专利名称：具有磁壁角的磁记录头的制作方法
具有磁壁角的磁记录头背景数据存储设备在磁存储介质上存储经数字编码的信息或数据。使用磁记录头来将数据存储在存储介质上。解说性的磁记录头包括具有磁极尖端的主磁极和一个或多个辅助磁极。向线圈供能以在主磁极和该一个或多个辅助磁极中产生磁通路径，以便在存储介质的磁存储层上磁性地记录数据。可按纵向或垂直模式将数据存储在磁存储层上。解说性的数据存储介质包括具有多个同心数据磁道的旋转盘。磁头相对于该多个同心数据磁道中的一个或多个同心数据磁道放置以在磁存储层上编码数据。通常，磁头被定向成相对于该一个或多个同心数据磁道有倾斜角。倾斜被定义为磁头与磁道的中心线之间的角度。大倾斜角可能干扰记录并造成毗邻磁道擦除。本申请的诸实施例提供针对这些和其他问题的解决方案并提供胜于现有技术的其他优点。以上讨论提供背景信息并且不旨在被用作用于确定所要求保护的主题内容的范围的基础。概述本申请提供一种用于写元件的磁极尖端的磁极尖端屏蔽。磁极尖端屏蔽沿磁极尖端的诸侧面延伸以提供磁壁角或沿磁极尖端的前沿部分的较窄的磁分布。如所公开的，磁壁角减少毗邻磁道擦除或干扰以补偿磁头的倾斜角。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽包括沿其侧面部分的不同的厚度、宽度尺寸或磁性材料。不同的尺寸提供沿磁极尖端屏蔽的长度的不同磁矩以提供用于补偿毗邻磁道干扰ATI或倾斜角的磁壁角。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽是大致“U”形的。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽为矩形磁极尖端提供磁壁角。在所解说的实施例中，写元件还包括与磁极尖端屏蔽分开的后沿屏蔽。一旦阅读了以下对相关联的附图的详细描述和评论，表征本发明诸实施例的其他特征和益处将变得显而易见。所要求保护的主题内容不限于提供优点或解决本申请背景部分中讨论的任何问题或全部问题的实现。附图简述
图1是记录头的一个实施例的平面图，解说了磁头面向存储介质或盘表面的气垫图2是沿图1的线2-2取得的记录头的横截面图。图3A-3C示意性地解说记录头用于编码数据的写元件的实施例。图4是磁头相对于磁存储介质上的数据磁道的定向的示意性解说。图5示意性地解说具有壁角以补偿磁头相对于磁存储介质上的数据磁道的倾斜的磁极尖端的实施例。图6A-6C示意性地解说用于写元件的磁极尖端的磁极尖端屏蔽的实施例。图7示意性地解说具有磁壁角以减小ATI的磁场分布。图8A-8B示意性地解说用于写元件的磁极尖端的具有阶梯式厚度分段的磁极尖端屏蔽的实施例。图8C是沿图8B的线8C-8C取得的解说磁极尖端概况的横截面图。图8D-8G示意性地解说具有可变几何形状以使磁极尖端的磁壁角成形的磁极尖端屏蔽的实施例。图9A-9B示意性地解说用于写元件的磁极尖端的具有阶梯式厚度分段的磁极尖端屏蔽和具有特定断面形状的磁极尖端的实施例。图10A-10B示意性地解说包括磁极尖端屏蔽的写元件的实施例。图11A-11E示意性地解说包括磁性地连接至辅助磁极的磁极尖端屏蔽的写元件的实施例。图12A-12B解说包括磁性地连接至第一辅助磁极的磁极尖端屏蔽和与该磁极尖端屏蔽分隔开且磁性地连接至第二辅助磁极的前沿屏蔽的写元件的实施例。解说性实施例的描述图1-2解说用于写或读数据的磁记录头106的实施例。在所解说的实施例中，磁头106包括例如使用薄膜沉积技术在衬底IM上形成的写元件120和读元件122。如所示出的，写元件122被制造成邻近磁头的后沿125，磁头的后沿125与磁头的前沿1 和衬底 124间隔开。在所解说的实施例中，读元件122包括被配置成从数据存储介质或盘读取经磁性编码的数据的传感器130。传感器130置于屏蔽132、134之间以将传感器130与可能干扰读操作的外部磁场隔离开。解说性的传感器元件130包括读取经磁性编码的数据的磁阻、巨磁阻(GMR)、隧道磁阻(TMR)或其他传感器。如所示出的，写元件120包括主磁极140和辅助磁极142。主磁极140和辅助磁极 142经由(图2中所示的)磁轭部分144磁性地连接以形成磁通路径。导电线圈146围着磁轭部分144缠绕以在主磁极140和辅助磁极142中感生磁通。绝缘材料填充主磁极140 与辅助磁极142之间的间隙或区域并围绕导电线圈146以使导电线圈146与主磁极和辅助磁极140、142电绝缘。本文中公开的实施例包括如图1中所示的且如本文中更完整地描述的磁极尖端屏蔽200。在所解说的实施例中，沿磁头面向数据存储介质或盘的表面的气垫面147形成写元件120和读元件122。在所解说的实施例中，盘的旋转创建沿磁头的气垫面147的气流路径。空气沿气垫面147从磁头的前沿1 流到后沿125。为了邻近性或接近邻近性记录，沿气垫面147的气流被加压以提供上升力，从而磁头“浮”在数据存储介质或盘102上方。在所解说的实施例中，使用已知的蚀刻工艺来使磁头的气垫面147图案化以提供读和/或写操作的最优压力分布和程度。如图1-2中所示，主磁极140具有沿磁头的气垫面147的磁极尖端148。磁极尖端148可以是主磁极140的扩展(如图1中所示)，或者是位于主磁极 140的前侧(如图3A中所示)或位于后沿上(如图:3B中所示)的单独的所连接元件。通常，读和写元件120、122置于晶片上并且该晶片被切片以形成磁头的气垫面147的经蚀刻表面。图3A-;3B是解说被配置成将数据记录或写到磁存储介质或盘102上的不同的写元件实施例或结构的侧横截面图。在这些实施例中的每个实施例中，数据存储介质包括磁记录层150和磁衬层152，但是本申请不限于所示的特定存储介质。例如，在另一实施例中，非磁性层被插入在磁记录层150与磁衬层152之间。本申请中公开的实施例还可与交换耦合复合(ECC)介质联用。在所解说的实施例中，向线圈146供能以感生磁通。线圈146中的电流方向被反向以改变磁通路径的方向，以便在上、下方向上记录数据比特以在盘或存储介质上垂直地编码数据。
在图3A中所解说的实施例中，写元件包括具有磁极尖端148的主磁极140和在后沿方向上与磁极尖端148间隔开的辅助磁极142。当向线圈146供能时，如所示的那样形成磁通路径或电路以在磁记录层150上垂直地记录数据。在图:3B中所示的替换实施例中，磁极尖端148置于邻近磁头106的后沿，并且辅助磁极142在朝前沿的方向上与磁极尖端148 间隔开。图3C解说磁记录头的另一实施例，其中写元件包括多个辅助磁极142-1、142-2。 线圈146-1、146-2围着将辅助磁极142-1、142-2连接至主磁极140的磁轭144-1、144-2缠绕。向线圈146-1、146-2供能以提供如所示的多个磁通路径，以便将数据记录到数据存储介质的磁记录层150。磁头106经由定位或致动设备相对于选择数据磁道地放置。如图4中示意性地解说的，磁头置于介质上，以使得在磁头与磁道166的中心线164之间有倾斜角160。由于磁头(和写元件)的定向相对于磁道166的中心线164偏移倾斜角160(在此示例中约15 度)，因而写元件可能干扰毗邻磁道168中记录的数据。在如图5所示的先前设计中，(主磁极140的)主磁极尖端148具有梯形170以在磁极尖端148的前沿174与后沿176之间提供壁角172。壁角172在磁极尖端的前沿处提供较窄的宽度轮廓并在后沿处提供较宽的轮廓以减少邻近磁极尖端148的前沿的毗邻磁道干扰(ATI)。图6A-6C解说如从磁头面向介质或盘的气垫面147看过去的应用于记录磁头的写元件的磁极尖端屏蔽200的实施例。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200是大致“U” 形的并且包括主磁极尖端148的前沿174前方的前沿部分202和沿主磁极尖端148的侧面 205延伸的侧面部分204。在所解说的实施例中，主磁极尖端148包括铁磁材料，诸如但不限于铁0 )、钴(Co)及其组合，诸如铁钴(CoxFey (其中χ Ξ 20-45%并且y Ξ 55-80%))、 铁镍(FeyNix(其中 55_95%并且y 三 5-45% ))、钴铁镍(CoJeyNiz (其中 χ Ξ 15_55%,
y Ξ 10-80%并且ζ Ξ 5-35%))或其他铁磁材料。另外，写磁极尖端还可在层叠结构中或由以上提及的那些合金中的仅一种合金制成。一些实施例中的磁极尖端屏蔽200也可由铁磁材料形成，诸如铁钴(CoxFey (其中 χ = 20-45%并且 y = 55-80% ))、铁镍(FeyNix (其中 χ Ξ 55-95%并且y ξ 5-45%))、钴铁
镍(CoxFeyNiz(其中 χξ 15-55%,ys 10-80%并且 ΖΞ5-35%))。在一个实施例中，磁极尖端148和屏蔽200皆是由诸如i^60Co40之类的高磁矩合金形成的。用诸如铝之类的非磁性且电绝缘材料来填充屏蔽200与主磁极尖端148之间的间隙区域206。当向写磁极供能以在介质上编码数据时，写磁极尖端148接近饱和。在图6A-6C 所解说的实施例中，磁通的一部分被分流到屏蔽200中，以使得相反的磁荷积聚在屏蔽200 的表面上，从而导致邻近屏蔽200处的净场下降和场角变化。场角变化提供用于限制或减少ATI的磁壁角或轮廓。如图7中所示，如所描述的“U”形磁极尖端屏蔽200被配置成提供大致为梯形的写磁泡210。写磁泡210的梯形形成磁壁角以邻近前沿174提供较窄的场宽或轮廓以减少ATI。磁极尖端148的写磁泡210还包括邻近后沿176的相对于磁道166 而言相对较宽的场宽轮廓。如在所解说的实施例中描述的，磁极尖端屏蔽200可由不同的磁性材料或组合物(包括以上讨论的材料的具有不同x、y或ζ百分比的不同组合物)形成以在屏蔽200中提供可变磁矩或性质，以便优化如本文中所描述的用于写操作的磁壁角。在图6A-6B中解说的实施例中，大致为“U”形的屏蔽200的侧面部分204沿磁极尖端148的侧面205的长度大致从磁极尖端148的前沿174延伸到后沿176。在图6B中解说的实施例中，侧面部分204从磁极尖端屏蔽200的前沿部分的侧沿203向内凹。在图6C所示的实施例中，屏蔽200的侧面部分204的长度短于磁极尖端148的侧面205的长度。具体而言，在图6C所示的实施例中，屏蔽200的侧面部分204延伸到磁极尖端148的大约中间长度处。在所解说的实施例中，“U”形磁极尖端屏蔽200的侧面部分204被配置成沿屏蔽 200的侧面部分204的长度提供可变磁矩。具体地，在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200 的前沿部分具有比后沿部分大的磁矩以邻近磁极尖端148的前沿使磁壁角成形。在所解说的实施例中，“U”形磁极尖端屏蔽200的侧面部分204可沿其长度由不同的磁性材料或组合物形成以提供不同的磁矩，以便优化磁化作用和写场。图8A-8B解说“U”形磁极尖端屏蔽200的实施例，该磁极尖端屏蔽200包括沿其长度的不同厚度尺寸以沿“U”形磁极尖端屏蔽200的侧面部分204的长度提供不同的磁矩。 在图8A-8B所示的实施例中，经由阶梯式厚度分段来形成不同厚度尺寸。这些阶梯式厚度分段中的每一个沿磁极尖端148的长度提供不同的场效应或场角变化。在所解说的实施例中，不同厚度分段可由具有不同磁矩的不同磁性材料或组合物形成以使磁壁角的角度或尺寸成形。在所解说的实施例中，磁极尖端148包括形成面向介质的大致平坦的表面222的矩形以在气垫面147处提供最优写磁极尖端区域，而阶梯式厚度分段或不同厚度尺寸优化磁场或壁角以减少ATI。解说性地，磁极尖端屏蔽200被配置成提供约4-5度的磁壁角，然而，本申请不限于特定的壁角尺寸。另外，由屏蔽配置实现的矩形磁极大大简化了写过程， 在磁极尖端的尺寸被减小以容适高区域密度时尤其如此。具体地，在图8A解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200包括具有第一厚度分段220_1 的前沿部分202，该第一厚度分段220-1具有厚度尺寸、。图8A中所示的磁极尖端屏蔽200 的侧面部分204包括具有第二厚度尺寸t2的第二厚度分段220-2和具有第三厚度尺寸t3 的第三厚度分段220-3，其中t3 < t2 < t10如图8A中所示，较大厚度分段220-1和220_2提供较大的场角变化或效应以邻近前沿提供较窄的场分布，而较小厚度分段220-3邻近后沿提供较小的场角变化。如图 8A中所示，第一、第二和第三厚度分段220-1、220-2、220-3由厚度阶梯分开，但是本申请不限于图8A中解说的特定实施例。在所解说的实施例中，厚度阶梯被定向，以使得厚度分段 220-1、220-2、220-3沿气垫面147具有共同的共面表面。在替换实施例中，厚度阶梯从气垫面147凹进。除了阶梯式厚度分段220-1、220-2、220-3之外或作为替换方案，在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200包括不同材料分段以邻近磁极尖端148的前沿提供较窄的场分布。图8B解说类似于图8A中所示的实施例的包括多个阶梯式厚度分段220-1、220_2、 220-3的磁极尖端屏蔽200。在图8B所示的实施例中，侧面部分204包括相对于前沿174 与后沿176之间的磁极尖端148的长度缩短的长度尺寸。在所解说的实施例中，主磁极尖端148包括面向介质的大致平坦的表面222。如图8C中所示，磁极尖端148包括提供倾斜的前沿表面2M和倾斜的后沿表面226的轮廓分布以提供至磁极尖端148的平坦表面222 的锥形轮廓，磁极尖端148的平坦表面222引导至气垫面147。
尽管在图8A-8B所解说的实施例中示出了阶梯式厚度分段220-1、220-2、220_3， 但是本发明不限于具有如所示的分立的阶梯式分段的实施例。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200可采用不同的几何形状以沿屏蔽200的侧面部分204的长度改变磁矩，以便将磁感应壁角的形状配置成优化磁场分布。例如，在图8D中解说的实施例中，侧面部分204 具有倾斜的厚度尺寸。如所示的，倾斜的厚度尺寸在图8D的“U”形屏蔽200的侧面部分204 的前沿处提供较大的厚度尺寸，并邻近侧面部分204的后沿提供较小的厚度尺寸。如先前所描述的，侧面部分204可具有沿气垫面147的共面表面或者沿气垫面147的倾斜轮廓。在图8E和8F所示的替换实施例中，“U”形屏蔽200的侧面部分204包括梯形宽度轮廓。在图8G中解说的另一实施例中，“U”形屏蔽200包括具有阶梯式宽度尺寸的多个阶梯式宽度分段227-1、227-2以提供不同的磁矩，以便如先前所描述的那样使磁壁角的角度或尺寸成形。具体地，如所示的，宽度分段227-1比宽度分段227-2具有更大的尺寸以邻近磁极尖端148的前沿174提供较窄的场分布。图9A-9B解说写元件的替换实施例。在图9A所示的实施例中，写元件包括包含前沿部分202和侧面部分204的磁极尖端屏蔽200。在图9A中解说的实施例中，侧面部分204 的长度沿磁极尖端148的侧面的长度大致从磁极尖端148的前沿174延伸到后沿176。在所解说的实施例中，磁极尖端148被成形或塑造轮廓以在前沿174处提供较窄的宽度尺寸而邻近后沿176提供较宽的宽度尺寸，以便与磁极尖端屏蔽200组合地增强磁场分布。例如，在解说性实施例中，磁极尖端148被塑造轮廓以提供4-5度的物理壁角并且磁极尖端轮廓与(具有如所示的阶梯式部分220-1、220-2、220-3的)磁极尖端屏蔽200的组合被设计成提供10+度的有效壁角。在图9B中解说的另一实施例中，磁极尖端屏蔽200的侧面部分204具有缩短的长度尺寸，该长度尺寸小于磁极尖端148的前沿174与后沿176之间的磁极尖端148侧面的长度尺寸。在图9A-9B中解说的每个实施例中，磁极尖端屏蔽200包括如先前关于图8A-8B 所描述的阶梯式厚度分段220-1、220-2和220-3。替换地，其他实施例包括如本文中所描述的“U”形磁极尖端屏蔽与如图9A-9B中所示的经塑造轮廓的磁极尖端的组合的实施例。图IOA和IOB解说包括磁极尖端屏蔽200的写元件的实施例。在图IOB中解说的实施例中，写元件包括与磁极尖端屏蔽200分开的后沿屏蔽M0。如所示的，后沿屏蔽240与磁极尖端屏蔽200间隔开以沿磁头106的气垫面147在磁极尖端屏蔽200与后沿屏蔽240 之间形成间隙对2。用诸如铝之类的非磁性材料来填充沿气垫面147在磁极尖端屏蔽200 与后沿屏蔽240之间的间隙M2。在图IOA所示的实施例中，磁极尖端屏蔽200具有不同厚度尺寸，这与图IOB中所解说的磁极尖端屏蔽200形成对比。如所示的，在图IOA中，不同厚度尺寸是由如所示的和先前所描述的阶梯式厚度分段220-1、220-2、220-3形成的。在另一实施例中，图IOB的磁极尖端屏蔽200可包括如图IOA中所示的阶梯式厚度分段220-1、 220-2、220-3。图1IA-IIE解说包括磁极尖端屏蔽200的写元件的实施例。在图11B-11E中所示的所解说实施例中，写元件包括沿磁头106的气垫面147与磁极尖端屏蔽200分开并间隔开的后沿屏蔽对0。在所解说的每个实施例中，磁极尖端屏蔽200磁性地连接至辅助磁极 142以如先前在图:3B中解说的那样提供磁极尖端屏蔽200与辅助磁极142之间的磁通连接。辅助磁极142为来自屏蔽200的磁荷提供磁通路径以增强磁极尖端148的磁壁角。
在图11A-11C所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200包括前沿部分202和侧面部分204。在图11A-11C中，侧面部分204具有沿磁极尖端148的侧面205大致从磁极尖端 148的前沿174延伸到后沿176的拉长长度。在图IlB中解说的实施例中，前沿部分202 和侧面部分204包括阶梯式厚度分段220-1、220-2以提供屏蔽200的不同厚度尺寸。在图 IlC中解说的实施例中，屏蔽200包括阶梯式厚度分段220-1、220-2、220-3以形成屏蔽200 的不同厚度尺寸。在图11A-11B中所示的每个实施例中，写元件可如图IlB中那样包括后沿屏蔽或如图IlA中那样不包括后沿屏蔽M0。解说性地，后沿屏蔽240的厚度类似于磁极尖端屏蔽200的前沿部分的厚度。在所解说的实施例中，辅助磁极142连接至磁极尖端屏蔽200以增强磁壁角。在具有后沿屏蔽MO的示例性实施例中，辅助磁极142可连接至后沿屏蔽M0。在图IlD中，磁极尖端屏蔽200包括前沿部分202和缩短的侧面部分204。在所解说的实施例中，前沿部分和侧面部分204包括由类似于先前所描述的实施例的阶梯式厚度分段220-1、220-2形成的不同厚度尺寸。图IlE解说耦合至辅助磁极142的磁极尖端屏蔽 200和沿气垫面147与磁极尖端屏蔽200分开并间隔开的后沿屏蔽MO的实施例。如所示的，磁极尖端屏蔽200包括在磁极尖端的前沿前方间隔开的前沿部分202以提供用于写的磁场分布。在所解说的每个实施例中，可如本文中所描述地采用替换特征来使磁头的写元件的磁分布或磁壁角成形。图12A-12B解说包括如先前在图3C中解说的经由磁轭连接至主磁极的辅助磁极 142-1、142-2的写元件的实施例。图12A和12B中解说的每个实施例包括磁极尖端屏蔽200 和后沿屏蔽M0。在图12A-12B中解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200包括前沿部分202和侧面部分204。该屏蔽磁性地连接至磁极尖端148的前沿前方的第一辅助磁极142-1。后沿屏蔽240与磁极尖端屏蔽200间隔开并磁性地耦合至磁极尖端148后面的第二辅助磁极 142-2。如所示的，磁极尖端屏蔽200和后沿屏蔽240沿气垫面147经由非磁性间隙242分开并通过如先前在图3C中解说的辅助磁极142-1、142-2至主磁极140的连接磁性地连接起来。在图12B中解说的实施例中，磁极尖端屏蔽200包括如先前关于本申请中公开的其他实施例所描述的阶梯式厚度分段220-1、220-2、220-3，但是其他应用可利用本文中所描述的替换特征。应当理解，即使已在前面的说明书中阐述了本发明各种实施例的许多特征和优点以及本发明各种实施例的结构和功能的细节，然而本公开仅为解说性的，并可在细节上作出改变，尤其可在术语的广义意思所指示的全面范围对落入本发明原理内的部分的结构与安排作出改变，其中以术语来表达所附权利要求。例如，特定元件可取决于特定应用而变， 且同时基本上维持相同的功能性，而不脱离本发明的范围和精神。另外，尽管本文中所描述的优选实施例针对特定的数据存储应用，但是本领域技术人员将领会，本发明的教导可应用于其他数据存储应用，而不脱离本发明的范围和精神。另外，尽管所解说的实施例公开了按特定的组合来安排的特征，但是其他应用或实施例可包含本文中所描述的一个或多个特征，并且应用不限于所示的特定组合或安排。
权利要求
1.一种磁组装件，包括具有磁极尖端的磁极，并且所述磁极尖端包括前沿、后沿和侧沿；以及大致为“U”形的磁极尖端屏蔽，所述磁极尖端屏蔽包括前沿部分和侧面部分，且所述 “U”形的磁极尖端屏蔽包括沿所述大致为“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的长度的可变磁矩，其中所述可变磁矩在朝向所述磁极尖端的所述后沿的方向上减小。
2.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述侧面部分沿所述磁极尖端的长度从所述磁极尖端的所述前沿延伸到所述磁极尖端的所述后沿。
3.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述大致为“U”形的磁极尖端屏蔽包括沿所述侧面部分的多个分立的分段，并且所述分立的分段包括不同厚度尺寸、不同宽度尺寸或不同磁性材料中的至少一者以提供沿所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的所述长度的所述可变磁矩。
4.如权利要求3所述的组装件，其特征在于，所述多个分立的分段包括多个厚度分段， 所述多个厚度分段在朝所述磁极尖端的所述后沿的方向上包括具有第一厚度尺寸的第一厚度分段和包含小于所述第一厚度尺寸的第二厚度尺寸的第二厚度分段。
5.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分包括沿所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的长度的可变厚度或宽度尺寸。
6.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述“U”形的磁极尖端屏蔽包括沿所述 “U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的具有不同宽度或厚度尺寸的多个分立的分段，并且所述多个分立的分段包括不同的磁性材料或组合物。
7.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，进一步包括至少一个辅助磁极，并且所述 “U”形的磁极尖端屏蔽磁性地连接至所述至少一个辅助磁极。
8.如权利要求4所述的组装件，其特征在于，在所述第一厚度分段与所述第二厚度分段之间包括厚度阶梯。
9.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分包括沿所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的长度的不同磁性材料分段。
10.如权利要求1所述的组装件，其特征在于，所述“U”形的磁极尖端屏蔽的所述侧面部分具有相对于在所述磁极尖端的所述前沿与所述后沿之间的所述磁极尖端的长度尺寸缩短的长度尺寸。
11.一种磁性组装件，包括包括磁极尖端的磁极，所述磁极尖端具有沿所述组装件的气垫面形成大致为矩形的表面的前沿、后沿和侧沿；线圈，所述线圈能被供能以在所述磁极尖端中感生磁通路径；以及磁极尖端屏蔽，其包括连接至侧面部分的前沿部分，所述侧面部分具有沿所述磁极尖端的所述侧沿延伸的拉长的长度尺寸。
12.如权利要求11所述的组装件，其特征在于，所述磁极尖端屏蔽包括具有不同宽度尺寸、厚度尺寸或磁性材料的多个分段。
13.如权利要求11所述的组装件，其特征在于，所述磁极尖端屏蔽的所述侧面部分包括沿所述磁极尖端屏蔽的所述侧面部分的可变厚度或宽度尺寸。
14.如权利要求11所述的组装件，其特征在于，包括辅助磁极，其中所述磁极尖端屏蔽通过磁通连接材料连接至所述辅助磁极以提供穿过所述磁极尖端屏蔽去往所述辅助磁极的磁通路径。
15.如权利要求11所述的组装件，其特征在于，包括磁性地连接至所述磁极尖端屏蔽的第一辅助磁极和连接至后沿屏蔽的第二辅助磁极，所述后沿屏蔽通过非磁性间隙沿所述气垫面与所述磁极尖端屏蔽间隔开并与所述磁极尖端屏蔽分开。
16.一种磁性组装件，包括具有磁极尖端的磁极，所述磁极尖端包括前沿、后沿和侧沿；线圈，所述线圈能被供能以在所述磁极尖端中感生磁通；邻近所述磁极尖端、磁性地耦合至所述组装件的辅助磁极的磁极尖端屏蔽；与所述磁极尖端屏蔽间隔开的后沿屏蔽；以及沿所述组装件的气垫面将所述磁极尖端屏蔽与所述后沿屏蔽分开的非磁性间隙部分。
17.如权利要求16所述的组装件，其特征在于，所述磁极尖端屏蔽大致为“U”形，并且所述间隙部分沿所述气垫面将所述大致为“U”形的磁极尖端屏蔽与所述后沿屏蔽分开。
18.如权利要求17所述的组装件，其特征在于，所述大致为“U”形的磁极尖端屏蔽包括沿所述磁极尖端屏蔽的侧面部分的可变厚度或宽度尺寸。
19.如权利要求17所述的组装件，其特征在于，所述大致为“U”形的磁极尖端屏蔽包括前沿部分和相对的侧面部分，并且所述侧面部分沿所述磁极尖端的侧面的长度延伸到所述磁极尖端的所述后沿。
20.如权利要求16所述的组装件，其特征在于，进一步包括磁性地连接至所述后沿屏蔽的第二辅助磁极。
全文摘要
公开了一种用于记录磁头的写元件的磁极尖端屏蔽(200)。该磁极尖端屏蔽在前沿方向上与磁极尖端(148)间隔开以提供磁壁角，以便减少ATI或毗邻磁道擦除以补偿磁头的倾斜角。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽包括侧面部分(204)。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽是大致“U”形的并且磁极尖端屏蔽的侧面部分包括不同厚度或宽度尺寸。在所解说的实施例中，磁极尖端屏蔽为矩形磁极尖端提供磁壁角。本申请中公开的实施例包括通过非磁性间隙部分沿磁头的气垫面与磁极尖端屏蔽分开的后沿屏蔽(240)。
文档编号G11B5/11GK102356428SQ201080012751
公开日2012年2月15日 申请日期2010年3月16日 优先权日2009年3月16日
发明者D·韩, E·S·林维勒, Y·周, 薛建华, 高凯中 申请人:希捷科技有限公司