一种闪存单元模型的电压分配方法及装置的制造方法
【专利摘要】一种闪存单元模型的电压分配方法及装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括：一位线电极、一控制栅极及一浮栅，所述闪存单元模型包括：与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试电流，所述方法包括：根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例pcg计算得到第一电压值V31，其中0＜pcg≤1；根据输入至所述第一端口的电压值V1及所述第一电压值V31，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。采用上述方案可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
【专利说明】
一种闪存单元模型的电压分配方法及装置
技术领域
[0001]本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种闪存单元模型的电压分配方法及装置。
【背景技术】
[0002]闪存(flashmemory)作为一种集成电路存储器件，由于其具有电可擦写存储信息的功能，而且断电后存储的信息不会丢失，因而被广泛应用于如便携式电脑、手机、数码音乐播放器等电子产品中。
[0003]闪存中设置有用于存储数据的存储阵列，以及用于执行读、写操作的外围电路。其中，所述存储阵列中设置有若干按阵列排布的闪存单元。每个闪存单元可以包括:衬底，位于衬底上方的中间电极，以及至少一个存储结构。每一存储结构可以储存至少一位的数据。通常，每个存储结构可以包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅。每个闪存单元的控制栅极、中间电极及位线电极分别连接于控制栅线、字线和位线。通过所述控制栅线、字线和位线在闪存单元的各个电极上加载不同的驱动电压，实现对各的读、写以及擦除操作。
[0004]在实际应用中，按照闪存单元的各存储结构的读取值的不同，可以将所述闪存单元划分为多种逻辑状态。比如，当闪存单元仅包括一个存储结构时，按照所述闪存单元的读取值，将所述闪存单元划分为“I”及“O”两种逻辑状态。当闪存单元包括两个存储结构时，按照两个所述闪存单元的读取值，可以将所述闪存单元划分为“01”、“10”以及“11”三种逻辑状态。每个逻辑状态对应所述闪存单元的一电流变化区间。
[0005]在设计阶段，通常需要对各闪存外围电路的性能进行计算机仿真测试，而仿真测试过程中，需要先提取闪存单元处于不同的逻辑状态下各端电流变化的数学模型，一般所述数学模型包括3个串联的MOS管，以模拟闪存单元工作时候的输出电流随着各个极上加载的电压的变化，所述3个串联的MOS管中的其中两个MOS管中的一端电压与所述闪存单元的浮栅的电压相同。目前，计算所述浮栅上的分压时，与控制栅极上输入的电压成一比一的比例关系。
[0006]但是，采用上述分压方法，所得到的闪存单元模型的模拟结果精确度低。
【发明内容】
[0007]本发明解决的问题是如何提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
[0008]为解决上述问题，本发明实施例提供一种闪存单元模型的电压分配方法，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括:
[0009]根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg < I ；
[0010]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0011 ]可选地，所述根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括:
[0012]根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O < pwl<l ；
[0013]将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0014]可选地，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0015]可选地，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0016]可选地，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括:
[0017]根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3n，其中0<pcg < I ；
[0018]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’，按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。
[0019]可选地，所述方法还包括:
[0020]根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V312，其中0<pcg < I ；
[0021]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0022]本发明实施例提供了一种闪存单元模型的电压分配方法，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括:
[0023]根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，其中0<pcg<l。
[0024]可选地，所述方法还包括:
[0025]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0026]可选地，所述根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括:
[0027]根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O < pwl<l ；
[0028]将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0029]可选地，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0030]可选地，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0031]可选地，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括:
[0032]根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，其中0<pcg<l;
[0033]按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。
[0034]可选地，所述方法还包括:
[0035]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。
[0036]可选地，所述方法还包括:
[0037]根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3” ；
[0038]按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口，其中0<pcg<l。
[0039]可选地，所述方法还包括:
[0040]根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。
[0041]本发明实施例提供了一种闪存单元模型的电压分配装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述装置包括:第一计算单元，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg < I ；
[0042]第二计算单元，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3;
[0043]电压分配单元，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0044]可选地，所述第二计算单元，包括:
[0045]第一计算子单元，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O <pwl<l;
[0046]第二计算子单元，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0047]可选地，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0048]可选地，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0049]可选地，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述第一计算单元包括第三计算子单元，所述第三计算子单元适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3n，其中0<pcg < I ；
[0050]所述第二计算单元包括第四计算子单元，所述第四计算子单元适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3，；
[0051]所述电压分配单元包括第一电压分配子单元，所述第一电压分配子单元适于按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。
[0052]可选地，所述第一计算单元还包括第五计算子单元，所述第五计算子单元适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V312，其中0<pcg<1;
[0053]所述第二计算单元还包括第六计算子单元，所述第六计算子单元适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3” ；
[0054]所述电压分配单元还包括第二电压分配子单元，所述第二电压分配子单元适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0055]本发明实施例提供了一种闪存单元模型的电压分配装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述装置包括:
[0056]第三计算单元，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，将所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，其中0<pcgCl;
[0057]第二电压分配单元，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0058]可选地，所述装置还包括:第四计算单元，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0059]可选地，所述第四计算单元，包括:第七计算子单元及第八计算子单元，其中:
[0060]所述第七计算子单元，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O <pwl<l;
[0061]所述第八计算子单元，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0062]可选地，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0063]可选地，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0064]可选地，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述第三计算单元包括第九计算子单元，所述第九计算子单元适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’，其中O<pcg< I;
[0065]所述第二电压分配单元包括第三电压分配子单元，所述第三电压分配子单元适于按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。
[0066]可选地，所述第九计算子单元，还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3，。
[0067]可选地，所述第三计算单元还包括第十计算子单元，所述第十计算子单元适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，其中0<pcg<l;
[0068]所述第二电压分配单元包括第四电压分配子单元，所述第四电压分配子单元适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0069]可选地，所述第十计算子单元，还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3，，。
[0070]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0071]—方面，首先根据输入至第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg <1，进而根据输入至第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至第三端口的电压值V3，最后按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，由于考虑到控制栅极及中间电极上的电压对浮栅上的电压的影响，故可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
[0072]另一方面，根据输入至第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，按照所述电压值V3i分配电压至第三端口，其中0<pcg<l，由于考虑到控制栅极上的电压对浮栅上的电压的影响，故可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
【附图说明】
[0073]图1是现有技术中一种闪存单元的结构示意图；
[0074]图2是现有技术中一种闪存单元的电路结构示意图；
[0075]图3是采用现有技术中闪存单元模型的电压分配方法得到的一种模拟结果示意图；
[0076]图4是采用现有技术中闪存单元模型的电压分配方法得到的另一种模拟结果示意图；
[0077]图5是采用现有技术中闪存单元模型的电压分配方法得到的又一种模拟结果示意图；
[0078]图6是本发明实施例中一种闪存单元模型的电压分配方法的流程示意图；
[0079]图7是本发明实施例中另一种闪存单元模型的电压分配方法的流程示意图；
[0080]图8是一种采用本发明实施例中闪存单元模型的电压分配方法得到的模拟结果示意图；
[0081]图9是另一种采用本发明实施例中闪存单元模型的电压分配方法得到的模拟结果示意图；
[0082]图10是又一种采用本发明实施例中闪存单元模型的电压分配方法得到的模拟结果示意图；
[0083]图11是本发明实施例中一种闪存单元模型的电压分配装置的结构示意图；
[0084]图12是本发明实施例中另一种闪存单元模型的电压分配装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0085]下面以图1及图2所示的闪存单元为例，对现有的闪存单元模型的使用过程中，如何分配闪存单元模型的电压进行详细说明:
[0086]图1是现有的一种闪存单元MO的剖面结构示意图，所述闪存单元MO为双分离栅晶体管结构，包括两个对称分布的存储结构，每个存储结构存储一位数据。具体地，所述闪存单元MO包括:衬底100;位于所述衬底100上方的中间电极103;对称分布于所述中间电极103两侧的第一存储结构和第二存储结构。
[0087]其中，所述第一存储结构包括第一位线电极101、第一控制栅极104以及第一浮栅105;第二存储结构包括第二位线电极102、第二控制栅极106以及第二浮栅107。所述第一位线电极101和所述第二位线电极102位于所述衬底100内部，所述第一控制栅极104、所述第一浮栅105、所述第二控制栅极106以及所述第二浮栅107位于所述衬底100上方。
[0088]多个图1所示的闪存单元成阵列排布形成闪存阵列，每个闪存单元的控制栅极、中间电极和位线电极分别连接于控制栅线、字线和位线。通过所述控制栅线、字线和位线在闪存单元的各个电极上加载不同的驱动电压，实现对所述第一存储位和所述第二存储位的读、写以及擦除操作。
[0089]图2是所述闪存单元MO的电路图，所述闪存单元MO包括第一存储结构MOl和第二存储结构M02。结合图1和图2，所述闪存单元MO的第一位线电极1I连接第一位线BLl，所述闪存单元MO的第一控制栅极104连接第一控制栅线CGl，所述闪存单元MO的中间电极103连接字线WL，所述闪存单元MO的第二位线电极102连接第二位线BL2，所述闪存单元MO的第二控制栅极106连接第二控制栅线CG2。
[0090]按照闪存单元的各存储结构的读取值的不同，上述闪存单元包括四种逻辑状态，分别为“00”、“01”、“10”以及“11”。在设计阶段，通常需要对各闪存外围电路的性能进行计算机仿真测试，而仿真测试过程中，需要先提取闪存单元处于不同的逻辑状态下各端电流变化的数学模型，一般所述数学模型包括3个串联的MOS管，以模拟闪存单元工作时候的输出电流随着各个极上加载的电压的变化，所述3个串联的MOS管中的其中两个MOS管中的一端电压与所述闪存单元的浮栅的电压相同。目前，计算所述浮栅上的分压时，与控制栅极上输入的电压成一比一的比例关系。
[0091]然而，采用上述分压方法，所得到的闪存单元模型的模拟结果具体可以参考图3、图4及图5，其中，图3为模拟闪存单元的逻辑状态为11时的模拟结果，图4为模拟闪存单元的逻辑状态为10时的模拟结果，图5为模拟闪存单元的逻辑状态为01时的模拟结果。在图3、图4及图5中，横轴表示在字线即中间电极上所施加的电压，纵轴表示在第二位线BL2测试所得到的电流。此时施加至所述第一位线上的电压为0V，施加至所述第二位线上的电压为0.1V，施加至第二控制栅极的电压为4.5V。并且图3、图4及图5中的小方块构成的曲线为根据实际测试得到的结果值拟合得到，黑色实线为利用模型模拟后所得到的仿真曲线，具体而言，曲线31、曲线41及曲线51分别为在第一控制栅极上施加了OV电压时所得到的实际测试曲线；曲线32、曲线42及曲线52分别为在第一控制栅极上施加了-1V时所得到的实际测试曲线；曲线33、曲线43及曲线53分别为在第一控制栅极上施加了-2V电压时所得到的实际测试曲线。图3中的曲线31*为使用现有技术的方法所得到的与曲线31对应的仿真曲线，曲线32*为使用现有技术的方法所得到的与曲线32对应的仿真曲线，曲线33*为使用现有技术的方法所得到的与曲线33对应的仿真曲线;在图4中，与其横轴重合的曲线4*为使用现有技术的方法所得到的与曲线41、42及43所对应的仿真曲线;在图5中，与其横轴重合的曲线5*为使用现有技术的方法所得到的与曲线51、52及53所对应的仿真曲线。从图3、图4及图5中可以看到，采用现有技术的分压方法，所得到的闪存单元模型的模拟结果精确度低。
[0092]针对上述的闪存单元模型的模拟结果精确度低的问题，本发明实施例提供了闪存单元模型的电压分配方法，一方面，本发明实施例首先根据输入至第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg< I，进而根据输入至第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至第三端口的电压值V3，最后按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，由于考虑到控制栅极及中间电极上的电压对浮栅上的电压的影响，故可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
[0093]另一方面，本发明实施例根据输入至第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，按照所述电压值V3i分配电压至第三端口，其中0<pcg<l，由于考虑到控制栅极上的电压对浮栅上的电压的影响，故可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
[0094]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0095]本发明实施例提供了闪存单元模型的电压分配方法。在本发明的实施例中，所述闪存单元可以包括中间电极及至少一个存储结构，而每个存储结构可以包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅。
[0096]需要说明的是，当所述闪存单元仅包括一个存储结构时，各存储结构分别包含两个位线电极，当所述闪存单元包括两个以上存储结构时，各存储结构分别包含一个位线电极。每个存储结构可以仅存储一比特的数据，也可以存储两比特或两比特以上的数据。可以理解的是，所述存储结构是所述闪存单元中用于存储数据的单元模块，无论所述存储结构的具体结构如何，均不够成对本发明的限制，且均在本发明的保护范围之内
[0097]以所述闪存单元包括N个存储结构为例，在本发明一实施例中，所述闪存单元模型可以包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法可以如图6所示，可以包括如下步骤:
[0098]S61:根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3!，其中0<pcg< I。
[0099]由于输入至控制栅极的电压，会对位线电极的输出电流造成影响，故在具体实施中，可以根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3u
[0100]在本发明一实施例中，所述比例peg可以为I。
[0101]由于考虑到浮栅与控制栅极之间的耦合作用会造成能量的损耗，故在本发明另一实施例中，可以将所述比例PCg取为大于O小于I的数值。
[0102]S62:根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0103]在具体实施中，在根据比例peg计算得到第一电压值V3i之后，可以再结合考虑输入至所述第一端口的电压值Vl，进而计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，最后按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。这样一来，由于还考虑到浮栅与位线的耦合作用，故可以进一步提高模型模拟的精度。
[0104]在具体实施中，考虑了浮栅与位线和控制栅极的耦合作用后的分配电压计算方法可以如下:先根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32，其中，O < pwl < I;进而再将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0105]在具体实施中，所述比例pwl可以随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。所述比例peg也可以随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。比如对于逻辑状态11，所述比例peg= I，所述比例pwl = 0 ;又比如，对于逻辑状态OI，所述比例pcg = 0.6，所述比例pwl =
0.2。
[0106]下面以图1及图2所示的闪存单元为例，对本发明实施例中的方法进行举例说明:
[0107]从图1及图2中可以看到，所述闪存单元包括中间电极103和两个存储结构，相应地，与所述闪存单元所对应的的模型可以包括:与所述中间电极103对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极104对应的第一子端口及与所述第二控制栅极106对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅105对应的第三子端口及与所述第二浮栅107对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极101对应的第五子端口及与所述第二位线电极102对应的第六子端口。
[0108]如果通过所述第五子端口测试输出电流，所述方法可以包括:首先根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3n，其中0<pcg < I，进而根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，最后按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。
[0109]如果通过所述第六子端口测试输出电流，所述方法可以为根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V312，其中0<pcg<l，进而根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，最后按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0110]综上所述可知，本发明实施例首先根据输入至第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg< I，进而根据输入至第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至第三端口的电压值V3，最后按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，由于考虑到控制栅极及中间电极上的电压对浮栅上的电压的影响，故可以提高闪存单元模型的模拟结果精确度。
[0111]为使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明，以下还提供了本发明实施例中的另一种闪存单元模型的电压分配方法，如图7所示，所述方法可以包括:
[0112]S71:根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3!，其中 0<pcg<l。
[0113]由于考虑到控制栅极与浮栅之间的耦合作用会造成能量的消耗，故在本发明一实施例中，在按照比例peg计算输入至第二端口的电压对第三端口电压的影响时，比例peg可以选取为大于O小于I的数。
[0114]S72:将所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0115]为了避免浮栅与字线的耦合作用造成模型模拟精度的降低，在具体实施中，还可以根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0116]在本发明一实施例中，所述根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，具体地可以包括:根据输入至所述第一端口的电压Vl，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O < pwl< I，然后将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0117]在具体实施中，所述比例pwl可以随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0118]在具体实施中，所述比例peg可以随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0119]在具体实施中，对于包括中间电极及两个所述存储结构的闪存单元，与之对应的模型可以包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口。
[0120]如果通过第五子端口测试输出电流，电压的分配方法可以包括:根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，其中0<pcg<l;然后按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。
[0121]为了降低第一浮栅与第一控制栅极之间的耦合作用对模拟精度的影响，还可以包括:根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。
[0122]如果通过第六子端口测试输出电流，电压的分配方法可以包括:根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3” ；按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口，其中O<pcg<l ο
[0123]为了降低第二浮栅与第二控制栅极之间的耦合作用对模拟精度的影响，所述方法还可以包括:根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。
[0124]需要说明的是，本发明实施例中的闪存单元模型的电压分配方法，在具体实施时，并不限于图1及图2中示出闪存单元，还可以应用与其他结构的闪存单元中。具体无论所述闪存单元的结构如何，均不够成对本发明的限制，且均在本发明的保护范围之内。
[0125]综上所述可知，采用本发明实施例中的模型电压分压方法，所得到的闪存单元模型的模拟结果具体可以参考图8、图9及图10，其中，图8为模拟闪存单元的逻辑状态为11时的模拟结果，图9为模拟闪存单元的逻辑状态为10时的模拟结果，图10为模拟闪存单元的逻辑状态为01时的模拟结果。在图8、图9及图10中，横轴表示在字线即中间电极上所施加的电压，纵轴表示在第二位线BL2测试所得到的电流。此时施加至所述第一位线上的电压为0V，施加至所述第二位线上的电压为0.1V，施加至第二控制栅极的电压为4.5V。并且曲线81、曲线91及曲线101分别为在第一控制栅极上施加了OV电压时所得到的实际测试曲线；曲线82、曲线92及曲线102分别为在第一控制栅极上施加了-1V时所得到的实际测试曲线；曲线83、曲线93及曲线103分别为在第一控制栅极上施加了-2V电压时所得到的实际测试曲线。
[0126]并且图8、图9及图10中的小方块构成的曲线为根据实际测试得到的结果值拟合得至IJ，黑色实线为利用模型模拟后所得到的仿真曲线，具体而言，图8中的曲线81*为使用本发明的方法所得到的与曲线81对应的仿真曲线，曲线82*为使用本发明的方法所得到的与曲线82对应的仿真曲线，曲线83*为使用本发明的方法所得到的与曲线83对应的仿真曲线。图9中的曲线91*为使用本发明的方法所得到的与曲线91对应的仿真曲线，曲线92*为使用本发明的方法所得到的与曲线92对应的仿真曲线，曲线93*为使用本发明的方法所得到的与曲线93对应的仿真曲线。图10中的曲线101*为使用本发明的方法所得到的与曲线101对应的仿真曲线，曲线102*为使用本发明的方法所得到的与曲线102对应的仿真曲线，曲线103*为使用本发明的方法所得到的与曲线103对应的仿真曲线。
[0127]结合图8、图9及图10可以看到，采用本发明实施例中的分压方法，所得到的闪存单元模型的模拟结果精确度高。
[0128]为使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明，以下提供了可以实现上述闪存单元模型的电压分配方法的装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，
[0129]如图11所示，所述装置可以包括:第一计算单元1、第二计算单元2及电压分配单元3，其中:
[0130]所述第一计算单元I，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<pcg < I;
[0131]所述第二计算单元2，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3;
[0132]所述电压分配单元3，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0133]在具体实施中，所述第二计算单元2，可以包括:
[0134]第一计算子单元21，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，0<pwl<l;
[0135]第二计算子单元22，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0136]在具体实施中，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0137]在具体实施中，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0138]在具体实施中，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅。
[0139]相应地，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流。
[0140]所述第一计算单元I，包括第三计算子单元11，适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3n，其中0<pcg < I ；
[0141]所述第二计算单元2，包括第四计算子单元23，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’ ；
[0142]所述电压分配单元3，包括第一电压分配子单元31，适于按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。
[0143]在具体实施中，所述第一计算单元I，还包括第五计算子单元12，适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V312，其中0<pcg < I;
[0144]所述第二计算单元2，还包括第六计算子单元24，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3”；
[0145]所述电压分配单元3，还包括第二电压分配子单元32，适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0146]为使得本领域技术人员更好地理解和实现本发明，以下还提供本发明实施例中的另一种闪存单元模型的电压分配装置，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，如图12所示，所述装置可以包括:第三计算单元3及第二电压分配单元4，其中:
[0147]所述第三计算单元3，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，将所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，其中0<pcg<l ；
[0148]所述第二电压分配单元4，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。
[0149]在具体实施中，所述装置还可以包括:第四计算单元5，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0150]在具体实施中，所述第四计算单元5，可以包括:第七计算子单元51及第八计算子单元52，其中:
[0151]所述第七计算子单元51，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O <pwl<l;
[0152]所述第八计算子单元52，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。
[0153]在具体实施中，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0154]在具体实施中，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。
[0155]在具体实施中，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅。
[0156]所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述第三计算单元3包括第九计算子单元31，第九计算子单元31适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’，其中O<pcg< I;
[0157]所述第二电压分配单元4包括第三电压分配子单元41，第三电压分配子单元41适于按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。
[0158]在具体实施中，所述第九计算子单元31，还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。
[0159]在具体实施中，所述第三计算单元3还可以包括第十计算子单元32，第十计算子单元32适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，其中0<pcg<l;
[0160]所述第二电压分配单元4包括第四电压分配子单元42，所述第四电压分配子单元42适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。
[0161 ]在具体实施中，所述第十计算子单元32，还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。
[0162]本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于以计算机可读存储介质中，存储介质可以包括:R0M、RAM、磁盘或光盘等。
[0163]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括: 根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，其中0<peg < I ； 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。2.根据权利要求1所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括: 根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，OSpwl<l ； 将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。3.根据权利要求2所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。4.根据权利要求1-3任一项所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。5.根据权利要求1所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括: 根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3n，其中0<pcg < I ； 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’，按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。6.根据权利要求5所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括: 根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V312，其中0<pcg < I ； 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。7.—种闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括: 根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，将所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口，其中0<pcg<l。8.根据权利要求7所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括: 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。9.根据权利要求8所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3，包括: 根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，OSpwl<l ； 将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。10.根据权利要求9所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。11.根据权利要求7-10任一项所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。12.根据权利要求7所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述方法包括: 根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3’，其中0<pcg<l; 按照所述电压值V3 ’分配电压至所述第三子端口。13.根据权利要求12所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括: 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。14.根据权利要求13所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括: 根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值V312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3” ； 按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口，其中0<pcg< I。15.根据权利要求14所述的闪存单元模型的电压分配方法，其特征在于，还包括: 根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。16.—种闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述装置包括: 第一计算单元，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3!，其中0<pcg< I; 第二计算单元，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算得到实际分配至所述第三端口的电压值V3; 电压分配单元，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。17.根据权利要求16所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第二计算单元，包括: 第一计算子单元，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例PWl计算得到第二电压值V32;其中，O <pwl<l; 第二计算子单元，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。18.根据权利要求16所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。19.根据权利要求16-18任一项所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。20.根据权利要求16所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述第一计算单元包括第三计算子单元，所述第三计算子单元适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照所述比例peg计算得到电压值V3ii，其中0<pcg < I； 所述第二计算单元包括第四计算子单元，所述第四计算子单元适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算得到实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’ ； 所述电压分配单元包括第一电压分配子单元，所述第一电压分配子单元适于按照所述电压值V3，分配电压至所述第三子端口。21.根据权利要求20所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第一计算单元还包括第五计算子单元，所述第五计算子单元适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照所述比例peg计算得到电压值V3i2，其中0<pcg < I ； 所述第二计算单元还包括第六计算子单元，所述第六计算子单元适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算得到实际分配至所述第四子端口的电压值V3” ； 所述电压分配单元，还包括第二电压分配子单元，适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。22.—种闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及至少一存储结构，所述存储结构包括:一位线电极、一控制栅极以及一浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与所述控制栅极对应的第二端口、与所述浮栅对应的第三端口及与所述位线电极对应的第四端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述装置包括: 第三计算单元，适于根据输入至所述第二端口的电压值V2，按照比例peg计算得到第一电压值V3i，将所述第一电压值V3i作为实际分配至所述第三端口的电压值V3，其中0<pcg<I; 第二电压分配单元，适于按照所述电压值V3分配电压至所述第三端口。23.根据权利要求22所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，还包括:第四计算单元，适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述第一电压值V3i，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。24.根据权利要求23所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第四计算单元，包括:第七计算子单元及第八计算子单元，其中: 所述第七计算子单元，适于根据输入至所述第一端口的电压VI，按照比例pwl计算得到第二电压值V32;其中，O <pwl<l; 所述第八计算子单元，适于将所述第二电压值V32与所述第一电压值V3i之和，作为所述实际分配至所述第三端口的电压值V3。25.根据权利要求24所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述比例pwl随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。26.根据权利要求22-25任一项所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述比例peg随着所述闪存单元的逻辑状态不同而不同。27.根据权利要求22所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述闪存单元包括中间电极及两个所述存储结构，分别为第一存储结构及第二存储结构，所述第一存储结构包括:第一位线电极、第一控制栅极、第一浮栅，所述第二存储结构包括:第二位线电极、第二控制栅极及第二浮栅，所述闪存单元模型包括:与所述中间电极对应的第一端口、与控制栅极对应的第二端口、与浮栅对应的第三端口及与位线电极对应的第四端口，其中:所述第二端口包括与所述第一控制栅极对应的第一子端口及与所述第二控制栅极对应的第二子端口，所述第三端口包括与所述第一浮栅对应的第三子端口及与所述第二浮栅对应的第四子端口，所述第四端口包括与所述第一位线电极对应的第五子端口及与所述第二位线电极对应的第六子端口，通过所述第四端口测试输出电流，所述第三计算单元，包括第九计算子单元，适于根据输入至所述第一子端口的电压值V2i，按照比例peg计算得到电压值V3n，将所述电压值V3n作为实际分配至所述第三子端口的电压值V3 ’，其中O<pcg< I; 所述第二电压分配单元，包括第三电压分配子单元，适于按照所述电压值V3’分配电压至所述第三子端口。28.根据权利要求27所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第九计算子单元还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V3n，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第三子端口的电压值V3’。29.根据权利要求27所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第三计算单元还包括第十计算子单元，所述第十计算子单元适于根据输入至所述第二子端口的电压值V22，按照比例peg计算得到电压值V312，将所述电压值￥312作为实际分配至所述第四子端口的电压值V3”，其中0<pcg<l; 所述第二电压分配单元包括第四电压分配子单元，所述第四电压分配子单元适于按照所述电压值V3”分配电压至所述第四子端口。30.根据权利要求29所述的闪存单元模型的电压分配装置，其特征在于，所述第十计算子单元，还适于根据输入至所述第一端口的电压值Vl及所述电压值V312，计算并将得到的计算结果作为所述实际分配至所述第四子端口的电压值V3”。
【文档编号】G11C16/30GK105844008SQ201610165004
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月22日
【发明人】廖梦星, 高超
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司