存储电路和操作存储电路的方法与流程

技术特征：

1.一种存储电路，包括：

沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；

多个字线，每个字线与所述多个电可编程存储单元的多个字部耦接，其中，每个字部被配置成存储数据字；以及

与多个重叠部耦接的至少一个重叠字线，每个重叠部包括多个重叠存储单元，其中，所述多个重叠部中的每一个包括重叠字；

其中，所述存储电路被配置成：针对所述多个字线中的每一个，从每个字部与所述多个重叠部中的重叠部同时进行读取，从而提供对所述数据字和所述重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。

2.根据权利要求1所述的存储电路，

其中，所述至少一个重叠字线与所述多个字线中的至少一个相关联的字线相关联，其中，每个重叠部与所述至少一个相关联的字线的一个字部相关联，以及其中，所述多个重叠部中的每一个包括重叠字，多个重叠字形成被配置成识别相关联的字部的码。

3.根据权利要求1或2所述的存储电路，还包括：

开关，所述开关被配置成在对所述字线的重叠读取与对所述字线的在没有通过所述至少一个重叠字线进行重叠的情况下的读取之间进行切换。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的存储电路，

其中，对所述数据字和所述重叠字执行的逻辑运算是下述中的一个：按位或运算和按位与运算。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储电路，

其中，所述至少一个相关联的字线包括多个相关联的字线。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的存储电路，

其中，所述至少一个重叠字线包括一个重叠字线。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的存储电路，

其中，所述至少一个重叠字线包括多个重叠字线。

8.根据权利要求7所述的存储电路，

其中，所述多个重叠字线中的每一个包括不同的码。

9.一种操作根据权利要求1至8中任一项所述的存储电路的方法，包括：

同时读取所述数据字中的至少一个和相关联的重叠字；

从而提供对所述数据字和所述重叠字执行的逻辑运算的结果作为读取操作的输出。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在没有通过所述重叠字进行重叠的情况下读取所述数据字中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

对在没有进行所述重叠的情况下读取的数据字和所述重叠字执行所述逻辑运算，从而形成测试字。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

将所述测试字与所述重叠读取的结果进行比较。

13.一种操作存储电路的方法，所述存储电路包括：沿着多个行和多个列被布置在电可编程非易失性存储单元阵列中的多个电可编程存储单元；以及多个字线，每个字线与所述多个电可编程存储单元中的至少一个电可编程存储单元耦接，所述方法包括：

将由已知位的序列组成的基本字存储在所述多个字线中的字线的一部分中；以及

将包括数据位的序列的数据字写入字线的所述部分，其中，写入包括通过下述中的一个将所述数据位的序列与所述已知位的序列进行组合，从而形成修改的数据字：逻辑按位与运算和逻辑按位或运算。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：

读取所述修改的数据字；

对所述包括数据位的序列的数据字和所述基本字执行逻辑按位与运算或逻辑按位或运算中的一个，从而形成测试字；

将所述修改的数据字与所述测试字进行比较。

15.根据权利要求13或14所述的方法，

其中，所述基本字的已知位的序列包括n位，其中，大约n/2位处于第一位状态，并且所述已知位的序列中的剩余位处于第二位状态。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的方法，

其中，所述基本字包括具有预定义数目的零的随机字。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的方法，还包括：

反转所述修改的数据字的至少一个位，从而使所述修改的数据字无效。