窄线宽三维存储器的制作方法

文档序号:6783403阅读:173来源:国知局
专利名称:窄线宽三维存储器的制作方法
技术领域
本发明涉及集成电路存储器领域,更确切地说,涉及三维存储器.
背景技术
预录制存储器(pre-recorded memory)是指所存信息在用户购买前已被写 入的存储器。它尤其适合于版权资料(即受版权保护的资料)的发行,如多媒 体文件、电子书、游戏、软件、GPS地图、电子字典等.预录制存储器可以使 用各种非易失性存储器(non-volatile memory,即NVM),如掩模编程存储器 (mask-ROM)、写一次存储器(one-time programmable,即OTP)、写多次 存储器(write-many,即WM,如快闪存储器)。
如图1A所示,在以往技术中,每个存储器芯片(如22D)的容量有限,它 只能存储少量资料(如文件28d)。为了满足用户需求20(包括文件28a、 28d、 28e等),预录制存储器往往需要使用多个芯片(22A、 22D、 22E等)。
如图1B所示,随着集成电路技术的进步,预录制存储器芯片的容量23急 剧增加。与之比较,用户需求20的增加速度较慢(由于压缩技术等的进步)。 在A点时,只需一个(或少量)芯片就能满足用户需求20.
如图1C所示,随着芯片存储量23的进一步提高(即图1B的A点后), 一个预录制存储器芯片24的容量可以大到不仅能满足某个特定用户的需求20, 还能满足绝大多数用户的需求。三维存储器(three-dimensional memory,即 3D-M,参见中国专利ZL98119572.5)就是这样一种存储器.预计三年后一个 三维存储器芯片的容量可达到4GB,这等效于1000首MP3歌。 一个(或少量) 三维存储器芯片就能满足绝大多数用户的基本音乐需求.
预录制存储器适合存储版权资料.当芯片24的存储量大到图1C中的情形 时,每个芯片24上可以存储大量的版权资料,这些资料的版权费惊人!如果用 户可以无限制地访问这些版权资料,那么该芯片将会变得极为昂贵(版权费将 远高于芯片费!).实际上,每个用户只会对其中的部分资料(如文件28a、28d、 28e)感兴趣,而对别的资料(如文件28b、 28c、 28f等)不感兴趣。公平地说,用户只应为他所感兴趣的资料(如文件28a、文件28d等)付版权费。相应地, 本发明提出了 一种用户可设置预录制存储器(user-configurable pre-recorded memory,简称为UC-PM)。在UC-PM中,用户可选择他所感兴趣的资料, 并只需支付这些资料的版权费。
发明目的
本发明的主要目的是提供一种大容量的、基于二极管的三维存储器。 本发明的另一目的是提供一种大容量的、基于二极管的掩膜编程三维存储器。
根据这些以及别的目的,本发明提供一种窄线宽三维存储器。

发明内容
随着存储器容量的急剧地增加,一个预录制存储器芯片可以存储大量版权资 料.这些资料的版权费惊人!很自然,用户不希望为他不感兴趣的资料支付版 权费.相应地,本发明提出一种用户可设置预录制存储器(即UC-PM)。在 UC-PM中,用户可以选择他所感兴趣的资料,并只需支付这些资料的版权费。 以音乐UC-PM (即存有音乐资料的UC-PM)为例在刚售出的音乐UC-PM 中,用户对音乐资料只具有有限访问权(如用户只能试听每首歌几次);当用 户决定要拥有一首歌时,他从版权持有者处购买相应的访问代码; 一旦该访问 代码被输入至UC-PM中,用户即得到该首歌的访问权。
三维存储器(尤其是掩模编程三维只读存储器,即3D-MPM)具有超大的 容量和低廉的价格,是预录制资料的理想存储体.更重要的是,其衬底可以用 来形成访问控制电路.这样预录制资料与访问控制电路集成在一个芯片内,从 而使盗版者很难窃取存储的资料.因此,三维存储器尤其适合用作UC-PM.如 果再将解密器(decryption engine)、解码器(decoder)和数模转换器(ADC)设计在 三维存储器的衬底内,那么这个基于三维存储器的UC-PM芯片(3D-M UC-PM)
将对其所存的资料提供极强的访问权限控制和版权保护(参见美国专利 6,717,222)。
UC-PM (尤其是3D-M UC-PM)将导致一种崭新的、版权资料的发行模式。 因为UC-PM为其所存资料提供了极强的访问权限控制和版权保护,其售价可 以极低,或甚至可以免费赠送;其硬件成本可通过用户购买其资料所支付的版 权费来回收.与之比较,基于光盘、快闪存储器等的预录制存储器仅提供有限 的访问权限控制和版权保护,它们不能采用这种方式来发行版权资料.用户在 购买时必须支付所有资料的版权费(即使是他不感兴趣的资料),这种发行模 式导致多媒体资料价格昂贵,不易为用户广泛接受.UC-PM还可以与用户录制存储器(如快闪存储器)结合起来形成一种资料 存储器。在该资料存储器中,UC-PM存储大多数用户感兴趣的资料,用户录制 存储器存储该用户个人感兴趣的资料。该资料存储器将UC-PM的低成本、大 容量和用户录制存储器的灵活性融合在一起,从而降低资料的存储成本。
本发明还提供了两种改进的基于二极管的存储器窄线宽二极管存储器和宽 字线二极管存储器。在窄线宽二极管存储器中,二极管的特征尺寸/可以远小 于晶体管的特征尺寸尺这是因为晶体管的换代受多种因素限制(如光刻、栅 极材料、栅绝缘层材料、源漏设计等),而二极管的换代所受的限制(一般仅 为光刻)要少得多,故二极管会以较快的速度换代。窄线宽二极管存储器适合 于三维存储器(尤其适合于掩模编程三维只读存储器,即3D-MPM)。这是因 为晶体管和二极管处于不同电路层晶体管处在衬底里,二极管处在衬底上的 存储层里.它们由不同的工艺步骤独立形成,这样晶体管和二极管可以分别采 用不同的技术.
在宽字线二极管存储器中,尤其是三维存储器中,字线线宽最好大于位线线 宽。这是因为l)二极管存储器的成品率对字线缺陷较为敏感(位线缺陷较易 纠正);2)在读过程中,字线需要给多根位线提供电流,其方块电阻最好具有 较小值.


图1A表示在以往技术中预录制存储器的芯片容量和用户需求的相对大小; 图1B表示预录制存储器芯片容量和用户需求的相对成长率;图1C表示基于三 维存储器的预录制存储器的芯片容量和用户需求的相对大小.
图2A表示用户可设置预录制存储器(UC-PM)的第 一种使用模式;图2B表 示UC-PM的第二种使用模式。
图3A是一种UC-PM的电路框图;图3B是其访问控制块的电路框图。
图4A表示UC-PM的第 一种读出电路;图4B表示UC-PM的笫二种读出电路。
图5A表示UC-PM的第一种标签设置电路;图5B表示UC-PM的第二种标 签设置电路.
图6表示一种由独立存储器芯片构成的UC-PM。 图7表示一种三维存储器(即3D-M)。
图8A表示第一种基于3D-M的UC-PM (3D-M UC-PM)芯片;图8B表示第 二种3D-M UC-PM芯片;图8C表示笫三种3D-M UC-PM芯片。
图9A表示一种基于UC-PM的、版权资料的发行模式;图9B表示一种用 户向版权持有者购买访问代码的方法.
图10表示一种将UC-PM和用户录制存储器结合的资料存储器。图IIA是一种窄线宽三维存储器的截面图;图11B是其顶视图。 图12是一种宽字线三维存储器的顶视图。
具体实施例方式
(一)用户可设置预录制存储器(UC-PM)
本发明提出 一种用户可i殳置预录制存储器(user-configurable pre-recorded memory,简称为UC-PM)。在UC-PM中,用户可选择他所感兴趣的资料, 并只需支付这些资料的版权费。以音乐UC-PM (即存有音乐资料的UC-PM) 为例在刚售出的音乐UC-PM中,用户对音乐资料只具有有限访问权(如用 户只能试听每首歌几次);当用户决定要拥有一首歌时,他从版权持有者处购 买对应的访问代码; 一旦该访问代码被输入至UC-PM中,用户即得到该首歌 的访问权。
图2A -图2B表示两种UC-PM的使用模式。在该实施例中,UC-PM 88是 一音乐UC-PM,并存有大量版权音乐资料,在图2A中,开始用户不能听其中 的音乐资料(步骤31).在输入访问代码33后(步骤34),用户才可以听与 该代码33对应的音乐资料(步骤32).
图2B的实施例有一试听阶段.在该试听阶段中,用户可以试听UC-PM88 中的音乐n次,或试听一段时间(步骤35).在该试听阶段后,用户不再有访 问权(步骤36)。在输入访问代码38后(步骤39),用户可以听与该代码33 对应的音乐资料N次(步骤37).这里,不同的访问代码38可以让用户有不 同的访问权限。如用户输入访问代码A,则他可以听某首歌5次(N = 5);如 输入访问代码B,则他可以听这首歌无穷次(N为无穷大)(参看图5A).
图3A是一种UC-PM 88的电路框图.它含有一存储器号码18、 一预录制存 储器00和一访问控制块10。存储器号码18是用来识别该UC-PM 88独一无二 的代码,它在购买访问代码等情形下需要使用(参见图犯)。预录制存储器OO 存储预录制的资料.它含有如下端口地址06、读使能02、输出04等。访问 控制块10控制对这些预录制资料的访问,如图3B所示,它进一步含有标签块 12、标签监控块14和标签设置块16.标签块12存有每个文件的标签.标M 为文件的访问信息,如所剩的可访问次数.这里,标签40a对应于文件28a,标 签40b对应于文件28b....根据文件指针50,可从预录制存储器00中读出相应 的文件(如28a),同时从标签块12中读出相应的标签值(如40a)。标签监 控块14基于标^li (如40a)输出一读使能信号52:当52置"l"时,预录制存 储器00的输出56为所读的文件(如28a);当52置"0"时,56无输出。标签 设置块16梠》据用户输入的访问代码54设置标签值,
UC-PM88有两种工作模式资料读出模式和标签设置模式。在资料读出模 式中,用户读出他具有访问权的文件(图4A-图4B);在标签设置模式中, 用户输入访问代码,以改变他对相应文件的访问权(图5A-图5B)。图4A表示UC-PM的第一种读出电路,它对应于图2A中的第一种使用模 式。根据文件指针50,可从预录制存储器OO中读出相应的文件(如28a),同 时从标签块12中读出相应的标签值(如40a)。在该实施例中,标签只含有一 位标签位如果该标签位(如40a)是"l",则可以访问对应的文件(如28a); 否则不能。在读出过程中,标签值被首先读出,并被作为读使能信号52直接送 至存储器OO,以决定是否读出对应的文件(如28a)。
在该实施例中,标签位一旦被设置,就不需改动。因此,标签块12可以使 用写一次存储器。 一种首选的写一次存储器为XPM存储器(参见美国专利 6,777,757)。由于XPM存储器与标准CMOS电路兼容,不需要改进工艺,故 其价格低廉,且易于实现.另一种首选的写一次存储器是电编程三维只读存储 器(即3D-EPROM,参见中国专利ZL98119572.5),它也很容易和预录制存 储器等集成在一起。
图4B表示UC-PM的第二种读出电路,它对应于图2B中的第二种使用模 式。与图4A不同的是,标签值为所剩的可访问次数.该实施例的标签含有8 位.例如,42a的标^(iL"05h,,表示对文件28a还有5次剩余的访问次数;42b 的标签值"00h"表示对文件28b不能访问;42c的标签值"FFh"表示对文件28c 可以无限制地访问.
在读出过程中,标a被首先读出.如果输出12o>"00h",则标签监控块 14的输出52为"1",存储器00中相应的文件被读出;否则,没有文件被读出。 标签监控块14还能在每次读操作后对标签进行更新。当"00h"〈12(X "FFh"时, 标签监控块14将12o的值降1,即把12i (12i=12o-l)写回标签块12;在别的 情形下(如12o-"00h"或"FFh"),标签监控块14不更新标签。由于标签要更 新,该标签块12需要使用写多次存储器.
图5A表示UC-PM的第一种标签设置块16,它根据用户输入的访问代码54 对标签块12进行设置,标签设置块16含有一代码转换表80,该代码转换表80 在访问代码与被访问文件及其可访问次数之间建立一一的对应。它含有多个条 目70,每个条目70含有访问代码72、文件指针74和可访问次数76。例如,"代 码OA"i示允许对文件指针为OO他的文件访问5次("05h");"代码OB"表示 允许对文件指针为OOOh的文件访问15次("OFh");"代码OC"表示允许对文 件指针为000h的文件访问无限次("FFh")(这里,"FFh"单指无限制次数)。
为了保护版权,对于相同的文件和可访问次数,不同的用户(即不同的存储 器号码18)应有不同的访问代码.因此,代码转换表80应使用电编程存储器。 由于代码转换表80在用户购买前已被写入,购买后不需改动,该电编程存储器 可以是写一次存储器,如图4A使用的XPM存储器或3D-EPROM。
当用户输入访问代码54后,标签设置块16对代码转换表80按地址70进行 搜寻。如果代码转换表80的输出72o与输入的访问代码54相同,信号72c置"l", 并被送到标签块12的写使能端12w,这样,以文件指针74o为地址,可访问次 数760被写入标签块12。图5B表示UC-PM的第二种标签设置块16,它通过一种算法将文件指针74o 和可访问次数76o从访问代码54和存储器号码18算出,即
文件指针74o =函数A (访问代码54、存储器号码18) (1) 可访问次数76o =函数B (访问代码54、存储器号码18) (2) 该算法可以通过一硬件78来实现。注意到,78还有一输出780。当输入的访问 代码54为有效代码时,78o置"l",并被送到标签块12的写使能端12w。这样, 以74o为地址,76o被写入标签块12。当54为无效代码时,78o置"0", 12不 能写数据。
图6表示一种由独立存储器芯片构成的UC-PM88,它含有两个预录制存储 器芯片62a、 62b,以及一访问控制芯片64。预录制存储器芯片62a、 62b存有 预录制的资料,访问控制芯片64起到访问控制块10的功能。由于盗版者可直 接从62a、 62b处盗取版权资料,该实施例的版权保护有待改进。
图7是一种三维存储器(即3D-M,参见中国专利ZL98119572,5)的截面图。 该实施例含有两个存储层(100、 200),它们相互叠置并叠置在衬底O上。每 个存储层(如IOO)上有多条地址选择线(包括字线120、 220...和位线130、 131、 230、 231)和多个存储元(140、 240...).存储层100通过层间连接通道孔120v 和衬底电路卯实现电连接。三维存储器可以是电编程三维存储器(即EP-3DM, 如写一次三维存储器、写多次三维存储器),也可以是非电编程三维存储器(即 NEP-3DM,如掩模编程三维只读存储器,即3D-MPM)。该实施例为一 3D-MPM:它以隔离介质153、 253的存在与否来表示"0"或"1":如存储元140 表示"O",存储元240表示"1"。
由于三维存储器具有超大的容量和低廉的价格,它是预录制资料的理想存储 体.更重要的是,由于三维存储器OO (尤其是3D-MPM)基本不占衬底面积O (除了其周边电路92),其衬底可以用来形成各种衬底电路OSC,以加强预录 制资料的版权保护和访问权限控制.相应地,基于三维存储器的UC-PM芯片 被称为3D-M UC-PM芯片,图8A -图8C表示几种3D-M UC-PM芯片,
在图8A的3D-M UC-PM芯片中,衬底集成电路OSC含有访问控制块10。 由于访问控制块10被集成在三维存储阵列00下,它, 控,故该实施例 为版权资料通过了很好的访问权限控制.
由于3D-MPM具有极好的可集成性,它是UC-PM的首选存储器。为了防 止盗版者利用3D-MPM隔离介质图形(如153、 253 )进行反设计来得到资料信 息,最好对其所存数据进行加密,即隔离介质图形所代表的数据是加密的.相 应地,在图8B的实施例中,衬底电路0SC还含有一解密器82,它将3D-MPM 00中读出的加密数据81解密还原成原始数据83。村底电路OSC还含有访问控 制块IO,它控制对每个文件的访问。由于解密器82和访问控制块10均被集成 在三维存储阵列OO下,它们MM:控,故该实施例为版权资料提供了较好的 版权保护和访问权限控制'另一个版权保护的顾虑是盗版者可通过监听UC-PM的数字输出(如图8B 中的信号85)来盗取版权资料。针对这种顾虑,UC-PM的多媒体输出(如音 像信号)最好是模拟信号。即使盗版者能够将这些模拟信号再数字化,其信号 的质量会极大地降低。
图8C提供了一种采用以上方法保护版权的实施例。除了上图中的解密器82 和访问控制块10夕卜,其衬底电路0SC还含有一解码器84和数模转换器(DAC) 86。解码器84对预录制信息(一M压缩数据)进行解压缩,其例子包括音频 解码器(如MP3解码器)和视频解码器(如JPEG解码器、MPEG解码器)。 数模转换器86将这些解码后的信号87转化成模拟信号89。模拟信号89可以是 一般意义上的模拟信号(如电压大小),还可以是PWM( pulse-width modulation) 或PPM (pulse-position modulation)等信号。由于解為器84和数模转换器86 均被集成在三维存储阵列00下,它们极难被监控,故该实施例为版权资料提供 了几乎最理想的版权保护和访问权P艮控制。
本发明还提供了 一种版权资料的发行模式-UC-PM模式》如图9A所示, 由于UC-PM (尤其是基于3D-MPM的UC-PM)对版权资料提供了极强的版 权保护,其硬件售价可极低,甚至免费赠送(步骤71)。用户可以试用这些资 料文件(步骤73 )。如果他满意(步骤75),则购买相应的资料文件(步骤?7), 厂家则通过用户支付的资料版权费来收回硬件成本。与之比较,基于光盘、快 闪存储器等的预录制存储器仅提供有限的访问权限控制和版权保护,它们不能 采用这种方式来发行版权资料。用户在购买时必须支付所有资料的版权费(即 使是他不威芬趣的奢料)-这种龙杆模戎,异致多媒体资料价格昂贵,不易为用 户广泛接受,总的说来,UC-PM模式对版.权持有者和用户来说更为公平。
图9B表示用户61从版权持有者63处购买访问代码54的一个方法,当用 户61希望得到一个文件的访问权时,他将UC-PM与一设置设备(如计算机) 相连。该设置设备读出其存储器号码18,并显示所存文件的列表,以及每个文 件各种可访问次数。用户选择其所需的文件和可访问次数,并通过因特网或电 话67将这些信息(如存储器号码18、文件指针41和可访问次数43)和付款信 息传送给版权持有者63.另一方面,版权持有者63掌握有一访问代码数据库 65。该数据库65可通过查表(look-up taWe)的方式或一种特定算法来得到相应的 访何fC^^M7^XT访问代码54是存^^mS^Mf4^Ml、 M问次数 43的函数
访问代码54。函数C (存储器号码18、文件指针41、可访问次数43) (3)
对于不同的存储器号码18、文件41和可访问次数43,访问代码54均不同,当 版权持有者63将访问代码54传给用户61后,用户61再将访问代码54输入到 UC-PM中,从而获取该文件的访问权.
图10表7JW"种将UC-PM 88和用户录制存储器86结合的资料存應器84。 ^^思t麻户 !}#储器抓军由用户变更其存储的资料,它一般为写多次存 储器,如快闪存储器。在该资料存储器84中,UC-PM88存储大多数用户感兴趣的资料,用户录制存储器86存储该用户个人感兴趣的资料。该资料存储器84 将UC-PM 88的低成本、大容量和用户录制存储器86的灵活性融合在一起,从 而降低资料的存储成本。
(二)窄线宽三维存储器
在集成电路技术中,晶体管的换代受多种因素限制,如光刻、栅极材料、栅 绝缘层材料、源漏设计等。另一方面,二极管的换代所受的限制要少得多,一 般说来它仅被光刻限制。相应地,二极管存储器的换代与晶体管集成电路的换 代遵循不同的规律
1) 二极管的特征长度/ (即图11A中地址选择线的半周期half-pitch) 比晶体管的特征长度F(即图IIA中多晶珪栅极的半周期)小。如 二极管存储器可使用/=60nm的技术,而晶体管存储器仍需使用F =卯nm的技术;
2) 二极管的换代周期比晶体管短.例如说,二极管存储器需要二年换一 代,晶体管存储器需要三年换一代.
总体说来,二极管存储器将比晶体管存储器容量大,且它们之间的差距会越来 越大。
除了和晶体管一起在衬底中形成外,二极管存储器可以以三维存储器的方式 集成在衬底(含晶体管)上方.在三维存储器中,由于晶体管0T1、 0T2(位于 图IIA的衬底O里)和二极管140、 141 (位于衬底0上方)处于不同电路层, 它们由不同的工艺步骤独立形成,这样晶体管和二极管可以分别采用不同的技 术。相应地,本发明提出一种窄线宽三维存储器。
图11A-图IIB是一种窄线宽三维存储器的截面图和顶视图.其存储层100 含有多个存储元140、 141 (及隔离介质153)、字线120和位线130、 131。其 衬底含有一集成电路OM (包括晶体管0T1、 0T2),三维存储器二极管的特征 尺寸/为地址选择线130、 131最小周期(pitch)P2(-2力的一半;衬底晶体管的 特征尺寸F为有效晶体管(指具有一定功能的晶体管)0T1、 0T2栅极lpl、 lp2 最小周期Pl(-2。的一半。在该实施例中,所有衬底电路均按照F工艺设计; J^^應层均按照/工艺设计.由于/小于F,故该种三维存储器被称为窄线宽 三维存储器.由于掩模编程三维只读存储器(即3D-MPM)的存储元仅含二极 管,其结构最为简单,故窄线宽三维存储器尤其适合3D-MPM。
三维存储层100的连接通道孔120v可以采用/工艺(即连接通道孔的尺寸 为/),或F工艺(即连接通道孔的尺寸为F).在图11A-图IIB的实施例 中,该连接通道孔120v采用F工艺,这样村底电路OM可完全不需要支持任何 /尺寸的图形.在存储层的版图设计上,地址选择线130、 131需采用如图11B 的错位布置,即在垂直于地址选择线的方向上弯折错位,以与间距为 F的连接 通道孔130v、 131v连接。(三)宽字线三维存储器
为了提高成品率,本发明还提出了一种宽字线三维存储器。如图12所示, 其字线120、 121的线宽fTw要大于位线130、 131的线宽『b (『w>Wb),如位 线可采用特征尺寸/,而字线可以稍宽(如>/)。这是因为二极管存储器的成品 率对字线缺陷较为敏感.具体说来,在读出过程中, 一个单位阵列中的一根字 线被选中,然后该字线上的多个存储元被同时读出。如果该字线有缺陷,则这 根字线上的所有存储元都不能读出.另一方面,如果位线上有缺陷, 一般可以 通过纠错电路(如Hamming码)来纠正(参见美国专利6,717,222的图24)。 在该实施例中,位线130-137可为数据位线,位线138可为纠错位线。由于增 加线宽能降低缺陷率,故二极管存储器最好采用宽字线。
使用宽字线还能避免在读过程中读电流在字线上产生过大的电压降。注意 到,图12中的字线120需要为多根位线(如132、 134、 135、 138)提供电流,
Jbl、 1b3、 ^b6、 ^b7 均为零)。由于实际电路 中位线数目成千上万,故字线电流会远远大于位线电流。为了降低字线电阻和 在读过程时的字线电压降,可使用宽字线、厚字线(可增加字线截面积)或电 阻率较低的材料(如金属或金属合金等)。很明显,上述方法可以结合起来降 低字线电压降,
虽然以上说明书具体描述了本发明的一些实例,熟悉本专业的技术人员应该 了解,在不远离本发明的精神和范围的前提下,可以对本发明的形式和细节进 #1^^逸并不妨碍它们应用本发明的精神.因此,除了根据附加的权利要求 书的精神,本发明不应受到任何限制.
权利要求
1. 一种窄线宽三维存储器,其特征在于含有一含有多个有效晶体管(0T1、0T2)的衬底(0),所述有效晶体管栅极(1p1、1p2)的特征尺寸为F;至少一叠置在所述衬底上且含有多个二极管存储元(140、141)的二极管存储层(100),该二极管存储层通过多个连接通道孔(120v)与衬底耦合,并含有多条地址选择线(130、131),所述地址选择线的特征尺寸为f;所述地址选择线的特征尺寸(f)小于所述晶体管栅极的特征尺寸(F)。
2. 根据权利要求l所述的窄线宽三维存储器,其特征还在于所述二极管存 储层是掩膜编程二极管存储层。
3. 根据权利要求l所述的窄线宽三维存储器,其特征还在于所述二极管存 储元只含二极管.
4. 根据权利要求l所述的窄线宽三维存储器,其特征还在于所述连接通道 孔的尺寸大于所iDfc址选择线的特征尺寸(/)。
5. —种窄线宽掩膜编程三维存储器,其特征在于含有一含有多个有效晶体管(0T1、 0T2)的衬底(0),所述有效晶体管栅 极(lpl、 lp2)的特征尺寸为F;至少一叠置在所述衬底上且含有多个掩膜编程二极管存储元 (140、 141)的掩膜编程二极管存储层(100),该掩膜编程二极管存储层 通过多个连接通道孔(120v)与村底耦合,并含有多条地址选择线(130、 131),所i^址选择线的特征尺寸为/;所述地址选择线的特征尺寸(/)小于所述晶体管栅极的特征尺寸(。.
6. 根据权利要求5所述的掩膜编程窄线宽三维存储器,其特征还在于所述 二极管存储元只含二极管.
7. 根据权利要求5所述的掩膜编程窄线宽三维存储器,其特征还在于所述连接通道孔的尺寸大于所述地址选择线的特征尺寸(O.
全文摘要
在集成电路技术中,晶体管的换代速度远慢于二极管,故二极管存储器的存储密度远大于晶体管存储器。相应地,本发明提出一种窄线宽三维存储器,它含有一衬底,该衬底上有效晶体管栅极的特征尺寸为F;至少一叠置在该衬底上、并与该衬底耦合的二极管存储层,其地址选择线的特征尺寸为f;其中,f小于F。
文档编号G11C17/08GK101436432SQ20081018393
公开日2009年5月20日 申请日期2005年11月14日 优先权日2005年11月14日
发明者张国飙 申请人:张国飙
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