闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器与流程

本发明属于存储技术领域，涉及一种闪存器件，特别是涉及一种闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器。

背景技术：

随着3dqlc(quad-levelcell)nand闪存技术的发展，多层叠加的3d结构以其高容量、低成本的优势成为未来应用与研究的热点。然而，由于制造工艺的复杂性，往往导致边缘的字线(wordline，wl)层的性能不佳，影响了3dqlcnand芯片的使用效率和存储容量。

技术实现要素：

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器，用于解决现有闪存器件边界字线层的性能不佳，影响存储容量的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种闪存器件的边界字线配置方法，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；对所述单位结构配置边界字线的方法包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明提供一种闪存器件的边界字线配置方法，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；对所述单位结构配置边界字线的方法包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明提供一种闪存器件的边界字线配置方法，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；对所述单位结构配置边界字线的方法包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明提供一种闪存器件的边界字线配置方法，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；对所述单位结构配置边界字线的方法包括：配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

于本发明的一实施例中，所述n的取值可以包括16，18，26，32，34或42。

于本发明的一实施例中，所述闪存器件的边界字线配置方法还包括：将至少2个配置边界字线后的闪存结构块叠加，形成闪存器件。

本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现所述闪存器件的边界字线配置方法的步骤。

本发明还提供一种存储控制器，包括：存储模块，存储有一计算机程序；处理模块，执行所述计算机程序时实现权力要求1所述方法的步骤。

本发明还提供一种闪存器件的边界字线配置系统，所述闪存器件的边界字线配置系统包括：闪存器件，包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；存储控制器，与所述闪存器件通信相连，以所述预设的闪存结构块为单位结构，为所述单位结构配置边界字线，具体包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件的边界字线配置系统，所述闪存器件的边界字线配置系统包括：闪存器件，包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；存储控制器，与所述闪存器件通信相连，以所述预设的闪存结构块为单位结构，为所述单位结构配置边界字线，具体包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件的边界字线配置系统，所述闪存器件的边界字线配置系统包括：闪存器件，包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；存储控制器，与所述闪存器件通信相连，以所述预设的闪存结构块为单位结构，为所述单位结构配置边界字线，具体包括：配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件的边界字线配置系统，所述闪存器件的边界字线配置系统包括：闪存器件，包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；存储控制器，与所述闪存器件通信相连，以所述预设的闪存结构块为单位结构，为所述单位结构配置边界字线，具体包括：配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件，所述闪存器件包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；其中，配置为000时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为mlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层为tlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层为mlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；为111时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为tlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件，所述闪存器件包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；其中，配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件，所述闪存器件包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；其中，配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明还提供一种闪存器件，所述闪存器件包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；其中，配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

如上所述，本发明所述的闪存器件及其边界字线配置方法/系统、存储介质/控制器，具有以下有益效果：本发明通过将闪存器件设计中的边界字线wl设定为slc/mlc/tlc等属性的存储单元，减少了过多不用字线wl的概率，有效的提高了闪存器件的使用效率和容量。

附图说明

图1显示为qlcnand闪存的电压分布示意图。

图2a显示为本发明实施例所述的闪存器件的边界字线配置的一种示意图。

图2b显示为本发明实施例所述的闪存器件的边界字线配置的另一种示意图。

图2c显示为本发明实施例所述的闪存器件的边界字线配置的第三种示意图。

图2d显示为本发明实施例所述的闪存器件的边界字线配置的第四种示意图。

图3a显示为本发明实施例所述的32层3dqlcnand的边界字线配置示意图。

图3b显示为本发明实施例所述的64层3dqlcnand的边界字线配置示意图。

图3c显示为本发明实施例所述的96层3dqlcnand的边界字线配置示意图。

图4a显示为本发明实施例所述的64层3dqlcnand的边界字线配置结构示意图。

图4b显示为本发明实施例所述的96层3dqlcnand的边界字线配置结构示意图。

图5显示为本发明实施例所述的存储控制器的一种示例性实现结构示意图。

图6显示为本发明实施例所述的闪存器件的边界字线配置系统的一种示例性实现结构示意图。

图7显示为本发明实施例所述的闪存器件的一种示例性实现结构示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

随着3dqlc(quad-levelcell)nand闪存技术的发展，多层叠加的3d结构以其高容量、低成本的优势成为未来应用与研究的热点。然而，由于制造工艺的复杂性，往往导致边缘的字线(wordline，wl)层的性能不佳，影响了3dqlcnand芯片的使用效率和存储容量。目前通常的做法是尽量提高整块3dqlcnand芯片制造工艺的精准性和一致性，或者将整个nand的边界字线wl设置成空闲层(dummywl)。

slc(single-levelcell)，每个cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，反映出来的特点就是寿命长，性能强，p/e寿命在1万到10万次之间，但缺点是容量低，成本高，毕竟一个cell单元只能存储1bit信息。

mlc(multi-levelcell)，它实际上是跟slc对应的，slc之外的nand闪存都是mlc类型，而我们常说的mlc是指2bitmlc，每个cell单元存储2bit信息，电压有00，01，10，11四种变化，所以它比slc需要更复杂的电压控制，意味着写入性能降低了，同时可靠性也下降了，p/e寿命根据不同制程在3000-5000次不等，有的还更低。

tlc(trinary-levelcell)，准确来说是3bitmlc，每个cell单元存储3bit信息，电压从000到111有8种变化，容量比mlc再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，写入速度慢，p/e寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。

qlc(quad-levelcell)，或者叫4bitmlc，电压从0000到1111有16种变化，参见图1所示，容量增加了33％，但是写入性能、p/e寿命会再次减少。

为了解决现有闪存器件边界字线层的性能不佳，影响存储容量的问题，本发明实施例提供一种闪存器件的边界字线配置方法，所述闪存器件的边界字线配置方法包括：根据3dnand闪存制造工艺，以预设的闪存结构块为单位结构，配置边界字线；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数。

参见图2a所示，对所述单位结构配置边界字线的方法的一种实现过程包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2b所示，对所述单位结构配置边界字线的方法的一种实现过程包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2c所示，对所述单位结构配置边界字线的方法的一种实现过程包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2d所示，对所述单位结构配置边界字线的方法的一种实现过程包括：

配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明针对现有nand闪存技术的不足或改进需求，对多层，尤其是等于或超过64层/96层等叠加设计的3dqlcnand提出一种可配置的边界字线wl类型映射的结构与方法，其目的在于，通过将整个3dqlcnand的字线wl通过分块式设计与制造，并根据产品测试结果对边界字线wl进行不同的属性配置，来提高qlcnand芯片的成品率及使用容量。

当所述n的取值不同时，直接代入n的具体数值，结合图2a至图2d所述，即可获得所述单位结构的边界字线的对应配置，例如图3a至图3c及图4a至图4b。本发明中，trim配置1[1:0]和trim配置2[2:0]是两个寄存器，分别用于实现所需的闪存器件及边界字线配置系统的边界配置。

参见图3a所示，所述n的取值包括32。当n为32时，所述预设的闪存结构块为32层3d闪存结构块。对所述32层3d闪存结构块配置边界字线的方法包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第30字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第30字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第29字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第30字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第29字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第28字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第30字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第29字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第28字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第27字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第30字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第30字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第29字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第31字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第30字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第29字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第28字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图3b所示，所述n的取值包括34。当n为34时，所述预设的闪存结构块为34层3d闪存结构块。对所述34层3d闪存结构块配置边界字线的方法包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第32字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第32字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第31字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第32字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第31字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第30字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第32字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第31字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第30字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第29字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第32字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第32字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第31字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第33字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第32字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第31字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第30字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图3c所示，所述n的取值包括42。当n为42时，所述预设的闪存结构块为42层3d闪存结构块。对所述42层3d闪存结构块配置边界字线的方法包括：

配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第40字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第40字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第39字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第40字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第39字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第38字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第40字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第39字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第38字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第37字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第40字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第40字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第39字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；

配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第41字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第40字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第39字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第38字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

于本发明一实施例中，所述闪存器件的边界字线配置方法还包括：将至少2个配置边界字线后的闪存结构块叠加，制造形成更多层的3d闪存器件。在实际实施时，闪存结构块的叠加层数、边界字线wl层数等是可改变的，且其边界字线wl布局型态也可能更为复杂。例如：多层叠加3dqlcnand的设计制造包括了64层或96层的3d设计，本发明包含64层和96层的3dqlcnand结构，但不仅限于此，本发明包括所有超过16层的3d闪存结构。

本发明对64层及以上层的3dqlcnand可采用两次及以上的刻蚀技术，对96层及以上层的3dqlcnand可采用三次及以上的刻蚀技术。对于两次、三次等多次刻蚀技术形成的3d结构，其边界处的字线wl存在着不一致性。对于这些存在不一致性的字线wl进行本发明所述的配置，即实现了提高闪存器件的成品率及使用容量。本发明对于每次刻蚀技术形成设计了固定的字线wl块结构(即闪存结构块)，本发明中以每32层3dqlcnand结构块为单位，包含但不仅限于32层的wl块结构。

参见图4a所示，将2个32层3d闪存结构块叠加后制成64层叠加结构的闪存器件。例如：对于64层叠加结构的3dqlcnand芯片，在设计与制造时采用2段32层的字线结构，对于每段32层的字线wl结构图，其边界可以根据需要完成配置，如图3a所示，当设置配置寄存器中的值为“000”–“111”时，各边界层wl配置成不同的qlc/tlc/mlc/slc类型。本发明针对32层及以上的3dqlcnand的制造工艺提出2次及以上的刻蚀实现，可以避免一次刻蚀制造可能无法贯穿整个字线wl层，使得3dqlcnand芯片报废的问题。

参见图4b所示，将3个32层3d闪存结构块叠加后制成96层叠加结构的闪存器件。例如：对于96层叠加结构的3dqlcnand芯片，在设计与制造时采用3段32层的字线结构，对于每段32层的字线wl结构图，其边界可以根据需要完成配置，如图3a所示，当设置配置寄存器中的值为“000”–“111”时，各边界层wl配置成不同的qlc/tlc/mlc/slc类型。本发明针对每32层3dqlcnand的结构块设计了不同配置下的字线wl的存储单元使用属性，保证了边界字线wl的制造上的不一致不会对整个nand芯片的使用和数据存储造成影响。

在实际设计实施过程中，可以将多层叠加的3dqlcnand芯片设计成可调整的64层或96层的边界字线wl完全配置结构。可以设计各层的类型，使之配置如图4a与图4b所示，针对不同的应用和量产后产品的特性，将边界字线wl层设计为dwl0-dwl19，可配置成不同的qlc/tlc/mlc/slc类型属性，增加系统使用时的便利性。由于部分边界字线wl被当作slc/mlc/tlc存储单元使用，本发明继续提出新的3dwl结构，除去非qlc存储单元属性的wl可以增加wl层，使之达到完整的64层或96层的结构设计。

本发明通过对闪存器件设计中的边界字线wl设定为slc/mlc/tlc等属性的存储单元，减少了过多不用字线wl的概率，有效的提高了闪存器件的使用效率和容量。

本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现本发明所述的闪存器件的边界字线配置方法的步骤。

本发明实施例还提供一种存储控制器500，参见图5所示，包括：存储模块510，处理模块520。所述存储模块510存储有一计算机程序；所述处理模块520执行所述计算机程序时实现本发明所述的闪存器件的边界字线配置方法的步骤。

本发明实施例还提供一种闪存器件的边界字线配置系统，参见图6所示，所述闪存器件的边界字线配置系统600包括：闪存器件610，存储控制器620。所述闪存器件610包括至少1个预设的闪存结构块；所述预设的闪存结构块为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；所述存储控制器620与所述闪存器件610通信相连，以所述预设的闪存结构块为单位结构，为所述单位结构配置边界字线。

参见图2a所示，对所述单位结构的边界字线的一种配置为：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2b所示，对所述单位结构的边界字线的另一种配置为：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2c所示，对所述单位结构的边界字线的第三种配置为：配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2d所示，对所述单位结构的边界字线的第四种配置为：配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明实施例还提供一种闪存器件，参见图7所示，所述闪存器件700包括至少1个预设的闪存结构块710；所述预设的闪存结构块710为n层3d闪存结构；n为大于或等于16的正整数；其中，

参见图2a所示，对所述闪存结构块的一种边界字线配置为：配置为000时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为mlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述闪存结构块的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层为tlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层为mlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述闪存结构块的第0字线层和第n-1字线层均为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层为tlc存储单元使用属性，其余字线层为qlc存储单元使用属性。

参见图2a所示，对所述闪存结构块的另一种边界字线配置为：配置为000时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，第4字线层和第n-5字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为slc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层、第1字线层、第n-2字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2c所示，对所述闪存结构块的第三种边界字线配置为：配置为000时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为slc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为空闲字线层，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

参见图2d所示，对所述闪存结构块的第四种边界字线配置为：配置为000时，所述单位结构的第0至n-1字线层均配置为qlc存储单元使用属性；配置为001时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为010时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第3字线层和第n-4字线层配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为011时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为mlc存储单元使用属性，第2字线层和第n-3字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为100时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为slc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为101时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，第1字线层和第n-2字线层配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为110时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为mlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性；配置为111时，所述单位结构的第0字线层和第n-1字线层均配置为tlc存储单元使用属性，其余字线层配置为qlc存储单元使用属性。

本发明通过将闪存器件设计中的边界字线wl设定为slc/mlc/tlc等属性的存储单元，减少了过多不用字线wl的概率，有效的提高了闪存器件的使用效率和容量。

综上所述，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。