专利名称：光储存媒体的写入参数最佳化的方法以及记录装置的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种光储存媒体的记录装置，且特别是关于一种可动态调整光储存媒体的写入功率与写入策略以达到写入参数最佳化的方法以及使用该方法的记录装置。
背景技术：
目前可写式光储存媒体(例如光盘片)种类繁多，例如有CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW以及DVD-RAM等等。由于这些光储存媒体染料及材料特性不尽相同，可支持的写入(或记录)倍速也不同，因此要将资料写入光储存媒体所需要的写入功率也不同。因此，在将资料写入光储存媒体之前，会先在光储存媒体中的测试区(例如，位于光盘片的功率测定区域(power calibration area，PCA)内)进行所谓的最佳写入功率测定(optimal power calibration，OPC)。即，利用测试资料在测试区试写，读出测试资料并评估其信号品质，进而找出最佳的写入功率。
图1示出了一种已知的最佳写入功率测定的流程图。请参照图1，首先，在步骤S10，把光盘片加载到光驱。接着，在步骤S11，光驱根据光盘片从预存的写入策略(write strategy)中选取最佳写入策略，其中预存的写入策略系光盘制造商预存于光盘片之中，或光驱制造商预存于光驱的内存之中。在步骤S12，光驱使用最佳写入策略，并利用多个不同的写入功率将测试资料写入光盘片的测试区。在步骤S13，读出写入测试区的测试资料，并据此从这些写入功率中决定最佳写入功率。最后，在步骤S14，光驱利用最佳写入策略与最佳写入功率将资料写入光盘片。
图2示出了另一种已知的最佳写入功率测定的流程图，应用于固定角速度(constant angular velocity，CAV)的写入方式。请参照图2，步骤S20到步骤S24皆与图1所示的步骤S10到步骤S14相同。不过，因为CAV的写入方式，光盘片在内圈与外圈的写入速度不同，如果内圈与外圈都使用同一个写入策略，容易造成写入失败。因此，将光盘片分成多个区域(zone)，其中一开始写入的第一个区域的写入策略系根据光盘片从预存的写入策略中选取最佳写入策略，其余的区域则根据第一个区域所使用的最佳写入策略配合各个区域进行调整。在这里，预存的写入策略如同图1的已知技术一般，系预存于光盘片或光驱的内存之中。
所以，接着在步骤S25判断是否到达下一区域。若否，则回到步骤S24；若是，则到步骤S26，配合目前区域对步骤S14中的最佳写入策略进行调整，并以调整后的最佳写入策略取代原本的最佳写入策略，然后进行最佳写入功率测定，其中最佳写入策略的调整系根据最初写入策略按所在区域调整，并非实时动态调整。然后继续写入资料，直到资料写入完毕。
此外，CAV写入方式有一种作法是将各区域的写入策略预存在光驱的内存之中，并藉由光驱判断光盘片被写入到哪一个区域，然后从光驱的内存中读出该区域的最佳写入策略，再进行最佳写入功率测定。
所谓在光盘片上写入资料，事实上即是在光盘片上形成代表资料的坑(pit)或标记(mark)。而坑或标记的形状可藉由改变写入策略与写入功率两者的组合来达成。图3A与图3B分别示出了CD-R与CD-RW的写入策略。请参照图3A与图3B，欲写入光盘片的数字资料会先进行编码工作，即8转14调制(eight-to-fourteen modulation，EFM)，然后再将编码后的EFM讯号透过光驱的光学读写头写入光盘片，此时会根据光盘片为CD-R而采用如图3A具有Td、Tp与Tf等参数的写入策略，或者根据光盘片为CD-RW而采用如图3B具有Td、Tp、Tf与Tm等参数的写入策略。其中，T为基准时间幅，即1倍速，其频率为4.32兆赫(MHz)，故1T约230纳秒(ns)。对于DVD-R/RW、DVD+R/RW以及DVD-RAM等类型的光盘片而言，其参数定义更为繁多，在后文说明中仅以表示前缘移位(leading shift)时间的Td参数为例，并非限定其权利范围。
在写入倍速较低时，由于光学读写头中用以发射光束到光盘片的雷射二极管的响应速度相对于编码数据传输到光学读写头的速度快的多，改变写入功率即可改变坑或标记的形状。但是，到了较高写入倍速时，雷射二极管的响应速度相对于编码数据的3T频率已经颇为接近，一旦雷射二极管的响应速度到达其极限时，改变写入功率便丧失改变坑或标记的效果。
在上述两种已知技术中，无法在光盘片写入资料前所进行的最佳写入功率测定中，实时且动态地调整写入策略与写入功率。因此，亦无法藉由调整写入策略来对每一个光学读写头的响应特性再做调整，以得到较好的写入品质。
发明内容
本发明的目的就是在提供一种光储存媒体的写入参数最佳化的方法以及使用该方法的记录装置，其可动态调整光储存媒体的写入功率与写入策略以达到写入参数最佳化。
本发明提出一种光储存媒体的写入参数最佳化的方法，适用于光储存媒体的记录装置。该写入参数最佳化的方法包括把光储存媒体加载到记录装置，其中光储存媒体包括一测试区。接着，根据光储存媒体决定最初写入策略与最初写入功率的组合。利用最初写入策略与最初写入功率的组合对测试区进行试写，以动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合，从而得到最佳写入策略与最佳写入功率的组合。最后，利用最佳写入策略与最佳写入功率的组合，将资料写入光储存媒体。
本发明提出一种光储存媒体的记录装置，用以最佳化光储存媒体的写入参数，其中光储存媒体包括一测试区，而写入参数包括写入策略与写入功率。该记录装置包括光学读写单元、讯号还原单元、效能指数测量单元以及写入参数最佳化控制单元，其中讯号还原单元耦接至光学读写单元，效能指数测量单元耦接至讯号还原单元，以及写入参数最佳化控制单元耦接至效能指数测量单元以及光学读写单元。
光学读写单元用来物理性地对光储存媒体进行资料写入/读取。讯号还原单元用来还原从光储存媒体读取的资料。效能指数测量单元用来测量从光储存媒体读取的资料的效能指数。写入参数最佳化控制单元根据光储存媒体决定最初写入策略与最初写入功率的组合，且利用最初写入策略与最初写入功率的组合透过光学读写单元对测试区进行试写，以根据效能指数动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合而得到最佳写入策略与最佳写入功率的组合，并利用最佳写入策略与最佳写入功率的组合将资料写入光储存媒体。
本发明因为在光储存媒体写入资料前，藉由将测试资料试写到光储存媒体，还原试写到光储存媒体的测试资料以评估写入品质，然后实时且动态地调整写入策略与写入功率，所以可在光储存媒体写入资料时得到较好的写入品质。而且，因为在光储存媒体写入资料前动态地调整写入策略，所以能够补偿光学读写单元的响应特性的差异。
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图2示出了另一种已知的最佳写入功率测定的流程图，应用于固定角速度(CAV)的写入方式。
图3A与图3B分别示出了CD-R与CD-RW的写入策略。
图4为依照本发明优选实施例所示出的光盘片的写入参数最佳化的方法流程图。
图5示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合的一优选实施例的流程图。
图6示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合的另一优选实施例的流程图。
图7示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合的又一优选实施例的流程图。
图8为依照本发明优选实施例所示出的光驱电路的框图。
具体实施例方式
为了方便说明实施例起见，以下光储存媒体以光盘片为例，光储存媒体的记录装置以光驱为例。
图4为依照本发明优选实施例所示出的光盘片的写入参数最佳化的方法流程图。请参照图4，首先，在步骤S40，把包括一测试区的光盘片加载到光驱。其中光盘片可以是CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW或DVD-RAM等类型。而且，一般在光盘片内圈的功率测定区域(PCA)包括测试区与计数区，其中测试区分成多个区域以供多次试写，而计数区储存指示测试区中哪些区域已经被试写的信息。
接着，在步骤S41，根据光盘片决定最初写入策略与最初写入功率的组合。一般光盘片制造商会测试其生产的光盘片的特性，并将之写入在光盘片中，这些预存于光盘片中的信息包括光盘片的类型(type)、记录速度(recording speed)或记录参数(recording parameter)等。在步骤S42，利用最初写入策略与最初写入功率的组合对光盘片的测试区进行试写，以动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合，而得到最佳写入策略与最佳写入功率的组合。最后，在步骤S43，利用最佳写入策略与最佳写入功率的组合，将资料写入光盘片。不过，还有一种作法即是将不同种类、制造商的光盘片的最佳写入策略与最佳写入功率的组合预先调整好而储存在光驱的内存中。当光驱判断加载的光盘片是哪一种类、制造商的光盘片时，从预存在光驱的内存中的最佳写入策略与最佳写入功率的组合作为最初写入策略与最初写入功率的组合，再对光盘片的测试区进行试写以动态调整此组合。
图5示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合(即步骤S42)的一优选实施例的流程图。请参照图5，首先，在步骤S50以及步骤S51，分别根据最初写入策略决定写入策略范围，并从写入策略范围内选取M个测试写入策略，以及根据最初写入功率决定写入功率范围，并从写入功率范围内选取N个测试写入功率。其中，M个测试写入策略以Td1、Td2、Td3、…、TdM来表示，以及N个测试写入功率以P 1、P2、P3、…、PN来表示。
此外，写入功率范围为(Pmin，Pmax)，其上限Pmax由最初写入功率P加上一数值ΔP1所决定(即Pmax＝P+ΔP1)，而其下限由最初写入功率P减去另一数值ΔP2所决定(即Pmin＝P-ΔP2)。在一实施例中，ΔP1与ΔP2相同，例如皆为P的20％，因此相当于以最初写入功率P为基准，增减其20％为写入功率范围。另外，选取M个测试写入功率的方式可以采用将写入功率范围内等分为M个而得之。
同样地，写入策略范围为(Tdmin，Tdmax)，其上限Tdmax由最初写入策略的时间参数Td加上一数值ΔTd1所决定(即Tdmax＝Td+ΔTd1)，而其下限由最初写入策略的时间参数Td减去另一数值ΔTd2所决定(即Tdmin＝Td-ΔTd2)。在这里，以对写入策略影响较大的前缘移位时间参数Td为例，但是也可以采用其它时间参数。另外，选取N个测试写入策略的方式可以采用将写入策略范围内等分为N个而得之。
接着，在步骤S52，采用最初写入策略Td，分别利用测试写入功率P1～PN将测试资料试写到测试区。换句话说，即分别利用写入策略与写入功率的组合(Td，P1)、(Td，P2)、(Td，P3)、…、(Td，PN)将测试资料试写到测试区。
再来，在步骤S53，读出试写到测试区的测试资料，并根据所读出的试写到测试区的测试资料的抖动(jitter)值或误码率(bit error rate)，从测试写入功率P1～PN中决定最佳写入功率Po。例如，最佳写入功率Po若为测试写入功率P5，则Po＝P5。
然后，在步骤S54，采用最佳写入功率Po，分别利用测试写入策略Td1～TdM将测试资料试写到测试区。换句话说，即分别利用写入策略与写入功率的组合(Td1，Po)、(Td2，Po)、(Td3，Po)、…、(TdM，Po)将测试资料试写到测试区。
最后，在步骤S55，读出试写到测试区的测试资料，并据此从测试写入策略Td1～TdM中决定最佳写入策略Tdo。由上可知，本实施例总共需要写入N+M笔测试资料到测试区，以取得最佳写入策略与最佳写入功率的组合(Tdo，Po)。
图6示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合(即步骤S42)的另一优选实施例的流程图。请参照图6，首先，在步骤S60以及步骤S61，与图5的步骤S50以及步骤S51相同。接着，在步骤S62，利用测试写入策略Td1～TdM以及测试写入功率P1～PN的组合，将测试资料试写到测试区。换句话说，即分别利用写入策略与写入功率的组合(Td1，P1)、(Td1，P2)、…、(Td1，PN)、(Td2，P1)、(Td2，P2)、…、(Td2，PN)、…、(TdM，P1)、(TdM，P2)、…、(TdM，PN)将测试资料试写到测试区。
最后，在步骤S63，读出试写到测试区的测试资料，并据此从测试写入策略Td1～TdM以及测试写入功率P1～PN的组合中，决定该最佳写入功率与该最佳写入策略的组合(Tdo，Po)。由上可知，本实施例总共需要写入N*M笔测试资料到测试区，以取得最佳写入策略与最佳写入功率之组合(Tdo，Po)。
图7示出了图4步骤中动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合(即步骤S42)的又一优选实施例的流程图。请参照图7，首先，在步骤S70，决定写入功率改变量ΔP以及写入策略改变量ΔTd。接着，在步骤S71，利用五组测试写入功率与测试写入策略的组合将测试资料试写到测试区，这五组组合分别为(P，Td)、(P+ΔP，Td)、(P-ΔP，Td)、(P，Td+ΔTd)以及(P，Td-ΔTd)，其中P为最初写入功率，Td为最初写入策略。
再来，在步骤S72，读出试写到测试区的测试资料，并据此从上述五组组合中决定最佳写入功率与最佳写入策略的组合(Po，Tdo)，其中Po为最佳写入功率，Tdo为最佳写入策略。
然后，在步骤S73判断(P，Td)这一组是否是最佳写入功率与该最佳写入策略的组合。若在步骤S73判断为“否”，则到步骤S74，从剩下四组(P+ΔP，Td)、(P-ΔP，Td)、(P，Td+ΔTd)以及(P，Td-ΔTd)中选取最佳写入功率与最佳写入策略的组合，并以选取的最佳写入功率与最佳写入策略的组合取代步骤S71中的(P，Td)，重复步骤S71至步骤S73直到在步骤S73判断为“是”。
图8为依照本发明优选实施例所示出的光驱的电路框图。请参照图8，此光驱80用来最佳化光盘片88d的写入参数，而写入参数包括写入策略与写入功率。光驱80包括光学读写单元81、讯号还原单元82、效能指数测量单元83以及写入参数最佳化控制单元84，其中写入参数最佳化控制单元84包括控制单元85、写入策略产生单元86以及写入功率产生单元87。此外，主轴马达89用来转动光盘片88。
首先，写入参数最佳化控制单元84根据光盘片88决定最初写入策略与最初写入功率的组合之后，控制单元85控制写入策略产生单元86以及写入功率产生单元87分别产生最初写入策略与最初写入功率，再透过光学读写单元81将测试资料试写到光盘片88中的测试区。
再来，光学读写单元81读取试写到测试区的测试资料，并经由讯号还原单元82还原，以便效能指数测量单元83测量还原的测试数据的效能指数，例如测量资料的抖动值或误码率。然后，控制单元85根据效能指数测量单元83所测量到的效能指数，动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合而得到最佳写入策略与最佳写入功率的组合。最后，控制单元85控制写入策略产生单元86以及写入功率产生单元87分别产生最佳写入策略与最佳写入功率，再透过光学读写单元81将资料写入光盘片88。
综上所述，在本发明因为在光储存媒体写入资料前，藉由将测试资料试写到光储存媒体，还原试写到光储存媒体的测试资料以评估写入品质，然后实时且动态地调整写入策略与写入功率，故可在光储存媒体写入资料时得到较好的写入品质。而且，因为在光储存媒体写入资料前动态地调整写入策略，所以能够补偿光学读写单元响应特性的差异。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然而其并非用于限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应该可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种光储存媒体的写入参数最佳化的方法，适用于一光储存媒体的记录装置，该光储存媒体的写入参数最佳化的方法包括下列步骤把所述光储存媒体加载到所述记录装置，其中所述光储存媒体包括一测试区；根据所述光储存媒体，决定一最初写入策略与一最初写入功率的组合；利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合；以及利用所述最佳写入策略与所述最佳写入功率的组合，将资料写入所述光储存媒体。
2.如权利要求1所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合系根据预存于所述光储存媒体的信息，或是预先调整好而预存在所述记录装置的内存中，其中所述信息包括所述光储存媒体的类型。
3.如权利要求2所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述信息更包括所述光储存媒体的记录速度(recording speed)以及记录参数(recording parameter)二者的至少其中之一。
4.如权利要求1所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中步骤“利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合”包括下列步骤根据所述最初写入策略决定一写入策略范围，并且从所述写入策略范围内选取多个测试写入策略；以及根据所述最初写入功率决定一写入功率范围，并且从所述写入功率范围内选取多个测试写入功率。
5.如权利要求4所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中步骤“利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合”更包括下列步骤配合所述最初写入策略，利用所述这些测试写入功率将测试资料试写到所述测试区；读出试写到所述测试区的测试资料，并据此从所述这些测试写入功率中决定所述最佳写入功率；配合所述最佳写入功率，利用所述这些测试写入策略将测试资料试写到所述测试区；以及读出试写到所述测试区的测试资料，并据此从所述这些测试写入策略中决定所述最佳写入策略。
6.如权利要求4所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中步骤“利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率得组合”更包括下列步骤配合所述最初写入功率，利用所述这些测试写入策略将测试资料试写到所述测试区；读出试写到所述测试区的测试资料，并据此从所述这些测试写入策略中决定所述最佳写入策略；配合所述最佳写入策略，利用所述这些测试写入功率将测试资料试写到所述测试区；以及读出试写到所述测试区之测试资料，并据此从所述这些测试写入功率中决定该最佳写入功率。
7.如权利要求4所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中该写入功率范围的上限由该最初写入功率加上一数值所决定，而下限由该最初写入功率减去另一数值所决定。
8.如权利要求4所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述写入策略范围的上限由所述最初写入策略的一时间参数加上一数值所决定，而下限由所述最初写入策略的所述时间参数减去另一数值所决定。
9.如权利要求8所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述时间参数包括一前缘移位时间参数。
10.如权利要求1所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中步骤“利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合”包括下列步骤根据所述最初写入策略决定一写入策略范围，并且从所述写入策略范围内选取多个测试写入策略；根据所述最初写入功率决定一写入功率范围，并且从所述写入功率范围内选取多个测试写入功率；利用所述这些测试写入策略以及所述这些测试写入功率的组合，将测试资料试写到所述测试区；以及读出试写到所述测试区的测试资料，并据此从所述这些测试写入策略以及所述这些测试写入功率的组合中决定所述最佳写入策略与所述最佳写入功率的组合。
11.如权利要求10所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述写入功率范围的上限由所述最初写入功率加上一数值所决定，而下限由所述最初写入功率减去另一数值所决定。
12.如权利要求10所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述写入策略范围的上限由所述最初写入策略的一时间参数加上一数值所决定，而下限由所述最初写入策略的所述时间参数减去另一数值所决定。
13.如权利要求12所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中所述时间参数包括一前缘移位时间参数。
14.如权利要求10所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中从所述这些测试写入策略以及所述这些测试写入功率的组合中决定所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合，系根据所读出的试写到测试区之测试资料的抖动值、误码率或其它可以评断测试资料的指针。
15.如权利要求1所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中步骤“利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合，而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合”包括下列步骤(A)决定一写入功率改变量以及一写入策略改变量；(B)利用五组测试写入功率与测试写入策略的组合将测试资料试写到所述测试区，其中所述第一组测试写入功率与测试写入策略的组合包括所述最初写入功率，与所述最初写入策略；所述第二组测试写入功率与测试写入策略的组合包括所述最初写入功率加上所述写入功率改变量，与所述最初写入策略；所述第三组测试写入功率与测试写入策略的组合包括所述最初写入功率减去所述写入功率改变量，与所述最初写入策略；所述第四组测试写入功率与测试写入策略的组合包括所述最初写入功率，与所述最初写入策略加上所述写入策略改变量；以及所述第五组测试写入功率与测试写入策略的组合包括所述最初写入功率，与所述最初写入策略减去所述写入策略改变量；(C)读出试写到所述测试区的测试资料，并据此从上述五组测试写入功率与测试写入策略的组合中决定所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合；(D)判断所述第一组测试写入功率与测试写入策略的组合是否是所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合；(E)当所述第一组测试写入功率与测试写入策略的组合不是所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合时，根据所读出的试写到所述测试区的测试资料，从所述第二组至所述第五组测试写入功率与测试写入策略的组合中选取所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合，并以选取的所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合取代步骤(B)的所述第一组测试写入功率与测试写入策略的组合，重复步骤(B)至步骤(D)；以及(F)当所述第一组测试写入功率与测试写入策略的组合是所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合时，不再重复步骤(B)至步骤(D)。
16.如权利要求15所述的光储存媒体的写入参数最佳化的方法，其中从所述第二组至所述第五组测试写入功率与测试写入策略的组合中选取所述最佳写入功率与所述最佳写入策略的组合，系根据所读出的试写到测试区的测试资料的抖动值、误码率或其它可以评断测试资料的指针。
17.一种光储存媒体的记录装置，用以最佳化所述光储存媒体的写入参数，其中所述光储存媒体包括一测试区，而写入参数包括写入策略与写入功率，所述光储存媒体的记录装置包括一光学读写单元，用以物理性地对所述光储存媒体进行资料写入/读取；一讯号还原单元，耦接至所述光学读写单元，用以还原从所述光储存媒体读取的资料；一效能指数测量单元，耦接至所述讯号还原单元，用以测量从所述光储存媒体读取的资料的一效能指数；以及一写入参数最佳化控制单元，耦接至所述效能指数测量单元以及所述光学读写单元，所述写入参数最佳化控制单元根据所述光储存媒体决定一最初写入策略与一最初写入功率的组合，且利用所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合透过所述光学读写单元对所述测试区进行试写，以根据所述效能指数动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合，并利用所述最佳写入策略与所述最佳写入功率的组合将资料写入所述光储存媒体。
18.如权利要求17所述的光储存媒体的记录装置，其中所述写入参数最佳化控制单元包括一写入策略产生单元，耦接至所述光学读写单元，用以产生写入策略以控制所述光学读写单元存取所述光储存媒体的资料；一写入功率产生单元，耦接至所述光学读写单元，用以产生写入功率以控制所述光学读写单元存取所述光储存媒体的资料；以及一控制单元，耦接至所述效能指数测量单元、所述写入策略产生单元以及所述写入功率产生单元，所述控制单元根据所述光储存媒体决定一最初写入策略与一最初写入功率的组合，且透过所述写入策略产生单元与所述写入功率产生单元以所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合对所述测试区进行试写，以根据所述效能指数动态调整所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合而得到一最佳写入策略与一最佳写入功率的组合，并透过所述写入策略产生单元与所述写入功率产生单元利用所述最佳写入策略与所述最佳写入功率的组合将资料写入所述光储存媒体。
19.如权利要求17所述的光储存媒体的记录装置，其中所述效能指数包括抖动值、误码率或其它可以评断测试资料的指针。
20.如权利要求17所述的光储存媒体的记录装置，其中所述最初写入策略与所述最初写入功率的组合系根据预存于所述光储存媒体的信息，或是预先调整好而储存在所述记录装置的内存中，其中所述信息包括所述光储存媒体的类型、记录速度以及记录参数三者至少其中之一。
全文摘要
一种光储存媒体的写入参数最佳化的方法以及记录装置，该方法包括把光储存媒体加载到记录装置，其中光储存媒体包括测试区。根据光储存媒体，决定最初写入策略与最初写入功率的组合。接着，利用最初写入策略与最初写入功率的组合对测试区进行试写，以动态调整最初写入策略与最初写入功率的组合，而得到最佳写入策略与最佳写入功率的组合。最后，利用最佳写入策略与最佳写入功率的组合，将资料写入光储存媒体。
文档编号G11B7/0045GK1925024SQ200510093700
公开日2007年3月7日 申请日期2005年9月1日 优先权日2005年9月1日
发明者李耀裕, 王信博, 蔡岳轩 申请人:凌阳科技股份有限公司