专利名称：记录和/或再现临时缺陷列表的方法、记录和/或再现设备、以及一次写入记录介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种一次写入记录介质，更具体地讲，涉及一种将临时缺陷列表记录在一次写入记录介质上的方法、一种再现临时缺陷列表的方法、一种用于记录和/或再现临时缺陷列表的设备、和一次写入记录介质。
背景技术：
缺陷管理涉及当已经被记录在记录介质的产生缺陷的位置上的数据不能被正常再现时将该数据记录在该记录介质的另一位置上，从而防止由缺陷的产生引起的数据损失。
传统地，缺陷管理被分为使用线性替换方法的缺陷管理和使用滑移替换方法的缺陷管理。线性替换方法是用没有产生缺陷的数据区的备用区来替换产生缺陷的数据区。滑移替换方法不使用产生缺陷的数据区，并且滑移到并使用没有产生缺陷的下一数据区。
线性替换和滑移替换方法已经主要被应用于如DVD-RAM/RW(数字多用途盘-随机存取存储器/可重写)的盘，在其上数据可被重新记录并且允许通过随机存取来记录。
近来，几种解决方法已经被考虑以在一次写入记录介质中使用数据记录和/或再现设备执行缺陷管理，在该记录介质中一旦数据被写入则该数据不能被消除或擦除。
现在将对使用线性替换的一次写入记录介质的缺陷管理进行详细描述。从主机接收用户数据记录命令和用户数据的数据记录和/或再现设备以簇为单位记录用户数据，簇是数据记录单位。在数据记录和/或再现设备执行写入后检验(verify-after-write)操作之后，如果缺陷在记录用户数据的用户数据区的簇中产生，则数据记录和/或再现设备将用户数据记录在包括于数据区中的备用区中。
在当数据正被记录的预定时间间隔期间，或者在单一数据记录完成之后，数据记录和/或再现设备创建包含产生缺陷的用户数据区的簇的位置信息和记录在缺陷簇中的用户数据被重写在其上的备用区的替换簇的位置信息的临时缺陷列表(以下称为TDFL)。然后，数据记录和/或再现设备将创建的TDFL记录在临时盘管理区(以下称为TDMA)中。另外，在数据记录和/或再现设备将创建的TDFL记录在TDMA中之后，其记录指示记录TDFL的位置的指针信息。
当一次写入记录介质被重新装入记录和/或再现设备时，数据记录和/或再现设备从一次写入记录介质中读出TDFL，并且将读取的TDFL存储在存储器中。当另外的数据被记录在一次写入记录介质中时，如果产生新的缺陷簇，则数据记录和/或再现设备将记录在缺陷簇中的数据重写入备用区的替换簇中。其后，除存储在存储器中的TDFL之外，数据记录和/或再现设备创建包含新产生的缺陷簇的位置信息和相应于新产生的缺陷簇的替换簇的位置信息的更新的TDFL，记录更新的TDMA，并且记录指示记录更新的TDFL的位置的指针信息。
当为了再现用户数据，一次写入记录介质被装入数据记录和/或再现设备时，数据记录和/或再现设备首先访问TDMA，获得指示记录更新的TDFL的位置的指针信息，并且获得更新的TDFL。数据记录和/或再现设备能够随后通过参照更新的TDFL无错误地再现用户数据。
如上所述，由于TDFL是用于用户数据再现的关键信息，所以TDFL应被高可靠性地记录。因此，在记录TDFL期间，写入后检验操作以与用户数据的记录期间相同的方式来被执行。因此，如果缺陷簇被产生，则记录在缺陷簇中的数据被重写入TDMA的另一簇中。
根据现有技术，如果TDFL的大小相应于至少两个簇并且TDFL被记录在至少两个簇中，则写入后检验操作被执行，并且如果缺陷簇被产生，则TDFL被重写入其他簇中。然而，TDMA小于数据区，并且可被存储在TDMA中的数据量不大。因此，当根据现有技术对TDFL执行缺陷管理时，TDMA被快速用尽。
发明内容
技术解决方案本发明一方面在于提供一种用于以高可靠性和为记录TDFL分配的区域的改进利用将TDFL记录在一次写入记录介质中的方法和设备。
本发明一方面在于提供一种用于再现以高可靠性和为记录TDFL分配的区域的改进利用记录在一次写入记录介质上的TDFL的方法和设备。
本发明一方面在于提供一种以高可靠性和为记录TDFL分配的区域的改进利用存储TDFL的一次写入记录介质。
有益效果根据本发明，可更有效地使用一次写入记录介质的区域并且更可靠地记录和再现TDFL。具体地讲，写入后检验处理在记录TDFL期间被执行，并且如果产生缺陷簇，则TDFL被重写入另一簇中。因此，TDFL可被高可靠性地记录。这里，当缺陷在记录TDFL期间被产生时，记录在缺陷簇中的数据被重写入替换簇，而不是重新记录整个TDFL，指示TDFL被正常记录在其中的簇的位置的指针信息被包括在TDDS中，并且TDSS被记录在TDMA中。因此，TDMA的空间不会被快速用尽。
图1示出根据本发明实施例的一次写入记录介质的结构；图2是根据本发明实施例的数据记录和/或再现设备的方框图；图3是示出根据本发明实施例的记录TDFL的方法的流程图；图4是用于详细解释根据写入后检验处理创建TDFL的示图；图5示出示例性的TDFL；图6是用于解释根据本发明实施例的TDFL记录后检验处理的示图；图7是用于解释根据本发明实施例的TDFL记录后检验处理的示图；图8示出根据本发明实施例的指示TDFL的位置的示例性指针信息；和图9是示出根据本发明实施例的再现TDFL的方法的流程图。
最佳实施方式根据本发明一方面，提供一种将用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质中的方法，该方法包括将当数据被记录在一次写入记录介质上时被创建的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中，并且检验在该至少一簇中是否产生缺陷；将记录在缺陷簇中的数据记录在另一簇中，并且将指示在其中记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
将在接下来的描述中部分阐述本发明另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本发明的实施而得知。
根据本发明一方面，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息被包括在临时盘定义结构中。临时缺陷列表和临时盘定义结构可被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
根据本发明另一方面，提供一种用于记录和/或再现数据的设备，该设备包括记录/读取单元，用于将数据记录在一次写入记录介质上或从一次写入记录介质读取数据；和控制单元，用于控制记录/读取单元将当数据被记录在一次写入记录介质上时被创建的用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中。控制单元还检验在该至少一簇中是否产生缺陷，控制记录/读取单元将记录在缺陷簇中的数据记录在另一簇中，并且控制记录/读取单元将指示在其中记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
根据本发明一方面，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息被包括在临时盘定义结构中。
根据本发明一方面，临时缺陷列表和临时盘定义结构被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
根据本发明另一方面，提供一种读取记录在一次写入记录介质上的用于缺陷管理的临时缺陷列表的方法，该方法包括从一次写入记录介质获得指示记录临时缺陷列表的位置的指针信息；和根据指针信息访问记录临时缺陷列表的至少一簇并且读取临时缺陷列表。
根据本发明一方面，指针信息指示记录临时缺陷列表的至少一簇的位置。
根据本发明一方面，指针信息指示该至少一簇中的每个的位置。
根据本发明一方面，在记录临时缺陷列表期间，如果缺陷在至少一簇中被产生并且数据被记录在另一簇中，则指针信息可包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
根据本发明一方面，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息被包括在临时盘定义结构中。临时缺陷列表和临时盘定义结构可被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
根据本发明另一方面，提供了一种用于再现数据的设备，该设备包括读取单元，用于读取记录在一次写入记录介质上的数据；和控制单元；用于控制读取单元从一次记录介质读取指示记录用于缺陷管理的临时缺陷列表的位置的指针信息，根据指针信息访问记录临时缺陷列表的至少一簇，并且读取临时缺陷列表。
根据本发明一方面，指针信息指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置。指针信息可指示该至少一簇中的每个的位置。
根据本发明一方面，在记录临时缺陷列表期间，如果缺陷在至少一簇中被产生并且数据被记录在另一簇中，则指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
根据本发明一方面，临时缺陷列表可包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
根据本发明一方面，指针信息被包括在临时盘定义结构中。临时缺陷列表和临时盘定义结构可被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
根据本发明另一方面，提供了一种一次写入记录介质，包括至少一个用户数据区，用于记录用户数据；至少一个备用区，当缺陷在用户数据区中被产生时用于替换；和至少一个临时盘管理区，用于记录用于缺陷管理的临时缺陷列表和指示在其中记录临时缺陷列表的至少一簇的位置的指针信息。
根据本发明一方面，临时缺陷列表包括产生缺陷的用户数据区的缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的备用区的替换簇的位置信息。
根据本发明一方面，当临时缺陷列表被记录在临时盘管理区的至少一簇中时，如果缺陷在该至少一簇中被产生并且数据被记录在另一簇中，则指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。指针信息可被包括在临时盘定义结构中。
本发明的实施方式现在将详细描述本发明的实施例，其示例在附图中表示，其中，相同的标号始终表示相同的部件。以下通过参考附图描述实施例以解释本发明。
图1示出根据本发明实施例的一次写入记录介质100的结构。图1中显示的一次写入记录介质100具有包括导入区、数据区、和导出区的单记录层。
在导入区中，设置了盘管理区1(DMA1)，盘管理区2(DMA2)、主临时盘管理区(TDMA)、写入条件测试区、和驱动器信息区。在数据区中，设置了用于替换在用户数据区中产生的缺陷簇的备用区1和备用区2、次TDMA、和用户数据区。在导出区中，设置了盘管理区3(DMA3)和盘管理区4(DMA4)。
TDFL和临时盘定义结构(以下称为TDDS)被记录在主TDMA和次TDMA中。TDDS包括写条件测试区的可记录位置信息、写保护信息、和分配给数据区的备用区1和2的位置和/或大小信息。具体地讲，在本实施例的一方面中，TDDS包括指示TDFL的位置的指针信息。TDDS和指示TDFL的位置的指针信息稍后将被详细描述。
TDFL和TDDS首先被记录在主TDMA中。在主TDMA被完全耗尽之后，TDFL和TDDS被记录在次TDMA中。根据用户命令或来自数据记录和/或再现设备的命令，包括在数据区中的次TDMA可或不可被分配，以便使用户或数据记录和/或再现设备的生产者能够更有效地使用一次写入记录介质。
当一次写入记录介质100被装入如图2所示数据记录和/或再现设备中时，数据记录和/或再现设备执行初始化以使用一次写入记录介质100。换句话说，数据记录和/或再现设备读取记录在导入区和/或导出区中的信息，并且确定如何管理一次写入记录介质100以及如何将数据记录在一次写入记录介质100上或如何从一次写入记录介质100再现数据。当记录在导入区和/或导出区中的数据量增加时，在一次写入记录介质100被装入之后数据记录和/或再现设备准备记录或再现处理所需的时间也增加。为了解决这个和/或其他问题，TDDS和TDFL的概念被引入。
换句话说，在一次写入记录介质100被最终确定之前，TDFL和TDDS被更新并且被记录在TDMA中。在一次写入记录介质100被最终确定之后，有意义的更新的TDFL和TDDS作为缺陷列表(DFL)和缺陷定义结构(DDS)被记录在DMA1至4之一中。另外，通过将有意义的更新的TDFL和TDDS记录在DMA1至4中，一次写入记录介质100可在用于再现可重写介质100的设备中被再现。
图2是根据本发明实施例的数据记录和/或再现设备的方框图。参照图2，数据记录和/或再现设备包括记录/读取单元1、控制单元2、和存储器3。一次写入记录介质100具有与具有图1中显示的单记录层的一次写入记录介质相同的结构。
根据控制单元2的控制，记录/读取单元1将数据记录在一次写入记录介质100上和/或从一次记录介质100上再现数据。在数据记录期间，为了检验记录的数据，记录的数据被读出。
控制单元2控制数据记录和/或再现设备的全部操作。另外，当数据被记录在一次写入记录介质100上和/或从一次写入记录介质100上被再现时，控制单元2创建更新的TDFL，将更新的TDFL记录在一次写入记录介质100上，并且将包含指示更新的TDFL的位置的指针信息的TDDS记录在TDMA中，从而执行缺陷管理。当不要求时，应该理解控制单元2可以是通用或专用计算机。
当一次写入记录介质100被初始化以用于使用时，从一次写入记录介质100读出的更新的TDFL和TDDS被存储在存储器3中。其后，如果新的用户数据被记录，则缺陷管理被再次执行，控制单元2在存储在存储器3中的TDFL中创建包括新的缺陷簇的位置信息和与新的缺陷簇相应的替换簇的位置信息的新的更新的TDFL，将更新的TDFL记录在TDMA中，并且将指示记录更新的TDFL的位置的指针信息记录在TDMA中。
现在将参照图3来描述一种根据本发明实施例将TDFL记录在一次写入记录介质100上的方法，该方法通过图2中所示的数据记录和/或再现设备来执行。
图3是示出一种根据本发明实施例的记录TDFL的方法的流程图。
尽管没有显示在图3中，但是当一次写入记录介质100被装入数据记录和/或再现设备中时，初始化被执行以使用一次写入记录介质100。换句话说，控制单元2从一次写入记录介质100中读取更新的TDFL和TDDS，并且将读取的TDFL和TDDS存储在存储器3中。
其后，如果用户数据和用户数据记录命令从主机(未显示)被输入到一次写入记录介质100，则控制单元2以预定的单位将用户数据记录在一次写入记录介质100上，并且执行写入后检验操作以检验记录的数据。
在当数据正被记录的预定时间间隔期间，或者在完成单一数据记录之后，数据记录和/或再现设备创建包含新的缺陷簇的位置信息和与新的缺陷簇相应的替换簇的位置信息的新的更新的TDFL，将更新的TDFL记录在TDMA中，并且将包括指示记录更新的TDFL的位置的指针信息的TDDS记录在TDMA中。
图4是用于详细解释根据写入后检验处理创建TDFL的示图。这里，数据以扇区或簇为单位被处理。扇区是可由计算机的文件系统或应用程序管理的数据的最小单位。簇是可被一次物理地记录在盘上的数据的最小单位。通常，至少一个扇区组成一个簇。
扇区被再分为物理扇区和逻辑扇区。物理扇区是在其中记录与扇区相应的数据的盘的空间。用于找到物理扇区的地址被称为物理扇区号(PSN)。逻辑扇区是用于管理文件系统或应用程序中的数据的扇区单元。同样，逻辑扇区号(LSN)被分配给逻辑扇区。
数据记录和/或再现设备使用PSN来找到将被记录在一次写入记录介质100或在一次写入记录介质100上被再现的数据的位置，在用于记录或再现数据的计算机或应用程序中以逻辑扇区为单位来管理所有的数据，并且使用LSN来找到数据的位置。LSN和PSN之间的关系根据缺陷产生和记录数据起始的位置通过控制单元2来映射。
参照图4，A表示用户数据区，B表示备用区。在用户数据区A和备用区B中，存在PSN被顺序分配给其的多个物理扇区(未显示)。LSN被分配到至少一个物理扇区单元。然而，除产生缺陷的用户数据区A的缺陷区之外，LSN被分配给备用区B的替换区。其结果是，尽管物理扇区和逻辑扇区大小相同，但是如果缺陷区被产生，则PSN和LSN变得不同。
用户数据根据连续记录模式或随机记录模式被记录在用户数据区A中。在连续记录模式下，用户数据被顺序并连续地记录。在随机记录模式下，用户数据没必要被连续地记录，而是被随机记录。①至⑦指示在其中写入后检验操作被执行的单元区。
数据记录和/或再现设备将用户数据记录在单元区①中，数据记录和/或再现设备返回到单元区①的起始并且检验用户数据是否被正常记录或缺陷是否被产生。如果在其中产生缺陷的簇被找到，则该簇被识别为缺陷簇并且被指定为缺陷区，即缺陷#1，如图4所示。
另外，数据记录和/或再现设备将记录在缺陷#1中的用户数据重写入备用区B。在其中用户数据被重写的备用区B的一部分被指定为替换#1。接着，在将用户数据记录在单元区②中之后，则数据记录和/或再现设备返回到单元区②的起始并且检验用户数据是否被正常记录或者缺陷是否被产生。如果在其中缺陷被产生的至少一簇被找到，则该至少一簇被指定为缺陷②。以与上述同样的方式，与缺陷#2相应的替换#2被指定。另外，在单元区③中，缺陷区，即缺陷#3和与缺陷#3相应的替换#3被指定。在单元区④中，没有缺陷被找到并且不存在缺陷区。
在记录和检验被完成一直到单元区④之后，如果期望终止记录操作#1(例如，如果用户按下弹出按钮或者分配给记录操作#1的用户数据的记录被完成)，则数据记录和/或再现设备在存储于存储器3中的先前TDFL中创建TDFL#1，在TDFL#1中在单元区①至④中产生的缺陷#1至#3的位置信息和与缺陷#1至#3相应的替换#1至#3的位置信息被更新。
当一次写入记录介质100被再次装入数据记录和/或再现设备时，控制单元2从一次写入记录介质100读取先前记录的TDFL#1，并且将读取的TDFL#1存储在存储器3中。其后，一旦记录操作#2开始，以与记录操作#1中相同的方式，数据被记录并且缺陷管理被执行。
换句话说，在记录操作#2中，记录用户数据之后的检验从单元区⑤至⑦被执行，因此，缺陷#4和#5和相应的替换#4和#5被指定。在记录操作#2被终止之后，数据记录和/或再现设备在存储于存储器3中的先前TDFL#1中创建TDFL#2，在TDFL#2中缺陷#4和#5的位置信息和替换#4和#5的位置信息被更新。
图5示出示例性的TDFL。参照图5，一次写入记录介质100上的所有缺陷簇的位置信息被包括在TDFL的第一列中，并且与缺陷簇相应的替换簇的位置信息被包括在TDFL的第二列中。在本实施例的一方面中，缺陷簇或替换簇的位置使用缺陷簇或替换簇的各自第一扇区的PSN来被指示。然而，根据本发明的方面，缺陷簇或替换簇的位置可使用缺陷簇或替换簇的各自最后扇区的PSN或者使用指示缺陷簇或替换簇的索引来被指示。
返回参照图3，一旦TDFL被如上所述创建，则控制单元2将创建的TDFL记录在TDMA的至少一簇中，并且检验记录的TDFL(操作S510)。根据检验的结果，如果缺陷簇在记录TDFL的簇之中被产生，则控制单元2将记录在缺陷簇中的数据重写入TDMA的另一簇中(操作S530)。
现在将对TDFL记录后检验的两个示例性实施例进行描述。
图6是根据本发明实施例的TDFL记录后检验的示图。根据本发明所示实施例，当其大小等于多个簇的大小的TDFL被记录在TDMA中时，整个TDFL被记录并且随后被检验。
参照图6，TDFL的大小是包括第一簇210、第二簇230、第三簇250的三个簇，并且TDFL被记录在三个簇中并且随后被检验。根据检验的结果，其确定缺陷在第二簇230中被产生。因此，记录在第二簇230中的数据被重写入紧跟第三簇250之后的簇270。在簇270的检验之后，如果确定没有在簇270中产生缺陷，则TDFL的记录被终止，并且指示在其中记录TDFL的簇的位置的指针信息被包括在TDDS中，并且TDDS被记录在TDMA中。此时，指针信息包括指示在初始记录期间没有产生缺陷的第一簇210和第三簇250的位置以及替换有缺陷的第二簇230的簇270的位置的指针。
图7是用于解释根据本发明另一实施例的TDFL记录后检验的示图。根据本发明所示实施例，TDFL具有三个簇的大小。TDFL被记录在第一簇310中并且随后被检验。根据检验的结果，确定在第一簇310中没有产生缺陷。TDFL被记录在第二簇330中并且被检验。根据检验的结果，确定缺陷在第二簇330中被产生。因此，记录在第二簇330中的TDFL被重写入紧跟缺陷的第二簇330之后的簇350。在簇350的检验之后，如果确定在簇350中没有产生缺陷，则TDFL被记录在第三簇370中并被检验。在检验第三簇370之后，如果确定没有产生缺陷，则TDFL的记录被终止，并且指示在其中记录TDFL的簇的位置的指针信息被记录在TDDS中，并且TDDS被记录在TDMA中。如图6的实施例中，指针信息包括指示在初始记录期间没有产生缺陷的第一簇310和第三簇370的位置以及代替有缺陷的第二簇330的簇350的位置的指针。
图8示出根据本发明一方面的指示TDFL的位置的示例性指针信息。图8中显示的指针信息包括k个指针410、430、和450。数据记录和/或再现设备通过再现图8中所示的指针信息来顺序地将TDFL记录在k个簇中，并且k个簇的位置可被看到。
在本实施例中，TDFL的第n簇指针(n是范围从1到k的整数)具有4字节大小。另外，指针信息被包括在TDDS中。换句话说，TDDS包括指示TDFL的位置的指针信息、关于写入条件测试区的可记录位置的信息、写保护信息、和分配给数据区的备用区的位置和/或大小信息。
由于TDDS应包括指示TDFL的位置的指针信息，所以TDDS应总在TDFL被记录之后被记录。
如上所述，根据用于记录TDFL的方法和设备，可通过在记录TDFL期间执行写入后检验并且如果产生缺陷簇则将TDFL重写入另一簇中来具有高可靠性地记录TDFL。另外，当缺陷在TDFL的记录期间被产生时，仅记录在缺陷簇中的数据被记录在替换簇中，而不是重新记录整个TDFL。参照图3，在操作S550，指示在其中正常记录TDFL的簇的位置的指针信息被包括在TDDS中，并且TDDS被记录在TDMA中。因此，可保存TDMA中的存储空间。
现在将对一种根据本发明实施例的用于再现TDFL的方法和设备进行描述。
用于再现TDFL的设备使用图2中所示的数据记录和/或再现设备。然而，如果用于再现TDFL的设备是仅再现设备，则记录/读取单元1和控制单元2可仅执行数据读取。
图9是示出根据本发明实施例的再现TDFL的方法的流程图。尽管没有显示在附图中，但是当根据上述方法将用户数据、TDFL、和TDDS记录在其中的一次写入记录介质100被装入数据记录和/或再现设备时，控制单元2执行初始化以使用一次写入记录介质100。换句话说，使用和管理一次写入记录介质100所需的基本数据从一次写入记录介质100被读取。
具体地讲，在更新的TDDS被定位和读取之后，指示更新的TDFL的位置的指针信息从更新的TDDS中被获得(操作S610)。指示更新的TDFL的位置的指针信息具有图8中显示的结构。
由于控制单元2可从指针信息中获得记录更新的TDFL的簇的位置和TDFL被记录在簇中的顺序，所以其读取更新的TDFL(操作S630)。控制单元2将从一次写入记录介质100中读取的更新的TDDS和TDFL存储在存储器3中。控制单元2能够参照存储在存储器3中的TDDS和TDFL来无缺陷地再现记录在一次写入记录介质100上的用户数据。
本发明还能够被实现为计算机可读记录介质中的计算机可读代码。计算机可读记录介质包括可由计算机系统读取的数据被存储在其中的所有类型的记录设备。这种计算机可读记录介质是ROM、RAM、CD-ROM、磁带、软盘、和光学数据存储器、和经由如互联网的载波的传输。另外，计算机可读记录介质可被分布在经网络连接的计算机系统之中，并且计算机可读代码可被存储在其上并且以分散方式被执行。
另外，应该理解本发明的方法可被使用在TDMA将被保存在其中的多种类型的介质中，这些介质包括可写光学介质(例如CD-R、DVD-R)、可重写介质(例如CD-R/W、DVD-R/W、DVD-RAM)、磁和磁光介质、和如蓝光盘、高级光盘(AOD)、E-DVD的下一代DVD。
尽管已经显示和描述了本发明的一些实施例，但本领域的技术人员应该理解在不脱离由权利要求和其等同物限定范围的本发明的原理和精神的情况下，可对实施例进行改变。
权利要求
1.一种将用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质中的方法，该方法包括将当数据被记录在一次写入记录介质中时创建的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中，并且检验在该至少一簇中是否产生缺陷。将记录在缺陷簇中的数据记录在另一簇中；和将指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
2.如权利要求1所述的方法，其中，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
3.如权利要求1所述的方法，其中，指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在记录和检验临时缺陷列表的步骤中，临时缺陷列表被完全地记录在该至少一簇中，并且检验缺陷是否在该至少一簇中被产生。
5.如权利要求1所述的方法，其中，临时缺陷列表的记录和检验以簇为单位被执行。
6.如权利要求1所述的方法，其中，指针信息被包括在临时盘定义结构中。
7.如权利要求6所述的方法，其中，临时缺陷列表和临时盘定义结构被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
8.一种用于记录和/或再现关于一次写入记录介质的数据的设备，该设备包括记录/读取单元，用于将数据记录在一次写入记录介质上或从一次写入记录介质再现数据；和控制单元，用于控制记录/读取单元将当数据被记录在一次写入记录介质上时创建的用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中，检验在该至少一簇中是否产生缺陷，控制记录/读取单元将记录在缺陷簇中的数据记录在另一簇中，并且控制记录/读取单元将指示在其中记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
9.如权利要求8所述的设备，其中，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
10.如权利要求8所述的设备，其中，指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
11.如权利要求8所述的设备，其中，控制单元将临时缺陷列表完全地记录在该至少一簇中，并且检验在该至少一簇中是否产生缺陷。
12.如权利要求8所述的设备，其中，控制单元以簇为单位记录并且检验临时缺陷列表。
13.如权利要求8所述的设备，其中，指针信息被包括在临时盘定义结构中。
14.如权利要求13所述的设备，其中，临时缺陷列表和临时盘定义结构被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
15.一种读取记录在一次写入记录介质上的用于缺陷管理的临时缺陷列表的方法，该方法包括从一次写入记录介质获得指示记录临时缺陷列表的位置的指针信息；和根据指针信息，访问记录临时缺陷列表的至少一簇并且读取该临时缺陷列表。
16.如权利要求15所述的方法，其中，指针信息指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置。
17.如权利要求16所述的方法，其中，指针信息单独地指示每一簇的位置。
18.如权利要求16所述的方法，其中，在记录临时缺陷列表期间，如果在该至少一簇中产生缺陷并且数据被记录在另一簇中，则指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
19.如权利要求15所述的方法，其中，临时缺陷列表包括缺陷簇的位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的位置信息。
20.如权利要求15所述的方法，其中，指针信息被记录在临时盘定义结构中。
21.如权利要求20所述的方法，其中，临时缺陷列表和临时盘定义结构被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
22.一种用于再现和/或记录关于一次写入记录介质的数据的设备，该设备包括读取单元，用于读取记录在一次写入记录介质上的数据；和控制单元，用于控制读取单元从一次写入记录介质读取指示记录用于缺陷管理的记录临时缺陷列表的位置的指针信息，根据指针信息访问记录临时缺陷列表的至少一簇，并且读取临时缺陷列表。
23.如权利要求22所述的设备，其中，指针信息指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置。
24.如权利要求23所述的方法，其中，指针信息指示每一簇的位置。
25.如权利要求23所述的方法，其中，在记录临时缺陷列表期间，如果在该至少一簇中产生缺陷并且数据被记录在另一簇中，则指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
26.如权利要求22所述的方法，其中，临时缺陷列表包括缺陷簇的第一位置信息和用于替换缺陷簇的替换簇的第二位置信息。
27.如权利要求22所述的方法，其中，指针信息被包括在临时盘定义结构中。
28.如权利要求27所述的方法，其中，临时缺陷列表和临时盘定义结构被记录在设置在一次写入记录介质上的临时盘管理区中。
29.一种与记录和/或再现设备一起使用的一次写入记录介质，包括至少一个用户数据区，用于记录用户数据；至少一个备用区，用于当在用户数据区的相应部分中产生缺陷时替换用户数据区的相应部分；和至少一个临时盘管理区，用于记录用于缺陷管理的临时缺陷列表和将记录临时缺陷列表的至少一簇的位置指示给记录/再现设备的指针信息。
30.如权利要求29所述的一次写入记录介质，其中，临时缺陷列表包括产生缺陷的用户数据区的缺陷簇的第一位置信息和用于替换缺陷簇的备用区的替换簇的第二位置信息。
31.如权利要求29所述的一次写入记录介质，其中，当临时缺陷列表被记录在临时盘管理区的至少一簇中时，如果在该至少一簇中产生缺陷并且数据被记录在另一簇中，则指针信息包括不是缺陷簇的该另一簇的位置信息。
32.如权利要求29所述的一次写入记录介质，其中，指针信息被包括在临时盘定义结构中。
33.一种在其上记录有由计算机执行的用于将用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质上的方法的程序的计算机可读记录介质，该方法包括将当数据被记录在一次写入记录介质上时创建的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中，并且检验在该至少一簇中是否产生缺陷；将记录在缺陷簇中的数据记录在另一簇中；和将指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
34.一种在其上记录有由计算机执行的用于执行读取用于缺陷管理的记录在一次写入记录介质上的临时缺陷列表的方法的程序的计算机可读记录介质，该方法包括从一次写入记录介质获得指示记录临时缺陷列表的位置的指针信息；和根据指针信息访问记录临时缺陷列表的至少一簇并且读取临时缺陷列表。
35.一种用于管理存储在记录介质上的用户数据的临时缺陷列表的方法，包括在基于逐簇将临时缺陷列表记录在记录介质的临时缺陷管理区期间执行写入后检验处理。
36.如权利要求35所述的方法，其中，执行写入后检验处理的步骤包括以单一单元将临时缺陷列表记录在临时缺陷管理区的连续簇中；和检验记录的单一单位的临时缺陷列表，从而当缺陷被定位在与临时缺陷列表的一部分相应的临时缺陷管理区的簇中的一个中时，在临时缺陷管理区的下一簇中存储并检验该部分。
37.如权利要求36所述的方法，还包括将指示位置的指针信息存储在记录临时缺陷列表的临时缺陷管理区中。
38.如权利要求37所述的方法，其中，指针信息仅指向包含临时缺陷列表的临时缺陷管理区的簇。
39.如权利要求37所述的方法，还包括将指针信息存储在被存储于临时缺陷管理区中的临时盘定义结构中。
40.如权利要求39所述的方法，其中，当临时缺陷管理区满时，临时缺陷列表和临时盘定义结构被存储在记录介质上的次临时缺陷管理区中。
41.如权利要求40所述的方法，其中，临时缺陷列表在临时盘定义结构之前被存储在临时缺陷管理区中。
42.如权利要求41所述的方法，其中，记录介质是一次写入光盘。
43.如权利要求42所述的方法，其中，一次写入光盘是单记录层盘。
44.如权利要求35所述的方法，其中，执行写入后检验处理的步骤包括将临时缺陷列表记录在临时缺陷管理区的单一簇增量中；和当单一簇被记录时检验每个单一簇增量，从而当缺陷定位于与临时缺陷列表的一部分相应的临时缺陷管理区的单一簇中时，在临时缺陷管理区的下一簇中记录并检验临时缺陷列表的该部分。
45.如权利要求44所述的方法，还包括将指示位置的指针信息存储在记录临时缺陷列表的临时缺陷管理区中。
46.如权利要求45所述的方法，其中，指针信息仅指向包含临时缺陷列表的临时缺陷管理区的簇。
47.如权利要求45所述的方法，还包括将指针信息存储在被存储于临时缺陷管理区中的临时盘定义结构中。
48.如权利要求47所述的方法，其中，当临时缺陷管理区满时，临时缺陷列表和临时盘定义结构被存储在记录介质上的次临时缺陷管理区中。
49.如权利要求48所述的方法，其中，临时缺陷列表在临时盘定义结构之前被存储在临时缺陷管理区中。
50.如权利要求49所述的方法，其中，记录介质是一次写入光盘。
51.如权利要求50所述的方法，其中，一次写入光盘是单记录层盘。
52.一种管理存储在一次写入记录介质上的用户数据的临时缺陷列表的方法，包括在将临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的临时缺陷管理区期间执行写入后检验处理，从而当在记录期间产生缺陷区时，仅与缺陷区相应的单一簇的数据被记录在替换区中。
53.如权利要求52所述的方法，其中，缺陷区和替换区的位置由物理扇区号指示。
54.如权利要求53所述的方法，其中，物理扇区号与缺陷区和替换区的各自第一扇区相应。
55.如权利要求53所述的方法，其中，物理扇区号与缺陷区和替换区的各自最后扇区相应。
56.如权利要求53所述的方法，其中，索引指示各个缺陷区和替换区。
全文摘要
一种将临时缺陷列表记录在一次写入记录介质上的方法，一种再现该临时缺陷列表的方法，一种用于记录和/或再现临时缺陷列表的设备，以及一次写入记录介质。将用于缺陷管理的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质上的方法包括将当数据被记录在一次写入记录介质上时被创建的临时缺陷列表记录在一次写入记录介质的至少一簇中，并且检验在该至少一簇中是否产生缺陷。随后，该方法包括将原始记录在缺陷簇中的数据重新记录在另一簇中，并且将指示记录临时缺陷列表的该至少一簇的位置的指针信息记录在一次写入记录介质上。
文档编号G11B7/007GK1705986SQ200480001415
公开日2005年12月7日 申请日期2004年4月29日 优先权日2003年4月30日
发明者黄盛凞, 高祯完 申请人:三星电子株式会社