专利名称：编制多阶相变记忆体装置的方法
技术领域：
本发明是有关于记忆体系统，且特别是有关于编制相变记忆单元(memory cell)的方法、系统及装置。
背景技术：
在电子记忆体应用中使用电子可写及可擦除相变材料(如可在一般非结晶状态与一般结晶状态之间进行电子转换的材料)的一般概念是该技术领域中众所周知的。典型的相变材料具有两个状态非结晶状态(generally8morphous state)与结晶状态(generally crystalline state)。相变材料可以包含一种或者多种硫化物，这些硫化物至少部分地包含一种或多种以下材料碲、硒、锑、镍、锗及它们的不同组合。
将电流或其他类型的能量传送过相变材料以使其改变状态，这样就可以将典型的相变材料从一个状态转换到另一个状态。具有代表性的是，在第一状态下(如非结晶状态)，相变材料具有相对较高的电阻，在第二状态下(如结晶状态)，相变材料具有相对较低的电阻。非结晶状态与结晶状态下的电阻比大约为1000∶1。
由于相变材料的状态只能由能量的充分施加(如程式化能量脉冲-programming energy pulse)来改变，那么由于相变材料不需要能量来维持它的当前状态，它一般是非挥发性的(non-volatile)。此外，由于相变材料的电阻因状态而改变(如结晶状态下的低电阻与非结晶状态下的高电阻)，那么相变材料可以被可靠地用于储存二进位数据，如用于电脑的记忆单元或者其他的二进位数据的储存使用中。
程式化能量脉冲决定被编制(programmed)的相变装置的实际电阻。举例来说，第一程式化能量脉冲(如1.42mA的1ms脉冲)被施加到相变装置上并造成50ohms的电阻。如果程式化能量脉冲(如1.98mA的1ms脉冲)被施加到同样的相变装置上，可能造成500ohms的电阻。作为结果，能量值(如本例中的电流)的微小变化造成相变装置的明显不同的电阻位准。此外，当制程变因(process variation-如相变材料的膜层厚度)及操作参数(如操作温度，电压等)改变时，为了获得所期望的电阻位准而需要的能量随之发生改变。因此，很难准确地将相变装置编制到所选定的电阻位准。
在前述观点中，需要一种系统及方法，以准确快速地在相变装置中编制多个数据值。
发明内容
一般说来，本发明提供一种可以准确快速地在相变装置中编制多个临界电压位准的系统及方法。本发明可以以多种方式实现，包括作为一种制程、一种仪器、作为一种系统、作为电脑可读媒体或者作为一种装置。下面对本发明的若干创造性实施例进行描述。
本发明的一个实施例提供了一种编制相变装置的方法，包括选定所期望的临界电压(Vth)并向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲。程式化脉冲的施加包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶(meltingenergy level)之上驱动至少部分相变材料。一定能量被施加一个第一时间区间。施加到相变材料上的部分能量可以消散(dissipate)至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶(quenched energy level)为止。控制能量的消散形态以使得相变装置具有所期望的临界电压。施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶(environmental level)。
施加到相变材料上的能量包括电流、热、光、电压中的至少一种。所期望的临界电压位准对应于所期望的数据值。所期望的临界电压位准是多个所期望的临界电压位准之一，并且每个所期望的临界电压位准对应于多个所期望的数据值之一。
施加到相变材料上的能量可以是操作参数的函数。操作参数包含操作温度与输入电压中的至少一个。操作参数的函数可以补偿操作参数的变化。
施加到相变材料上的能量也可以是相变制程变因(phase changemanufacturing process Variable)的函数。相变制程变因包括相变材料类型、膜层厚度及相变接触大小(phase change contact size)所组成的族群中的至少一项。相变制程变因的函数可以补偿相变制程变因的变化。
在施加到相变材料上的能量少于淬火能阶之前控制能量从相变材料上的消散形态也可以包括施加多个能量次脉冲(sub-pulse)。次脉冲可以具有以下至少一种形状的波形(profile)正方形、三角形、一层或多层阶梯、梯形、不规则四边形、具有直斜边的正方形、具有U形尾部的正方形、具有反向U形尾部的正方形及它们的组合。
程式脉冲可以具有以下至少一种形状的波形正方形、三角形、一层或多层阶梯、梯形、不规则四边形、具有直斜边的正方形、具有U形尾部的正方形、具有反向U形尾部的正方形及它们的组合。相变材料可以包括一种硫化物材料。
本发明的另一实施例提供了一种编制多状态相变装置的方法，该方法包括从多个所期望的临界电压中选定一个所期望的临界电压。每个所期望的临界电压相应于多个数据值之一。程式脉冲也被施加到相变装置中的相变材料上，它包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该材料。该能量被施加一个第一时间区间。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止。控制能量的消散形态以使得相变装置具有所期望的临界电压。施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶。
施加到相变材料上的能量是操作参数的函数。施加到相变材料上的能量是相变制程变数的函数。
本发明的另一实施例还提供了一种编制记忆体阵列(memory array)的方法。此方法包括选定所期望的临界电压并且向记忆体阵列中的相变记忆体装置施加程式化脉冲。一个操纵装置可以将程式化脉冲施加到相变记忆体装置上，包括向相变装置上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动相变装置中的至少部分相变材料。能量被施加一个第一时间区间。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止。控制能量的消散形态以使得相变装置具有所期望的临界电压。施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶。
所期望的临界电压位准是多个所期望的临界电压位准之一，并且每个所期望的电压位准对应于多个所期望的数据值之一。施加到相变材料上的能量可以是操作参数的函数。施加到相变材料上的能量可以是相变制程变因的函数。
本发明提供了以下优势可以准确地补偿制程变化(processvariation)，操作参数变化，以及在相变装置中准确地编制不同的电阻位准。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1绘示为一种相变记忆单元阵列。
图2A-2H绘示为本发明一个或多个实施例中不同程式化脉冲波形的说明图式。
图3绘示为本发明一实施例中程式化脉冲波形的说明图式。
图4绘示为本发明一实施例中同一个程式化脉冲的两个概观图。
图5绘示为本发明一实施例中组合脉冲波形的说明图式。
图6绘示为本发明一实施例中编制相变装置的操作方法的步骤流程图。
图7绘示为本发明一实施例中可以被编制到相变装置中的多个临界电压位准的示意图。
100相变记忆单元阵列102晶体管104相变装置110A-110D记忆单元205、210、215、220、225、230、235、240程式化能量脉冲波形300程式化脉冲波形305熔化310相变315固体冷却320熔化温度325淬火温度405、410同一程式化脉冲的两个视图420、420’、520程式化脉冲波形的熔化能阶425、425’程式化脉冲波形的淬火能阶500组合脉冲波形505高温熔化部分510相变部分515冷却部分530、532、534、536能量次脉冲714、716、718、720临界电压位准具体实施方式
现在将对在相变装置中准确快速地编制多个临界电压位准的系统及方法的若干较佳实施例进行描述。任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰。
相变装置可以被快速读取及编制，并且不需要能源来维持它们的状态。因此，相变装置是非常有用的储存数据(如电脑记忆体装置)的装置。此外，由于在非结晶状态与结晶状态之间存在着很多不同的临界电压，那么临界电压可以被分为多个位准并且其中每个临界电压位准可以被用来指示储存在相变装置中的不同数据值。
本发明一实施例提供了一种为相变装置精确选定多个临界电压位准中每个临界电压位准的系统及方法。此为相变装置进行的对多个临界电压位准的精确选定提供了对选定所需临界电压位准的精确控制，该所需临界电压位准相应于储存于相变装置中的多个数据值中的每一个。为相变装置进行的对每个临界电压位准的精确选定也可以提供一种改良的编制方法，该方法降低了临界电压的变化。降低了的临界电压变化提高了在不同操作条件(如温度、电流、输入电压等)下的稳定性并且也可以补偿半导体制程变因(如膜层厚度变化、相变材料变化、相变接触大小等)。
在本发明一实施例中，可以为相对较少数目(如4个)的电阻位准选定相变装置的临界电压。例如，电阻位准可以包括四个电阻级别(如5k、50k、500k及5M ohm)。然而，每个不同的电阻级别是很难准确检测到的。举例来说，如果向上述有四个不同电阻状态的相变装置上施加了0.1V读取电压，所造成的电流将分别为20uA、2uA、0.2uA及20nA。因为0.2uA是很低的电流，并且20nA与典型的相变装置电路中的干扰具有相同电流数量级，所以很难准确检测到所有四个不同临界电压位准。
相变装置的电阻位准，以及临界电压位准，可以由相变装置中的相变材料的状态来决定。相变材料的状态是指一定量的相变材料从非结晶状态转变为结晶状态。被改变的相变材料的量决定了相变材料的电阻以及相变装置的临界电压。相变材料的状态主要由淬火率(quench rate，如相变材料多快从熔化状态淬火到固体状态)决定。然而，淬火率也是取决于操作条件(如温度、输入电压等)与制程变因(如膜层厚度、相变接触大小等)。在本发明一实施例中，在最小敏感度的操作条件与制程变因下的程式化能量脉冲的波形可以使相变装置中的相变材料淬火，以制造所期望的临界电压位准。
低于临界电压时相变装置中通过的电流非常少。相反地，高于临界电压时，相变装置中通过的电流大得多。举例来说，典型的开/关比率可以大于1000倍。开与关条件下的电流差非常明显。通过感测电流差异，可以简单快速地分辨相变装置的开或关状态。
本发明一实施例提供了一种可以达到对临界电压精确控制的编制方法。图1绘示为相变记忆单元阵列100。记忆单元阵列100中包括四个记忆单元110A-110D。记忆单元110A包括作为操纵元件的晶体管102及作为记忆元件的相变装置104。打开操纵元件102并充分施加程式化能量脉冲可以编制相变装置104。
程式化能量脉冲的波形描述了脉冲的形状。图2A-2H绘示为本发明一个或多个实施例中不同的程式能量脉冲波形205-240。程式能量脉冲波形205-240具有纵轴所示的电压及横轴所示的时间。纵轴也可以显示脉冲205-240各自的电流、能量、热、光或者其他类型的能量波形。波形可以是正方形205、三角形210、阶梯形215、梯形220、不等边四边形225，具有直斜边的正方形230、具有U形尾部的正方形235、具有反向U形尾部的正方形240或者其他复杂图形。
程式化能量脉冲的电压可以是从大约0.01V到大约20V的电压。程式化能量脉冲的波形(如形状或波形)可以是从大约1ns到大约10us，以及从大约最大能量振幅到最小能量振幅。每个不同的程式化能量脉冲可以造成不同的电阻位准与不同的临界电压。
举例来说，具有直斜边正方形波形的程式能量脉冲(如图2F中的波形230)。脉冲的主正方形部分的持续时间(如从T0到T1)可以从大约0ns到大约1000ns。通过改变尾部(如程式能量脉冲230所示从T1到T2)的斜面(如形状)，相变装置102的电阻位准与临界电压可以被准确选定。举例来说，程式化能量脉冲205具有垂直尾边，造成第一电阻位准与第一临界电压。相反地，程式化能量脉冲230具有与脉冲205相同的电压，但是相对于脉冲205的垂直尾边，也具有一条从T1延伸到T2的直斜尾边。程式化能量脉冲230造成第二电阻位准与第二临界电压。
图3绘示为本发明一实施例中的程式化脉冲波形300。程式化脉冲波形300有三个阶段熔化部分305、相变部分310及固体冷却部分315。在熔化部分305，T0与T1之间，输入脉冲提供了充分的能量以造成相变材料熔化。在相变部分310，T1与T2之间，所施加的能量被降低(与熔化部分305相比)，并且相变膜(phase change film)以选定的冷却速度被淬火。当相变材料从熔化温度320冷却到淬火温度325时，冷却速度由脉冲形状控制，因而决定了相变装置的电阻位准与临界电压。在固体冷却部分315，T2与T3之间，相变材料冷却到操作环境的操作温度。由于操作温度低于相变装置的熔化温度320并且低于淬火温度325，那么从上一个相变部分310，相变装置的电阻位准没有明显改变。
在冷却部分315中，电阻位准与临界电压由能量脉冲的形状决定，因此环境温度或者所给的能量也可以影响相变装置怎样被淬火。在本发明一实施例中，程式脉冲波形被选定，这样独立于操作条件与制程变因来控制冷却部分315。通过精确地选定冷却部分315，可以选定不同的电阻位准与不同的临界电压。
因为相变装置的淬火非常依赖于环境条件，图2A中的正方形程式脉冲205很难被用来选定不同的电阻位准与临界电压。图4绘示为本发明一实施例中同一程式化脉冲的两个视图405、410。在两个视图405与410中，脉冲高度和持续时间相同。然而，在视图410中，操作温度比视图405中有所提高。因而，视图410中420’达到熔化温度所需的能量比视图405中420达到熔化温度所需的能量少。此外，必须消散更多的能量以下降到能阶420’以下。因而，视图410中T0与T1’之间的间隔比视图405中T0与T1之间的间隔长。此外，视图410中从高峰能阶到淬火能阶425’需要消散的能量也比视图405中的有所提高。因而，当环境条件改变时，相同的程式化脉冲波形405与410可以造成不同的电阻位准与不同的临界电压。淬火能量形状可以由程式化脉冲波形控制，以补偿环境条件如操作温度的变化。
举例来说，可以严格控制尾部倾斜度(如时间T1与时间T2之间，以及程式化脉冲波形的熔化能阶420与淬火能阶425之间)以选定与操作条件无关的所期望的电阻位准与临界电压。在阶梯波形215或倾斜尾边如脉冲波形210、225、230、235、240中，程式化脉冲波形的尾部的时间或者持续期是一重要成分。相反地，由于程式脉冲205的尾边通常是垂直的，该脉冲的尾部几乎不存在。因此，脉冲波形210、225、230、235、240的倾斜尾边为选定相变装置的电阻位准与临界电压提供了一个控制元素。
可以操纵脉冲波形210、225、230、235、240的倾斜尾边的各个方面(如持续时间、每层阶梯高度、梯级数量、梯级持续时间、不同尾边波形的组合等)，以选定相变装置的电阻位准与临界电压。应该注意的是，可以分别选定相变装置的电阻位准与临界电压。这里重申，第一能量脉冲波形可以造成相变装置的第一电阻位准与第一临界电压位准。第二能量脉冲波形可以造成相变装置的第一电阻位准与第二临界电压位准。同样地，第三能量脉冲波形可以造成相变装置的第二电阻位准与第一临界电压位准。
图5绘示为本发明一实施例中的组合脉冲波形500。组合脉冲波形500包括高温熔化部分505，该部分由熔化能阶520限定范围在T0与T1之间。施加多个能量次脉冲530-536以维持或者延伸相变材料在相变部分510之内的时间。多个能量次脉冲530-536使得所期望的电阻及相应的临界电压被选定。冷却部分515允许相变材料冷却到环境操作温度。
图6绘示为本发明一实施例中编制相变装置的操作方法600的步骤流程图。在操作605中，所期望的电阻位准及/或所期望的临界电压被选定。在操作610中，程式化脉冲被施加到相变材料上。该程式化脉冲包括熔化部分、相变(如淬火)部分及冷却部分。在操作610中，程式化脉冲的熔化部分被施加到相变材料上。在操作615中，让施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下。
在操作620中，能量从相变材料上消散的形状受到控制，这样可以获得选定的电阻位准及/或选定的临界电压。在操作625中，让能量在淬火能阶之下消散。在操作630中，让能量消散到环境能阶(如操作温度)并且可以结束操作。
图7绘示为本发明一实施例中可以被编制到相变装置中的多个临界电压位准的示意图700。纵轴显示标准化电流(normalized current)，横轴显示标准化临界电压(normalized Vth)。如曲线702-712所示，当超越各个临界电压位准714-720时，通过相变装置的电流近似垂直地增加。举例来说，曲线702显示了当达到第一临界电压位准714时，通过相变装置的电流近似垂直地增加。类似地，如果希望达到第二临界电压位准716，那么可以编制相变装置，这样电流在第二临界电压位准716增加。如上所述，可以选定临界电压，并且范围在低临界电压位准714与高临界电压位准720之间的临界电压因而可以被分成多个临界电压位准，每个临界电压位准可以表示一个不同的数据值。如上所述，相变装置可以被用作多状态装置。
当相变装置102显示在图1中的阵列结构中时，应该了解本发明并不局限于阵列结构中的相变装置，甚至也不局限于与操纵装置(如操纵装置104)结合在一起的相变装置。本发明可被用来选定与控制任何类型的相变装置的电阻位准与临界电压位准。操作条件与制程变因的影响也可以被最小化及/或得到补偿。
这里在对本发明的描述中用到的术语“大约”意味着+/-10％。举例来说，“大约250”表示225与275之间的范围。参照以上实施例，应该了解本发明可能采用多种电脑化操作，这些操作使用储存在电脑系统中的数据。这些操作需要物理量的物理操纵(physical manipulation)。通常，而非必要，这些物理量为能被储存、传递、组合、比较以及操纵的电子或者磁信号。此外，这里所指的操纵包括产生、识别、判定或者比较。
这里描述的任何成为本发明的一部分的操作都是有用的机器操作。本发明也是有关于执行这些操作的装置或者仪器。该种仪器可以是为所需要的用途特别制造的，或者也可以是被选择性启动或由电脑程式设置的多用途电脑。特别是，不同的多用途机器可以与依照本发明的精神编写的电脑程式一起使用，或者制造一种专用的装置以执行所需操作会更加方便。
也可以将本发明实施为电脑可读媒体上的电脑可读代码。电脑可读媒体是任何可以储存数据的数据储存装置，其中数据可随后由电脑系统读取。电脑可读媒体的实例包括硬碟机、网路磁碟机(NAS)、只读记忆体、随机存取记忆体、光碟机、刻录机(CD-R)、可重写式刻录机(CD-RW)、磁带及其它光学与非光学数据储存装置。也可以将电脑可读媒体分布于电脑网路系统，这样可以以分布方式储存与执行电脑可读代码。
不需要按照所示顺序执行以上各图中所表现的操作，并且不是所有这些操作所表示的方法都是实现本发明所必需的。此外，以上任何图示中所描述的方法也可以在软件中实现，该软件被储存在随机存取记忆体(RAM)、只读记忆体(ROM)或者硬碟机中的任何一种或者它们的组合上。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种编制相变装置的方法，其特征在于其包括选定所期望的临界电压(Vth)；以及向相变装置中的相变材料上施加一程式化脉冲，包括向相变材料施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该相变材料，该能量被施加一个第一时间区间；允许施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下；控制从相变材料上能量消散的形态，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，其中控制能量消散的形态以使得相变装置具有所期望的临界电压；以及允许施加到相变材料上的剩余能量消散到一环境能阶。
2.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的能量包括电流、热、光及电压中至少一种。
3.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中所期望的临界电压位准对应于一所期望的数据值。
4.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中所期望的临界电压位准是多个所期望临界电压位准之一，并且每个所期望的临界电压位准对应于多个所期望的数据值中的其中一个。
5.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的能量是操作参数的函数。
6.根据权利要求5所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中操作参数包括操作温度与输入电压中至少一个。
7.根据权利要求5所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中所述的其中操作参数的函数补偿操作参数的变化。
8.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的一定能量是相变制程变因的函数。
9.根据权利要求8所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中相变制程变因包括相变材料类型、膜层厚度及相变接触大小所组成的族群中的至少一项。
10.根据权利要求8所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中相变制程变因的函数补偿相变制程变因的变化。
11.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中在施加到相变材料上的能量少于淬火能阶之前，对控制能量从相变材料上消散的形态包括施加多个能量次脉冲。
12.根据权利要求11所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中次脉冲具有以下至少一种形状的波形正方形、三角形、一层或多层阶梯、梯形、不规则四边形、具有直斜边的正方形、具有U形尾部的正方形、具有反向U形尾部的正方形或它们的组合。
13.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中程式化脉冲具有以下至少一种形状的波形正方形、三角形、一层或多层阶梯、梯形、不规则四边形、具有直斜边的正方形、具有U形尾部的正方形、具有反向U形尾部的正方形或它们的组合。
14.根据权利要求1所述的编制相变装置的方法，其特征在于其中相变材料包含硫是化合物材料。
15.一种编制多状态相变装置的方法，其特征在于其包括从多个所期望的临界电压中选定一所期望的临界电压，该多个所期望的临界电压中的每一个临界电压对应于多个数据值的其中之一；以及向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲，包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该相变材料，该一定能量被施加一个第一时间区间；允许施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下；控制能量从相变材料上消散的形态，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，其中控制能量消散的形态以使得相变装置具有所期望的临界电压；以及允许施加到相变材料上的剩余能量消散到环境能阶。
16.根据权利要求15所述的编制多状态相变装置的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的该一定能量是操作参数的函数。
17.根据权利要求15所述的编制多状态相变装置的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的该一定能量是相变制程变因的函数。
18.一种编制记忆体阵列的方法，其特征在于其包括选定所期望的临界电压；以及向记忆体阵列中的相变记忆体装置上施加程式脉冲，其中一操纵元件施加程式化脉冲到相变记忆体装置上，包括向相变装置中的相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该相变材料，该能一定量被施加一个第一时间区间；允许施加到相变材料上的部分能量消散至熔化能阶之下；控制能量从相变材料上消散的形态，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，其中控制能量消散的形态以使得相变装置具有所期望的临界电压；以及允许施加到相变材料上的剩余能量消散到环境能阶。
19.根据权利要求18所述的编制记忆体阵列的方法，其特征在于其中所期望的临界电压能阶是多个所期望的临界电压位准的其中之一，并且每个所期望的临界电压位准对应于多个所期望的数据值中的一个数据值。
20.根据权利要求18所述的编制记忆体阵列的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的一定能量是操作参数的函数。
21.根据权利要求18所述的编制记忆体阵列的方法，其特征在于其中施加到相变材料上的一定能量是相变制程变因的函数。
全文摘要
一种编制相变装置的方法，包括选定所期望的临界电压并向相变装置中的相变材料上施加程式化脉冲。程式化脉冲的施加包括向相变材料上施加一定能量，以在熔化能阶之上驱动至少部分该材料。施加到相变材料上的部分能量可以消散至熔化能阶之下。能量从相变材料上消散的形态受到控制，直到施加到相变材料上的能量少于淬火能阶为止，以使得相变装置具有所期望的临界电压。而施加到相变材料上的剩余能量可以消散到环境能阶。
文档编号G11C16/10GK1767047SQ20051008887
公开日2006年5月3日 申请日期2005年7月29日 优先权日2004年10月29日
发明者李明修, 陈逸舟 申请人:旺宏电子股份有限公司