光信息记录装置、方法、以及信息处理电路的制作方法

文档序号:6782557阅读:162来源:国知局

专利名称::光信息记录装置、方法、以及信息处理电路的制作方法
技术领域
:本发明涉及一种光信息记录装置、方法、以及信号处理电路,特别涉及对内外周差的记录特性不同的介质的记录条件的最优化有效的光信息记录装置、方法、以及信号处理电路。
背景技术
:在以CD-R和DVD-R等为代表的光信息记录介质(以下称作"介质,,)的记录中,作为记录对象的介质与记录所使用的记录装置(以下称作"驱动器")的匹配性因各个组合的不同而不同。作为其原因,考虑有以下情况,即由于构成介质的记录材料的种类的不同或制造时的成膜偏差而使最佳的记录条件发生变化的介质一方的原因;和由于构成驱动器的光拾取器、半导体激光器的种类的不同或制造时的组装偏差而使最佳的条件发生变化的驱动器一方的原因。实际上,对于这些原因的组合,存在适合于各组合的记录条件。因此,以往使用以下的方法,即预先在介质一方存储可从驱动器一方识别该介质的种类的ID信息,并且预先在驱动器一方按介质的种类存储预先准备的记录条件,在进行实际的记录时,从填装在驱动器中的介质读入该介质的ID信息,使用与该ID信息相关联的记录条件(称作"光策略(lightstrategy),,)。可是,在上述以往的方法中,能够对于预先验证过的已知的介质,选择某种程度上适合的某记录条件,但是对于未经过验证的未知的介质,就存在无法用所准备的记录条件进行应对的情况,此外,即使是已知的介质,因为记录环境的变化,例如记录速度、干涉、及时间变化,就存在无法用所准备的记录条件进行应对的情况。作为i某求对这样的未知介质的应对的方法,公知有以下文献所记载的方法。[专利文献1]日本特开20(B-30837号公才艮[专利文献2]日本特开20(H-110"5号公报在上述专利文献1的段落中,记载有"…对各记录模式(pattern)检测与通道时钟的相位误差。记录补偿参数调整部12根据相位误差检测部11的检测结果,使发光波形规则最优化..."这样的内容,公开了通过与通道时钟的比较来检测、校正相位误差的方法。此外,在上述专利文献1的段落中记载有"接着,记录用于确定发光波形规则的测试模式。然后,再现已记录该测试模式的区域,研究预先准备的发光波形规则与相位误差量的关系。即,测量各种标记的长度与紧接该标记志之前的各种间隔的长度的各组合中的相位误差量。从测量出的相位误差量预测相位误差量变为零的发光波形规则,确定所希望的发光波形规则…"这样的内容,公开了按标记和间隔的各组合来测量相位误差量,预测相位误差量变为零的方法(参照图8和图12)。根据该专利文献l中记载的方法,能进行基于记录模式的相位误差的校正,因此该方法是对策略的最优化有效的方法。但是,根据上述专利文献1的方法,由于与以往同样是对预先存储在驱动器中的策略进行细微调整,因此对于不适合于预先存储的策略的介质,就难以满足良好的记录品质。此外,在上述专利文献2的段落中,记载有"…一体地(连这样的内容,在上述专利文献2的段落0046中,记载有"…光脉沖以2等级来调整激光功率,当激光功率(起始脉冲的峰值)Ph与激光功率(非多脉冲的峰值)Pm的比处于最佳时,得到最佳功率…"这样的内容,暗示出对Ph/Pm的比率进行最优化的有用性。但是,根据上述专利文献2的方法,由于如该文献的段落中记载的那样,是根据存储于驱动器或者介质中的值,临时设定Ph和Pm的初始值,之后,求出Ph/Pm的比率,因此与专利文献l的情况同样,对于不适合于临时设置的值的介质,就难以满足良好的记录品质。另外,对光盘等光信息记录介质的信息记录,通过以下的方式进行,即将记录数据以EFM(EighttoFourteenModulation)格式、8-16调制格式等进行调制,根据该调制信号形成记录脉沖,根据该记录脉沖控制激光的强度或照射定时,在光盘上形成记录坑。这里,记录坑的形成,由于是利用激光的照射所产生的热来进行的,因此记录脉沖需要进行考虑了蓄热效果或热干涉等的设定。于是,以往按光盘的种类以策略的形式对构成记录脉冲的各种参数的设定进行多个定义,从这些策略中选择最适合于该记录环境的策略,从而进行对光盘的记录。该策略不仅依赖于例如光拾取器的点径偏差、机构精度偏差等光信息记录装置个体差别,还依赖于用于记录再现时的光盘的制造商类别和记录速度,因此设定最佳策略将提高记录品质。为此,人们提出了这样的方法,即求出对应于各制造商类别的光盘的最佳策略,将该策略对应于各制造商类别预先存储到存储器中,在对光盘记录信息时,读取记录在光盘中的光盘的制造商类别,从上述存储器读出与该所读取的制造商类别对应的最佳策略来进行使用。但是,根据上述方法,虽然可以对于预先存储在存储器中的制造商类别的光盘进行最佳记录,但对于没有存储在存储器中的制造商类别的光盘,则无法进行最佳记录,此外,即使是预先存储在存储器中的制造商类别的光盘,当记录速度不同时,也不能进行最佳记录。因此,如下述专利文献3~6所示,提出了按不同的记录条件预先进行测试记录,根据该测试记录确定最佳策略,从而能应对各种光盘的方法。[专利文献3]日本特开平5-144001号公报[专利文献4]日本特开平4-137224号公报[专利文献5]日本特开平5-143999号公报[专利文献6]日本特开平7-235056号公报然而,上述专利文献3~6所示的方法,由于在开始信息记录前需要进行测试记录,因此无法在记录的同时对策略进行校正,难以进行对内外周的最佳条件不同的情况的应对。作为解决由于存在着光盘从内周部到外周部若干个记录特性有差异、记录装置一方在内周部和外周部的记录速度不同的情况,因此记录品质产生内外差这样的课题的方法,以下的专利文献揭示了通过调整激光输出来緩解内外差的技术。[专利文献7]日本特开昭53-05(T707号公报在该专利文献7中,z^开了通过^:测副光束(subbeam)的光量变化,自动地进行激光输出的优化的方法,该种方法被称为OPC。上述这样的OPC,是实时调整调整功率的被称作随机(running)OPC的方法,能够通过不对称(asymmetry)^L等统计上的指标求出校正条件,因此也可以实现一边记录一边进行校正的实时校正,但在校正脉冲宽度或脉冲的相位条件时,由于需要记录脉冲与在光盘上所形成的坑之间的偏移量,因此用现有的OPC难以进行应对。因此,为了进行脉冲条件的实时校正,就需要在记录的同时检测坑和间隔的位置、长度的技术。作为解决这一问题的一个方法(approach),在下述专利文献8中公开了对与记录位置几乎相同的位置进行再现的技术。[专利文献8]日本特开昭51-109851号乂/H艮但是,该方法虽然能够适用于光磁记录,但对于不使用磁的光记录却难以适用。即,在光》兹记录中,由于通过》兹调制进行信息的记录,因此激光的输出是无调制的,但在光记录中,由于通过激光的输出调制来进行信息的记录,因此会产生该调制的影响波及到再现一方这样的问题。作为解决该问题的方法,已知有下述文献所揭示的方法。[专利文献9]日本特开平1-287825号公报[专利文献IO]日本特开平7-129956号公报[专利文献11]日本特开2004-22044号公报[专利文献12]日本特开平9-147361号公报专利文献9为这样的技术,即向未记录区域和记录区域照射不同的光束,通过使所取得的不同的信号相互之间进行除法计算而取出再现信号,根据该方法,能够校正在记录信息时由于激光的光强度调制而造成的再现信号波形的失真。此外,专利文献IO为以下的技术,即通过由AGC(AutoGainControl)适当放大后的激光输出和反相时钟来抵消接受了调制的输出而取得再现信号。此外,专利文献11为以下的技术,即将伴随记录脉冲的波形变动的再现信号的失真,通过延迟反相等价电路生成相当于该记录脉冲的波形变动的信号并进行抵消,从而消除该失真。专利文献9至专利文献11所揭示的方法,都是通过运算消除调制成分的技术。在理论上认为是可以抵消的,但在抵消的精度和运算速度上,对于实用化存在种种问题。此外,专利文献12为以下的技术,即通过使用将用于记录的脉沖延迟后的延迟脉冲,和将被调制信号反相后的门信号,连同再现脉冲一起输入相位比较器,从而实时地检测记录状态的偏移。然而,该专利文献12所公开的方法,由于是在记录脉冲断开(OFF)时进行坑的再现,因此在副光束的输出低的情况下,难以取得具有足够高品质的再现信号。尤其在由记录用的主光束(mainbeam)分支生成再现用的副光束的结构中,当分支比率变成20:l或者30:l时,将难于分配给副光束足够的输出。即,在专利文献12中的分支比率为8:1,但伴随着记录速度的高速化,该分支比倾向于越变越大,此外,由于在记录脉冲断开时光束输出通常为小于或等于lmW,因此在记录脉冲断开时能够冲企测的记录面反射光的强度变得非常小。由于当能够检测的光的强度变弱时,容易受到电路噪声(noise)、介质噪声等的影响,结果造成无法取得良好的检测信号。另一方面,作为检测在光盘上记录的坑和间隔的长度的方法,已知有利用再现RF信号的积分值的积分检测方式、利用RF信号的1次微分值的振幅检测方式、以及利用RF信号的2次微分值的峰值检测方式。但是,使用波长比较短的激光进行再现动作的光记录装置,在进行了低密度记录的光盘上不产生点和坑的干涉,因此通过RF信号的积分检测方式检测长度信息就存在困难。而且,利用RF信号的1次微分值的方法,在记录功率伴随着记录速度的变化而变化时,以同一限制电平进行了2值化的信号,不管检测了相同长度的坑和间隔的结果如何,也会被检测成不同的长度。为了解决这一问题,虽然也考虑了使限制电平根据记录速度进行变化的方法,但难以按不同的记录速度设定合适的限制电平。此外,作为利用RF信号的2次微分值的峰值检测方式,例如已知有下述专利文献所揭示的方法。[专利文献13]国际公开WO96/24130号公报该专利文献13所记载的方法,通过对光检波器的差信号、所谓切向推挽信号进行微分,生成与将RF信号2次微分后的值等效的信号,就能利用该信号来检测坑的边缘位置。其中,该光检波器具有由相对光盘的转动方向呈光学垂直的分割线所划分的2个区域。然而,该专利文献13所记载的方法,在进行对记录在光密度型的光盘、例如DVD级的介质上的坑和间隔的检测时,在容易产生干涉的3T、4T这样的短的坑和间隔的切向推挽信号的微分值上出现误差,就会检测为与本来的坑和间隔的长度不同的值。另一方面,下述专利文献14公开了对上述的随机OPC进行了改良的方法。[专利文献14]日本特开2002-117544号公报在该专利文献14中,公开了使用特定的坑、岸(land)模式检测最佳功率的方法,但是,该文献所公开的坑、岸模式,由于无法切分开功率和脉冲宽度的调整要素,因此就无法确保记录品质的足够的容限(margin),难以应对高速记录。
发明内容因此,本发明提供一种对内外周差的记录特性不同的介质的记录条件进行最优化的方法。为了实现上述目的,本发明的第1个方面为一种光信息记录装置,通过进行基于包括仅由起始脉沖构成的第l记录脉沖,和由该起始脉沖与后续脉沖构成的第2记录脉沖的记录脉沖串的激光的照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该光信息记录装置的特征在于,包括对在上述光记录介质上形成的坑和/或岸进行再现的再现装置;根据上述再现装置的再现结果,使上述第1记录脉沖的功率发生变化的装置;以及根据上述再现装置的再现结果,使上述第2记录脉冲的宽度发生变化的装置。这样,通过将起始脉沖作为功率调整要素,将后续脉沖作为脉沖宽度调整要素使用,能够使功率和脉冲宽度的调整要素独立,其结果是提高记录品质的容限。这里,优选的是与出现频率最高、记录困难的最短坑对应地设定起始脉沖,例如,当如CD-R那样定义3T11T的坑串时,或如DVD-R那样定义3T11T和14T时,优选的是预先与3T坑对应。此外,后续脉冲也能采取非多脉沖和多脉沖中任意一者的方式,在非多脉冲的情况下,用起始脉沖和后续脉冲的功率比进行记录脉冲的优化,在多脉冲的情况下,由多个分脉冲构成后续脉沖,通过调整上述各分脉冲的占空比,进行记录脉冲的优化。可以将脉沖功率、脉沖宽度、占空比任意组合来定义起始脉沖和后续脉冲的条件,优选的是通过调整起始脉沖和后续脉沖的比,进行记录脉冲的优化。在本发明中,首先,在确定起始脉冲的条件后,确定后续脉冲的条件,从而能实现更稳定的记录品质。即,记录脉冲的起始侧对记录品质的影响比后续侧大,特别是当把出现频率高的3T脉沖设定为起始脉冲时,该影响明显出现。因此,在本发明中,采用以下的方法,即首先预先求出起始脉冲的最佳条件,由此能发现更适合的起始脉冲条件,然后求出后续脉冲的条件。而如上述专利文献2所述的那样,在先进行起始脉沖和后续脉冲的比率的优化的方法中,有时无法取得起始脉冲的最佳解,应对未知介质的能力下降。为了进一步提高精度,也可以反复多次进行起始脉沖条件的确定和后续脉冲条件的确定。更优选的是,使记录脉沖串由具有该记录脉沖串中最短长度的m,T长度的mT脉冲,和具有由下式定义的n,T长度的nT脉冲构成,n,T=m,T+(n-m)T,其中,T:时钟信号的周期,m,最短脉沖的时钟数,n,该脉冲的时钟数,mT:最短坑的数据长度,nT:比最短坑的长度长的坑的数据长度,将上述mT脉冲设定为起始脉冲,将(n-m)T脉沖设定为接着该起始脉沖的后续脉冲,将使它们连续的脉沖设定为nT脉冲。mT脉沖变为最短脉冲,因此记录最难,就使确定该条件比确定其他脉冲条件优先。这里,mT脉冲的长度定义为m,T,设为从最短坑的数据长度即mT变化的脉冲。这是考虑记录最短坑时离理想长度的偏移,求出最佳的记录脉沖长度的结果,nT脉沖的长度也受到该m,T的影响,成为n,T。例如当用2T的记录脉冲记录最短长度的3T数据时,mT=3T,m,T=2T,因此用于记录5T的数据的记录脉冲n,T变为2T+(5-3)T=4T。本发明的第2个方面为一种光信息记录装置,其特征在于,包括:对在上述光记录介质上形成的坑和/或岸进行再现,并纟全测自坑和/或岸的基准长度的长度偏移量的装置;根据上述偏移量确定上述第l记录脉沖的功率的装置;以及根据上述偏移量确定上述第2记录脉冲的宽度的装置。这样,就可以通过用长度偏移量检测功率的影响,可以进行利用了与前后的坑、间隔的关系的长度偏移量的检测,因此能够进行更高精度的功率调整。本发明的第3个方面为一种光信息记录装置,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域形成的坑和/或岸进行再现,并确定上述第1和第2记录脉冲的基本记录条件的装置;对在上述光记录介质的记录区域形成的坑和/或岸进行再现,并检测自坑和/或岸的基准长度的长度偏移量的装置;将上述第1记录脉沖的宽度设定为与上述第1记录脉冲的基本记录条件相同的条件,并且根据上述偏移量调整该第1记录脉冲的功率的装置;以及将上述第2记录脉沖的功率设定为与上述第1记录脉冲的功率相同的条件,并且根据上述偏移量调整上述第2记录脉冲的宽度的装置。这样,通过根据自基准长度的长度偏移量,将功率与脉沖宽度的影响分离开进行检测,各自独立地进行调整,能够提高记录品质的容限。本发明的第4个方面为一种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,该光信息记录装置的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域形成的坑和/或岸进行再现,并确定仅由起始脉冲构成的第l记录脉沖,和由该起始脉沖与后续脉沖构成的第2记录脉沖的基本记录条件的装置;以及通过上述再现用激光,对使用上述记录用激光在上述光记录介质的记录区域形成的坑和/或岸进行再现,并检测自坑和/或岸的基准长度的长度偏移量的装置。这样,通过用再现用激光冲企测由记录用激光形成的坑,可以进行长度偏移量的实时检测,因此,能够进行基于长度偏移量的实时的功率校正。其结果是可以谋求对内外周差的应对。本发明的第5个方面为一种光信息记录装置,通过进行基于包括仅由起始脉冲构成的第l记录脉沖,和由该起始脉冲与后续脉冲构成的第2记录脉冲的记录脉沖串的激光的照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该光信息记录装置的特征在于,包括在上述光记录介质上,照射以与上述第2记录脉沖的宽度相等的间隔配置了2个上述第1记录脉冲的记录脉冲串的装置;对由上述配置了2个上述第1记录脉冲的记录脉冲串的照射形成的坑和/或岸进行再现,取得与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号的装置;根据与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号,检测与上述第1记录脉冲对应的坑的长度和/或岸的长度的装置;以及根据上述检测的与第1记录脉沖对应的坑和/或岸的长度,调整上述第1记录脉沖的功率的装置。这样,通过利用与第2记录脉沖宽度相等的间隔的信号,检测由第1记录脉冲形成的坑或间隔的长度,例如,即便是眼图(eyepattern)的开口小而难以检测的3T信号,也只需将第1记录脉冲的宽度设定为3T,将相当于第2记录脉冲的宽度的间隔设定为6T,位于6T的两端的3T信号的影响就显现到该6T信号上,因此可以通过信号量大的6T信号预测3T长度的坑或间隔的长度。本发明的第6个方面,为一种根据本发明的第5个方面的光信息记录装置,其特征在于,包括照射接在2个上述第1记录脉沖后具有与该第1记录脉冲的宽度相等的间隔的第l记录脉沖串的装置;照射接在2个上述第l记录脉冲后具有比该第l记录脉冲的宽度长的间隔的第2记录脉冲串的装置;将对由上述第1记录脉沖串的照射形成的坑和/或岸进行再现所取得的信号,与对由上述第2记录脉沖串的照射形成的坑和/或岸进行再现所取得的信号进行比较的装置;以及根据上述比较结果判定上述再现结果的真伪的装置。这样,通过对后续的脉沖的间隔短的第1记录脉冲串的再现结果,与后续的脉冲的间隔长的第2记录脉沖串的再现结果进行比较,可以检测在后续的脉冲的间隔短的情况下可能产生的失真。其结果是可以避免由于该失真的原因而可能导致的误检测。本发明的第7个方面为一种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,所述光信息记录装置的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域形成的坑和/或岸进行再现,并确定^f又由起始脉沖构成的第l记录脉沖和比该第l记录脉冲长的由上述起始脉冲与后续脉沖构成的第2记录脉沖的记录条件的装置;使用上述记录用激光,在上述光记录介质的记录区域,照射以与上述第2记录脉冲的宽度相等的间隔配置了2个上述第l记录脉沖的记录脉沖串的装置;以及通过上述再现用激光对由上述记录脉沖串的照射形成的坑和/或岸进行再现,取得与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号的装置。通过这样构成,能够实时地、高精度地检测信号量小的第1记录脉沖的影响,因此即便对于内外周差的记录品质不同的介质,也能够取得高的记录品质的容限。本发明的第8个方面为一种光信息记录方法,通过进行基于包括仅由起始脉冲构成的第l记录脉冲,和由该起始脉沖与后续脉沖构成的第2记录脉冲的记录脉沖串的激光的照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该光信息记录方法的特征在于,包括对在上述光记录介质上形成的坑和/或岸进行再现的再现步骤;根据上述再现步骤的再现结果,使上述第1记录脉冲的功率发生变化的步骤;以及根据上述再现步骤的再现结果,使上述第2记录脉沖的宽度发生变化的步骤。本发明的第9个方面为一种光信息记录方法,其特4i在于,包括在上述光记录介质上,照射以相当于上述第2记录脉冲的宽度的间隔配置了2个上述第1记录脉沖的记录脉沖串的步骤;对由上述记录脉冲串的照射形成的坑和/或岸进行再现,取得与2个上述第1记录脉沖的间隔对应的坑和/或岸信号的步骤;根据与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号,检测与上述第1记录脉冲对应的坑的长度和/或岸的长度的步骤;以及根据上述检测的与第1记录脉沖对应的坑的长度和/或岸的长度,调整上述第l记录脉冲的功率的步骤。本发明的第10个方面为一种信号处理电路,被装入光信息记录装置中,所述光信息记录装置通过进行基于包括仅由起始脉冲构成的第1记录脉冲,和由该起始脉冲与后续脉冲构成的第2记录脉冲的记录脉沖串的激光的照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该信号处理电路的特征在于,包括对在上述光记录介质上形成的坑和/或岸进行再现的再现装置;根据上述再现装置的再现结果,使上述第1记录脉冲的功率发生变化的装置;以及根据上述再现装置的再现结果,使上述第2记录脉冲的宽度发生变化的装置。本发明的第11个方面为一种信号处理电路,其特征在于,包括在上述光记录介质上,照射以与上述第2记录脉沖的宽度相等的间隔配置了2个上述第1记录脉冲的记录脉冲串的装置;对由上述记录脉沖串的照射形成的坑和/或岸进行再现,取得与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号的装置;根据与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号,检测与上述第1记录脉沖对应的坑的长度和/或岸的长度的装置;以及根据上述检测的与第1记录脉沖对应的坑的长度和/或岸的长度,调整上述第l记录脉冲的功率的装置。本发明的第12个方面为一种光信息记录装置,通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,同在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。这里,作为2次微分等效值,既可以是对再现的RF信号进行2次微分后求出的值,也可以是对切向推挽信号进行1次微分后求出的值。这样,通过对在测试区域求出的2次微分等效值,和在记录区域求出的2次微分等效值进行比较,即便对在介质的记录密度为高密度时容易产生干涉的3T、4T信号,也能检测准确的长度偏移。本发明的第13个方面为一种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,所述光信息记录装置的特征在于,包括使用上述再现用激光,对使用上述记录用激光在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。这样,通过用再现用激光检测由记录用激光形成的坑,可以进行利用了2次微分等效值的长度偏移的实时校正,其结果是可以谋求对介质的记录品质的内外周差的应对。本发明的第14个方面为一种光信息记录装置,通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行长度不同的多种坑和间隔的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和间隔进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种坑信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和间隔进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种坑信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的对于各坑长度的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的对于各坑长度的2次微分等效值进行比较的装置。这样,通过按各坑长度求出2次微分等效值,分别对在测试区域取得的值与在记录区域取得的值进行比较,能够检测对于各坑长度和各间隔长度的长度偏移的影响,因此能进行对应于长度的准确的校正。作为坑长度的偏差(variation),例如在为DVD的情况下,可以使用3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、IOT、IIT、14T。本发明的第15个方面为一种光信息记录装置,通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行长度不同的多种坑和间隔的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和间隔进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种间隔信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和间隔进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种间隔信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的对于各间隔长度的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的对于各间隔长度的2次微分等效值进行比较的装置。这样,通过按各间隔长度求出2次微分等效值,分别对在测试区域取得的值与在记录区域取得的值进行比较,能够检测对于各坑长度和各间隔长度的长度偏移的影响,因此能进行对应于长度的准确的校正。作为间隔长度的变量,例如在为DVD的情况下,可以使用3T、4T、5T、6T、7T、8T、9丁、IOT、IIT、14T。本发明的第16个方面为一种光信息记录装置,通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,其特征在于,包括使上述光记录介质转动的装置;具有对于上述光记录介质的转动方向在前后划分成至少2个受光区域的光检波器;求出从上述2个受光区域取得的各信号的差的装置;对上述差进行微分的装置;在设置于上述光记录介质的测试区域内求出上述微分值的装置;在设置于上述光记录介质的记录区域内求出上述微分值的装置;以及对在上述测试区域内求出的微分值,与在上述记录区域内求出的微分值进行比较的装置。这样,还可以利用由在转动方向被分割的2个受光区域取得的信号的差、即所谓切向推挽信号。本发明的第17个方面为一种光信息记录装置,通过记录用激光的脉沖照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,所述光信息记录装置的特征在于,包括使用上述再现用激光,在设置于上述光记录介质的记录区域内求出上述微分值的装置。本发明的第18个方面为一种光信息记录方法,是用于光信息记录装置的光信息记录方法,所述光信息记录装置通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该光信息记录方法的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进^f亍再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的步骤;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的步骤;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的步骤。本发明的第19个方面为一种信号处理电路,用于光信息记录装置,所述光信息记录装置通过激光的脉沖照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该信号处理电路的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次^效分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。如以上说明的那样,根据本发明,即便是对于内外周差的记录特性不同的介质,也能实时地进行记录条件的优化,因此可以提高记录品质的容限。图1是表示本发明的记录脉沖的结构和记录条件的确定的整体流程的概念图。图2是表示本发明的驱动器的内部结构的框图。图3是表示图1所示的确定mT的流程的详细执行步骤的流程图。图4是表示图3所示的基准阚值的确定步骤的详细的流程图。图5是表示图4所示的流程的一实施方式的概念图。图6是表示图4所示的流程的一实施方式的概念图。图7是表示对各驱动器求阈值时的例子的概念图。图8是表示取得了图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为山谷型模式的例子的概念图。图9是表示取得了图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为向右下降的模式的例子的概念图。图IO是表示取得了图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为向右上升的模式的例子的概念图。图ll是表示在图3的步骤S120中取得山谷型模式时,由步骤S122执行的测试区域确定的一例的概念图。图12是表示在图3的步骤S120中取得向右下降模式时,由步骤S122执行的测试区域确定的一例的概念图。图13是表示在图3的步骤S120中取得向右上升模式时,由步骤S122执行的测试区域确定的一例的概念图。图14是表示使用8个模式执行图3的步骤S120时的例子的图。图15是说明通过曲线近似求出图3的步骤S122中使用的功率范围的方法的概念图。图16是说明通过曲线近似求出图3的步骤S122中使用的功率范围的其他例子的概念图。图17是说明通过采样求出图3的步骤S122中使用的功率范围的的例子的概念图。图18是表示图1中(b)所示的步骤S200的比率确定所使用的测试用记录脉冲的例子的概念图。图19是表示图1中(b)所示的步骤S200的确定比率的流程的执行步骤的流程图。图20是表示从图19所示的测试记录到再现数据的计数的动作概念的概念图。图21是表示图19所示的计数结果的存储图像的概念图。图22是表示图19所示的直方图生成的图像的概念图。图23是表示图19所示的阚值确定的图像的概念图。图24是表示通过图23所示的方法取得的阈值的例子的概念图。图25是表示用于检测坑平衡的偏移量的记录模式一例的图。图26是表示坑平衡偏移检测中使用的特定模式检索用的表结构的概念图。图27是表示通过计数结果的绝对比较来检测长度偏移量时的具体例的概念图。图28是表示图19所示的控制量预测的执行例的流程图。图29是表示使PWD变化时的记录条件Sl、S2的变化和偏移量Dl、D2的关系的概念图。图30是表示利用了关于单脉冲的形状的直线近似的长度偏移校正的一例的概念图。图31是表示利用了关于多脉沖的形状的直线近似的长度偏移校正的一例的概念图。图32是表示用于存储校正量PWD和Tmp的表结构的概念图。图33是图1的步骤S300中执行的nT脉沖的构成概念的概念图。图34是表示图1的(b)所示的步骤S400的相位偏移校正中使用的测试用记录脉冲的例子的概念图。图35是表示图1的(b)所示的步骤S400的相位确定条件流程的执行步骤的流程图。图36是表示用于检测各坑长度的前侧相位偏移量的记录模式和再现模式的一例的概念图。图37是表示用于检测各坑长度的后侧相位偏移量的记录模式和再现模式的一例的概念图。图38是表示用于检测热干涉引起的坑偏移量的记录模式的一例的图。图39是表示坑前相位偏移才佥测和坑后相位偏移才企测中使用的特定模式检索用的表结构的概念图。图40是表示坑干涉偏移检测中使用的特定模式检索用的表结构的概念图。图41是表示通过计数结果的相对比较来检测偏移量时的具体例的概念图。图42是表示基于图35所示的控制量的预测的Ttopr、Tlast确定的执行例的流程图。图43是表示记录条件Sl、S2的变化和偏移量D1、D2的关系的概念图。图44是表示利用了直线近似的前侧相位偏移校正的一例的概念图。图45是表示利用了直线近似的后侧相位偏移校正的一例的概念图。图46是表示用于存储校正量Ttop和Tlast的表结构的概念图。图47是表示校正后的单脉沖的例子的概念图。图48是表示校正后的多脉沖的例子的概念图。图49是表示本发明的驱动器的内部结构的框图。图50是表示被装入图49所示的驱动器内的光拾取器部的构造的分解斜视图。图51是表示照射在光盘的盘面上的点(spot)的配置的平面图。图52是表示照射在光盘的盘面上的点与检波器之间的关系的概念图。图53是表示记录脉沖的形状与恒定区域的关系的概念图。图54是表示图49所示的脉沖发生器的内部结构的电路框图。图55是表示图54所示的门信号的生成概念的时序图。图56是表示图49所示的LD驱动器的内部结构的电路图。图57是表示图49所示的屏蔽电路的内部结构的电路框图。图58是表示记录脉冲与门脉沖以及再现信号之间的关系的时序图。图59是表示图49所示的CPU执行的标志信号的生成方法的概念图。图60是表示记录用的主光束与再现用的副光束之间的关系的时序图。图61是表示记录脉冲与使该记录脉沖延迟的脉冲以及RF信号之间的关系的时序图。图62是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或间隔的方法的例子的框图。图63是表示图62所示的计数器256与图49的脉冲发生器300之间的关系的框图。图64是表示图62所示的緩沖器250-2存储位串时的例子的概念图。图65是表示在14T坑的记录中作为检测对象的4T间隔的变化的概念图。图66是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或间隔的方法的其他例子的框图。图67是表示图66所示的电路块的处理例的时序图。图68是表示由图66的电路块生成的判断信号的判断基准的概念图。图69是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或间隔的方法的其他例子的框图。图70是表示图69所示的电路块的处理例的时序图。图71是表示图69所示的复位脉沖发生器426的处理例的时序图。图72是表示图49所示的屏蔽电路的其他结构例的电路框图。图73是表示图72所示的电路的动作的第1时序图。图74是表示图72所示的电路的动作的第2时序图。图75是表示在测试区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值与实际的物理长度之间的关系的曲线图。图76是表示在记录区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值,与在测试区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值之间的关系的曲线图。图77是表示为了取得测试区域内的切向推挽信号的微分值而进行的测试记录的一例的概念图。图78是表示为了取得记录区域内的切向推挽信号的微分值而进-f亍的测试记录的一例的扭克念图。图79是表示了使用图78所示的切向推挽信号的差进行记录脉冲的校正的例子的概念图。图80是表示图49所示的屏蔽电路的其他结构例的电路框图。图81是表示本发明的功率和脉沖宽度的实时控制概念的概念图。图82是表示将功率和脉冲宽度的调整要素分离后取得的记录品质的扩大图像的概念图。图83是表示了确保mT脉冲的检测信号量的方法的概念的概念图。图84是表示了使用6T间隔的信号检测3T坑的长度偏移量的例子的时序图。图85是表示了根据长度偏移量进行功率校正的概念的概念图。图86是表示了使用RF信号检测由3T间隔造成的失真的影响的例子的时序图。图87是表示了使用切向推挽信号检测由3T间隔造成的失真的影响的例子的时序图。图88是表示了避免由3T间隔造成的失真的影响的结构例的概念图。具体实施方式下面,参照附图详细说明本发明的光信息记录装置。本发明并不限于以下il明的实施方式,可以进4亍适当变更。图1是表示本发明的记录脉沖结构和记录条件确定的整体流程的概念图。如图1的(a)所示,本发明的记录脉冲10由位于该记录脉冲的前端的起始脉沖12、接着该起始脉沖的后续脉沖14构成。这里,如果记录脉沖10的长度为n,T,则起始脉冲12具有m,T的长度,后续脉沖14具有(n-m)T的长度。在本实施方式中,采取m-3,n=3~ll、14的值。T是在光盘系统中所定义的单位时间,根据时钟信号确定其周期。通过执行图1的(b)所示的一系列流程,确定记录脉冲10的条件。伴随着在光信息记录装置(以下称作"记录装置,,或"驱动器")中填装光信息记录介质(以下称作"介质"或"盘,,)的状态下的测试记录,执行该流程。如图1的(b)所示,在确定记录脉冲IO的条件时,首先确定m,T长度的脉沖条件(步骤S100),然后利用m,T长度的条件,求出成为m,T长度的脉冲条件和(n-m)T长度的脉沖条件的比率的m,T/(n-m)T(步骤S200)。然后,根据该比率构成nT脉冲(步骤S300),最后进行相位偏移校正,确定n,T长度的记录脉冲的条件(步骤S400)。图2是表示本发明的驱动器的内部结构的框图。如图2所示,驱动器IOO使用从激光振荡器1103输出的激光,进行对介质500的信息的记录和再现。当对介质500进行信息的记录时,用编码器1101以EFM方式对与所希望的记录信息对应的记录信号进行编码,把编码后的记录数据提供给策略电路1102。这里,在该策略电路1102中设定预定的策略的各种设定参数,该策略电路1102校正策略的各种设定参数,控制从激光振荡器1103输出的激光的强度和脉冲宽度,生成要取得所希望的记录状态的记录脉冲。把由策略电路1102形成的记录脉冲提供给激光振荡器1103,激光振荡器1103与该记录脉沖对应地控制输出激光,通过透镜1104、半透明反射镜(halfmirror)1105、透镜1106,将该所控制的激光照射在以恒定的线速度或恒定的角速度旋转的介质500,据此,在介质500上记录与所希望的记录数据对应的由坑、岸串构成的记录模式。而进行记录在介质500上的信息的再现时,从激光振荡器1103使同样的再现激光经由透镜1104、半透明反射镜1105、透镜1106照射到以恒定的线速度或恒定的角速度旋转的介质500上。这时,再现激光使用比记录时从激光振荡器1103输出的激光的强度弱的再现激光,基于再现激光的、来自介质500的反射光通过透镜1106、半透明反射镜1105、透镜1107而由受光部1108受光,被转换为电信号。从受光部1108输出的电信号与记录在介质500中的由坑、岸构成的记录模式对应。用同步信号检测电路1109,根据从该受光部1108输出的电信号中所包含的振动成分,生成预定周期的时钟信号,然后由2值化电路1110进行2值化,再由解码器llll解码,作为再现信号输出。这样,由驱动器和介质构成的记录系统的记录品质,决定驱动器的特性偏差和介质的特性偏差,因此上述策略通过吸收该影响来谋求记录品质的提高。作为介质,能应用以CD-R或DVD-R为代表的色素型介质、以CD-RW和DVD-RW为代表的相变型的介质等各种光信息记录介质。下面说明上述的驱动器执行的图1的(b)所示的详细的记录脉冲条件确定流程。(m,T条件的确定)图3是表示图1所示的m,T确定流程的详细执行步骤的流程图。如图3所示,上述驱动器IOO在进行该驱动器的初始设定之前,执行步骤S110S114,接着,执行在确定测试记录的条件之前的步骤S116S122,然后执行以确定的条件进行测试记录的步骤S124,之后执行根据其结果来确定mT脉冲的条件的步骤S126。下面详细说明各步骤。(基准条件的确定)在图3所示的步骤S110中,首先一边使用任意的标准介质使记录速度变化一边进行测试记录,求出一个脉冲宽度和3个功率值作为基准条件。作为3个功率值,希望使用上述测试记录的结果为抖动(jitter)变为最小的值和位于其前后的两个功率值。作为前后两个功率值,希望使用成为抖动好坏的基准的阈值附近的值。这里求出的基准条件,在后面的记录品质检查时进行使用。(基准阈值的确定)如后述的那样,在本发明中,想要把小于等于抖动阈值的区域设定为测试记录条件的范围(下面,称作"测试区域,,),因此必须确定成为判断基准的阈值。作为阈值的值,可以按照驱动器或介质的种类准备标准的值,但是,表示抖动的允许区域的最小线(minimumline)的阈值,根据构成图2所示的光拾取器的光学系统零件或其他要素的状态而发生变化,此外也根据记录介质的速度而发生变化。因此,最好是用以下的方法,即通过按实际使用的每种驱动器和介质的组合来求出该阈值,使之具有更准确的判断基准,从而进行更准确的测试区域的i殳定。按每种驱动器和介质的组合来设定该阈值,成为记录步骤增加的原因,因此假定各驱动器个体的差异是阈值变动的主要原因,可以在制造驱动器时,把适合于各个体的阈值存储在存储区域1115中。图4是表示图3所示的基准阈值的确定步骤的详细的流程图。如图4所示,进行基于预定的记录条件的记录再现,根据其结果确定作为系统的基准值,把根据该基准值而确保了预定容限的值作为确定测试区域时使用的阈值,由此来进行基准阈值的确定。下面按顺序说明各步骤。首先,执行进行记录条件设定的步骤S150,在该步骤中,按预定模式准备脉沖宽度、功率、记录再现速度、记录地址等记录再现所必需的条件,在驱动器中设定该记录条件后,把基准介质填装到该驱动器内。作为基准介质,希望从各种介质中选择特性标准的介质。接着,执行对基准介质进行记录和再现的步骤Sl52,取得各记录条件中的记录再现特性值,例如抖动。其中,所述基准介质是以在上述步骤S150中设定的记录条件填装的。作为这里取得的特性值,选择表示记录品质的值。接着,执行步骤S154,该步骤S154从在上述步骤S152中取得的记录再现特性值来求出最佳的值,例如抖动的最小值,并把它作为系统基准值。据此,把认为在该驱动器中接近最佳值的抖动值设定为基准值。该基准值不是抖动的最佳点,可以是与预定的阈值相交的2点的中间值,即功率容限的中间值。最后,执行步骤S156,算出对于在上述步骤S154中确定的系统基准值,乘以预定的系数a(a>l)后的值,将其作为阈值。据此,用具有预定的容限的形状来对系统基准值进行判断。即,希望使用"阈值^系统基准值xa"来进行使用了系统基准值的阈值的计算,作为系数a,最好使用约1.5左右的值。该系数a可以按照驱动器或介质的种类设定适当的值,可以设定象a=0.81.2这样的接近系统基准值的值,也可以设定象01=2.0~3.0这样的较大的值。图5是表示图4所示流程的一个实施方式的概念图。图5所示的例子是使用抖动值作为表示记录品质的特性值,对于W1W4的各脉沖宽度,使功率从P1P6变化,取得再现特性202-1202-4时的例子。在图5所示的例子中,脉冲宽度W1W4和功率P1P6成为记录条件,得到最低抖动值的再现特性102-3的极限成为系统基准值,将该系统基准值乘以例如1.5而取得的值成为阈值。图5中矩阵内所示的箭头表示使测试条件变化的方向,在以下的说明中,按相同的意思使用。图6是表示图4所示的流程的一实施方式的概念图。图6所示的例子是使用抖动值作为表示记录品质的特性值,按W1W4的各脉冲宽度,改变功率的变化范围取得再现特性202-1202-4时的例子。在图6所示的例子中,得到最低抖动值的再现特性202-2的极限成为系统基准值,将该系统基准值乘以例如1.5后得到的值成为阈值。这样,阈值的确定也可以按各个脉冲宽度来变更并求出功率条件。图7是表示对各驱动器求出阈值时的例子的概念图。当希望与驱动器的个体差异对应的阈值设定时,如图7所示,在各驱动器100-1100-5中分别记录再现公共的基准介质500,在各驱动器中存储固有的阚值15。当要把阈值的设定步骤简易化时,就取以数个标准的驱动器分别对公共的基准介质进行记录再现而得到的阈值15的平均值,把该平均阈值作为其他驱动器的阈值使用。这时,为了求出平均阈值而使用的驱动器,可以是相同设计的驱动器,也可以不是相同设计而是类似设计的驱动器。此外,也可以^f吏用平均阈值作为这些驱动器的阈值。也可以把一次求出的平均阈值作为以后制造的相同或类似设计的驱动器的阈值而通用。此外,也可以有意地准备具有差异的多台驱动器,求出它们的平均值。(记录装置的初始设定)执行步骤S114,把以上说明的图3的步骤S110和步骤S112中求出的基准条件和基准阈值存储到驱动器100内的记录区域115中。最好是在驱动器100的制造时预先进行该步骤。(记录对象介质的填装)接着,执行步骤S116,在步骤S114的初始设定结束的驱动器100内填装进行信息记录的介质500。(基于基准条件的记录再现)接着,执行步骤S118,该步骤S118使用步骤S114中设定的条件,对步骤S116中填装的介质500进行记录。具体而言,使用作为基准条件定义的一个脉沖宽度和3种功率值进行3次的记录再现,取得3点抖动值。如果以与功率轴的关系描绘这3点抖动值,则与驱动器100和介质500的组合对应的记录特性的倾向将变得明显。(记录品质的检查)图8是表示取得图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为山谷型的模式的例子的概念图。如图8所示,使用针对上述步骤中取得的各基准条件的抖动值和阈值,进行记录品质的检查。图8所示的例子是使用功率P1、P2、P3作为基准条件时的例子,连接以各功率值取得的抖动值的虚拟线成为山谷型模式。当取得这样的山谷型模式时,意味着步骤S110中使用的基准介质和步骤S116中填装的记录介质是相同灵敏度,记录特性类似。这里,图8的(a)是山谷型模式的最小值小于等于阈值的例子,图8的(b)是山谷型模式的最小值大于等于阈值的例子,在任一个模式中,都认为基准介质和记录对象介质为相同灵敏度。这样,当基准介质和记录对象介质为相同灵敏度时,如后所述,用以基准条件为中心的功率X脉冲宽度的面区域来设定测试记录中使用的条件。这里,在图8的(a)和(b)中,在各记录点Pl、P2、P3分别取得的再现值与再现基准值的差量、即在图8的例子中抖动值与抖动阈值的差量不同,图8的(a)所取得的再现值接近再现基准值。考虑到图8的(a)比图8的(b)更容易发现最佳条件,因此取得图8的(a)的记录特性时与取得图8的(b)的记录特性时相比,设定测试次数更少,可以用更少的测试次数发现更适合的解。即,当再现值与再现基准值的差量少时,最佳条件接近上述的基准条件,当再现值与再现基准值的差量多时,最佳条件变为远离上述基准条件,因此在要使测试次数更少时,希望根据再现值与再现基准值的差量来使测试次数变化。图9是表示取得图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为向右下降的模式的例子的概念图。在图9所示的例子中,成为随着Pl、P2、P3这样功率上升,抖动值下降的向右下降的模式。当取得这样的向右下降的模式时,意味着与基准介质相比,记录对象介质的灵敏度低。这里,图9的(a)是向右下降模式的最小值小于等于阈值的例子,图9的(b)是向右下降模式的最小值大于等于阈值的例子,在任一个模式中,认为与基准介质相比,记录对象介质的灵敏度低。这样,当记录介质一方的灵敏度低时,如后所述,使以基准条件为中心的功率x脉冲宽度的面区域所划分的测试区域向高功率、宽脉沖宽度侧移动以进观'ji式i己录。此外,当取得图9所示的向右下降模式时,认为抖动的最小值存在于更高功率一侧,因此可以用比P3更高的功率进行追加记录,再次确认记录特性。这时,记录次数虽然增加l次,但是能提高记录品质的检查精度。当取得该模式时,与取得上述山谷型模式时相同,可以根据再现值和再现基准值的差量,使测试次数变化。此外,当取得图9所示的向右下降模式时,认为与上述图8所示的山谷型模式相比,最佳解更远离基准条件,因此希望与山谷型模式相比,预先增加测试次数。图IO是表示取得图3的步骤S120中执行的记录品质检查的结果为向右上升的模式的例子的概念图。在图IO所示的例子中,成为随着P1、P2、P3这样功率上升,抖动值上升的向右上升的模式。当取得这样的模式时,意味着与基准介质相比,记录对象介质的灵敏度高。这里,图10的(a)是向右上升模式的最小值小于等于阁值的例子,图10的(b)是向右上升模式的最小值大于等于阈值的例子,在任一个模式中,认为与基准介质相比,记录对象介质的灵敏度高。这样,当记录介质的灵敏度高时,如后所述,使以基准条件为中心的功率x脉沖宽度的面区域所划分的测试区域向低功率、窄脉沖宽度一侧移动以进4亍测试记录。此外,当取得图10所示的向右上升模式时,认为抖动的最小值存在于更低功率一侧,因此用比P1更低的功率进行追加记录,再次确认记录特性。这时,记录次数增加l次,但是能提高记录品质的检查精度。当取得该模式时,与取得上述山谷型模式时一样,可以根据再现值和再现基准值的差量,使测试次数变化。此外,当取得图10所示的向右上升模式时,认为与上述图8所示的山谷型模式相比,最佳解更远离基准条件,因此希望与山谷型模式相比,预先增加测试次数。(测试区域的确定)图ll是表示在图3的步骤S120中取得山谷型模式时,由步骤S122执行的测试区域确定的一例的概念图。如图11所示,当取得山谷型模式时,把在P1、P2、P3分别取得的抖动值所描绘的近似曲线206与阈值的相交点作为测试记录中使用的功率变化区域,该变化区域成为功率范围。在本发明中,把实际在测试记录中使用的功率范围定义为"功率范围",把抖动小于等于阈值的功率范围定义为"功率容限"。这里,近似曲线206按各脉沖宽度的不同而不同,因此如果在基准条件下使用的脉冲宽度为W4,则对于以W4为中心的脉冲宽度W1W6,按功率P1、P2、P3进行记录,确认所取得的近似曲线206和阈值的相交点。据此,如图11的矩阵图像所示,取得在各脉冲宽度小于等于阈值的功率范围,图11的阴影线表示的区域成为测试区域。这里,如果用矩阵中的图像来表示作为基准条件使用的Pl、P2、P3的功率3个条件和脉冲宽度W4,成为图11的208-1、208-2、208-3,把确定的测试区域设定为以基准条件为中心的功率x脉冲宽度的面区域。通过按各脉沖宽度求出功率范围,能集中小于等于阈值的区域进行测试,因此能以少的次数发现更适合的条件。当能取得较宽的功率容限时,把功率变化的步长设定得大,当功率容限较窄时,把功率变化的步长设定得小,由此也能谋求测试次数的减少。例如可以如下构成,即当取得10mW的容限时,假定即4吏粗略地测试也能取得最佳值,就以2mW步长进行5次测试,当取得lmW的容限时,判断为需要更精密的测试,就以0.1mW步长进行10次测试。图12是表示在图3的步骤S120中取得向右下降模式时,由步骤S122执行的确定测试区域的一例的概念图。如图12所示,当取得向右下降模式时,认为最佳条件位于更高功率一侧,因此用比P3更高的功率值P+进行追加记录,将P1、P2、P3、P+各自取得的抖动值描绘的近似曲线206与阈值的相交点设为功率范围。在脉沖宽度W1W6分别进行该处理,取得图12中矩阵图像所示的测试区域。这里,由上述步骤确定的测试区域成为以基准条件208-1、208-2、208-3为中心的功率x脉冲宽度的面区域向高功率一侧移动的形状。在该例子中,就此使用山谷型模式中使用的W1W6,但是当为向右下降模式时,处于低灵敏度倾向,因此可以向比W1W6更宽的脉冲宽度区移动,确定功率范围。图13是表示在图3的步骤S120中取得向右上升模式时,由步骤S122执行的确定测试区域的一例的概念图。如图13所示,当取得向右上升模式时,认为最佳条件位于更低功率一侧,因此用比P1更低的功率值P+进行追加记录,将P+、Pl、P2、P3各自取得的抖动值描绘的近似曲线206与阈值的相交点设为功率范围。在脉冲宽度W1W6分别进行该处理,取得图13中矩阵图像所示的测试区域。这里,由上述步骤确定的测试区域成为以基准条件208-1、208-2、208-3为中心的功率x脉沖宽度的面区域向低功率一侧移动的形状。在该例子中,原样地使用山谷型模式中使用的W1W6,但是当为向右上升模式时,处于高灵敏度倾向,因此可以向比W1W6更窄的脉冲宽度区域移动,确定功率范围。即在上述的方法中,对各脉沖宽度进行记录品质的检查,根据其结果对各脉冲宽度确定测试次数,因此能期待测试次数的减少。以上说明的记录品质的检查是通过把基于基准条件下的记录的抖动变化模式化而进行的例子,更推荐使用以下所示的8模式进行。图14是表示使用8个模式执行图3的步骤S120时的例子的图。如图14所示,无论模式l是山谷型、向右上升、向右下降中哪个模式,都是抖动的最大值小于等于阈值时应用的模式。当取得该模式时,视为与基准介质相同程度的灵敏度,并且判断为能更宽地取小于等于阈值的容限,功率条件分别向低功率一侧和高功率一侧扩展。即,在该模式l中,无法取得阈值附近的值,因此在低功率一侧和高功率一侧双方进4亍追力pi己录。然后,对从该追加记录的结果取得的抖动特性进行曲线近似,把该近似曲线与抖动阈值相交的大小两点的间隔作为功率范围的基准值。当取得该模式时,把基准值士0.2T的脉冲宽度区域确定为测试区域,在测试记录时,在该测试区域内按每次0.2T变化,进行最佳记录条件的检测。T表示记录坑的单位时间长度。这里,如果成为基准值的脉沖宽度为脉冲条件1,扩展的2点为脉冲条件2和3,则模式1的脉冲条件2和3成为扩展士02T后的脉冲宽度。随着该脉沖宽度的条件变更,对于作为测试条件使用的功率范围也进行若干的变更。即,当脉沖宽度变更0.1T时,功率范围的基准值x(l-0.05x1)mW为该脉冲宽度的功率范围,当脉冲宽度变更0.2T时,功率范围的基准值x(1-0.05x2)mW为该脉冲宽度的功率范围,当脉冲宽度变更-0.1T时,功率范围的基准值x[l-0.05x(-1)]mW为该脉冲宽度的功率范围。因此,相应于该模式1时的测试条件变为以下3组。(1)脉沖宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值-0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(-2)]mW(3)脉冲宽度的基准值+0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+2)]mW在本发明中,可以在实际的测试记录中不使用上述表达式(1)所示的基准条件。模式2是取得山谷型模式时,抖动的最小值小于等于阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质与基准介质是相同程度的灵敏度,把基准值士0.1T选择为脉冲宽度条件。然后通过与模式1同样的步骤,对各脉沖条件进行功率范围的设定。结果,与该模式2相应的测试条件变为以下3组。(1)脉冲宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉沖宽度的基准值-0.1T、功率范围的基准值x[l-0.05x(-1)]mW(3)脉沖宽度的基准值+0.1T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+1)]mW模式3是取得山谷型模式时,抖动的最小值超过阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质与基准介质是相同程度的灵敏度,并且介质的特性差大,把基准值士0.2T选择为脉冲宽度条件。然后通过与模式l同样的步骤,对各脉沖条件进行功率范围的设定。结果,与该模式3相应的测试条件变为以下3组。(l)脉沖宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值-0.2T、功率范围的基准值x[1-0.05x(-2)]mW(3)脉冲宽度的基准值+0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+2)]mW模式4是取得向右下降模式时,抖动的最小值变为小于等于阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质比基准介质的灵敏度稍低,把基准值、+0.1丁和+0.2了这3点选择为脉沖宽度条件。然后通过与模式1同样的步骤,对各脉冲条件进行功率范围的设定。结果,与该;漠式4相应时的测试条件变为以下3组。(1)脉沖宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉沖宽度的基准值+0.1T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+1)]mW(3)脉冲宽度的基准值+0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+2)]mW模式5是取得向右下降模式时,抖动的最小值超过阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质比基准介质的灵敏度低很多,把基准值、+0.2T和+0.4T这3点选择为脉冲宽度条件。然后通过与模式1同样的步骤,对各脉沖条件进行功率范围的设定。结果,与该模式5相应时的测试条件变为以下3组。(1)脉冲宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值+0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(+2)]mW(3)脉冲宽度的基准值+0.4T、功率范围的基准值x[l-0.0&(+4)]mW模式6是取得向右上升模式时,抖动的最小值变为小于等于阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质比基准介质的灵敏度稍高,把基准值、-0.1T和-0.2T这3点选择为脉冲宽度条件。然后通过与模式l同样的步骤,对各脉冲条件进行功率范围的设定。结果,与该才莫式6相应时的测试条件变为以下3组。(1)脉冲宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值-O.IT、功率范围的基准值x[1-0.05x(-1)]mW(3)脉冲宽度的基准值-0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(-2)]mW模式7是取得向右上升模式时,抖动的最小值超过阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为记录对象介质比基准介质的灵敏度高很多,把基准值、-0.2T和-0,4T这3点选择为脉沖宽度条件。然后通过与模式1同样的步骤,对各脉沖条件进行功率范围的设定。结果,与该模式7相应时的测试条件变为以下3组。(1)脉冲宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值-0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05x(-2)]mW(3)脉沖宽度的基准值-0.4T、功率范围的基准值x[l-0.05x(-4)]mW模式8是取得山谷型模式时,抖动的最大值超过阈值时应用的模式。当取得该模式时,判断为异常模式,把基准值士0.2T选择为脉沖宽度条件。然后通过与模式1同样的步骤,对各脉沖条件进行功率范围的设定。结果,与该模式8相应时的测试条件变为以下3组。(1)脉冲宽度的基准值、功率范围的基准值(2)脉冲宽度的基准值-0.2T、功率范围的基准值x[l-0.05><(-2)]mW(3)脉冲宽度的基准值+(UT、功率范围的基准值x[l-O.OSx(+2)]mW以上说明的8个模式中,当检测到最接近基准介质的模式2以外的模式时,确认为不是再现误动作引起的,因此再次再现成为该模式的基础的记录结果,再次检测抖动。这时,当通过再次的再现而检测到模式2以外的特性时,按照图14所示的条件,进行记录条件的追力口和扩展。这里,进行上述再现误动作的确认的结果为检测到模式8时,考虑记录误动作的可能性,因此在进行追加记录和脉冲宽度的扩展前,用脉冲宽度的基准值再次进行记录。在即使再现该再记录结果,也成为模式8的情况下,不进行追加记录即用于进行脉冲条件1的容限测量的功率扩展,就进行脉冲条件的扩展即脉冲条件2和脉冲条件3的扩展。可以用上述方法进行与脉冲条件2和脉冲条件3的扩展对应的功率的扩展。即在模式8的情况下,用脉冲条件1无法取得容限,无法求出成为扩展的基准的功率容限,因此把初始的功率条件范围设定为作为基准的功率范围。(测试区域的确定基于近似法的功率范围的确定)通过执行上述步骤,从而以少的测试次数确定对于取得最佳解为有效的测试区域,但是,对于在确定该测试区域时重要的功率范围的确定方法,以下进4亍i兌明。在本发明中,想以尽可能少的测试次数提高发现最佳解的精度,因此如上所述,把测试条件集中在小于等于阈值的区域中。根据该考虑方法,可以从表示对阈值的容限的大小2点的功率值求出测试记录时使用的功率范围。这里,如果是该区域,则对阚值的容限意味着能取得小于等于阈值的特性值的宽度,大小2点的功率值意味着确定该容限的宽度的低功率一侧的值和高功率一侧的值。这里,如果考虑如各种介质的测试记录时间的缩短和只写一次式(writeonce)介质那样的、在测试记录区域中存在限制的介质的测试区域的效率化,则优选的是测试记录所需的记录点更少,但是这里求出的功率范围是成为最佳记录条件的判断基准的重要的参数,因此优选的是高精度。以高精度求出该功率范围意味着进一步选择出的区域的集中的测试,因此有助于测试次数的减少。例如当在O.lmW以1次的频率进行测试记录时,如果功率范围为lmW,就进4于10次的测试记录,如果是2mW,就进行20次的测试记录,因此缩小功率范围有助于测试次数的减少。因此,在本发明中,提倡以下的方法,即着眼于记录再现信号的记录品质对于记录功率描绘以最佳点为极值的2次曲线的变化,使用数个记录点对特性曲线进行近似计算,由此取得要求出的容限量。通过应用这样的近似方法,能用数个记录点以高精度容易地求出功率范围,从而谋求测试次数的减少。图15是说明通过曲线近似求出图3的步骤S122中使用的功率范围的方法的概念图。如图15所示,在进行近似时,首先选择作为记录特性判断基准的抖动值成为阈值附近的低功率一侧的a和高功率一侧的c这2点、以及选择位于它们之间并且成为比a、c和阈值中的任意值还小的抖动值的b。即这里选择的a、b、c具有以下的关系。a>b、c〉b、阈值〉b这里,上述阈值附近如图15所示,定义为根据阈值的、具有某宽度的上限值和下限值之间的区域,优选的是把上限值设定为阈值的40%,把下限值设定为阔值的5%。然后,用2次函数把a、b、c近似,把该2次函数与阈值相交的大小2点的差作为功率范围。定义为阈值附近的范围考虑-5%+40%、-10%30%等记录点的间隔等,并可以适当变更。图16是说明通过曲线近似求出图3的步骤S122中使用的功率范围的其他例子的概念图。如图16所示,当只用A、B、C这3个条件无法取得满足上述"a>b、c>b、阈值〉1"的条件的关系时,通过追加记录高功率一侧的D,取得阈值附近的值。如图16所示,当具有BX:的关系时,不使用B,用A、C、D这3点计算近似式。这时,记录点3点与阈值的关系成为"A>C、D〉C、阈值〉C",成为适合于描绘近似曲线的关系,因此能通过3点近似取得高精度的近似曲线。可以根据追加记录前的记录点表示的A>B、B〉C和阈值来确定D所示的追加记录条件。此外,与图15相反,当在低功率一侧不存在阈值附近的值时,可以用比A更低的功率条件进行追加记录,也可以才艮据记录点和阈值的关系,适当追加至少1点的记录条件。此外,追加记录条件中使用的功率的范围可以相对于预定的功率步长具有一定的变化,可以预先求出对于功率变动的抖动变动的关系,从该关系设定功率条件。即使进行上述记录条件的追加,也无法取得足以求出功率范围的记录点时,就通过与上述同样的步骤再次进行记录条件的追加来变更记录点。此外,在如只写一次式介质那样测试记录区域存在限制的情况下,或为了避免超长的测试时间,可以使上述再次记录条件的追加次数具有上限值,可以使其具有追加记录功率的上限值,以避免由于记录条件的追加而使记录功率超过激光输出值。此外,在上述的例子中,通过3点近似求出功率范围,但是,也可以选择最接近阈值的2点,从这2点分别表示的大小2点的功率值的差来确定功率范围。此外,作为选择阈值附近的2点的方法,可以变化并记录功率直到发现跨阈值的大小2点为止,可以选择该记录中最接近阈值的2点,也可以直接选才奪这2点。以下就该方法加以详细的说明。(测试区域的确定基于采样的功率范围的确定)图17是说明通过采样求出图3的步骤S122中使用的功率范围的的例子的概念图。在图17所示的例子中,不是上述的3点近似,而是渐渐使功率变化,直到能取得接近阈值的值为止,以接近阈值的大小2点的功率值为基准,求出功率范围。即,如图17所示,从P1到P2、P3…按顺序使记录功率增加,进行记录再现,并反复进行记录再现直到能取得大于等于阈值的功率值P6为止。如果用矩阵表示该处理的图像,从P1P6进行功率变化,但是功率范围变为最接近阈值的低功率一侧的P2和高功率一侧的P6之间。这样,通过选择跨阈值的2点,也能确定功率范围。这里,作为选择接近阈值的大小2点的方法,能适当选择并使用以下的方式。1)选择形成功率容限的大小2点的方法,即在满足再现基准值的功率区内,选择分别与再现基准值最接近的2点2)选择稍微超出功率容限,但是最接近再现基准的2点3)在低功率一侧选择跨再现基准值的2点4)在高功率一侧选择跨再现基准值的2点5)选择成为在低功率一侧和高功率一侧跨再现基准值的形式的、分别与再现基准值最接近的2点此外,使用上述各方法选择的2点对记录特性进行近似,求出与再现基准值相交的大小2点。(m,T/(n-m)T比率的确定)图18是表示图l的(b)所示的步骤S200的确定比率中使用的测试用记录脉沖的例子的概念图。图18的(a)是使用由单一脉沖模式构成的单脉沖时的例子,图18的(b)是使用由多个脉沖模式构成的多脉冲时的例子。如图18所示,单脉沖10-1和多脉冲10-2由配置在记录脉沖的开始的起始脉冲12、和接着它的后续脉沖14构成,后续脉冲14具有配置在记录脉沖的最后面的后端脉冲16。这里,用主功率PW表示的高度规定记录脉冲全体的能量,用起始脉沖Tt叩表示的长度规定提供给记录坑前端的初级能量。最好是该主功率PW为记录脉沖10-1、10-2中最高的值,起始脉沖的宽度Ttop具有与包含3T长度的最短记录坑对应的宽度。该最短宽度的记录脉冲出现概率最高,对记录品质的影响大,因此首先通过上述m,T条件确定流程,来确定该起始脉冲12的功率PW和宽度Ttop的最佳条件。接着,通过m,T/(n-m)T比率确定流程,进行后续脉沖"的条件确定。作为后续脉沖的条件,在单脉沖10-1时,如图18的(a)所示,通过设置比主功率PW低PWD的低功率区域,并规定该量,来防止记录坑成为水滴状。同样,在多脉冲10-2时,如图18的(b)所示,通过失见定位于开始脉冲12和后端脉冲16之间的中间脉沖的宽度Tmp,或规定Tmp和Tsmp的占空比,来防止记录坑成为水滴状。以起始脉冲的条件为基准来进行这些后续脉冲的条件确定。图19是表示图1的(b)所示的步骤S200的比率确定流程的执行步骤的流程图。如图19所示,图2所示的驱动器首先为了设定策略电路1102执行的记录策略的各种参数,而对介质500进行基于变更(n-m)T的条件的多个记录模式的测试记录(步骤S210)。这时mT脉冲的条件预先固定为由上述m,T条件确定流程所取得的值。然后,再现由该测试记录形成的记录才莫式(步骤S212),记录偏移检测部1112以与预定时钟同步的计数器对作为结果而从2值化电路1110取得的再现2值化信号进行计数(步骤S214),把该再现2值化信号中包含的坑和岸的长度作为计数数据存储在记录区域1115中(步骤S216)。然后,记录偏移检测部1112使用记录区域1115中存储的计数数据,生成表示各计数值的出现频率的直方图(步骤S218),从该直方图确定成为坑长度和岸长度的判定基准的计数结果的阈值(步骤S220)。然后,记录偏移4全测部1112以上述阈值为基准,从存4诸在记录区域1115中的计数数据中检索包含特定的坑和岸模式的多种特定模式(步骤S222),把该特定模式中包含的认为是同一坑长度的计数结果进行平均,并且把认为是同一岸长度的计数结果进行平均,求出构成特定模式的各坑和各岸的平均长度(步骤S224)。然后,记录偏移检测部1112把抽取出的多个特定模式中的一个设定为抽取模式,把该抽取模式中包含的对象记录坑的长度与基准长度比较(步骤S226),检测坑相对于记录脉冲的长度偏移量(步骤S228)。然后,运算式导出部1113根据记录偏移检测部1112检测出的偏移量,导出用于确定最佳策略的运算式,策略确定部1114使用该运算式导出部1113导出的运算式,预测各种参数的控制结果(步骤S230),根据该预测结果,确定图18所示的PWD或Tmp,在记录偏移检测部1112中对其进行设定(步骤S232)。图20是表示从图19所示的测试记录到再现数据的计数的动作概念的概念图。如图20所示,首先,进行测试记录后,在光盘上形成图20的(a)所示的记录坑。然后,再现该记录坑后,如图20的(b)所示,取得与该记录坑对应的再现RF信号。把该再现RF信号2值化后,就取得图20的(c)所示的再现2值化信号,用图20的(d)所示的时钟信号把2值化信号的极性反转间的脉冲长度计数后,就取得图20的(e)所示的计数结果。图21是表示图19所示的计数结果的存储图像的概念图。如图21所示,按时钟信号计数的2值化信号,划分极性反转部,依次按时序把计数结果按坑、岸区别开,并存储在存储区域1115中所设置的表内。以添加了以后能检索的地址的状态存储图21所示的表。图22是表示生成图19所示的直方图的图像的概念图。如图22所示,如果把计数值的出现频率图表化,就取得直方图,如果分别区别坑和岸来生成直方图,就能取得图22的(a)所示的表示坑的计数倾向的坑直方图、图22的(b)所示的表示岸的计数倾向的岸直方图这2种。这样,在光盘中,必然确定各单位长度nT(n=3、4、5…14)相对于基准时钟的长度,因此对于各单位长度nT,将取得出现频率分布的波峰。图23是表示图19所示的阈值确定的图像的概念图。如图23所示,直方图中的各波峰和波峰之间形成的山谷部分能作为各单位长度nT的长度判定阈值来使用,因此对于坑直方图和岸直方图,分别设定成为坑长度的判断基准的坑长度阈值、成为岸长度的判断基准的岸长度阈值。图24是表示通过图23所示的方法取得的阈值的例子的概念图。如图24的(a)所示,按各坑长度的边界定义坑长度阈值,如图24的(b)所示,按各岸长度的边界定义岸长度阈值。在图24的(a)所示的例子中,成为2T和3T的边界的阈值为"计数值=2",成为3T和4T的边界的阈值为"计数值=9",直到设定至14T和15T的边界为止。此外,在图24的(b)所示的例子中,成为2T和3T的边界的成为3T和4T的边界的阈值为"计数值=10",直到设定至14T和15T的边界为止。接着说明从图19所示的特定模式的检索(步骤S222)到偏移量的检测(步骤S228)为止的各步骤的细节。根据记录偏移检测1112的各种偏移的检测原理进行这些步骤。图25是表示用于检测基于坑平衡的偏移量的记录模式的一例的图。这里,坑平衡表示上述起始脉冲和后续脉沖的脉冲平衡。如图25所示,当检测到基于坑平衡的偏移量时,使用图25的(a)所示的记录脉冲进行测试记录。该记录脉沖包含岸LxT、坑PyT、岸LzT连续的模式,把固定岸LyT的岸长度和固定岸LzT的岸长度固定,使可变坑PxT的坑长度如图25的(b)到图25的(f)所示那样,按3T、4T、…7T变化。虽然未图示,但是可变岸长度的变化进行到14T为止。这里,如果测量记录模式的可变长度的坑PyT的长度,则可变长度的坑PyT的长度在理想的记录状态下应该分别与理想的坑长度对应。可是,如果可变长度的坑PyT的长度偏离于理想的规定长度,则岸LxT和岸LzT的岸长度固定,因此可变长度的坑PyT离规定长度的偏移量,与记录时的策略中的按3T、4T…14T的各坑P3T、P4T...P14T的记录脉沖相对应。因此,如果使用某策略进行测试记录,从基于该记录脉冲的测试记录的再现模式,如图25的(b)(f)所示,比较可变长度的坑PyT的记录结果和各坑的基准长度,检测各坑长度离理想长度的偏移量,就能检测各坑的长度偏移量。图26是表示坑平衡偏移检测中使用的特定模式检索用的表结构的概念图。当进行坑平衡偏移的检测时,以按各特定模式设定的关于岸LxT、坑PyT、岸LzT的阈值范围为基准,检索图2的存储区域1115内存储的数据(相当于图19的步骤S222),抽取满足该阈值的数据串。然后,分开分别与岸LxT、坑PyT、岸LzT对应的计数结果,对岸LxT、坑PyT、岸LzT的每一个求出平均值(相当于图19的步骤S224)。如果使用该计数结果的平均值进行图25所示的模式比较,则取得各坑长度中的前侧相位偏移量。图27是表示通过计数结果的绝对比较来检测长度偏移量时的具体例的概念图。如图27所示,当通过与理想的基准长度的比较而检测偏移量时,首先从存储在存储区域内的数据组中检索抽取图27的(a)所示的特定模式,如图27的(b)和(c)所示那样,比较针对成为比较对象的部位的两者的计数值。在图27所示的例子中,坑3T成为比较部位,因此求出特定模式的计数结果即图27的(c)所示的"9"和相当于基准长度的计数结果、即图27的(d)所示的"8"的差,取得的差"1"成为3T坑的偏移量。图28是表示图19所示的控制量预测的执行例的流程图。如图28所示,控制量的预测是通过执行以下一系列的步骤来进行的,即用记录条件不同的Sl和S2等2种以上的条件进行测试记录(步骤S250),再现所取得的记录坑(步骤S252),通过比较所取得的再现模式,求出与条件Sl对应的偏移量D1和与条件S2对应的偏移量D2(步骤S254),对Sl、S2和Dl、D2的关系进行直线近似(步骤S256),使用该直线确定最佳校正量(步骤S258)。上述所检测的偏移量Dl和D2根据策略的各种设定参数而变动。而且经过分析可知,根据策略的各种设定参数变动的偏移量Dl和D2按大致直线变化。即,由上述记录偏移检测部1112所检测的各测试记录中的偏移量,能够作为基于最小二乘法近似的直线变化来捕捉。因此,在本实施方式的驱动器中,例如当进行2次测试记录时,能够着眼于策略的各种设定参数和检测的偏移量Dl和D2的直线关系来确定最佳的策略。在本发明中,可以用曲线近似代替直线近似。即,在单脉沖时,PWD成为按记录条件Sl和S2而进行变化的代表参数,在多脉沖时,Tmp成为按记录条件Sl和S2而进行变化的代表参数,使这些参数变化按Sl、S2变化,把其影响作为Dl、D2来检测,使用这4点进行直线近似,从而使用该直线取得能消除偏移的校正量。图29是表示使PWD变化时的记录条件Sl、S2的变化与偏移量Dl、D2的关系的概念图。这里,图29的(a)所示的记录脉冲是使PWD变化Sl的量的记录脉冲Sl,图29的(b)所示的记录脉沖是使PWD变化S2的量的记录脉冲S2,使用这2个条件进行测试记录。其结果,与图29的(a)的记录脉冲对应地取得图29的(al)所示的模式Sl,与图29的(b)的记录脉沖对应地取得图29的(bl)所示的模式S2。这里,模式Sl与控制量Sl对应地生成D1的偏移量,模式S2与控制量S2对应地生成D2的偏移量。如果知道针对控制量Sl和S2的偏移量Dl和D2,就能预测对于哪个参数使其具有多少的控制量,就产生多少的偏移,因此利用这些关系来进行控制量的预测和校正值的确定。图30是表示利用了关于单脉沖的形状的直线近似的长度偏移校正的一例的概念图。当确定针对该长度偏移的校正量PWD时,首先如图30的(a)所示,当将成为基准的脉沖长度作为基准波形nT时,如图30的(b)所示,以在脉冲的中央缺少PWD的波形进行测试记录,结果如图30的(c)所示,检测所取得的再现信号的长度偏移△。在图30所示的例子中,按Sl=+0.3和S2=+0.1这2种进行上述PWD的变化,把所取得的长度偏移A作为偏移量Dl=+0.1和D2=-0.1来取得。而且,使用这些取得的Sl、S2、Dl、D2,如图30的(e)所示,用直线对针对控制量PWD的控制结果A的关系进行近似,利用该直线,把能消除长度偏移的校正量PWD=+0.2确定为最佳校正值。这时,预先固定起始脉沖的条件使之不变。这样,如果求出至少2点的变化点,则可以基于直线或曲线进行策略的变化S1、S2与偏移量的变化D1、D2的关系的近似,因此使用该直线,能求出偏移量成为零的最佳校正量。具体而言,求出使策略S变化数点时的偏移量D,把这时的策略S和偏移量D的关系代入一般式"D=axS+b"中,通过解联立方程式,求出常数a、b,最终求出与理想的偏移量D对应的策略S,通过在图1所示的策略电路102中设定该策略S,进行记录脉冲的最佳校正。例如,如果通过图2所示的记录偏移检测部1112,从使用某策略Sl的测试记录的再现模式中检测出的偏移量为Dl,从使用其它策略S2的测试记录的再现模式中检测处的偏移量为D2,就通过Dl=axSl+bD2=axS2+b计算出a和b,求出使用了该计算出的a和b的函数,即S=(D國b)/a,通过在该函数中代入用于改善记录品质的例如均衡器(egualizer)等中产生的用于校正初始输出偏移的输出偏移量D,确定最佳策略S。图31是表示利用了关于多脉冲的形状的直线近似的长度偏移校正的一例的概念图。当确定针对该长度偏移的校正量Tmp时,首先如图31的(a)所示,当将成为基准的脉沖长度作为基准波形nT时,如图31的(b)所示,用中间脉沖长度为Tmp的波形进行测试记录,结果如图31的(c)所示,检测所取得的再现信号的长度偏移△。这时,预先固定起始脉沖的条件使之不进行变化。在图31所示的例子中,按Sl=+0.3和S2=+0.1这2种进行该Tmp的变化,把所取得的长度偏移量A作为偏移量Dl=+0.1和D2=-0.1来取得。然后使用所取得的这些Sl、S2、Dl、D2,如图31的(e)所示,用直线对针对控制量Tmp的控制结果△的关系进行近似,利用该直线,把能消除长度偏移的校正量Tmp=+0.2确定为最佳校正值。图32是表示用于存储校正量PWD和Tmp的表结构的概念图。如图32所示,按成为校正对象的各坑长度定义校正量PWD和Tmp。例如,对于校正对象坑为3T时的校正量PWD,在图中表示为"PW3"的区域中存储校正量,对于校正对象坑为3T时的校正量Tmp,在图中表示为"Tm3"的区域中存储校正量。以下,与3T同样地存储4T、5T…14T。图33是图1的步骤S300中执行的nT脉沖的构成概念的概念图。如图33的(a)所示,形成5T坑时的记录数据,作为包含具有时钟信号5周期的长度的nT长度的脉沖信号而被输出。对该记录数据校正后的脉沖如图33的(b)和(c)所示,作为以m,T的起始脉沖开始、具有n,T的长度的脉冲信号被输出,在单脉沖的情况下,在(n-m)T脉沖内定义PWD,在多脉沖的情况下,在(n-m)T脉沖内定义Tmp。这时,PWD和Tmp是固定起始脉冲的条件而被求出的值,因此成为基于以mT脉冲的条件为基准的最佳m,T/(n-m)T比率的值。结果,由起始脉沖和后续脉冲构成的nT脉冲成为提高记录品质所希望的值。可是,在该时刻还未定义相位条件,因此,通过扭J亍关于后面描述的确定相位条件的流程,来取得优化的策略。(相位偏移的才交正)图34是表示图1的(b)所示的步骤S400的相位偏移校正中4吏用的测试用记录脉沖的例子的概念图。图34的(a)是使用由单一脉冲模式构成的单脉冲时的例子,图34的(b)是使用由多个脉冲模式构成的多^^沖时的例子。如图34中的各图所示,在单脉冲10-1和多脉沖10-2的任一者的情况下,作为记录脉冲的相位条件,设定调整起始脉冲12的开始位置的Ttopr和调整后端脉沖16的结束位置的Tlast。通过调整这些值,把记录后的坑长度进一步优化。通过进行以上述的流程中确定的起始脉冲的条件和后续脉沖的条件为基准的测试记录,来确定这些相位条件。图35是表示图1的(b)所示的步骤S400的相位确定条件流程的执行步骤的流程图。如图35所示,图2所示的驱动器首先对介质500进行基于多个记录模式的测试记录(步骤S410),所述多个记录模式变更了由mT脉冲和(n-m)T脉沖构成的nT脉冲的相位条件。这时,mT脉冲的条件和(n-m)T脉冲的条件预先固定为上述流程中取得的值。然后,再现由该测试记录形成的记录模式(步骤S412),记录偏移检测部1112用与预定时钟同步的计数器,对作为结果而从2值化电路1U0取得的再现2值化信号进行计数(步骤S414),把该再现2值化信号中包含的坑和岸的长度作为计数数据存储到记录区域1115中(步骤S416)。然后,记录偏移;险测部1112使用记录区域1115中存储的计数^t据,生成表示各计数数值的出现频率的直方图(步骤S418),从该直方图确定成为坑长度和岸长度的判定基准的计数结果的阈值(步骤S420)。然后记录偏移检测部1112根据上述阈值,从记录区域1115所存储的计数数据中检索包含特定的坑或岸模式的多种特定模式(步骤S422),对该特定模式中包含的、认为是相同坑长度的计数结果进行平均,并且对认为是相同岸长度的计数结果进行平均,求出构成特定模式的各坑和各岸的平均长度(步骤S424)。然后,记录偏移检测部1112把所抽取的多个特定模式中的一个设定为基准模式,把该基准模式与其他模式比较(步骤S426),分别独立地检测以下的偏移量(步骤S428):1)相对于记录脉沖的坑的前侧相位偏移量2)相对于记录脉沖的坑的后侧相位偏移量3)热干涉所引起的来自记录脉沖的坑偏移量然后,运算式导出部1113#4居记录偏移#:测部11124全测的偏移量,导出用于确定最佳策略的运算式,策略确定部1114使用运算式导出部1113导出的运算式,预测各种参数的控制结果(步骤S430),根据该预测结果,确定图34所示的Ttopr和Tlast,将其设定在策略电路1102中(步骤S432)。与上述图20~图24所示的方法同样地进行步骤S410的测试记录到步骤S424的平均化的步骤,因此这里省略详细的说明。图36是表示用于检测各坑长度的前侧相位偏移量的记录模式和再现模式的一例的概念图。如图36所示,当检测各坑长度的前侧相位偏移量时,使用图36的(a)所示的记录脉冲进行测试记录。该记录脉沖包括固定坑PxT、固定岸LyT、可变坑PzT相连续的模式,把固定坑PxT的坑长度和固定岸LyT的岸长度固定,使可变坑PzT的坑长度如图36的(b)到图36的(f)所示那样,按3T、4T、…7T变化。虽然未图示,但是可变岸长度的变化一直进行到14T为止。这里,如果测量该记录模式的固定岸LyT的长度,则该固定岸LyT的长度在理想的记录状态下,应该成为恒定。可是,如果该固定岸LyT的长度偏离于理想的规定长度,则坑PxT的坑长度固定,因此该固定岸LyT长度的理想规定长度的偏移量,与相对于记录时的策略的3T、4T、…14T的各坑P3T、P4T、…P14T的记录脉冲的前侧相位偏移量对应。因此,把可变坑PzT为3T的图36的(b)的模式设定为基准模式,把图36的剩下的(c)~(f)的模式设定为比较模式,如果将这些比较模式的固定岸LyT的长度和基准模式的固定岸LyT的长度进行比较,则如图36中的各图所示,取得相对于基准模式的前侧相位偏移量FPS4TFPS7T。这里,各偏移量FPS3TFPS7T能作为以某部位为基准的相对值检测,因此基准模式的前侧相位偏移量FPS3T可以定义为零,此外可以作为离理想长度的偏移量检测。此外,可以代替图36的(b)的模式,把图36的(c)(f)所示的模式的任意一个设定为基准模式。图37是表示用于检测各坑长度的后侧相位偏移量的记录模式和再现模式的一例的概念图。如图37所示,当检测各坑长度的后侧相位偏移量时,使用图37的(a)所示的记录脉沖进行测试记录。该记录脉沖包含可变坑PxT、固定岸LyT、固定坑PzT相连续的模式,把固定岸LyT的岸长度和固定坑PzT的坑长度固定,使可变坑PxT的坑长度如图37的(b)到图37的(f)所示那样,按3T、4T、…7T变化。虽然未图示,但是可变坑长度的变化一直进行到14T为止。这里,如果测量记录模式的固定岸LyT的长度,则该固定岸LyT的长度在理想的记录状态下,应该成为恒定。可是,如果该固定岸LyT的长度偏离于理想的规定长度,则坑PzT的坑长度固定,因此该固定岸LyT长度的理想规定长度的偏移量与相对于记录时的策略的3T、4T、"'14T的各坑P3T、P4T、…P14T的记录脉冲的后侧相位偏移量对应。因此,把可变坑PxT为3T的图37的(b)的模式设定为基准模式,把图37的剩下的(c)~(f)的模式设定为比较模式,如果将这些比较模式的固定岸LyT的长度和基准模式的固定岸LyT的长度进行比较,则如图37中的各图所示,取得相对于基准模式的后侧相位偏移量RPS4TRPS7T。这里,各偏移量RPS3TRPS7T能作为以某部位为基准的相对值检测,因此基准模式的后侧相位偏移量RPS3T可以定义为零,此外可以作为距离理想长度的偏移量来检测。此外,可以代替图37的(b)的模式,把图37的(c)(f)所示的模式的任意一个设定为基准模式。图38是表示用于检测热千涉引起的坑偏移量的记录模式一例的图。如图38所示,当检测到热干涉引起的坑偏移量时,使用图38的(a)所示的记录脉沖进行测试记录。该记录脉冲包含岸LxT、坑PyT、岸LzT相连续的模式,把固定坑PxT的坑长度和固定岸LzT的岸长度固定,使可变岸LxT的岸长度如图38的(b)~图38的(f)所示那样,按3T、4T、…7T变化。虽然未图示,但是可变岸长度的变化一直进行到14T为止。这里,如果测量记录模式的固定坑PyT的长度,则该固定长度的坑PyT的长度在理想的记录状态下应该成为恒定。可是,如果该固定坑PyT的长度偏离于理想的规定长度,则岸LzT的岸长度固定,因此该固定坑LyT长度的理想规定长度的偏移量与可变岸LxT之前形成的坑的热干涉引起的偏移量对应。因此,把可变岸LxT为3T的图38的(b)的模式设定为基准模式,把图38的剩下的(c)~(f)的模式设定为比较模式,如果将这些比较模式的固定坑PyT的长度和基准模式的固定坑PyT的长度进行比较,则如图38中的各图所示,取得相对于基准模式的前侧相位偏移量HID3THID7T。这里,各偏移量HID3THID7T能作为以某部位为基准的相对值来检测,因此基准才莫式的前侧相位偏移量HID3T可以定义为零,此外可以作为距离理想长度的偏移量来进行检测。此外,可以代替图38的(b)的模式,把图38的(c)~(f)所示的模式的任意一个设定为基准模式。图39是表示坑前相位偏移4企测和坑后相位偏移检测中使用的特定模式检测用的表结构的概念图。当进行坑前相位的检测时,以对各特定模式设定的关于坑PxT、岸LyT、坑PzT的图39的(a)所示的阈值范围为基准,检索图2的存储区域1115中存储的数据(相当于图35的步骤S422),抽取满足该阈值的数据串。然后,把相当于坑PxT、岸LyT、坑PzT的计数结果分开,对坑PxT、岸LyT、坑PzT的每一个求出平均值(相当于图35的步骤S424)。如果使用计数结果的平均值,进行上述的模式比较,就能取得各坑长度的前侧相位偏移量。图39的(b)是进行坑后相位偏移的检测时的阈值例,但是考虑方法和动作与进行坑前相位偏移的检测的情况是同样的。图40是表示坑干涉偏移检测中使用的特定模式检测用的表结构的概念图。如图40所示,以与4吏用图39说明的坑前相位偏移和坑后相位偏移同样的方法进行坑干涉偏移的4全测。图41是表示通过计数结果的相对比较来检测偏移量时的具体例的概念图。图41是检测坑前相位偏移时的例子,但是检测其他偏移量时,也用同样的方法进行。当检测偏移量时,首先从存储在存储区域的数据组中检索抽取图41的(a)和(b)所示的基准模式和比较模式,如图41的(c)和(d)所示,比较针对原本应该是固定长度的部位的计数值。在图41所示的例子中,岸LyT成为比较部位,因此求出基准模式的计数结果即图41的(c)所示的"12",与比较模式的计数结果即图41的(d)所示的"11"的差,取得的差"1"成为偏移量FPS4T的值。图42是表示基于图35所示的控制量的预测的确定Ttopr、Tlast的执行例的流程图。如图42所示,通过执行以下一系列的步骤,进行控制量的预测,即用记录条件不同的Sl和S2等2种以上的条件进行测试记录(步骤S450),对所取得的记录坑进行再现(步骤S452),通过比较所取得的再现模式,求出与条件Sl对应的偏移量D1和与条件S2对应的偏移量D2(步骤S454),把Sl、S2和D1、D2的关系用直线近似(步骤S456),使用该直线确定最佳Ttopr和Tlast(步骤S458),。图43是表示记录条件Sl、S2的变化和与偏移量D1、D2的关系的概念图。如果图43的(a)所示的记录脉沖为"PzT=3T"的基准脉冲,则成为比较对象"PzT^4T"的记录脉冲以下述条件进行测试记录,即使PzT的前端变化Sl的图43的(b)的记录脉沖Sl、和使PzT的前端变化S2的图43的(c)的记录脉冲S2这2个条件。结果,与图43的(a)的记录脉沖对应,取得图43的(al)所示的基准模式,与图43的(b)的记录脉冲对应,取得图43的(bl)所示的比较模式S1,与图43的(c)的记录脉冲对应,取得图43的(cl)所示的比较模式S2。这里,比较模式Sl与控制量Sl对应,产生D1的偏移量,比较模式S2与控制量S2对应,产生D2的偏移量。如果知道针对控制量Sl和S2的偏移量Dl和D2,就能预测对于某个参数使其具有多少的控制量,就产生多少的偏移,因此,利用这些关系进行控制量的预测和校正值的确定。图44是表示利用直线近似的前侧相位偏移校正的一例的概念图。当确定针对前侧相位偏移的校正量Ttop时,首先如图44的(a)所示,当成为基准的脉冲位置为基准相位(p时,如图44的(b)所示,以脉冲的位置偏移了Ttop的波形进行测试记录(相当于记录条件Sl、S2),结果如图44的(c)所示,检测所取得的再现信号的相位偏移△cptop(相当于偏移量Dl、D2)。在图44所示的例子中,按SI=+0.1和S2-+0.3这2种进行该Ttop的变化,把所取得的检测相位A(ptop作为偏移量Dl=-0.1和D2=+0.1来取得。然后,使用取得的Sl、S2、Dl、D2,如图44的(e)所示,以直线对针对控制量Ttop的控制结果A9t0p的关系进行近似,利用该直线把能消除相位偏移的校正相位Ttop=+0.2确定为最佳校正值。这样,如果使变化点为至少2点来求出策略的变化Sl、S2与偏移量的变化D1、D2的关系,则可以进行基于直线或曲线的近似,因此能够使用该直线求出偏移量变为零的最佳校正量。具体而言,求出使策略S在数点变化时的偏移量D,把这时的策略S和偏移量D的关系代入一般式"D=axS+b"中,通过解联立方程式,求出常数a、b,最终求出与理想的偏移量D对应的策略S,通过在图1所示的策略电路1102中设定该策略S,进行记录脉冲的最佳校正。例如,如果通过图1所示的记录偏移检测部1112,从使用某策略Sl的测试记录的再现模式中检测出的偏移量为Dl,从使用其它策略S2的测试记录的再现模式中检测的偏移量为D2,就通过Dl=axSl+bD2=axS2+b计算出a和b,求出使用了该计算出的a和b的函数S=(D-b)/a,通过在该函数中代入用于改善记录品质的例如均衡器中产生的用于校正初始输出偏移等的输出偏移量D,从而确定最佳策略S。能与3T、4T、…14T的各坑P3T、P4T、…P14T对应地求出取得该最佳策略S的函数。此外,能与记录速度对应地分别求出取得最佳策略S的函数。图45是表示利用了直线近似的后侧相位偏移校正的一例的概念图。确定对于后侧相位偏移的校正量Tlast时,首先如图45的(a)所示,成为基准的脉冲位置为基准相位cp时,如图45的(b)所示,以脉沖位置偏移Tlast的波形进行测试记录,结果如图45的(c)所示,检测所取得的再现信号的相位偏移A(plast。在图45所示的例子中,按Sl=-0.1和S2--0.3这2种进行Tlast的变化,把所取得的检测相位Acplast作为偏移量Dl=+0.1和D2=-0.1来取得。然后,使用取得的Sl、S2、Dl、D2,如图45的(e)所示,以直线对针对控制量Tlast的控制结果Acplast的关系进行近似,利用该直线4巴能消除相位偏移的纟交正相位Tlast=-0.2确定为最佳一交正值。图46是表示用于存储校正量Ttop和Tlast的表构造的概念图。如图46的(a)所示,对成为校正对象的各坑长度,用与该各坑的前侧岸长度的组合定义校正量Ttop。例如在校正对象坑为3T、该坑的前侧岸为3T时,在图中表示为"3-3"的区域中存储校正量,在校正对象坑为4T、该坑的前侧岸为3T时,在图中表示为"3-4"的区域中存储校正量。以下,与3T和4T同样地存储5T…14T。此外,如图46的(b)所示,对成为校正对象的各坑长度,用与该各坑的后侧岸长度的组合定义校正量Tlast。例如,校正对象坑为3T,当该坑的后侧岸为3T时,在图中表示为"3-3"的区域中存储校正量,校正对象坑为4T,该坑的后侧岸为3T时,在图中表示为"3-4"的区域中存储校正量。以下,与3T和4T同样地存储5T…14T。图47是表示校正后的单脉沖的例子的概念图。如图47中的各图所示,当在光盘上记录图47的(a)所示的记录数据时,设定按各坑长度应用最佳校正值的策略。例如当记录3T坑时,如图47的(b)所示,根据比图46所示的表更前侧的岸长度,读出3T坑的前端校正值Ttop,并且根据后侧岸长度,读出3T坑的后端校正值Tlast,用该Ttop和Tlast校正记录脉冲的前端和后端。此外,当校正大于或等于4T坑时,如图47的(c)(f)所示,除了Ttop和Tlast,从图32的表中读出该坑长度的PWD校正值,进行与该PWD的值相应的脉冲形状的校正。图48是表示校正后的多脉沖的例子的概念图。如图48中的各图所示,在多脉冲的情况下,取代上述图47所示的单脉沖的PWD校正值,而从图32的表中读出Tmp沖形状的校正。其他的与单脉沖的情况相同。在以上说明的实施方式中,通过在求出最佳策略S的函数中代入偏移量D,确定最佳策略S,但是也可以取代此而准备从上述函数求出的校正表,根据该校正表来确定最佳策略S。此外,也可以是在每次变更光盘的种类时,或每次变更记录速度时,进行上述最佳策略的设定处理,也可以是与光盘的种类以及记录速度对应地,把由上述最佳策略的设定处理确定的最佳策略的条件存储在存储器中,当再次以同一种类的光盘进行记录时,或以同一记录速度进行记录时,读出该存储器中存储的最佳策略进行使用。图49是表示本发明的驱动器的内部结构的框图。如图49所示,该驱动器100,使用由激光二极管110输出的激光,对光盘500进行信息的记录和再现,与个人计算机600等外部装置之间进行数据的收发。在对光盘500进行信息的记录时,经由接口电路218从个人计算机600所接收的记录数据,由EFM编码/解码器216进行编码,通过用CPU212对该已编码的记录数据进行处理,乂人而确定成为对于该光盘500的记录条件的策略,由脉沖发生器300将该策略转换成记录脉冲,将该记录脉沖输出到LD驱动器124。LD驱动器124根据所输入的记录脉沖驱动激光二极管110,激光二极管IIO应对于该记录脉沖,控制输出激光,将该被控制的激光经由准直透镜112、衍射光栅114、半透明反射镜116、物镜118,照射到以恒定的线速度或者恒定的角速度进行转动的光盘500上,由此在光盘500上记录由与所希望的记录数据对应的坑、间隔串构成的记录模式。另一方面,在对光盘500上所记录的信息进行再现时,再现激光从激光二极管110经由准直透镜112、衍射光栅114、半透明反射镜116、物镜118,照射到光盘500。此时,再现激光使用比记录时的激光强度低的激光,来自光盘500的基于该再现激光的反射光,经由物镜118、半透明反射镜116、受光镜120,由检波器122受光,转换成电信号。由检波器122输出的电信号,与具有记录在光盘500上的坑、间隔的记录冲莫式对应,该电信号通过双向限幅器(slicer)210纟皮二值化,进而由EFM编码/解码器216解码后作为再现信号输出。图50是表示被装入图49所示的驱动器内的光拾取器部的结构的分解斜视图。如图50所示,设置于激光二极管110与光盘500的盘面之间的衍射光栅,由2张衍射光栅114-1、114-2构成,在各衍射光栅上,分别形成有方向不同的沟115-1、115-2。在激光20入射这样构成的衍射光栅时,由第1衍射光栅115-1分支成3道激光,进而,再由第2衍射光栅115-2分支成3道激光,在光盘的盘面上照射出5个点20A20E。图51是表示照射在光盘的盘面上的点的配置的平面图。如图51所示,在光盘500的盘面上,照射有记录用主光束20A、跟踪用前副光束20B、跟踪用后副光束20C、再现用前副光束20D、再现用后副光束20E。这里,记录用主光束20A,照射在形成于光盘500上的沟槽502-2上,通过该射束点的照射,在沟槽502-2内形成坑506。该记录用主光束20A,为了能够形成基于热模式的坑,设定为最高的发光强度。跟踪用前副光束20B,照射在与被主光束20A所照射的沟槽502-2邻接的岸504-3上,跟踪用后副光束20C,照射在与被主光束20A所照射的沟槽502-2邻接的岸、与被副光束20B所照射的沟槽处于相反侧的岸504-2上。再现用前副光束20D,照射在与主光束20A所照射的沟槽相同的沟槽502-2上的、比主光束20A靠前的位置上,再现用后副光束20E,照射在与被主光束20A所照射的沟槽相同的沟槽502-2上的、比主光束20A靠后的位置上。这样配置各点,从而能够以再现用后副光束20E,4企测由主光束20A所形成的记录才莫式,即由坑506和间隔508的组合所构成的记录模式。图52是表示照射在光盘的盘面上的点与检波器的关系的概念图。如图52所示那样,图49所示的检波器122,由122A~122E这5个受光部构成,与点20A~20E对应的反射光22A~22E分别照射到各受光部,被转换成电信号。图53是表示记录脉冲的形状与恒定区域的关系的概念图。如图53中的各图所示那样,由图49所示的LD驱动124输出的记录脉冲,有各种各样的形状,分别具有表示记录脉冲的接通状态的高输出区域50、表示断开状态的低输出区域52、以及为接通状态而调制少的恒定输出区域54。更具体地说,图53的(a),为在接通的状态下构成恒定的输出的记录脉冲,图53的(b),为在最前部与后续部强度各不相同的记录脉沖,图53的(c),为在最前部、中间部与后续部强度各不相同的记录脉冲,图53的(d),为在最前部形成了恒定输出部之后,在后续部使输出发生数次变化的记录脉冲。本发明由于意图在记录脉沖变为接通的状态下,取入再现信号,因此希望应对于高输出区域50而生成后述的门信号,但更希望应对于不易受调制影响的恒定输出区域54而进行生成。该恒定输出区域54为了方便而定义为高输出区域50中的最恒定的状态的长的区间,但是,即使是比恒定状态最长的区间短的恒定区域,也可以作为恒定输出区域来使用。在以后的说明中,以图53的(c)中被称为城堡(castle)型的脉冲形状为例进行说明,但本发明也可以适用于其他的记录脉沖。例如,也可以设定为以下这样的结构在适用于图53所示那样的相变模式的光盘所使用的记录功率时,通过高输出和低输出的反复,应对在记录脉沖中的相当于消除功率的恒定输出区域54而生成门信号,向该恒定输出区域54取入以副光束再现的信号。其中,所述记录脉沖具有相变材料骤冷后变成非晶(amorphous)状态的高输出区域50、输出用于以主光束进行伺服控制的程度的0.7~lmW左右的功率的低输出区域52、以及緩慢冷却后变成结晶状态的恒定输出区域54。图54是表示图49所示的脉冲发生器的内部结构的电路框图。如图54所示,在本脉沖发生器300中,由脉冲单元生成电路310-l、310-2分别接收从图49的CPU212送出的策略条件SD1、SD2,生成已与时钟信号CLK同步的脉冲信号PW1、PW2。这里,策略条件SD1、SD2,是将脉冲的接通期间和断开期间的长度,作为以时钟数所表示的数值数据来定义,接受了这些信号数据的脉冲单元生成电3各310-1、310-2,使用驱动内所生成的时钟信号CLK,生成策略条件SD1、SD2所表示的条件的脉沖信号。这些脉冲信号PW1、PW2,-陂输出到图49的LD驱动器124,并且用逻辑乘(AND)运算器316取脉冲信号PW1的反相信号与脉冲信号PW2的逻辑积,作为门信号Gate输出到图49的屏蔽电路400。脉冲信号PW1的反相信号,通过反相电路314生成。图55是表示图54所示的门信号的生成概念的时序图。如图55中的各图所示,与记录脉沖的恒定输出区域对应的门信号,使用构成记录脉冲的构成要素的脉冲信号PW1、PW2而生成。即,如图55的(b)和(c)所示,脉冲信号PW1、PW2,与图55的(a)的时钟信号CLK同步生成,由该脉沖信号PW1生成图55的(d)所示的反相信号。然后,如图55中的各图所示那样定义图55的(c)的脉冲信号PW2与图55的(d)所示的反相信号之间的电平,并取逻辑积,就能取得图55的(e)所示的门信号。其结果是,这样所取得的门信号,将与记录脉沖的恒定输出区域相对应。图56是表示图49所示的LD驱动器的内部结构的电路图。如图56所示,LD驱动器124,具有使用了电阻R1、R2的分压电路,和合成这些输出电压的合成器126,来自脉冲发生器300的脉沖信号PW1、PW2,经由电阻Rl、R2,被放大至预定的输出电平后,由合成器126合成逻辑和,生成记录脉冲PWR,输出到图49的激光二极管110。图57是表示图49所示的屏蔽电路的内部结构的电路框图。如图57所示那样,屏蔽电路400,由2个逻辑乘运算器410-1、410-2构成,由图49的脉冲发生器300生成的门信号Gate,和图49的CPU212生成的标志信号Flag输入初级的逻辑乘运算器410-1,取了由图49的脉冲发生器300生成的门信号Gate,和图49的CPU212生成的标志信号Flag的逻辑积的门信号Gate',被输出到后级的逻辑乘运算器410-2。逻辑乘运算器410-2,使用该门信号Gate',对由图52的检波器122E输出的再现用后副光束20E再现的RF信号RF-Sub进行屏蔽,抽取与门信号Gate'对应的部分的RF信号RF-Sub',输出到图49的双向限幅器210。其结果,由于是有选择地抽取在记录脉沖的恒定输出区域再现的RF信号RF-Sub',因此能进行高精度的坑的检测。然后,根据该被检测的坑的长度和相位信息,图49的CPU212算出策略的校正条件,对输出到脉冲发生器300的策略条件进行校正。其结果是能在数据的记录中进行记录条件得到了校正的实时校正。图58是表示记录脉沖与门脉沖以及再现信号之间的关系的时序图。如图58的(a)所示那样,记录脉沖PWR,与预定的数据才莫式对应地构成接通/断开进行变化的脉冲模式。这里,在假设将具有最长的无调制区域的坑14T的恒定输出区域54作为门信号使用的情况时,由图49的脉冲电路300生成的门信号Gate,被以图58的(b)所示的定时输出;由图49的CPU212生成的标志信号Flag,被以图58的(c)所示的定时输出;在图57的屏蔽电路400内所生成的门信号Gate',被以图58的(d)所示的定时输出,使用该门信号Gate',抽取了图58的(e)的RF-Sub信号的结果,形成图58的(f)的RF-Sub'信号。这样,由于最终抽取出的再现信号RF-Sub',为在记录脉沖PWR的恒定输出区域54中再现的信号,因此可以通过使用该信号进行高精度的坑的检测,进而可以对策略进行准确的4交正。图59是表示图49所示的CPU执行的标志信号的生成方法的概念图。图59所示的例子,为有选择地检测在坑14T的恒定输出区域内存在的间隔4T的情况的例子。如图59所示,CPU212将与记录脉冲的数据长对应的数值依次存储到存储器214中,确定在坑14T(在图59中,表示为"P14")的恒定输出区域内存在间隔4T(在图59中,表示为"L4")的数据,对该确定的坑14T的数据建立标志。这里,在将记录用的主光束与再现用的副光束的时间差定义为T时,CPU212以时钟数对时间差t进行换算,将存在于从坑14T到间隔4T之间的数据长与时间差t进行比较。其结果是,在从坑14T离开时间差t的区域,并且在相当于该坑14T的恒定输出区域的范围内存在间隔4T的^t据,就对该坑14T建立标志,以图58所示的定时專lT出标志信号Flag。图60是表示记录用的主光束与再现用的副光束之间的关系的时序图。如图60的(a)所示那样,记录用主光束的输出,为形成坑所需要的高输出的脉冲模式,通过该脉冲照射在光盘上所形成的坑模式,形成如图60的(b)所示那样。另一方面,如图60的(c)所示那样,再现用副光束的输出,为与记录用主光束的输出模式相同的定时,形成输出比记录用主光束缩小了分支比率那部分的脉沖模式,通过该再现用副光束再现的坑模式,如图60的(d)所示那样,形成由记录中的坑延迟了时间差t的模式。因此,在检测坑14T的记录中再现的间隔4T时,如图60的(e)所示那样,变成只需确定使记录脉冲的模式延迟了时间差t的脉冲的间隔4T,与记录脉冲的坑14T的恒定输出区域这两者重叠的位置即可。即,在记录脉冲中由长的坑的恒定输出区域生成第1门信号,并且在使记录脉冲延迟了时间差t的脉冲模式中,由相当于作为检测对象的短的坑或者间隔的脉冲生成第2门信号,使用这些第1门信号和第2门信号,对由再现用副光束所取得的RF信号进行屏蔽的结构将变得有用。图61是表示记录脉冲与4吏该记录脉沖延迟的脉冲以及RF信号之间的关系的时序图。如图61的各图所示,只需生成使记录脉冲PWR延迟了时间t的脉冲PWR',在记录脉冲PWR的坑14T的恒定输出区域内,将包含延迟脉冲PWR'的间隔4T的部分设定为门信号Gate',就可以在长的坑的记录中有选择地检测短的坑或者间隔,其结果是能够准确地检测坑的长度偏差和相位偏差。图62是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或者间隔的方法的例子的框图。图62为通过图49的EFM编码/解码器216,在主光束记录14T坑的期间,检测存在于副光束下的4T间隔的情况的结构例。在这样构成时,EFM编码/解码器216,如该图62所示,将由图49的双向限幅器210输入的8位2值化信号,临时存储到緩沖器250-1中,将由该緩冲器输出的8位数据按照转换表252转换成16位的数据,输出到緩沖器250-2。此时,基于延迟器254的时间T的延迟操作,为每转换一次就执行一次。存储到緩冲器250-2中的数据,被输出到计数器256,作为表示脉冲长nT(n=3~14)的数据,经过图49所示的CPU212,输出到脉冲发生器300,生成相符的记录脉沖。图63是表示图62所示的计数器256与图49的脉冲发生器300之间的关系的框图。如图63所示,计数器256具有14T解码器258,从自緩冲器250-2向脉冲发生器300流动的数据流中,确定相当于14T坑的位串;和4T解码器259,确定相当于4T间隔的位串。图64是表示图62所示的緩冲器250-2存储位串时的例子的概念图。如图64的(c)所示,在緩冲器250-2中,存储有以与图64的(a)所示时钟信号同步的形式表示坑或者间隔的长度的数据。例如,3T的长度,以"100"表现;4T的长度,以"1000"表现;5T的长度,以"10000"表现;14T的长度,以"10000000000000"表现。因此,在输入如图64的(b)所示的脉沖时,存储到緩沖器250-2中的位串,如图64的(c)所示,相当于4T间隔的部分为"10000",相当于14T坑的部分为"10000000000000",各自的脉冲宽度通过以位数表现的格式而存储。这里,在记录用的主光束与再现用的副光束的间隔相当于300位时,如图64的(c)所示那样,从存储在緩冲器250-2中的位串中,确定当前记录中的14T坑的位置,判断在^v该14T坑离开300位的位置上是否存在4T间隔的位串。其结果是,当存在4T间隔的位串时,判断为能够在基于主光束的14T坑的记录中,通过副光束^r测4T间隔的定时,^使用通过该定时取得的信号确定实时校正的条件。图65是表示在14T坑的记录中作为检测对象的4T间隔的变化的概念图。如图65的(a)所示,在14T坑的记录脉冲为由高输出的3T脉沖、恒定输出的9T脉冲、高输出的2T脉沖构成时,收纳于恒定输出区域内的4T间隔成为4企测对象。因而,最好是能抽取在14T脉沖的中央部出现的4T间隔,但是,由于在这种情况下出现几率将变低,因此预先设置计数器电路,使得即使4T间隔的两端不溢出14T坑的恒定输出区域也成为抽取对象。例如,由图65的(a)所示的14T坑的脉冲,生成图65的(b)所示的门信号,预先准备好能够确定收纳于该门信号中以图65的(c)的阴影线(hatch)表示的4T间隔的数据模式,抽取与该数据模式一致的位串。图66是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或者间隔的方法的其他例子的框图。图66所示的例子,为以在某段时间内产生的脉冲数作为基准,判断在长的坑的记录中是否存在短的坑或者间隔的例子。在图66所示的电路块中,将由双向限幅器210输出的2值化信号SLRF-Sub',经由反相电路420-1输入逻辑乘运算器422,并且将由图49所示的脉冲发生器300输出的门信号Gate输入逻辑乘运算器422。逻辑乘运算器422,将这些输入的信号的逻辑积输出到计数器424的置位(set)端子,接受了该信号的计数器424,对在由反相电路420-2反相的门信号所表示的区间内产生的脉沖数进行计数,将其结果作为判断信号DetectionEnable,输出到图49的CPU212。由反相电路420-2反相的门信号,作为计数器424的复位信号使用。CPU212以该判断信号表示的脉冲数是否大于等于预定数,例如是否发生大于等于2次为基准,判断在14T坑的记录中是否存在4T间隔,在判断为是时,进行由该4T间隔取得的信号的取入。图67是表示图66所示的电路块的处理例的时序图。如图67的(a)所示,输入到双向限幅器210中的信号RF-Sub',在某一电平被2值化,生成如图67的(b)所示那样的脉冲信号SLRF-Sub'。然后,通过取图67的(e)所示的门信号Gate与图67的(f)所示的反相信号的逻辑积,生成图67的(g)所示的判断信号DetectionEnable。所述门信号Gate,是用图49所示的脉沖发生器300从图67的(c)和图67的(d)所示的信号而生成的;所述反相信号,是用反相电^各420-1而生成的。图68是表示由图66的电路块生成的判断信号的判断基准的概念图。如图68中的各图所示的那样,在该例中,在图68的(a)的区间内计数了大于等于2次的脉沖时,判断为在14T坑的记录中存在收纳于表示14T的恒定区域的门信号Gate内的间隔、例如存在3T7T的间隔,进行由该4T间隔取得的信号的取入。因此,如图68的(b)所示那样,在门信号内计数到了2次脉沖时,判断为在14T坑的记录中存在收纳于表示14T的恒定区域的门信号Gate内的间隔、例如存在3T~7T的间隔,取入由该4T间隔取得的信号。另一方面,如图68的(c)和(d)所示,在只计数到1次时,判断为在14T坑的记录中不存在4T间隔,不进行信号的取入。图69是表示了在长的坑的记录中检测短的坑或者间隔的方法的其他例子的框图。图69所示的例子,为通过测量在门信号内已产生的脉冲的长度,来判断在长的坑的记录中是否存在短的坑或者间隔的例子。在图69所示的电路块中,通过逻辑乘运算器422计算由双向限幅器210输出的2值化信号SLRF-Sub',与由图49的脉沖发生器300输出的门信号Gate,以及时钟信号CLK这三者的逻辑积,作为可以计数的信号CountablePulse而输入计数器424的置位端子,通过计数器424对该信号的长度进行计数。复位脉冲发生器426所生成的复位脉冲被输入到该计数器中。图70是表示图69所示的电路块的处理例的时序图。如图70的(a)所示,输入到双向限幅器210中的信号RF-Sub',在某一电平一皮2值化,而生成如图70的(b)所示的脉沖信号SLRF-Sub'。然后,通过计算由图49所示的脉沖发生器300生成的、图70的(c)所示的门信号Gate,与图70的(d)所示的时钟信号CLK的逻辑积,生成图70的(e)所示的可以计数的信号CountablePulse。这里提出的时钟信号,使用"1丁=1个周期"的情况作为例子进行了说明,但是,也可以使用更高速的时钟,例如使用"1T-40周期"的时钟来提高长度检测的分辨能力。图71是表示图69所示的复位脉沖发生器426的处理例的时序图。如图71所示那样,复位脉沖发生器426,对图71的(a)所示的时钟信号CLK计数2次中的1次,生成图71的(b)所示的中间信号CLK/2,进而,对该中间信号CLK/2计数2次中的1次,生成图71的(c)所示的中间信号CLK/4。然后,如图71的(d)所示那样,生成与图71的(c)的第2次的上升同步地上升、在扫描了相当于门信号Gate的长度时下降的复位信号Reset。通过该复位信号输入图69所示的计数器424的复位端子,计数器的计数结果被复位。在作为图71的(a)所示的时钟信号使用"lT-40周期"的信号的情况下,门信号Gate具有相当于9T的宽度,在对时钟信号计数了360次时,图71的(d)所示的复位信号Reset下降,计数器424被复位。同样地,在作为图71的(a)所示的时钟信号使用"1T-2.5周期,,的信号的情况下,门信号Gate具有相当于9T的宽度,在对时钟信号计数了22.5次时,图71(d)所示的复位信号Reset下降,计数器424被复位。只是,在如"1丁=2.5周期"这样,时钟信号的周期不为单位长T的整倍数的情况下,就如"2T-5周期"这样作为整倍数处理。图72是表示图49所示的屏蔽电路的其他结构例的电路框图。图72所示的屏蔽电路,为利用切向推挽信号Tpp进行长度检测的情况的例子。如图72所示,该屏蔽电路400由切向推挽信号生成电路430、使该切向信号Tpp的振幅恒定的VGA(VGA:VolumeGainAmp)电路432、对切向推4免信号Tpp进行微分的樣i分电路434、以及取切向推挽信号Tpp的微分值与门信号Gate的逻辑积的逻辑乘运算器422构成。其中,切向推挽信号生成电路430使用来自具有4个分割区域的检波器122的信号,生成切向推挽信号Tpp。这里,切向推挽信号生成电路430,在将检波器122的分割区域如图72所示那样,按照与光介质的转动接线方向Tan的关系设定为A、B、C、D时,求出由位于转动方向的前方的A和B所取得的信号的总和,与由位于转动方向的后方的C和D所取得的信号的总和的差,将上述差信号作为切向推挽信号Tpp输出。如果以计算式描述这种关系,则如图72所示,为"Tpp-(A+B)-(C+D)"。VGA电路432,生成使上述切向推挽信号Tpp的振幅恒定的信号Tpp-Sub,接受了该信号的微分电路434,对该Tpp-Sub信号进行微分生成△(Tpp-Sub)信号。逻辑乘运算器422,通过取上述△(Tpp-Sub)信号与门信号Gate的逻辑积,而抽出相当于记录脉冲的光输出恒定区域的信号A(Tpp-Sub'),双向限幅器210以零电平对该△(Tpp-Sub')信号进行限幅,并生成SLA(Tpp-Sub')信号。图73是表示图72所示的电路的动作的第1时序图。如图73的(a)所示那样,图72所示的检波器检测的RF信号,以用标号xl.O表示的1倍速记录的信号、和用标号xl.5表示的1,5倍速记录的信号,构成振幅和零点各不相同的波形。此外,图72所示的VGA电路432输出的切向推挽信号Tpp-Sub,如图73的(b)所示,以用标号xl.0表示的1倍速记录的信号、和用标号xl.5表示的1.5倍速记录的信号,构成振幅不同但零点一致的波形。该切向推挽信号Tpp-Sub的零点,相当于图73的(a)所示的RF信号RF-Sub的峰值位置。另夕卜,图72所示的微分电路434输出的切向推挽信号的微分值A(Tpp-Sub),如图73的(c)所示,以用标号xl.0表示的1倍速记录的信号、和用标号xl.5表示的1.5倍速记录的信号,构成振幅不同但零点一致的波形。该切向推挽信号的微分值A(Tpp-Sub)的零点,相当于图73的(b)所示的切向推挽信号Tpp-Sub的峰值位置,相当于图73的(a)所示的RF信号RF-Sub的倾斜率变成最大点的位置。图74是表示图72所示的电路的动作的第2时序图。图74的(a)是表示图72所示的微分电路434输出的切向推挽信号的微分值△(Tpp-Sub)的图,该微分值被图74的(b)所示的门信号Gate屏蔽,如图74的(c)所示,切向推挽信号的微分值A(Tpp-Sub)构成被门信号Gate切开的信号△(Tpp-Sub')。然后,通过图72所示的限幅电路210,抽出信号△(Tpp-Sub')的零交叉点,生成如图74的(d)所示那样的脉冲信号SLA(Tpp-Sub')。该脉沖信号构成存在于上述记录用脉沖的高输出恒定期间内的短的坑或者间隔信号,在上述例子中构成4T间隔的^r测信号。通过以上说明的利用切向推挽信号的微分值,检测坑或者间隔的长度的结构,实时地4全测长度的偏移,一边校正该偏移一边进行记录。这里,如上述那样,如果单只利用切向推挽信号的微分值,将产生3T、4T这些短的信号的干涉,无法检测出准确的长度。因此,在本实施方式中,通过预先对测试区域进行测试记录,从而预先求出作为校正基准的切向推挽信号的微分值,在对记录区域进行正式记录时,用再现用激光对已用记录用激光记录的坑或者间隔进行再现,从所取得的再现信号求出切向推挽信号的微分值,将在该记录区域求出的微分值,与在测试区域求出的微分值的差异视作长度偏移量,设定符合该偏移量的校正的记录条件。图75是表示在测试区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值同实际的物理长度之间的关系的曲线图。如图75的(a)所示,例如通过测试记录在测试区域内形成具有3T~8T的长度的坑,就能取得对于各坑长度的切向推挽信号的微分值,就可以根据该微分值预测各坑长的长度。这里,对于比较长的5T8T坑,取得用图中的虚线表示的相当于本来的物理长的长度,但对于容易产生干涉的3T、4T坑,则检测出与本来的物理长度不同的长度。同样地,如图75的(b)所示,例如通过测试记录形成具有3T~8T的长度的间隔,就能取得对于各间隔长度的切向推挽信号的微分值,就可以根据该微分值预测各间隔长的长度。这里,对于比较长的5T~8T间隔,取得用图中的虚线表示的相当于本来的物理长的长度,但对于容易产生干涉的3T、4T间隔,则检测出与本来的物理长度不同的长度。因此,通过将图75的(a)所示的对于各坑长度的切向推挽信号的微分值作为校正基准,或者将图75(b)所示的对于各间隔长度的切向推挽信号的微分值作为校正基准,可以避免干涉的影响。图76是表示在记录区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值,与在测试区域求出的关于坑和间隔的切向推挽信号的微分值之间的关系的曲线图。如图76的(a)所示,例如,一边由记录用激光在记录区域内记录具有3T~8T的长度的坑模式,一边由再现用激光再现,就能取得图中用黑圆表示的对于各坑长度的切向推挽信号的微分值,通过进行将该微分值与在测试记录中取得的图中用白圆表示的微分值加在一起这样的校正,可以形成由适合于本来的物理长度的坑和间隔构成的记录模式。同样地,如图76的(b)所示,例如,一边由记录用激光在记录区域内记录具有3T~8T的长度的间隔模式,一边由再现用激光再现,就能取得图中用黑圆表示的对于各间隔的切向推挽信号的微分值,通过进行将该微分值与在测试记录中取得的图中用白圆表示的微分值加在一起这样的校正,可以形成由适合于本来的物理长度的坑和间隔构成的^己录纟莫式。图77是表示为了取得测试区域内的切向推挽信号的微分值而进行的测试记录的一例的概念图。如图77所示,通过使用了能够对记录脉沖的前相位偏移、后相位偏移、热干涉的影响进行检查的模式的测试记录,从而按各坑或者各间隔长度求出RF长度a01~a15和切向推挽信号的微分值b01~bl5,将这些存储到预定的存储区域。图78是表示为了取得记录区域内的切向推挽信号的微分值而进行的测试记录的一例的概念图。如图78所示,通过从在记录区域所形成的坑和间隔的才莫式中,抽出能够对记录脉沖的前相位偏移、后相位偏移、热干涉的影响进行检查的模式,从而按各坑或者各间隔长度求出切向推挽信号的微分值c01~cl5、以及与在图77所示的测试记录中取得的切向推挽信号的差d01~dl5,将这些数据存储到预定的存储区域。图79是表示了使用图78所示的切向推挽信号的差进行记录脉沖的校正的例子的概念图。如图79中的各图所示,在将图79的(a)所示的记录数据记录到光盘上时,按各坑长度设定适用了最佳校正值的策略。例如,在记录3T坑时,如图79的(b)所示那样,读出图78所示的记录数据的前相位偏移3T坑的前端校正值Ttop,并且读出3T坑的后端校正值Tlast,以该Tt叩和Tlast校正记录脉冲的前端和后端。此外,在校正大于等于4T坑时,如图79的(c)~(f)所示,在Ttop和Tlast的基础上,再加上该坑长度的恒定区域的高度PWD来进行脉冲形状的校正。图80是表示图49所示的屏蔽电路的其他结构例的电路框图。该图所示的屏蔽电路,为利用RF信号的2次微分值进行长度检测的情况的例子。如图80所示,该屏蔽电路400包括RF信号生成电路436、使该RF信号的振幅恒定的VGA电路432、对RF信号进行2次微分的微分电路434-1和434-2、以及取该2次微分值与门信号Gate的逻辑积的逻辑乘运算器422。其中,RF信号生成电路436使用来自具有4个分割区域的检波器122的信号来生成RF信号。这里,RF信号生成电路436,将由检波器122的分割区域A、B、C、D取得的信号的总和作为RF信号Tpp输出。如果以计算式描述这种关系,则如图80所示,为"RF=(A+B)+(C+D)"。VGA电路432,生成使上述RF信号的振幅恒定的信号RF-Sub,接受了该信号的微分电路434-1,对该RF-Sub信号进行微分生成△RF-Sub信号,微分电路434-2,对该ARF-Sub信号进行微分生成AARF-Sub信号。逻辑乘运算器422,通过取上述AARF-Sub信号与门信号Gate的逻辑积,而抽出相当于记录脉沖的光输出恒定区域的信号AARF-Sub',双向限幅器210以零电平对该AARF-Sub'信号进行限幅,并生成SLAARF-Sub'信号。图81是表示本发明的功率和脉冲宽度的实时控制概念的概念图。如图81所示,在本实施形式中,通过将具有长度m,T的mT脉沖用作功率控制用脉沖,具有长度n,T的nT脉冲用作脉冲宽度控制用脉冲,能够进行将功率和脉冲宽度的调整要素分离开的检测和校正。关于mT脉冲与nT脉冲的结构,与上述相同。这里,使用记录用激光20A,将包含这些mT脉冲和nT脉冲的记录脉沖串照射到介质500上,并使用再现用激光20E,对由上述记录脉沖串的照射形成的坑和间隔进行再现,独立地检测功率和脉沖宽度的影响,实时地执行mT脉冲的功率校正和nT脉冲的宽度校正。mT脉冲的功率校正,如图81所示,通过调整该mT脉冲的高度进行,该脉沖的最佳高度Po,根据再现用激光的检测结果来进行设定。该mT脉沖的宽度,例如,如上述那样对应于出现频率最高的3T,在测试记录中使用进行了优化的条件。nT脉冲的宽度校正,如上述那样,通过分别调整该脉冲的前端和后端的相位来进行,该脉冲的前端4交正量Ttop和后端校正量Tlast,根据再现用激光的检测结果设定。该nT脉冲的高度,使用与mT脉冲相同条件的Po,通过上述的方法设定中央部的高度PWD。图82是表示将功率与脉冲宽度的调整要素分离后取得的记录品质的扩大图像的概念图。如图82所示,固定出现频率高的mT脉冲的宽度,变化nT脉冲的宽度来调整相位条件,就可以取得对于功率的变化能够确保低抖动的区域广的特性,即,能取得容限大的再现特性202-2,但凭借使所有脉冲的宽度变化的方法和只调整功率的方法,则只能取得象再现特性202-1或者202-3这样容限小的特性。图83是表示了确保mT脉沖的检测信号量的方法的概念的概念图。如图83的(a)所示,如果将mT脉沖例如设定为3T脉沖,则通过该3T脉沖记录的坑的形状,就如图83的(b)所示那样形成得小,由该坑所取得的RF信号也如图83的(c)所示,变成小振幅的开口小的信号,因此特别是在高速记录中3T坑的检测就变得困难。因此,在本实施方式中,如图83的(a)所示,通过将作为检测对象的2个mT脉冲,隔开比该mT脉冲更长的间隔配置,检测相当于该间隔的信号,检测由mT脉沖形成的坑的长度。例如,如图83的(b)所示,通过按3T坑、6T间隔、3T坑的顺序形成,配置成6T间隔受两侧的3T坑的影响,通过检测与6T间隔对应的大振幅的信号,间接地检测3T坑的长度偏移。图84是表示了使用6T间隔的信号检测3T坑的长度偏移量的例子的时序图。如图84的(a)所示,按3T、6T、3T的顺序照射记录脉沖的结果,如图84的(b)所示,形成比基准长度长的3T坑,就如图84的(c)~(e)所示,由6T间隔的RF信号取得的2值化信号,检测为比基准长度短。结果是检测出如图84的(f)所示那样的偏移量Aa和Ab,这些的总和构成3T坑的长度偏移量△。图85是表示了根据长度偏移量进行功率校正的概念的概念图。如图85所示,由测试记录取得的不对称特性变成线性特性,该不对称特性的零点变成最佳功率Po,因此在该取得的不对称特性上使长度偏移量A吻合,就知道发生了Pl-Po的功率偏移。由此,对应于来自该最佳值的功率偏移量校正当前的功率,以返回了最佳记录条件的状态继续记录。图86是表示了使用RF信号检测由3T间隔造成的失真的影响的例子的时序图。如图86的(a)和(b)所示,如果照射具有3T坑、6T间隔、3T坑、3T间隔的模式的记录脉沖A,有时最后的3T间隔的影响会给前面紧邻的3T坑带来失真。如果发生了象这样的失真,即便是在形成了对于基准长度没有偏移的3T坑的情况下,也如图86的(c)所示,RF信号的零交叉点出现在比本来的位置远的地方,结果是2值化信号的脉冲宽度变大。因此,如图86的(d)~(g)所示,通过将最后的间隔长度设定为比3T长的5T,从而再现抑制了失真的发生的记录脉冲B的照射结果,检测由该记录脉沖B取得的6T间隔的长度,与由记录脉沖A取得的6T间隔的长度的偏移量△。这样,在由记录脉冲A取得的结果,与由记录脉冲B取得的结果之间产生了偏移量△的情况下,可以设想由记录脉沖A取得的结果是错误的,因此通过设定成不使用该结果的结构,就能避免误检测。图87是表示了使用切向推挽信号检测由3T间隔造成的失真的影响的例子的时序图。上述由3T间隔造成的失真的影响,不只是使用RF信号,使用切向推挽信号也能够检测出来。以下对该例子与使用了RF信号的例子同样地进行说明。如图87的(a)和(b)所示,如果照射具有3T坑、6T间隔、3T坑、3T间隔的模式的记录脉冲A,即便是在形成了对于基准长度没有偏移的3T坑的情况下,也如图87的(c)所示,切向推挽信号Tpp的零交叉点出现在比本来的位置近的地方,结果是2值化信号的脉沖宽度变小。因此,如图87的(d)~(g)所示,通过将最后的间隔长度设定为比3T长的5T,从而再现抑制了失真的发生的记录脉冲B的照射结果,检测由该记录脉沖B取得的6T间隔的长度,与由记录脉冲A取得的6T间隔的长度的偏移量△。这样,在由记录脉冲A取得的结果,与由记录脉冲B取得的结果之间产生了偏移量△的情况下,可以设想由记录脉沖A取得的结果是错误的,因此通过设定成不使用该结果的结构,就能避免误检测。图88是表示了避免由3T间隔造成的失真的影响的结构例的概念图。如上述那样,为了避免失真的影响,对容易受失真影响的模式的再现结果,和不易受失真影响的模式的再现结果进行比较的结构是有效的,因此,如图88所示,设定为以下的结构,即对2个模式的RF信号或者切向推挽信号进行比较,在比较的结果为两者之间产生了差异时,屏蔽由3T坑、6T间隔、3T坑、3T间隔的模式取得的再现结果。根据本发明,可以进行更接近于最佳记录条件的实时校正,因此可以期待将其应用到内外周差的记录特性不同的介质、或者高速记录等更严格的记录环境中。权利要求1.一种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,该光信息记录装置的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域形成的坑和/或岸进行再现,并确定仅由起始脉冲构成的第1记录脉冲和比该第1记录脉冲长的由上述起始脉冲与后续脉冲构成的第2记录脉冲的记录条件的装置;使用上述记录用激光,在上述光记录介质的记录区域,照射以与上述第2记录脉冲的宽度相等的间隔配置了2个上述第1记录脉冲的记录脉冲串的装置;以及通过上述再现用激光对由上述记录脉冲串的照射形成的坑和/或岸进行再现,取得与2个上述第1记录脉冲的间隔对应的坑和/或岸信号的装置。2.—种光信息记录装置,通过激光的脉沖照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。3.—种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,该光信息记录装置的特征在于,包括使用上述再现用激光,对使用上述记录用激光在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。4.一种光信息记录装置,通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行长度不同的多种坑和岸的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和岸进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种坑信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和岸进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种坑信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的对于各坑长度的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的对于各坑长度的2次微分等效值进行比较的装置。5.—种光信息记录装置,通过激光的脉沖照射,在光记录介质上进行长度不同的多种坑和岸的形成,其特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和岸进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种岸信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和岸进行再现,求出对于所取得的各个上述长度不同的多种岸信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的对于各岸长度的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的对于各岸长度的2次微分等效值进行比较的装置。6.—种光信息记录装置,通过激光的脉沖照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,其特征在于,包括使上述光记录介质转动的装置;具有对于上述光记录介质的转动方向在前后划分成至少2个受光区域的光检波器;求出从上述2个受光区域取得的各信号的差的装置;对上述差进行微分的装置;在设置于上述光记录介质的测试区域内求出上述微分值的装置;在设置于上述光记录介质的记录区域内求出上述微分值的装置;以及对在上述测试区域内求出的微分值,与在上述记录区域内求出的微分值进行比较的装置。7.—种光信息记录装置,通过记录用激光的脉冲照射在光记录介质上形成坑和/或岸,同时通过再现用激光的照射进行上述坑和/或岸的检测,该光信息记录装置的特征在于,包括使用上述再现用激光,在设置于上述光记录介质的记录区域内求出上述微分值的装置。8.—种光信息记录方法,是用于光信息记录装置的光信息记录方法,所述光信息记录装置通过激光的脉沖照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该光信息记录方法的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的步骤;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的步骤;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的步骤。9.一种信号处理电路,用于光信息记录装置,所述光信息记录装置通过激光的脉冲照射,在光记录介质上进行坑和/或岸的形成,该信号处理电路的特征在于,包括对在上述光记录介质的测试区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;对在上述光记录介质的记录区域内形成的坑和/或岸进行再现,求出所取得的信号的2次微分等效值的装置;以及对在上述测试区域内求出的2次微分等效值,与在上述记录区域内求出的2次微分等效值进行比较的装置。全文摘要本发明提供一种光信息记录装置、方法、以及信息处理电路。通过实时地对记录条件进行校正,从而提高记录品质的容限,其中,所述记录条件是对内外周差的记录特性不同的介质的记录条件。通过将具有长度m’T的mT脉冲用作功率控制用脉冲,具有长度n’T的nT脉冲用作脉冲宽度控制用脉冲,由此进行将功率和脉冲宽度的调整要素分离开的检测和校正。使用记录用激光(20A),将包含这些mT脉冲和nT脉冲的记录脉冲串照射到介质(500)上,并使用再现用激光(20E),对由上述记录脉冲串的照射形成的坑和岸进行再现,独立地检测功率和脉冲宽度的影响,实时地执行mT脉冲的功率校正和nT脉冲的宽度校正。文档编号G11B7/006GK101281754SQ20081010041公开日2008年10月8日申请日期2005年11月18日优先权日2004年11月18日发明者久保哲治,佐藤祯一,垣本博哉,宫泽冬树,小山胜弘,松田勋申请人:太阳诱电株式会社
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