的电子装置10-1n，图6b示出了应变模式的电子装置10-1s。在下文中，将参照图6a至图8b描述根据本示例性实施例的电子装置。
如图6a和图7a中所示，正常模式的电子装置10-1n的上表面可以包括多个凹陷部分和多个凸起部分。凹陷部分和凸起部分可以包括多个峰和多个谷。
多个峰中的每个朝上突出，多个谷中的每个朝下凹陷。多个峰和多个谷可以交替地布置。一个峰可以被六个峰包围，一个谷可以被六个谷包围。
参照图7a，正常模式的电子装置10-1n包括基体基底100-1、第一电极210-1、第二电极220-1和介电层230-1。基体基底100-1的上表面包括多个凹陷部分和多个凸起部分。
基体基底100-1包括多个峰间隔pp和多个谷间隔vp。多个凹陷部分和多个凸起部分可以由多个峰间隔pp和多个谷间隔vp来限定。
基体基底100-1中的多个峰间隔pp可以包括相对厚的厚度，多个谷间隔vp可以包括相对薄的厚度。形成在正常模式的电子装置10-1n的上表面上的凹陷部分和凸起部分可以基本上通过反映基体基底100-1的凹陷部分和凸起部分来形成。基体基底100-1的下表面可以是平坦的表面。
第一电极210-1可以设置在基体基底100-1的上表面上。第一电极210-1可以包括多个图案，每个图案与两个峰部分和一个谷间隔叠置。图7a和图7b示例性地示出了一个图案。这被示出为示例，第一电极210-1中的每个可以包括不同形状的图案，但是不限于任何一个具体的示例性实施例。
第二电极220-1可以设置在第一电极210-1上。在该示例性实施例中，第二电极220-1设置于在平面中与第一电极210-1叠置的位置上，并被示出为具有与第一电极210-1的形状相同的形状的图案。
介电层230-1可以设置在第一电极210-1与第二电极220-1之间。介电层230-1可以被形成为与第一电极210-1的上表面接触，或者可以与第二电极220-1的下表面接触。
介电层230-1的上表面可以反映基体基底100-1的上表面。因此，介电层230-1的上表面可以由与基体基底100-1的上表面对应的多个凹陷部分和多个凸起部分限定。介电层230-1在与峰间隔pp的叠置区域中的厚度可以与介电层230-1在与谷间隔vp叠置的区域中的厚度基本上相同。
如图7b中所示，当施加外力ts时，正常模式的电子装置10-1n可以变成具有变形形状的应变模式的电子装置10-1s。应变模式的电子装置10-1s能够通过根据外力ts而改变形状来获得稳定性而忽视外力ts。
当施加外力ts时，应变模式的基体基底100-1s可以包括多个应变峰间隔pp-s和多个应变谷间隔vp-s。多个应变峰间隔pp-s和多个应变谷间隔vp-s可以是从多个峰间隔pp和多个谷间隔vp沿外力ts的方向延伸的伸长部分。
由多个应变峰间隔pp-s和多个应变谷间隔vp-s限定的多个凹陷部分和多个凸起部分可以具有比由多个峰间隔pp和多个谷间隔vp限定的凹陷部分和凸起部分平缓的斜坡。
凹陷部分和凸起部分可以是大的形状(mogulshape)。这仅是示例，凹陷部分和凸起部分可以具有各种形状。
例如，多个凹陷部分和多个凸起部分可以包括多个金字塔形状、柱形形状或多孔形状。基体基底100-1可以通过各种形状的方式具有包括多个凹陷部分和多个凸起部分的上表面，但是不限于任何一个具体的示例性实施例。
应变峰间隔pp-s中的每个的厚度比峰间隔pp中的每个的厚度薄，应变谷间隔vp-s中的每个的厚度比谷间隔vp中的每个的厚度厚。因此，应变模式的电子装置10-1s的投影面积可以大于正常模式的电子装置10-1n的投影面积。
通过反映应变模式的基体基底100-1s的形状，应变模式的介电层230-1s可以沿施加外力ts的方向伸长。因此，应变模式的介电层230-1s的投影面积可以大于正常模式的介电层230-1的投影面积。
应变模式的介电层230-1s的厚度th-1s可以与正常模式的介电层230-1的厚度th-1基本上相同。在电子装置10-1n和10-1s中，即使施加外力ts，介电层230-1的厚度也可以不变，即零厚度变化。
基体基底100-1通过凹陷部分和凸起部分的曲率变化来解决由外力ts引起的应力，使得不需要针对外力ts改变基体基底100-1的上表面面积。因为基体基底100-1的上表面面积没有实际的变化，所以设置在基体基底100-1的上表面上的介电层230-1s的下表面面积也可以不变。
介电层230-1的下表面和上表面反映基体基底100-1的上表面。介电层230-1的下表面可以包括与介电层230-1的上表面的形状相同的形状。基体基底100-1的上表面的形状变化不仅反映到介电层230-1的下表面，而且反映到介电层230-1的上表面。
应变模式的介电层230-1s的下表面和上表面的面积中的每个可以与正常模式的介电层230-1的面积基本上相同。应变模式的介电层230-1s的厚度th1-s可以与正常模式的介电层230-1的厚度th-1基本上相同。在厚度不改变的情况下，介电层230-1可以稳定地响应于基体基底100-1的形状变化。
因此，尽管应变模式的介电层230-1s的投影到平面的面积可以大于正常模式的介电层230-1的投影到平面的面积，但是应变模式的介电层230-1s的体积可以与正常模式的介电层230-1的体积基本上相同。
参照图7c，正常模式的第二电极220-1具有与应变模式的第二电极220-1s的形状不同的形状。将正常模式的第二电极220-1反映为第一形状sp-n，将应变模式的第二电极220-1s反映为第二形状sp-s。
第一形状sp-n和第二形状sp-s具有不同的宽度wd-n、wd-s。因此，第一形状sp-n和第二形状sp-s可以具有不同的面积。即，正常模式的第二电极220-1的平面图中的面积变得与应变模式的第二电极220-1s的平面图中的面积不同。
在该示例中，应变模式的第二电极220-1s的上表面面积ar-s本身可以与正常模式的第二电极220-1的上表面面积ar-n本身基本上相同。由于应变模式的第二电极220-1s由于外力ts而变得具有平缓的曲线，因此正常模式的第二电极220-1的上表面的面积或厚度不变。
即，尽管第二电极220-1改变其形状，但是仅平面图中的面积改变，而上表面面积本身不变。基本上影响形成用于触摸感测的电容的因素可以是介电层230-1的上表面本身的面积和介电层230-1的厚度。
图8a和图8b示出了对比实施例和本公开的根据伸长变形(％)的电阻变化△r/r0。在图8a中，第一对比图pl1-e、第二对比图pl2-e和第三对比图pl3-e示出了根据使用具有不同的混合比的导电聚合物形成的电极层的弹性的电阻变化。对比实施例包括由于伸长率和收缩率而改变它们的厚度的基体基底和介电层。
在图8b中，第一图pl1、第二图pl2和第三图pl3示出了根据使用具有不同混合比的导电聚合物形成的电极层的弹性的电阻变化。第一图pl1示出了与第一对比图pl1-e的电极层对应的电极层的电阻变化，第二图pl1示出了与第二对比图pl2-e的电极层对应的电极层的电阻变化，第三图pl3示出了与第三对比图pl3-e的电极层对应的电极层的电阻变化。
根据图8b的示例性实施例可以包括基体基底100-1。介电层的形状可以变形，但是其厚度可以不变。在下文中，将参照图8a和图8b描述根据本示例性实施例的电极层的电阻变化。
如图8a和图8b中所示，当将相应的电极层的图彼此进行比较时，与相同的伸长率百分比相比，电极层的电阻变化△r/r0示出为相对低。具体地，在大于大约20％或更大的变形状态下，第一图pl1具有比第一对比图pl1-e的电阻变化低的电阻变化，在大于大约10％或更大的变形状态下，第二图pl2和第三图pl3具有比第二对比图pl2-e和第三对比图pl3-e的电阻变化低的电阻变化。在发生变形时的初始状态下，与第三对比图pl3-e相比，第三图pl3示出了小的电阻变化差异。
参照图8b，电极层的电阻变化相对正常。第一图pl1、第二图pl2和第三图pl3示出了在30％变形下的低于大约3或更小的电阻变化。在本示例性实施例中，由于电子装置提供电极层给平缓曲线形状的基体基底100-1，因此电子装置即使在应变模式下也可以提供电稳定的触摸环境。因此，能够提供即使其形状变形时也能够稳定地感测外部触摸并具有稳定的灵敏度的电子装置。
参照图7a和图7b，应变模式的介电层230-1s的厚度th-1s与正常模式的厚度th-1基本上相同，应变模式的第二电极220-1s的上表面面积ar-s本身与正常模式的上表面面积ar-n基本上相同。因此，因为电子装置10-1n和10-1s即使形状通过外力ts而变形也可以维持一致的触摸灵敏度，所以能够向用户提供稳定的触摸环境。
图9a是示出了根据示例性实施例的电子装置的随时间变化的电流变化的图。图9b是示出了根据示例性实施例的电子装置的随时间变化的电流变化的图。
图9a和图9b描绘了根据模式的图7a和图7b中示出的电子装置10-1n、10-1s的触摸感测图。图9a是示出了根据示例性实施例的正常模式的电子装置10-1n的关于时间的电流变化的图，图9b是示出了根据示例性实施例的应变模式的电子装置10-1s的关于时间的电流变化的图。
图9a和图9b示出了输入第一触摸的部分和输入第二触摸的部分。第一触摸与图4a和图4c中示出的第一触摸tc-t对应，第二触摸与图4b中示出的第二触摸tc-f对应。
如图9a中所示，随着时间流逝，出现了具有比相邻间隔的电流幅度低的电流幅度的多个间隔。在对比实施例中，在15秒之前的大约5秒和大约10秒的点施加第一触摸，在15秒之后的大约15秒和大约23秒的点施加第二触摸。
由于施加第一触摸和第二触摸，因此发生电流变化。因此，对比实施例可以通过识别电流幅度的变化来感测第一触摸或第二触摸。
同时，施加第二触摸的在15秒之后的电流幅度变化可以呈现出比施加第一触摸的在15秒之前的电流幅度变化小。因此，可以识别包括位置信息的接触触摸和包括强度信息的压力触摸。
如图9b中所示，第一触摸和第二触摸单独地施加两次，其中，在大约5秒和大约10秒(在15秒之前)施加第一触摸，在大约16秒和大约26秒(在15秒之后)施加第二触摸。参照图9b，发生在应变模式的电子装置10-1s中的电流变化幅度可以呈现出相对小于发生在正常模式的电子装置10-1n中的电流变化幅度。然而，如大约16秒和大约26秒的点所示出的，施加第二触摸的部分的电流变化幅度也相对小于正常模式的电流变化幅度。
即使在伸长状态下，根据本公开的示例性实施例的电子装置10-1n和10-1s也可以容易地感测除了接触触摸之外的压力触摸。根据本公开的示例性实施例的电子装置10-1n和10-1s可以根据伸长状态提供稳定的触摸灵敏度环境。因此，用户可以通过触摸来稳定地控制电子装置，而不受电子装置10-1n和10-1s的形状变化影响。
图10a是根据示例性实施例的电子装置的局部剖视图。图10b是根据另一示例性实施例的电子装置的局部剖视图。
在下文中，将参照图10a和图10b来描述根据本示例性实施例的电子装置。
如图10a中所示，电子装置10-2可以包括基体基底100-2、第一电极210-2、第二电极220-2和介电层230-2。基体基底100-2和介电层230-2可以分别与基体基底100-1和介电层230-1对应。将省略与上面一样的重复描述。第一电极210-2和第二电极220-2可以不被设置为彼此叠置。电子装置10-2可以通过电容变化来感测从外部施加的触摸，该电容变化通过交替布置的第一电极210-2、第二电极220-2和介电层230-2来形成。
如图10b中所示，电子装置10-3还可以包括缓冲层bfl和保护层pvl。缓冲层bfl可以布置在基体基底100-3与介电层230-3之间。第一电极210-3可以布置在缓冲层bfl上。
缓冲层bfl覆盖基体基底100-3的上表面。缓冲层bfl可以包括诸如氧化铝的金属氧化物。
缓冲层bfl改变基体基底100-3的上表面特性。因此，第一电极210-3可以通过缓冲层bfl稳定地形成在基体基底100-3上。
保护层pvl可以布置在介电层230-3上。保护层pvl覆盖第二电极220-3。保护层pvl使传感器层与外部电绝缘，并保护传感器层免受外部影响。
保护层pvl包括绝缘材料。保护层pvl可以包括具有弹性的绝缘材料。例如，保护层pvl可以包括从由具有弹性的聚二甲基硅氧烷pdms、ecoflex和聚氨酯pu组成的组中选择的一种或更多种材料。
保护层pvl可以包括介电材料。例如，保护层pvl可以包括氧化物颗粒散布于弹性材料中的混合物。因此，保护层pvl可以被形成为具有弹性并且容易控制介电常数的功能层。这被示出为示例，根据一个示例性实施例的电子装置可以包括除了由各种布置形成的电极之外的多层形成物。
图11a是根据另一示例性实施例的电子装置的局部剖视图。图11b是根据另一示例性实施例的电子装置的局部剖视图。图11b示出了图11a中示出的应变模式的电子装置的状态。
除了通过施加到相对于第一方向dr1的平行方向的外力而延伸的伸长状态之外，图11b可以包括与图11a中示出的电子装置10-4的构造相同的构造。在下文中，将参照图11a和图11b来描述根据本示例性实施例的电子装置。
如图11a中所示，电子装置10-4可以包括基体基底100-4、第一电极210-4、介电层230-4和第二电极220-4。基体基底100-4可以包括第一厚度th11，介电层230-4可以包括第二厚度th12，第一电极210-4可以包括第三厚度th13，第二电极220-4可以包括第四厚度th14。
基体基底100-4可以通过外力转变为应变模式的基体基底100-4s。应变模式的基体基底100-4s的厚度th11-s可以不同于正常模式的基体基底100-4的厚度th11。
基体基底100-4与图3a中示出的基体基底100基本上相同，基体基底100-4s与图3b中示出的基体基底100-s基本上相同。因此，将省略以上的重复描述。
介电层230-4可以通过外力转变为应变模式的介电层230-4s。应变模式的介电层230-4s的厚度th12-s可以与正常模式的介电层230-4的厚度th12基本上相同。
第二电极220-4可以通过外力转变成应变模式的第二电极220-4s。应变模式的第二电极220-4s的厚度th14-s与不具有外力的正常模式的第二电极220-4的厚度th14之间不存在差异或存在非常小的差异。
第一电极210-4可以通过外力转变成应变模式的第一电极210-4s。应变模式的第一电极210-4s的厚度th13-s和不具有外力的正常模式的第一电极210-4的厚度th13可以不同。
与第二电极220-4相比，第一电极210-4被布置为相对接近基体基底100-4的上表面。因此，与第二电极220-4相比，第一电极210-4会受到基体基底100-4的上表面的变化相对大的影响。
电子装置10-4包括作为对应变具有高灵敏度的材料的第一电极210-4，使得装置可以容易地感测电子装置10-4的应变变化。能够提供外部触摸的位置信息和强度信息，并且能够实现能够感测由于外力而引起的电子装置10-4的变形程度的多功能传感器。
如图11b中所示，应变模式的电子装置10-4s可以具有从图11a中示出的电子装置10-4延伸的伸长形状。应变模式的电子装置10-4s可以包括应变模式的基体基底100-4s、应变模式的第一电极210-4s、应变模式的第二电极220-4s和应变模式的介电层230-4s。
应变模式的基体基底100-4s可以具有应变模式的第一厚度th11-s，应变模式的介电层230-4s可以具有应变模式的第二厚度th12-s，应变模式的第一电极210-4s可以具有应变模式的第三厚度th13-s，应变模式的第二电极220-4s可以具有应变模式的第四厚度th14-s。
在该示例中，第一电极210-4可以与第二电极220-4具有不同的弹性灵敏度。例如，对于相同的弹性形变，第一电极210-4可以与第二电极220-4具有不同的电阻变化。
更具体地，第一电极210-4可以与第二电极220-4具有不同的弹性灵敏度。在该示例性实施例中，第一电极210-4可以具有比第二电极220-4的弹性灵敏度高的弹性灵敏度。例如，对于相同的外力，第四厚度th14与应变模式的第四厚度th14-s基本上相同，第三厚度th13与应变模式的第三厚度th13-s不同。
第一电极210-4的厚度可以被外力改变。第一电极210-4的厚度变化可以转变成第一电极210-4的内阻。因此，根据示例性实施例的电子装置10-4可以通过第一电极210-4的内阻变化来感测基体基底100-4的伸长程度。
具体地，当将交流脉冲电压施加到第二电极220-4并测量第一电极210-4的电压时，可以根据第一电极210-4的电阻变化来测量改变的电压。改变的电压可以是反映电子装置10-4的伸长程度的因素。因此，电子装置10-4可以是在触摸感测的同时能够感测伸长程度的功能传感器。
第一电极210-4可以包括导电材料。例如，第一电极210-4可以包括金属纳米颗粒、金属纳米线、碳纳米管cnt、导电聚合物及其复合物中的至少一种。导电聚合物可以是能够导电的聚合物复合物。
例如，第一电极210-4可以包括金属纳米线/聚合物复合物或透明金属纳米颗粒/聚合物复合物以及dragon
同时，与第二电极220-4相比，第一电极210-4可以相对灵敏。因此，与第二电极220-4相比，第一电极210-4对于应变变化可以具有高电阻变化。对于应变变化的灵敏度可以根据电极结构和形状或者电极材料来改变。
例如，在具有弹性的导电材料之中，第一电极210-4可以包括具有比第二电极220-4的弹性灵敏度高的弹性灵敏度的材料。
因此，即使电子装置10-4的第一电极210-4和第二电极220-4中的每个包括具有弹性的导电材料，也能够提供能够容易地通过对实际的弹性灵敏度进行不同地设计来感测应变程度的电子装置。
图12a至图12d是示出了根据示例性实施例的第一电极的关于时间的电流变化的图。图12a是正常模式的第一电极(参照图11a的210-4)的电流变化，图12b至图12d是应变模式的第一电极(参照图11b的210-4s)的电流变化。图12b至图12d是示出了彼此不同的弹性形变程度的图。图12b示出了伸长状态达到大约10％的电流变化，图12c示出了伸长状态达到大约20％的电流变化，图12d示出了伸长状态达到大约30％的电流变化。在下文中，将参照图12a至图12d来描述应变模式下的伸长程度的测量。
参照图12a至图12d，第一电极210-4s示出了随着变形程度变大而幅度变低的电流变化的流。
正常模式的第一电极210-4示出了电流幅度为大约±6.0×10-6(a)的电流变化的流，但是随着伸长程度变大，应变模式的第一电极210-4s示出了具有低幅度的电流变化的流。
作为最大的伸长程度的大约30％的伸长状态示出了大约±1.0×10-6(a)或更小的幅度变化。
在电子装置10-4中，通过对第一电极210-4进行设计以示出根据伸长程度的灵敏电阻变化，可以测量电子装置10-4的伸长程度。因此，电子装置10-4可以用于能够感测所有的触摸和伸长程度的多功能的电子装置。
图13a是根据示例性实施例的电子装置的示意性剖视图。图13b是根据示例性实施例的电子装置的示意性剖视图。在下文中，将参照图13a和图13b详细地解释本公开。
如图13a中所示，电子装置10-5还可以包括显示层300。显示层300可以布置在基体基底100与传感器200之间。显示层300能够通过电信号来显示图像。
显示层300可以包括显示组件层dpl和覆层ecl。显示组件层dpl可以包括根据电信号而产生图像的显示器件。显示器件可以包括各种实施例。例如，显示器件可以是有机发光器件、液晶器件、电泳器件或电浸润器件。
覆层ecl布置在显示组件层dpl上。覆层ecl可以包括绝缘材料。覆层ecl保护显示组件层dpl免受外部影响。
在该示例性实施例中，传感器200可以与设置的显示层300叠置。因此，传感器200可以是光学透明的。用户通过透明的传感器200可以容易地看到形成在显示层300上的图像。
如图13b中所示，在电子装置10-6中，显示层300可以设置在传感器200上。此时，传感器200可以对显示在显示层300上的图像的可视性产生较小的影响。
因此，传感器200可以由光学非透明的材料来形成，使得传感器200可以通过各种材料来容易地形成。
图14a至图14e是示出了根据本公开的示例性实施例的电子装置的制造方法的剖视图。在下文中，将参照图14a至图14e详细地解释电子装置的制造方法。图14a至图14e示例性地示出了图10b中示出的电子装置的制造方法。如所示出的，图14a提供了包括形成在上表面上的凹陷部分和凸起部分的基体基底100-1。基体基底100-1包括下表面和上表面，上表面包括具有不同厚度的峰和谷。如图14b中所示，在基体基底100-1上形成缓冲层bfl。缓冲层bfl覆盖基体基底100-1的上表面，并通过沉积工艺或涂覆工艺来形成。
例如，可以通过原子层沉积工艺由氧化铝来形成缓冲层bfl。可以在凹陷和凸起的表面上稳定地形成缓冲层bfl，缓冲层bfl甚至可以包括设置在缓冲层bfl上的金属图案。
接着，如图14c中所示，形成第一电极210。可以通过在缓冲层bfl上直接使导电材料图案化来形成第一电极210。可以通过缓冲层bfl以高粘合力在基体基底100-1上来稳定地形成第一电极210。
同时，可以沿基体基底100-1的上表面形状来形成第一电极210。因此，可以以反映基体基底100-1的上表面形状的形状来形成第一电极210。可以在剖面中以波形状来形成第一电极210。
例如，可以通过复合物pedot:pss/pu来形成第一电极210，并可以通过使用镂空掩模的旋涂工艺来制造第一电极210。然后，可以进行预定的加热处理工艺。因此，第一电极210即使作为薄膜也可以稳定地形成。
接着，如图14d中所示，形成介电层230。可以通过在缓冲层bfl或基体基底100-1上施用或沉积绝缘材料来形成介电层230。因此，可以通过反映基体基底100-1的上表面来形成介电层230的上表面。
例如，通过使用旋涂工艺来形成由水溶性聚氨酯制成的涂覆层，以使涂覆层位于基体基底100-1的上表面或缓冲层bfl的上表面上。然后，可以在预定的加热处理工艺之后形成介电层230。
接着，如图14e中所示，形成第二电极220。可以通过在介电层230上使导电材料图案化来形成第二电极220。例如，在包括复合物pedot:pss/pu的层形成在介电层230上之后，可以使该层图案化来形成第二电极220。第二电极220可以包括反映介电层230的上表面的形状，由此可以在剖面中形成有波形状。
根据实施例，本公开提供了一种能够通过一个传感器来感测所有的触摸位置信息和触摸强度信息的电子装置。
根据另一实施例，本公开提供了一种即使在形状被外力改变时也能够防止触摸灵敏度降低的电子装置。
根据又一实施例，本公开提供了一种能够通过一个传感器来感测触摸信息和由于外力引起的变形程度的多功能的电子装置。
尽管已经描述了示例性实施例，但是要理解的是，本公开不应局限于这些示例性实施例，而是在本公开的精神和范围内的情况下，本领域普通技术人员可以做出各种改变和修改。因此，本公开的技术范围不应局限于说明书的具体实施方式中描述的内容，而应由权利要求书来限定。