性存储器中搬运数据至所述片上缓存或/和所述片外缓存中，同时也从片外大容量存储器中搬运数据到所述内存中；或者
[0023]所述处理器芯片先从所述片外大容量存储器中搬运数据到所述内存中，再由所述内存搬运到所述片上缓存或/和所述片外缓存中，最后处理器芯片执行所述片上缓存或/和所述片外缓存中存储的数据，以进行所述启动操作；或者
[0024]所述处理器芯片把数据从所述非易失性存储器中搬运到片上缓存或/和片外缓存中进行所述启动操作的同时，从所述片外大容量存储器搬运数据至所述内存中；
[0025]若所述片上缓存或/和所述片外缓存被关闭，且所述内存被打开时，所述处理器芯片先把数据从所述片外大容量存储器搬运到所述内存中，再由所述内存搬运到所述非易失性存储器后，所述处理器芯片在所述非易失性存储器中执行数据，以进行所述启动操作。
[0026]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法中:
[0027]所述服务器还预设有正常功耗模式；以及
[0028]所述服务器处于所述正常功耗模式时，所述处理器和/或所述内存和/或所述非易失性存储器均正常工作。
[0029]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法的所述服务器还包括临近所述处理器芯片设置的风扇，所述方法中:
[0030]当所述服务器从所述正常功耗模块转换至所述超低功耗模式时，所述风扇的转速降低。
[0031]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法中:
[0032]所述服务器运行在所述超低功耗模式时，所述风扇的转速大于或等于零。
[0033]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法中:
[0034]当所述服务器从所述正常功耗模块转换至所述超低功耗模式时，所述片上缓存或/和所述片外缓存中的数据均保存到所述非易失性存储器中，所述内存中的数据保存至所述片外大容量存储器中。
[0035]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法的所述MCP芯片还包括温度传感器，以用于实时检测所述非易失性存储器的温度，所述方法中:
[0036]若所述非易失性存储器的温度超过温度传感器中设定的温度警告标准时，所述温度传感器触发警告信息，数据中心接收并根据所述警告信息关闭部分或全部所述非易失性存储器。
[0037]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法中:
[0038]所述温度传感器集成于所述非易失性存储器中。
[0039]作为一个优选实施例，上述的处理器启动的方法中:
[0040]所述温度传感器为所述处理器芯片和/或所述片外缓存中集成的温度传感器。
[0041]本发明公开了一种处理器启动的方法，该方法中利用服务器中的处理器直接从非易失性存储器和/或片上缓存和/或片外缓存中读取数据，不需从片外存储器中搬运数据到内存，再由内存搬运到缓存中，从而使服务器中的处理器可以立即启动。当服务器处于超低功耗模式时，服务器中的叠在处理器芯片上的风扇的速度可以被降低或关闭，降低了服务器的功耗，同时当非易失性存储器的温度超过温度传感器中设置的温度警告标准时，该非易失性存储器就会被关闭从而保证该服务器及整个数据中心的正常工作，防止当风扇工作异常，非易失性存储器的温度过高而导致服务器及整个数据中心宕机的情况。
[0042]具体图说明
[0043]通过阅读参照以下图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制图，重点在于示出本发明的主旨。
[0044]图1是传统服务器的处理单元的结构示意图；
[0045]图2是本申请实施例中服务器的处理单元的结构示意图。
【具体实施方式】
[0046]下面结合图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
[0047]本发明提出了一种处理器启动的方法，可应用于设置有处理单元结构的服务器上(如数据中心的服务器)，参见如附图2所示，上述的处理单元结构包括:处理器芯片；非易失性存储器；内存，与处理器芯片连接，且内存还与片外存储器连接；当所述处理器芯片进入超低功耗模式后，再退出超低功耗模式时，所述处理器芯片直接从所述非易失性存储器中读取数据，使服务器中的处理器立即启动。处理器芯片读取片外存储器中存储的数据时，片外存储器将该数据通过内存导入至非易失性存储器中，下次再读取该数据时，处理器芯片直接于非易失性存储器中读取数据并进行处理。温度传感器，用于检测所非易失性存储器的温度，当温度传感器检测到非易失性存储器的温度超过温度传感器中设定的温度警告标准时，温度传感器发送警告信息至数据中心中，以通过该数据中心关闭非易失性存储器。
[0048]具体的，参照图2所示的结构，图中211为处理器芯片，其结构和目前的处理器芯片结构相同，即其由Ν(Ν>0)个处理器组成，相对应的每个处理器都有一个本地片上缓存，且处理器之间通过片上共享缓存进行数据信息交互。处理器芯片中的本地片上缓存和片上共享缓存均是由静态随机存储器(SRAM)实现。附图2中的212为片外缓存(芯片)，比如为由嵌入式动态随机存储器实现的最后一级缓存，片外缓存为一独立的芯片，在该实施例中的处理器芯片可通过其进行数据读取等操作。本发明提出的结构中加入片外缓存芯片只是本发明的一个优选实施例，本发明提出的结构中也可以不包含片外缓存芯片。图中214为非易失性存储器。附图2中处理器芯片211、片外缓存芯片212和非易失性存储器214通过MCP技术封装在一起。所述非易失性存储器214应至少具有以下特征:
[0049]非易失性存储器214的存储密度很大，比如存储密度可以达到Gb或者Tb的数量级。比如3D相变存储器，每个芯片的存储容量可以达到128Gb或者256Gb，在不远的将来甚至更高，比如达到Tb量级。例如，非易失性存储器214可以为平面工艺制作的非易失性存储器214，也可以为用三维垂直制作工艺制作的非易失性存储器214，优选的，所述非易失性存储器214为三维垂直工艺制作的非易失性存储器214。
[0050]非易失性存储器214可以用来存储一定时间内特定用户最频繁使用的应用程序或/和最频繁处理的数据。比如对于用户X来说，在一定时间内最频繁使用的应用程序为应用程序X_l，那么我们就将应用程序X_1存储在非易失性存储器214中，而对于用于Y来说，在一定时间内最频繁处理的数据为数据Y_l，那么我们就将数据Y_1存储在非易失性存储器214中。
[0051]附图2中213为温度传感器，所述温度传感器213主要用来检测非易失性存储器214的温度，在所述温度传感器213中设定一温度警告标准，当非易失性存储器214的温度超过所述温度传感器213中设定的温度警告标准时，所述温度传感器213就会向数据中心发出警告信息并会做出相应的处理，比如超出标准时，非易失性存储器214就会被关闭，反之亦然，这样虽然服务器的性能降低了，但是保证了服务器的正常工作，防止非易失性存储器214的温度过高而导致服务器及数据中心宕机的情况。所述温度传感器213可以实现在非易失性存储器214中；如果处理器芯片211或/和片外缓存212中有温度传感器，那么我们也可以复用处理器芯片211或/和片外缓存212中的温度传感器作为所述的温度传感器213，此时温度传感器213检测的温度来自于两个方面，一方面来自于处理器芯片211或/和片外缓存212本身的温度，另一方面来自于非易失性存储器214传导过来的温度。当所述温度传感器213实现在非易失性存储器214中时，我们假设所述温度传感器213中设定的温度警告标准为Tl，当所述温度传感器213复用处理器芯片211或/和片外缓存212中的温度传感器时，我们假设所述温度传感器213中设置的温度警告标准为T2。下面我们从两个方面讨论:
[0052]T2>T1。在这种情况下，如果非易失性存储器214的温度很高，达到了 Tl，但是没有达到T2，因此如果所述温度传感器213实现在非易失性存储器214中，那么温度传感器213就会向数据中心发出警告信息，同时数据中心将该非易失性存储器214关闭，如果所述温度传感器213复用处理器芯片211或/和片外缓存212中的温度传感器，因为所述温度传感器213检测到的温度并没有达到所述温度传感器213中设置的温度警告标准T2，非易失性存储器214 —直开启并保持继续工作状态，从而导致其温度继续升高，当所述温度传感器213检测到的温度达到T2时，非易失性存储器214可能已经不能正常工作了。
[0053]T2〈T1。在这种情况下，如果非易失性存储器214的温度比较低，处理器芯片211或/和片外缓存212的温度比较高，达到了 Τ2，因此如果所述温度传感器213实现在非易失性存储器214中，由于所述温度传感器213检测到的温度没有达到Tl，所以非易失性存储器214会继续