高灵敏度水浸传感器及放大电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了高灵敏度水浸传感器及放大电路，包括金属水浸探测端两个，一正一负，第一瞬态抑制二极管，第一电阻，第一三极管，第二电阻。其中，水浸探测端采用金属材质，在两个金属水浸探测端之间有水存在时，由于两个金属水浸探测端之间存在电压，水被电离，使得两个金属水浸探测端导通，电流通过第一电阻和第一三极管的基极，进而使得第一三极管发射极端与集电极端导通，第一三极管发射极端的电压由低电平变为高电平，这个变化即为有水浸湿两个金属水浸探测端，本电路集合了传感器和放大器的功能，能够高灵敏度的感知水浸的信息，单片机对水浸信号进行处理。本发明设计简单，成本低廉，实现简单，灵敏度高。
【专利说明】高灵敏度水浸传感器及放大电路
【技术领域】
[0001]本发明属于电子信息领域，特别涉及高灵敏度水浸传感器及放大电路。
【背景技术】
[0002]在日常生活中，经常会遇到家中的自来水跑水了，或者北方的暖气跑水了，或者下水道堵了往自己家里反脏水的情况，会给自家或者楼下的邻居带来不小的经济损失，给家庭生活带来不便，目前市场上的水浸报警器价格较高，电路复杂，实用性不好，不易维护，灵敏度低。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种高灵敏度水浸传感器及放大电路。
[0004]本发明主要通过以下技术方案实现，包括金属水浸探测端两个，一正一负，第一瞬态抑制二极管，第一电阻，第一三极管，第二电阻，该放大电路输出给单片机处理电路，对水浸信号进行处理。
[0005]本发明的水浸探测端采用金属材质，在两个金属水浸探测端之间有水存在时，由于两个金属水浸探测端之间存在电压，水被电离，使得两个金属水浸探测端导通，电流通过第一电阻和第一三极管的基极，进而使得第一三极管发射极端与集电极端导通，第一三极管发射极端的电压由低电平变为高电平，这个变化即为有水浸湿两个金属水浸探测端，本电路集合了传感器和放大器的功能，能够高灵敏度的感知水浸的信息，并能够把水浸的高阻态的信号转换为单片机能够处理的TTL电平。
[0006]水浸探测端，有两个，一正一负，其中正金属水浸探测端连接第一电阻，负金属水浸探测端接地，水浸探测端用于接触水面，起到传感器作用。
[0007]第一电阻，一端连接正金属水浸探测端，另一端连接第一三极管基极，用于水浸传感器灵敏度调节。
[0008]第一三极管,该三极管为PNP结构，工作在开关状态,第一三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地，发射极与集电极之间的通断状态对应金属水浸探测端是否被水浸湿。
[0009]第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接第一三极管的发射极用于限制三极管导通后发射极的电流。
[0010]第一瞬态抑制二极管，一端与第一电阻和正金属水浸探测端连接，另一端接地，用于抑制金属水浸探测端进入到电路中的静电。
[0011]本发明与现有技术相比，采用常见的电子元器件，组成简单的电路实现水浸报警功能，整个电路由两个电阻，一个瞬态抑制二极管，一个三极管组成，成本低廉，能够在市场上大批量使用，日常维护简单，方便人们的生活，减少不必要的损失。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本发明的电路图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图1对本发明做进一步的详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0014]如图1所示，高灵敏度水浸传感器及放大电路，包括金属水浸探测端有两个，一正一负，第一瞬态抑制二极管，第一电阻，第一三极管，第二电阻，该放大电路输出给单片机处理电路，对水浸信号进行处理。
[0015]本发明的水浸探测端采用金属材质，在两个金属水浸探测端之间有水存在时，由于两个金属水浸探测端之间存在电压，水被电离，使得两个金属水浸探测端导通，电流通过第一电阻Rl和第一三极管Ql的基极，进而使得第一三极管Ql发射极端与集电极端导通，导通后的电流有R2控制，第一三极管发射极端的电压由低电平变为高电平，这个变化即为有水浸湿两个金属水浸探测端，本电路集合了传感器和放大器的功能，能够高灵敏度的感知水浸的信息，并能够把水浸的高阻态的信号转换为单片机能够处理的TTL电平。
[0016]以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明作的进一步详细说明，不能认定本发明的【具体实施方式】只局限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明的技术方案下得出的其他实施方式，均应包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:包括金属水浸探测端两个，一正一负，第一瞬态抑制二极管Dl,第一电阻,第一三极管，第二电阻，该放大电路输出给单片机处理电路，对水浸信号进行处理。
2.根据权利要求1所述高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:包括金属水浸探测端两个，一正一负，其中正金属水浸探测端连接第一电阻，负金属水浸探测端接地，水浸探测端用于接触水面，起到传感器作用。
3.根据权利要求1所述高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:第一电阻，一端连接正金属水浸探测端，另一端连接三极管Ql基极，用于水浸传感器灵敏度调节。
4.根据权利要求1所述高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:第一三极管，该三极管为PNP结构，工作在开关状态，第一三极管基极连接第一电阻用于水浸传感器接入，发射极连接第二电阻，集电极接地，发射极与集电极之间的通断状态对应金属水浸探测端是否被水浸湿。
5.根据权利要求1所述高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:第二电阻，一端连接5V电源，另一端连接第一三极管的发射极用于限制三极管导通后发射极的电流。
6.根据权利要求1所述高灵敏度水浸传感器及放大电路，其特征在于:第一瞬态抑制二极管，一端与第一电阻和正金属水浸探测端连接，另一端接地，用于抑制金属水浸探测端进入到电路中的静电。
【文档编号】G08B21/20GK104282121SQ201410583332
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】曲井致, 徐人恒, 依溥治, 孙宇, 郭龙弟, 张秋月 申请人:哈尔滨电工仪表研究所