一种减小GaAs芯片中四分之一波长尺寸的结构的制作方法

文档序号:30900585发布日期:2022-07-26 23:22阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,包括输入端、输出端、阻抗负载和等效电容,所述阻抗负载设在输入端和输出端之间,通过微带线连接,所述等效电容包括第一等效电容和第二等效电容,一端分别连接在所述阻抗负载与输入端、输出端之间连接的第一微带线上,另一端通过第二微带线接地,所述阻抗负载两端与所述输入端和输出端连接的所述第一微带线长度相同。2.根据权利要求1所述的减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,所述第一等效电容和所述第二等效电容的一端,通过第二微带线与所述第一微带线连接,所述第一微带线与所述第二微带线材质相同。3.根据权利要求2所述的减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,所述第一等效电容与第一微带线和地之间连接的第二微带线与所述第二等效电容与第一微带线和地之间连接的第二微带线,两者的结构参数相同。4.根据权利要求3所述的减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,所述第一等效电容与所述第二等效电容的电容值大小一致。5.根据权利要求4所述的减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,所述第一等效电容与所述第二等效电容一端的所述第二微带线均连接在所述第一微带线中间位置。6.根据权利要求5所述的减小gaas芯片中四分之一波长尺寸的结构,其特征在于,所述第一等效电容和所述第二等效电容在所述第二微带线上连接的分割比例相同。

技术总结
本实用新型公开了一种减小GaAs芯片中四分之一波长尺寸的结构,涉及电路设计技术领域,包括输入端、输出端、阻抗负载和等效电容,阻抗负载设在输入端和输出端之间,通过微带线连接,等效电容包括第一等效电容和第二等效电容,一端分别连接在阻抗负载与输入端、输出端之间连接的第一微带线上,另一端通过第二微带线接地,阻抗负载两端与输入端和输出端连接的第一微带线长度相同。本实用新型通过在阻抗负载两端设置结构参数相同的等效电容,实现等效1/4波长线,达到缩短1/4波长尺寸的目的。达到缩短1/4波长尺寸的目的。达到缩短1/4波长尺寸的目的。


技术研发人员:戴伟
受保护的技术使用者:成都众志天成科技有限公司
技术研发日:2022.04.19
技术公布日:2022/7/25
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