终端设备的内存访问控制方法与装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及计算机领域，特别涉及一种终端设备的内存访问控制方法与装置。
【背景技术】
[0002]随着消费电子产品的应用越来越丰富，芯片提供的功能也越来越多，这样对于芯片性能也有十分高的要求。中央处理器(CPU,Central Processing Unit)的处理速度，还有其他类似CPU的总线主控单元(Master)的数量也越来越多，每个Master发出的访问对带宽的要求也越来越高，这样内存渐渐成为效率的瓶颈。尤其是对于移动通信终端设备(例如手机)，一方面，随着长期演进(LTE, Long Term Evolut1n)等高速网络制式推出，网络数据量越来越大；另一方面，多媒体功能的加强，如4k2k、HD等高清显示分辨率的多媒体，对带宽的要求越来越高。
[0003]传统的单通道内存技术的访问效率如图1所示，消耗者(如CPU等总线主控单元)需要提供者(内存)不断地提供数据。如果消耗者过多，就会造成提供者的性能成为目前的瓶颈，这是急需解决的问题。为此,可以考虑采用双通道(Dual-channel)内存技术提升系统整体的运行性能。双通道内存技术的访问效率如图2所示，通过提供多个提供者以及改进的内存控制器，使得传输的并行度加强，可以使得内存的带宽不至于很低。一个传输请求能交错分配到图2中左下角的提供者(一个内存访问通道)或者右下角的提供者(另一个内存访问通道)。
[0004]双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它最早被应用于服务器和工作站系统中，后来为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题，它又走到了台式机主板技术的前台。
[0005]如今，随着移动终端类设备对于内存性能的瓶颈问题也日益凸显，双通道/多通道内存技术也逐渐有应用于移动终端类设备。采用双通道/多通道内存技术后，虽然在系统整体的运行性能上能够取得较大提升，但是相关硬件(例如内存控制器)的面积一般也会有所增加，这必将导致更多的功耗消耗，因此，对于一些对功耗问题较为敏感的终端设备来说，如何在运行性能提升的基础上，优化功耗控制显得尤为重要。
[0006]因为常用的双通道/多通道内存访问控制策略针对的更多是个人电脑(PC，Personal Computer)等设备，而此类设备对于功耗问题基本上是不需要进行过多关注的，所以现有技术一般更关注的只是性能上的提升，并不能满足功耗敏感的终端设备对于优化功耗控制的需求。
【发明内容】
[0007]本发明要解决的问题是如何使双通道/多通道内存技术在运行性能提升的基础上优化功耗控制。
[0008]为解决上述问题，本发明技术方案提供一种终端设备的内存访问控制方法，所述内存至少包含两个访问通道，所述方法包括:
[0009]在设定的内存访问模式下，对访问请求在各个访问通道上进行分配；
[0010]对访问请求在各个访问通道上的分配进行监测；
[0011 ] 若监测出存在第一预定时间内未被分配访问请求的访问通道，则使该访问通道进入第一省电模式；
[0012]若监测出存在第二预定时间内未被分配访问请求的访问通道，则使该访问通道进入第二省电模式；
[0013]所述第二预定时间大于所述第一预定时间，所述第二省电模式下的功耗低于所述第一省电模式下的功耗，从所述第一省电模式激活访问通道的速度快于所述第二省电模式。
[0014]可选的，所述终端设备的内存访问控制方法还包括:
[0015]根据对所述内存的每个访问端口的负载和延时的监测结果，相应调整内存的工作频率；
[0016]所述负载是指发出访问请求的总线主控单元在第三预定时间内经过所述访问端口的访问数据量，所述延时是指对经由所述访问端口访问所述内存的访问请求进行处理的等待时间。
[0017]可选的，所述根据对所述内存的每个访问端口的负载和延时的监测结果，相应调整内存的工作频率包括:
[0018]当任意一个访问端口的负载大于为该访问端口配置的第一上限阈值，或者任意一个访问端口的延时大于为该访问端口配置的第二上限阈值时，升高内存的工作频率；
[0019]当所有访问端口的负载均小于分别为各个访问端口配置的第一下限阈值，且所有访问端口的延时均未超出分别为各个访问端口配置的第二上限阈值时，降低内存的工作频率；
[0020]当所有访问端口的延时均小于分别为各个访问端口配置的第二下限阈值，且所有访问端口的负载均未超出分别为各个访问端口配置的第一上限阈值时，降低内存的工作频率。
[0021 ] 可选的，所述终端设备的内存访问控制方法还包括:根据各访问端口对应的访问需求，分别为每个访问端口配置相应的第一上限阈值、第一下限阈值、第二上限阈值和第二下限阈值。
[0022]可选的，所述对访问请求在各个访问通道上的分配进行监测，是在所述设定的内存访问模式支持在各个访问通道对应的访问区域实现访问请求的非交错式访问的条件下进行的。
[0023]为解决上述问题，本发明技术方案还提供一种终端设备的内存访问控制装置，所述内存至少包含两个访问通道，所述装置包括:
[0024]分配单元，适于在设定的内存访问模式下，对访问请求在各个访问通道上进行分配；
[0025]第一监测单元，适于对访问请求在各个访问通道上的分配进行监测；
[0026]省电单元，适于在所述第一监测单元检测出存在第一预定时间内未被分配访问请求的访问通道，使该访问通道进入第一省电模式；还适于在所述第一监测单元检测出存在第二预定时间内未被分配访问请求的访问通道，使该访问通道进入第二省电模式；所述第二预定时间大于所述第一预定时间，所述第二省电模式下的功耗低于所述第一省电模式下的功耗，从所述第一省电模式激活访问通道的速度快于所述第二省电模式。
[0027]与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下优点:
[0028]通过对双通道/多通道内存的各个访问通道的访问情况进行监测，并在监测到存在预定时间内未被分配访问请求的访问通道时，使该访问通道进入省电模式，同时根据所述预定时间的长短区分所进入省电模式的不同省电程度以及激活访问通道的速度，从而能在运行性能提升的基础上实现功耗控制的优化。
[0029]通过对各个访问通道的负载和延时的监测结果，相应调整内存的工作频率，以使内存的工作频率与访问通道的负载和延时情况相适应，不但能够及时满足各应用对于内存的访问需求，而且在总体上节省了功耗，从而在运行性能提升的基础上进一步优化功耗控制。
【附图说明】
[0030]图1是单通道内存技术的访问效率的示意图；
[0031]图2是双通道内存技术的访问效率的示意图；
[0032]图3是本发明实施例的双通道内存的结构示意图；
[0033]图4是本发明实施例的终端设备的内存访问控制方法的流程示意图；
[0034]图5是内存访问模式为高性能模式时的内存访问配置的示意图；
[0035]图6是内存访问模式为低功耗模式时的内存访问配置的示意图；
[0036]图7是内存访问模式为平衡模式时的内存访问配置的示意图。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例作详细的说明。
[0038]本实施例中，所述终端设备具体为移动通信终端设备，例如手机、具有通信模块的平板电脑等，在其他实施例中，所述终端设备也可以是掌上电脑、车载终端、台式电脑等。所述内存以现今较为常用的双倍速率同步动态随机存储器(DDR SDRAM, Double Date RateSynchronous Dynamic Random Access Memory),简称DDR内存为例进行说明，其他实施例中，所述内存也可以为其他支持双通道或多通道内存技术的存储器。
[0039]需要说明的是，在本实施例中以支持双通道内存访问技术的DDR为例说明，但本发明实施例提供的终端设备的内存访问控制方法不仅仅局限于双通道，可以是多通道(即包含两个以上的内存访问通道)。
[0040]本发明实施例的双通道内存的结构如图3所示，DDR控制器A、DDR PHY A以及A0、A1构成一个内存访问通道，DDR控制器B、DDR PHY B以及B0、B1构成另一个内存访问通道，通过DDR控制器之上的一层即互连逻辑层(