一种双导电层结构的电容式触摸屏的制作方法

文档序号:8318836阅读:215来源:国知局
一种双导电层结构的电容式触摸屏的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏领域,具体是一种双导电层结构的电容式触摸屏。
【背景技术】
[0002]公知的,触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备,具有直观、简单、快捷的优点,在许多电子产品中已经获得了广泛的应用,尤其在智能手机、平板电脑等领域的发展最为迅速,目前电容式触摸屏结构通常分为SITO与DITO结构,DITO是指在玻璃基板的两面分别做导电层达到能具备触摸功能的目的,现有的DITO结构包括在玻璃一面的X方向ITO层,在玻璃另一面的Y方向ITO层以及连接各Y方向ITO的金属层走线,这种结构需要分别对三层导电层进行加工,加工时需要贴保护膜防止破坏其它导电层,加工过程比较繁杂O

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于提供一种双导电层结构的电容式触摸屏,该触摸屏的结构简单,简化了制作工艺,并且提高了导电性能。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种双导电层结构的电容式触摸屏,包括玻璃基板,玻璃基板的上表面设有ITO导电膜层,其特征在于,所述玻璃基板的下表面设有两行以上的Metal-mash金属网格,每行Metal-mash金属网格的一端均连接有金属走线,金属走线沿玻璃基板下表面的侧部汇总到柔性线路板连接区;所述Metal-mash金属网格与金属走线共同构成金属网格导电膜层。
[0005]进一步的,所述Metal-mash金属网格的线宽为< 8Mm。
[0006]本发明的有益效果是,采用Metal-mash金属网格代替Y方向的ITO层,将传统DITO的三层导电层结构改变为双导电层结构,结构简单,制作时无需贴保护膜,简化了制作工艺,同时提高了导电性能。
【附图说明】
[0007]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明:
图1是本发明的结构示意图;
图2是图1的俯视图;
图3是图1的仰视图。
【具体实施方式】
[0008]结合图1与图2所示,本发明提供一种双导电层结构的电容式触摸屏,包括玻璃基板1,玻璃基板I的上表面设有X方向的ITO导电膜层2 ;结合图3所示,所述玻璃基板I的下表面设有两行以上的Metal-mash金属网格4,每行Metal-mash金属网格4的一端分别连接有金属走线5,金属走线5沿玻璃基板I下表面的侧部汇总到柔性线路板连接区6,用于和柔性线路板7相连;Metal-mash金属网格4与金属走线5共同构成Y方向的金属网格导电膜层3 ;Metal-mash金属网格4为触摸区,与ITO导电膜层2之间形成电容;优选的,Metal-mash金属网格的线宽< 8Mm。
[0009]采用Metal-mash金属网格代替原先Y方向的ITO层,从而将传统DITO的三层导电层结构改变为双导电层结构,结构简单,使用黄光工艺就可同时对Metal-mash金属网格与金属走线进行制作,无需贴保护膜,简化了制作工艺,同时Metal-mash金属网格也能够增强导电性能;Metal_mash金属网格的线宽为彡8Mm时能够保证透光性达到85%以上,满足肉眼基本看不到的“隐形”效果。
[0010]以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制;任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种双导电层结构的电容式触摸屏,包括玻璃基板(I),玻璃基板(I)的上表面设有ITO导电膜层(2),其特征在于,所述玻璃基板(I)的下表面设有两行以上的Metal-mash金属网格(4),每行Metal-mash金属网格的一端均连接有金属走线(5),金属走线(5)沿玻璃基板下表面的侧部汇总到柔性线路板连接区(6);所述Metal-mash金属网格⑷与金属走线(5)共同构成金属网格导电膜层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种双导电层结构的电容式触摸屏,其特征在于,所述Metal-mash金属网格⑷的线宽为< 8Mm。
【专利摘要】本发明公开一种双导电层结构的电容式触摸屏,包括玻璃基板(1),玻璃基板(1)的上表面设有ITO导电膜层(2),所述玻璃基板(1)的下表面设有两行以上的Metal-mash金属网格(4),每行Metal-mash金属网格的一端均连接有金属走线(5),金属走线(5)沿玻璃基板下表面的侧部汇总到柔性线路板连接区(6);所述Metal-mash金属网格(4)与金属走线(5)共同构成金属网格导电膜层(3);采用Metal-mash金属网格代替原先Y方向的ITO层,从而将传统DITO的三层导电层结构改变为双导电层结构,结构简单,使用黄光工艺就可同时对Metal-mash金属网格与金属走线进行制作,无需贴保护膜,简化了制作工艺,同时Metal-mash金属网格也能够增强导电性能。
【IPC分类】G06F3-044
【公开号】CN104636019
【申请号】CN201510114868
【发明人】彭寿, 茆令文, 鲍兆臣, 张少波, 曹绪文, 蔡丰豪
【申请人】蚌埠玻璃工业设计研究院, 安徽方兴科技股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年3月17日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1