一种解决压降过大的隔离电路的制作方法
【专利说明】一种解决压降过大的隔离电路
[0001]
技术领域
[0002]本发明涉及服务器供电技术领域，具体的说是一种解决压降过大的隔离电路。
【背景技术】
[0003]通常，在服务器主板上，为了省电，同时又为了能实现唤醒功能，在主板上都集成有相应的唤醒控制唤醒芯片。这类唤醒芯片的工作电压为3.3V，在主板处于节能工作模式时，主板上所有的电都被切断，此时，需要主板上的纽扣电池的P3V3_BAT给唤醒芯片供电，以保证唤醒芯片处于正常工作状态。当主板开机后，用主板上的P3V3给唤醒芯片供电，以节省电池的电能。
[0004]由于纽扣电池的P3V3_BAT和主板开机后的P3V3均给唤醒芯片供电，为防止开机时，主板上纽扣电池的P3V3_BAT灌到主板其他线路上，影响主板开机时的上电时序，需要在纽扣电池的P3V3_BAT和主板开机后的P3V3两路供电之间添加一个隔离线路。
[0005]采用的隔离线路是在P3V3_BAT和P3V3之间直接加一颗隔离二极管。其中，P3V3_BAT接在二极管的阳极，P3V3接在二极管的阴极。保证:当主板没开机时，由纽扣电池的P3V3_BAT给唤醒芯片供电；当开机后，纽扣电池的P3V3_BAT被隔开，由主板的P3V3给唤醒芯片供电。
[0006]这种隔离电路由于采用的是隔离二极管，当主板没开机时，纽扣电池通过隔离二极管正向导通，给唤醒芯片供电，由于二极管导通时会产生导通压降，一旦导通后，唤醒芯片供电端电压就会下降0.7V (若二极管选用的是硅管)。此时，到唤醒芯片端的供电电压就可能超出供电电压下限，导致唤醒芯片工作异常。
【发明内容】
[0007]本发明针对目前需求以及现有技术发展的不足之处，提供一种解决压降过大的隔离电路。
[0008]本发明所述一种解决压降过大的隔离电路，解决上述技术问题采用的技术方案如下:所述隔离电路主要包括一三极管Ql、一 MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，其中，所述纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极，所述主板的P3V3连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q2的G极与三极管Ql的集电极相连，所述MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时所述三极管Ql的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，所述三极管Ql的发射极接地；主板上唤醒芯片IC供电端还连接一个电容，且所述电容另一端接地。
[0009]优选的，所述MOS管Q2采用P-MOS管。
[0010]优选的，所述三极管Ql采用NPN型三极管。
[0011]优选的，该唤醒芯片供电端电容采用0.1uf的MLCC电容。
[0012]优选的，所述MOS管Q2与纽扣电池的P3V3_BAT之间还设置一限流电阻R。
[0013]优选的，所述三极管Ql的基极与纽扣电池的P3V3_BAT之间设置一电阻Rl，所述三极管Ql的集电极与MOS管Q2的S极之间设置一电阻R2，根据实际情况确定参数R1\R2。
[0014]本发明所述一种解决压降过大的隔离电路，与现有技术相比具有的有益效果是:本发明提出的隔离电路，采用带MOS管的隔离线路替代二极管，由于MOS管导通时产生的压降比二极管导通时产生的要小很多，能确保唤醒芯片供电端的电压控制在正常供电电压范围内，可以有效避免芯片因供电电压过低造成无法正常工作的问题，提高了系统的稳定性和安全性；并且，本发明构思新颖、结构合理、实现简单，因此具有较好的推广应用价值。
【附图说明】
[0015]附图1为本发明所述隔离电路结构图；
附图2为改进前的隔离电路结构图。
【具体实施方式】
[0016]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明所述一种解决压降过大的隔离电路进一步详细说明。
[0017]本发明所述隔离电路，采用带MOS管的隔离线路替代隔离二极管，保证主板在没开机时，纽扣电池经隔离MOS管线路后，MOS管会导通，实现主板上的纽扣电池的P3V3_BAT给唤醒芯片供电；当主板开机后，MOS管截止，直接由主板上的P3V3给唤醒芯片供电。由于隔离MOS管导通时，产生的压降比二极管导通时所产生的要小很多，通过该隔离电路，能保证到达唤醒芯片供电端的电压在正常供电电压的范围内，可以有效规避主板上的唤醒芯片因供电电压过低造成无法正常工作的问题。
[0018]实施例:
本实施例所述一种解决压降过大的隔离电路，主要包括一三极管Q1、一 MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，所述纽扣电池的P3V3_BAT接在MOS管Q2的D极，所述主板的P3V3接在MOS管Q2的S极，并且所述MOS管Q2的G极与三极管Ql的集电极相连，所述MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时所述三极管Ql的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，所述三极管Ql的发射极接地；主板上唤醒芯片IC供电端还连接一个电容，且所述电容另一端接地。
[0019]本实施例所述隔离电路中，所述MOS管Q2采用P-MOS管，同时可以根据唤醒芯片的额定工作电流，选择合适的P-MOS管，包括:Ids即MOS管的额定导通电流，Rds (on)即MOS管的导通阻抗；所述三极管Ql采用NPN型三极管。本实施例中该唤醒芯片供电端电容选择
0.1uf的MLCC电容；所述MOS管Q2与纽扣电池的P3V3_BAT之间还设置一限流电阻R，并且，所述三极管Ql的基极与纽扣电池的P3V3_BAT之间设置一电阻Rl，所述三极管Ql的集电极与MOS管Q2的S极之间设置一电阻R2，在主板上隔离电路的实际应用中，可以选择合适的限流电阻R，并确定参数R1\R2 ;如附图1所示。
[0020]采用本实施例所述隔离电路，当主板没开机时，通过三极管Ql基极连接纽电池的P3V3_BAT，所述三极管Ql导通，MOS管Q2的G极为低电平；此时，Vgs〈0，MOS管Q2导通，电流由MOS管Q2的D极流入，由MOS管Q2的S极流向唤醒芯片供电端，给唤醒芯片供电。由于此时，MOS管Q2为完全导通，其导通压降很低，一般在20mv量级。当主板开机后，MOS管Q2截止，则直接由主板上的P3V3给唤醒芯片供电。
[0021]而现有隔离线路，如附图2所示，主要采用隔离二极管D2，将主板上的纽扣电池供电P3V3_BAT与主板开机时的供电P3V3直接隔离开，其中，P3V3_BAT接在二极管的阳极，P3V3接在二极管的阴极。但是这种隔离电路当主板没开机时，由纽扣电池的P3V3_BAT直接通过二极管D2正向导通给唤醒芯片供电，由于二极管导通时会产生导通压降，到达唤醒芯片供电端的压降较大(一般在400mv~700mv量级)。若二极管选用的是娃管，一旦导通后，唤醒芯片供电端电压就会下降0.7V，此时，到唤醒芯片供电端的供电电压就可能超出供电电压下限，造成唤醒芯片不能正常工作的风险。
[0022]本发明所述隔离线路与现有隔离线路相比，对现有隔离线路进行改进，改进后的隔离线路采用一 MOS管和一三极管相配合，解决了唤醒芯片供电端压降过大的问题。在主板没有开机时，纽扣电池经隔离MOS管线路后，MOS管会导通，由于MOS管所产生的压降更低，从而确保唤醒芯片供电端的电压能够控制在正常供电范围内，可以有效规避唤醒芯片因供电电压过低无法正常工作的问题。
[0023]上述【具体实施方式】仅是本发明的具体个案，本发明的专利保护范围包括但不限于上述【具体实施方式】，任何符合本发明的权利要求书的且任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或替换，皆应落入本发明的专利保护范围。
【主权项】
1.一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，主要包括一三极管Q1、一 MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，其中，所述纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极，所述主板的P3V3连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q2的G极与三极管Ql的集电极相连，所述MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时所述三极管Ql的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，所述三极管Ql的发射极接地；主板上唤醒芯片IC供电端还连接一个电容，且所述电容另一端接地。2.根据权利要求1所述一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，所述MOS管Q2采用P-MOS管。3.根据权利要求2所述一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，所述三极管Ql采用NPN型三极管。4.根据权利要求3所述一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，该唤醒芯片供电端电容采用0.1uf的MLCC电容。5.根据权利要求1至4任一所述一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，所述MOS管Q2与纽扣电池的P3V3_BAT之间还设置一限流电阻R。6.根据权利要求5所述一种解决压降过大的隔离电路，其特征在于，所述三极管Ql的基极与纽扣电池的P3V3_BAT之间设置一电阻R1，所述三极管Ql的集电极与MOS管Q2的S极之间设置一电阻R2，根据实际情况确定参数R1\R2。
【专利摘要】本发明公开一种解决压降过大的隔离电路,涉及服务器供电技术领域，主要包括一三极管Q1、一MOS管Q2、主板上纽扣电池的P3V3_BAT和主板的P3V3，其中，纽扣电池的P3V3_BAT连接MOS管Q2的D极，主板的P3V3连接MOS管Q2的S极，MOS管Q2的G极与三极管Q1的集电极相连，MOS管Q2的S级连接主板上唤醒芯片IC供电端，同时三极管Q1的基极连接至纽扣电池的P3V3_BAT，三极管Q1的发射极接地。由于MOS管导通时产生的压降比二极管导通时产生的要小很多，本发明能确保唤醒芯片供电端电压控制在正常电压范围内，有效避免了芯片因电压过低无法正常工作的问题，提高了系统的稳定性和安全性。
【IPC分类】G06F1/26
【公开号】CN105138099
【申请号】CN201510495172
【发明人】罗嗣恒
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年8月13日