专利名称：一种存储卡的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及数据存储技术，更具体地说，涉及一种存储卡。
技术背景小型存储卡的应用市场从早期的数码相机为主，近年来逐渐拓展至手机、PDA、 GPS卫星导航等便携式电子产品。尤其随着多媒体手机越来越普及，影 音功能越来越强大，在庞大的数据储存需求之下，更加速了存储卡市场需求的 快速成长。另一方面，存储卡的规格发展除了配合便携式电子产品轻薄短小的 趋势演化之外，多媒体应用也使得存储卡的容量需求越来越大。因此在存储卡 体积越来越小、容量越来越大之下，存储卡的组装产生了结构性的改变。以SD系列的存储卡为例，早期SD卡的组装采用TSOP (英文全称Thin Small Outline Package,中文薄型小尺寸封装)或WSOP封装成型的闪存芯 片，以SMT (英文全称Surface mounttechnology，中文表面安装技术)的方 式置于存储卡的电路基板，再利用超音波等方式将上下两片外壳接合而成卡 体。此种组装方式一般内存模组厂均可自行生产，或者外包给专业SMT代工 厂。然而演进至microSD卡时，由于存储卡体积大幅縮小，加上高容量的需 求，使得microSD卡必须采用闪存裸晶，并以COB (英文全称Chip on Board,中文IC裸片通过邦定固定于印刷线路板上)的方式直接黏合至基板，甚至 因容量需求而必须磨薄并堆叠闪存芯片，并置入控制IC、被动组件等零组件， 然后再以半导体封装的压模(Molding)制程密封，最后施以滚轮、雷射或水 刀切割方式完成卡体。国际NAND闪存厂商直接供应存储卡成卡的动作频频，甚至一度祭出存储卡成卡价格低于闪存晶圆(wafer)的策略。未来若闪存厂商直接供应成卡 渐成趋势，影响所及将排挤闪存的wafer供应量，使得生产microSD卡的wafer 货源减少。而在堆叠技术方面，随着存储卡容量越高，闪存芯片堆叠的层数也 越多，但良品率却会随着堆叠层数越来越低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术中，采用简单制造工艺 的存储卡体积较大，而体积小的存储卡制造工艺又比较复杂，良品率较低的缺 陷，提供一种体积小的易于制造的一体成型的存储卡。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种存储卡，包括 外部接口、壳体和卡体，所述卡体包括印刷电路板和焊接在印刷电路板上的主 控芯片、存储芯片和阻容件，所述外部接口连接至主控芯片，主控芯片连接至 存储芯片，所述主控芯片和存储芯片为裸片，所述裸片和印刷电路板一体封装 在所述壳体中。
在本实用新型所述的存储卡中，所述的主控芯片裸片型号为CBM3080或 SM290。
在本实用新型所述的存储卡中，所述存储芯片裸片的型号可以为32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G和4G中的任意一种。 在本实用新型所述的存储卡中，所述阻容件为表贴器件。 在本实用新型所述的存储卡中，所述的壳体为半导体封装用环氧树脂成型 材料。
在本实用新型所述的存储卡中，所述外部接口为Micro SD/TF接口、 RS-MMC接口或Mini SD接口 、 USB接口 。
在本实用新型所述的存储卡中，所述的存储芯片裸片可以为一个或多个。 在本实用新型所述的存储卡中，所述的存储芯片为闪存芯片。 实施本实用新型的存储卡，具有以下有益效果通过简单的制造工艺即可 实现体积更小的存储卡。
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中图1是本实用新型一种存储卡的结构图；图2是本实用新型中卡体的结构图；图3是本实用新型一种存储卡的生产流程图。
具体实施方式
如图1所示，在本实用新型一种存储卡中，包括卡体l、壳体2和外部接口3。卡体l包括PCB板ll、主控芯片裸片(Host controller die) 12、存储 芯片裸片(Flash die) 13、阻容件14。如图2所示，在卡体1中，Host controller die 12禾卩Flash die 13通过bonding 连接到PCB板11上，阻容元件14通过SMT贴片在PCB板11上。PCB板11是定制的Chipsbank-pcb、 Smi-pcb。Host controller die 12是Chipsbank、 SMI等主控方案，型号为CBM3080、 SMI290等。Flash die 13可以选择三星或现代的型号是32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G和4G中的任意一种。根据存储容量的需求，可以有一个或多 个存储芯片裸片。Flash die 13连接至Host controller die 12。阻容件14为表贴器件，精度为+/-5%。，确保产品的稳定性。壳体2为半导体封装用环氧树脂成型材料，可采用Chow Electronic的 BE08/09,保证产品的防水和防静电特性。外部接口 3可以是Micro SD/TF接口 、 RS-MMC接口或Mini SD接口 。 外部接口 3连接至Host controller die 12。用Flash die和Host controller die可以制成超薄、形状各异的一体成型存 储卡。在制造时需要在厚度和宽度方面做相应的处理。在厚度方面控制好 Bonding的弧度及封胶的厚度来有效控制存储卡的厚度，以达到标准一体成型 存储卡厚度的标准。如图3所示，是本实用新型所述存储卡的生产流程图，包括如下步骤S21:将阻容元件通过SMT贴片。S22:将Flash die和Host controller die通过bonding与PCB板连接，得到半成品。S23:将半成品通过烧录程序。S24:进行测试，得到确认的良好的半成品。S25:将填充材料灌注入卡体的芯片与基板之间的空隙中，该填充材料可以是Chow Electronic的BE08/09半导体封装用环氧树脂成型材料。S26:使用Chow Electronic的BE08/09半导体封装用环氧树脂成型材料包裹在卡体外，经热压成型后得到初步的成品。S27:将上述的成品在Windows下进行测试，得到最后的良好成品。 S28:将上述的良好成品进行外观处理，就是可以出货给客户的成品。 生产本实用新型一体成型存储卡的过程中，灌注、热压成型要控制好半导体封装用环氧树脂成型材料的量，热压时间以免出现成型不良的问题，增强产品 的外观效果。以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式
，但本实用新型的保护范 围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范 围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因 此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
权利要求1、一种存储卡，包括外部接口、壳体和卡体，所述卡体包括印刷电路板和焊接在印刷电路板上的主控芯片、存储芯片和阻容件，所述外部接口连接至主控芯片，主控芯片连接至存储芯片，其特征在于，所述主控芯片和存储芯片为裸片，所述裸片和印刷电路板一体封装在所述壳体中。
2、 根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述的主控芯片裸片型 号为CBM3080或SMI290。
3、 根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述存储芯片裸片的型 号可以为32M、 64M、 128M、 256M、 512M、 1G、 2G和4G中的任意一种。
4、 根据权利要求l所述的存储卡，其特征在于，所述阻容件为表贴器件。
5、 根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述的壳体为半导体封 装用环氧树脂成型材料。
6、 根据权利要求1所述的存储卡，其特征在于，所述外部接口为Micro SD/TF接口、 RS-MMC接口或MiniSD接口、 USB接口。
7、 根据权利要求3所述的存储卡，其特征在于，所述的存储芯片裸片可 以为一个或多个。
8、 根据权利要求3所述的存储卡，其特征在于，所述的存储芯片为闪存 心片。
专利摘要本实用新型涉及一种存储卡，包括外部接口、壳体和卡体，所述卡体包括印刷电路板和焊接在印刷电路板上的主控芯片和存储芯片，所述外部接口连接至主控芯片，主控芯片连接至存储芯片，所述主控芯片和存储芯片为裸片，所述裸片和印刷电路板一体封装在所述壳体中。本实用新型的存储卡，通过简单的制造工艺即可制造，良品率高，存储卡成品的体积更小。
文档编号G11C5/00GK201146046SQ200720171438
公开日2008年11月5日 申请日期2007年12月7日 优先权日2007年12月7日
发明者郭寂波 申请人:深圳市劲升迪龙科技发展有限公司