本发明涉及盘颤小、且减少无电解镀ni-p表面的异常部的磁盘用铝合金基盘及其制造方法、用于制造该磁盘用铝合金基盘的磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及使用该磁盘用铝合金基盘的磁盘及其制造方法。
背景技术：
：：用在计算机或数据中心的存储装置中的铝合金制的磁盘基板使用具有良好的镀敷性并且机械特性或加工性优异的基板来制造。例如，由以jis5086(含有3.5mass％以上4.5mass％以下的mg、0.50mass％以下的fe、0.40mass％以下的si、0.20mass％以上0.70mass％以下的mn、0.05mass％以上0.25mass％以下的cr、0.10mass％以下的cu、0.15mass％以下的ti以及0.25mass％以下的zn，剩余部分由al及不可避免的杂质构成)构成的铝合金为基础的基板等制造而成。一般的铝合金制的磁盘通过如下方式来制造：首先，制作圆环状铝合金基板，并对该铝合金基板实施镀敷，接着，使磁性体附着于其表面。例如，由所述jis5086合金构成的铝合金制的磁盘通过以下的制造工序来制造。首先，铸造预定化学成分的铝合金，对该铸坯实施均质化处理后进行热轧，接着实施冷轧，制作作为磁盘具有必要的厚度的轧制件。对于该轧制件，优选根据需要在冷轧的过程中等实施退火。接着，将该轧制件冲切为圆环状，为了除去由这之前的制造工序产生的应变等，通过进行加压退火来制作圆环状的铝合金的盘坯，所述加压退火为：层叠冲切为圆环状的铝合金板，并从上下两面加压地施以退火，来进行平坦化。针对这样制作的盘坯，作为前处理，依次实施切削加工、磨削加工、脱脂处理、刻蚀处理、剥黑膜处理、浸锌处理(zn置换处理)。接着，作为基底处理，无电解镀敷作为硬质非磁性金属的ni-p，并通过磨削使该镀层表面平滑后，将磁性体溅射于无电解镀ni-p表面，制造铝合金制的磁盘。可是，近年来，hdd所处的环境剧烈变化。至今为止，hdd主要搭载在台式电脑中是主流，但当前由于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等搭载ssd的终端的兴起，台式电脑的需求下降。然而，随着所述终端的需求增加而云服务发展，伴随于此，数据中心的新设、扩展盛行。在数据中心中，hdd仍旧是主流，可预想今后需求也会持续增长。数据中心中使用的hdd不可或缺的是满足大容量化和高密度化，进一步满足高速化。对于使hdd大容量化，增加搭载在存储装置中的磁盘的张数是最有效的，由于这个原因，磁盘用的铝合金基材的薄壁化是必须的。然而，若简单地使磁盘用的铝合金基材薄壁化，高速旋转时的流体力增加引起的激振力增加，会导致盘颤发生的问题。盘颤起因于使磁盘高速旋转时磁盘间产生不稳定的气流，该气流导致磁盘的振动(颤振)产生。这样的现象是由于铝合金基材的刚性小时，磁盘的振动变大，作为读取部的磁头不能追随该变化而产生的。发生颤振时，磁头的定位误差增加，从而强烈要求盘颤的减小。另外，对于hdd的大容量化，增加每一张磁盘的存储容量也是有效的。无电解镀ni-p表面存在例如凹坑那样的缺陷、或来自外部的附着物时，必须将这些异常部附近排除在外地进行数据的读写。其结果，与异常部的数量成比例地，每一张磁盘的存储容量降低。这样，对于存储容量的增加，需要减少无电解镀ni-p表面的异常部。出于这样的实情，最近强烈期待具有减小盘颤，并且减少无电解镀ni-p表面的异常部这两方面特性的铝合金制的磁盘基板。对于减小盘颤，以往使用的例如jis5086等的al-mg系合金是无法实现的。要减小盘颤，使化合物大量分布在铝合金中是有效的，从而需要应用至今未研究过的合金种类。然而，随着铝合金中的化合物增加，无电解镀ni-p表面的异常部也增加，这种考虑是至今为止的磁盘用铝基板的常识，在现有的铝合金基材中以降低fe及si的含量为对策。为了满足减少盘颤，并且减少无电解镀ni-p表面的异常部这两方面的特性，需要同时解决相反的两个课题。另外，顾虑还在于伴随薄壁化而耐冲击性降低，因此期待强度尽可能高。例如专利文献1中，公开了为减小盘颤而添加大量的si的铝合金基材的组成。另外，专利文献2中公开了一种技术，其通过在无电解镀ni-p工序中的清洗水中添加硫酸离子来抑制镀层缺陷。但是，在专利文献1所公开的铝合金基板中，由于添加大量的si而难以进行磨削加工，此外，难以除去铝合金基板表面的si，从而不能解决无电解镀ni-p表面的异常部增加的问题。另外，专利文献2的技术在化合物少的铝合金基板的情况下发挥效果，存在为了减少盘颤而使化合物分散的情况下不能期待效果的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/068293号专利文献2：专利第5872322号公报技术实现要素：[发明要解决的技术问题]本发明是鉴于上述实际情况而得到的，其目的在于提供盘颤小，且减少无电解镀ni-p表面的异常部的磁盘用铝合金基盘及其制造方法、用于制造该磁盘用铝合金基盘的磁盘用铝合金基板及其制造方法、以及使用该磁盘用铝合金基盘的磁盘。[用于解决技术问题的方法]本发明的发明者们针对铝合金基材中的化合物与盘颤及镀敷性的关系反复进行了深入研究。结果发现，在铝合金基板的组成中，通过添加fe能够降低盘颤。并且还发现，添加了fe的铝合金基板中的化合物密集分布在整个表面而阴极位点分散，从而形成均匀的反应，能够减少作为后面的铝合金基盘时所形成的无电解镀ni-p表面的凹坑那样的缺陷。根据这些结果，作为材料达成了当初的目的，但新浮现出制造工序中的课题。明确了如下影响：密集分布在铝合金基板的整个表面的化合物由于比母相更硬而会降低磨削加工时的速度。另外，明确了在铝合金基板的端面(外周面以及内周面)中，在其后所形成的无电解镀ni-p后产生化合物或孔等引起的镀层的凸部(结节)，其从端面脱落后附着于铝合金基盘的各个面，成为异常部。在此，在铝合金基盘的表面和背面，通过研磨工序除去结节。但是，由于端面中无电解镀ni-p后没有实施处理，因而产生的结节没有被除去而是残留，对后面的工序造成不良影响。为了解决这种新的制造上的课题，本发明的发明者们进一步反复研究。结果发现，在无电解镀ni-p工序之前实施的磨削加工的工序之前，通过设置化合物除去工序能够解决两个课题。本发明的发明者们完成了如下技术：解决了既为减少盘颤而使化合物分散，又减少无电解镀ni-p表面的缺陷、这样相反的两个课题，并且还解决了制造上的问题点，最终完成本发明。即，本发明在项目1中，为一种磁盘用铝合金基板，其特征在于，由包含fe：0.1～3.0mass％、cu：0.005～1.000mass％、zn：0.005～1.000mass％，剩余部分由al及不可避免的杂质构成的铝合金构成，在外周面中，最长直径10μm以上的孔为200个/mm2以下。本发明在项目2中，如项目1，所述铝合金还包含从mn：0.1～3.0mass％、si：0.1～3.0mass％、ni：0.1～8.0mass％、cr：0.01～1.00mass％及zr：0.01～1.00mass％中选择的1种或2种以上。本发明在项目3中，如项目1或2，所述铝合金还含有从合计的含量为0.005～0.500mass％的ti、b及v中选择的1种或2种以上。本发明在项目4中，是一种磁盘用铝合金基盘，其特征在于，是在项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板表面包含无电解镀ni-p层的磁盘用铝合金基盘，在外周面中，最长直径4～10μm的凸部为300个/mm2以下。本发明在项目5中，是一种磁盘，其特征在于，在项目4所述的磁盘用铝合金基盘的表面包含磁性体层。本发明的铝合金基板的制造方法具有第1发明的制造方法和第2发明的制造方法。第1发明的制造方法采用半连续铸造法(dc铸造法)作为铝合金的铸造方法，是项目6～8所规定的制造方法。第2发明的制造方法采用连续铸造法(cc铸造法)作为铝合金的铸造方法，是项目9～11所规定的制造方法。本发明在项目6中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金半连续铸造铸坯的半连续铸造工序，热轧铸坯的热轧工序，冷轧热轧板的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切后的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目7中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金半连续铸造铸坯的半连续铸造工序，热轧铸坯的热轧工序，冷轧热轧板的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切后的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施预备磨削加工的预备磨削工序，对实施了预备磨削加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目8中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金半连续铸造铸坯的半连续铸造工序，热轧铸坯的热轧工序，冷轧热轧板的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施切削加工的切削工序，对实施了切削加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目9中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金连续铸造铸坯的连续铸造工序，冷轧铸坯的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目10中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金连续铸造铸坯的连续铸造工序，冷轧铸坯的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施预备磨削加工的预备磨削工序，对实施了预备磨削加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目11中，是一种如项目1～3的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法，其特征在于，包括：使用所述铝合金连续铸造铸坯的连续铸造工序，冷轧铸坯的冷轧工序，将冷轧板冲切为圆环状的盘坯冲切工序，将冲切的盘坯加压退火的加压平坦化退火工序，加工加压退火后的盘坯的内周面及外周面的内径外径加工工序，对实施了内径外径加工的盘坯实施切削加工的切削工序，对实施了切削加工的盘坯实施除应变加热的除应变加热处理工序，将实施了除应变加热处理的盘坯表面的化合物除去的化合物除去工序，以及对实施了化合物除去的盘坯实施磨削加工的磨削工序；所述化合物除去工序将盘坯在hno3/hf的混合溶液中浸渍5～60秒，该hno3/hf的混合溶液是在10～30℃的10～60mass％的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的溶液。本发明在项目12中，是一种如项目4所述的磁盘用铝合金基盘的制造方法，其特征在于，在项目6～8及9～11的任一项所述的磁盘用铝合金基板的制造方法中，包括：在所述磨削工序后，按以下顺序包括盘坯的碱脱脂处理阶段、酸蚀刻处理阶段、剥黑膜处理阶段以及浸锌处理阶段的镀敷前处理工序；以及对实施了该镀敷前处理工序的盘坯表面实施无电解镀ni-p处理的无电解镀ni-p处理工序。本发明在项目13中，是一种如项目5所述的磁盘的制造方法，其特征在于，研磨项目4所述的磁盘用铝合金基盘的表面，通过溅射使磁性体层附着在该研磨表面。发明效果本发明的磁盘用铝合金基盘具有减少盘颤，并且减少无电解镀ni-p表面的异常部的特征。由此，可以提供一种磁盘，其使得磁盘的薄壁化引起的搭载张数的增加和每1张的存储容量的增加成为可能，有助于hdd的高容量化。附图说明图1是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了dc铸造法的流程图。图2是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的其他制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了dc铸造法的流程图。图3是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的又一其他制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了dc铸造法的流程图。图4是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了cc铸造法的流程图。图5是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的其他制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了cc铸造法的流程图。图6是示出本发明的磁盘用铝合金基板、磁盘用铝合金基盘、以及磁盘的又一其他制造方法，并且对于铝合金的铸造方法采用了cc铸造法的流程图。具体实施方式下面，基于实施方式详细地说明本发明。本发明的特征在于，通过在无电解镀ni-p工序之前实施的磨削加工的工序之前具有化合物除去工序，从而提高为降低盘颤而添加fe、使得化合物分散了的磁盘用铝合金基板的磨削性，能够抑制其后作为铝合金基盘时所形成的无电解镀ni-p引起的、其外周面及内周面的结节发生。下面，针对它们的效果和详细的机制进行说明。1.盘坯的加工盘坯在进行内径外径加工和表面加工之后，经由镀敷前处理工序(按以下顺序包含碱脱脂处理阶段、酸蚀刻处理阶段、剥黑膜处理阶段以及浸锌处理阶段)实施无电解镀ni-p。在此，所谓内径外径加工，是通过切削加工机，将盘坯的端面，即，规定外径的外周面、以及规定内径的内周面加工成预定的形状的工序。该内径外径加工之后的表面加工具有“仅磨削工序”、“预备磨削工序和其后的磨削工序”、“切削工序和其后的磨削工序”等的各种模式。通过这些表面加工，可得到进行了磁盘用铝合金基板的板厚调整、平坦性提高、粗糙度调整、波纹减少等的磁盘用铝合金基板。另外，虽然没有在表面加工，但在磨削加工之前，设置有除应变加热处理工序和接在其后的化合物除去工序。经过以上的工序，可得到磁盘用铝合金基板(下面，有时仅记为“铝合金基板”)。2.镀敷前处理接着，对磁盘用铝合金基板实施按下述顺序包含碱脱脂处理阶段、酸蚀刻处理阶段、剥黑膜处理阶段以及浸锌处理阶段的镀敷前处理工序。在此，浸锌处理阶段按下述顺序实施1st浸锌处理、zn剥离处理、2nd浸锌处理。此外，在同时实施碱脱脂处理阶段和酸蚀刻处理阶段的情况下，还存在不实施剥黑膜处理的情况。3.无电解镀ni-p被施以镀敷前处理工序后的磁盘用铝合金基板被实施无电解镀ni-p处理，形成磁盘用铝合金基盘(以下，有时简记为“铝合金基盘”)。在被施以无电解镀ni-p处理而得到的磁盘用铝合金基盘的表面、背面、内周面及外周面，存在呈圆形的凸部形状的结节。4.无电解镀ni-p工序后的结节的影响4-1.磁盘用铝合金基盘表面实施了镀ni-p工序的铝合金基盘的表面和背面通过之后的研磨工序而除去结节。因此，在表面和背面没有结节存在的问题。4-2.磁盘用铝合金基盘的内周面和外周面如前所述，实施了镀ni-p的铝合金基盘的两端面即内周面和外周面也会产生结节。该内周面和外周面在无电解镀ni-p之后没有实施进一步的处理。因此，产生的结节在维持原样的状态下残留在磁盘产品中。无电解镀ni-p工序之后，还有研磨工序或溅射工序等的工序，特别地在溅射工序中有时用夹具支承磁盘用铝合金基盘的外周面实施处理。此时，凸部形状的结节擦过夹具时，产生摩耗粉，其有时会附着于铝合金基盘面(表面、背面、外周面、内周面)。这样附着摩耗粉时，会产生溅射时所形成的磁性膜不均匀的问题。因此，必须极力减少铝合金基盘的外周面的结节。具体而言，若铝合金基盘的外周面的最长直径4～10μm的凸部(结节)为300个/mm2以下、优选为150个/mm2以下，则不会发生上述问题。此外，该密度越小而越优选，根据使用的铝合金的组成或制造方法而自然决定下限值，在本发明中30个/mm2左右为下限值。另外，几乎不存在最长直径小于4μm的凸部形成上述磨耗粉的情况，即使存在也不是特别的问题。另一方面，关于最长直径超过10μm的凸部，在无电解镀ni-p中，不会生成而没有问题。出于这样的理由，将外周面的凸部的最长直径限定于4～10μm。5.结节的产生上述结节来源于实施无电解镀ni-p的铝合金基板表面的不均匀性。主要在化合物上、孔的端部、表面的凸部等均匀的表面以外的部分容易产生。无电解镀ni-p通过ni-p在整个表面随机析出，析出而形成岛的部分彼此成为一体，作为均匀的膜而成长。然而，存在镀ni-p的析出时刻与表面稍有不同的部分时，仅该部分作为凸部残留，形成结节。如后文所述，本发明的铝合金基板中存在大量化合物，从而在无电解镀ni-p工序后的铝合金基盘表面极多地存在化合物或孔等引起的结节。关于铝合金基盘表面的结节产生，如上所述，孔的端部的不均匀性也是结节产生的原因之一，但这样的孔因铝合金基板的化合物除去工序而大量产生。因此，重要的是抑制由化合物除去工序而产生的孔引起的结节。具体而言，通过将铝合金基板的外周面的最长直径10μm以上的孔设为200个/mm2以下，优选设为100个/mm2以下，从而可以抑制无电解镀ni-p工序后的铝合金基盘表面的结节产生。此外，该密度越小而越优选，但根据使用的铝合金的组成或制造方法而自然决定下限值，在本发明中30个/mm2左右为下限值。此外，最长直径小于10μm的孔会通过无电解镀ni-p而埋住变得平滑，故即使形成了这样的孔，作为结节产生也不会成为特别的问题。另外，关于孔的最长直径的上限，也根据使用的铝合金的组成或制造方法而自然决定，但在本发明中，20μm左右为上限值。6.磁盘用铝合金基板的合金组成本发明的磁盘用铝合金基板所使用的铝合金的组成为，含有fe：0.1～3.0mass％(以下，简记为“％”)、cu：0.005～1.000％，zn：0.005～1.000％作为必须元素，剩余部分由al及不可避免的杂质构成。另外，也可以是，进一步含有从mn：0.1～3.0％、si：0.1～3.0％、ni：0.1～8.0％、cr：0.01～1.00％、zr：0.01～1.00％中选择的1种或2种以上作为第1选择元素。并且，还可以是，进一步含有从合计含量为0.005～0.500％的ti、b及v中选择的1种或2种以上作为第2选择元素。下面，针对这些各合金组分的含量和作用进行说明。fe：0.1～3.0％fe主要作为第二相粒子(al-fe系化合物等)，一部分固溶在母相中而存在，具有提高铝合金基板的强度和颤振特性的效果。对使用这样的铝合金基板的磁盘施加振动时，由于第二相粒子与母相的界面处的粘性流动，振动能量会被迅速吸收，从而得到极高的颤振特性。fe含量小于0.1％时，使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，fe含量超过3.0％时，粗大的al-fe系化合物大量生成。即使是粗大的al-fe系化合物，能够通过化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷变大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，fe含量设为0.1～3.0％的范围。fe含量优选为0.5～1.5％的范围。cu：0.005～1.000％cu主要作为第二相粒子(al-cu系化合物等)而存在，具有提高使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。并且，使浸锌被膜均匀、较薄、致密地生成，还发挥提高无电解镀ni-p的平滑性的效果。cu含量小于0.005％时，使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充足，并且浸锌被膜变得不均匀，无电解镀ni-p的平滑性降低。另一方面，cu含量超过1.000％时，生成大量粗大的al-cu系化合物。即使是粗大的al-cu系化合物，能够通过化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷较大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，cu含量设为0.005～1.000％的范围。cu含量优选为0.005～0.400％的范围。zn：0.005～1.000％zn使浸锌被膜均匀、较薄、致密地生成，还具有提高无电解镀ni-p的平滑性及密接性的效果。此外，与其他添加元素形成第二相粒子，还发挥提高使用该铝合金基板的磁盘的颤振特性的效果。zn含量小于0.005％时，浸锌被膜变得不均匀，无电解镀ni-p的平滑性降低。另一方面，zn的含量超过1.000％时，母相的电位过低，在化合物除去工序及无电解镀ni-p工序中母相的溶解速度加快。其结果，铝合金基板表面的凹凸增大，从而无电解镀ni-p表面的平滑性降低。因此，zn含量设为0.005～1.000％的范围。zn的含量优选为0.100～0.700％的范围。mn：0.1～3.0％mn主要作为第二相粒子(al-mn系化合物等)而存在，具有提高使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。对采用这样的铝合金基板的磁盘施加振动时，由于第二相粒子与母相的界面处的粘性流动，振动能量会被迅速吸收，从而得到极高的颤振特性。mn的含量小于0.1％时，使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，mn的含量超过3.0％时，生成大量粗大的al-mn系化合物。即使是粗大的al-mn系化合物，能够通过化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，mn含量设为0.1～3.0％的范围。mn含量优选为0.1～1.0％的范围。si：0.1～3.0％si主要作为第二相粒子(si颗粒等)而存在，具有提高使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。对采用这样的铝合金基板的磁盘施加振动时，由于第二相粒子与母相的界面处的粘性流动，振动能量会被迅速吸收，从而得到极高的颤振特性。si的含量小于0.1％时，采用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，si的含量超过3.0％时，粗大的si颗粒大量生成。粗大的si颗粒在化合物除去工序中也难以除去，因而残留在铝合金基板表面，发生无电解镀ni-p表面的平滑性降低以及镀层的剥离。因此，si含量设为0.1～3.0％的范围。si含量优选为0.3～1.5％。ni：0.1～8.0％ni主要作为第二相粒子(al-ni系化合物等)而存在，具有提高采用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。对采用这样的铝合金基板的磁盘施加振动时，由于第二相粒子与基体的界面处的粘性流动，振动能量会被迅速吸收，从而得到极高的颤振特性。ni的含量小于0.1％时，采用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，ni的含量超过8.0％时，粗大的al-ni系化合物大量生成。即使是粗大的al-ni系化合物，能够通过化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，ni含量设为0.1～8.0％的范围。ni含量优选为0.3～3.0％，较优选为0.5～2.0％。cr：0.01～1.00％cr主要作为第二相粒子(al-cr系化合物等)而存在，具有提高采用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。cr的含量小于0.01％时，采用这样的铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，cr的含量超过1.00％时，粗大的al-cr系化合物大量生成。即使是粗大的al-cr系化合物，能够通过所述化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，cr含量设为0.01～1.00％的范围。cr含量优选为0.10～0.50％的范围，较优选设为0.15～0.40％。zr：0.01～1.00％zr主要作为第二相粒子(al-zr系化合物等)而存在，具有提高采用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的效果。zr的含量小于0.01％时，采用这样的铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性不充分。另一方面，zr的含量超过1.00％时，粗大的al-zr系化合物大量生成。即使是粗大的al-zr系化合物，能够通过所述化合物除去工序来除去，但化合物除去后所形成的凹陷大，在无电解镀ni-p后的外周面生成大量结节。因此，zr含量设为0.01～1.00％的范围。zr含量优选为0.10～0.50％的范围。ti、b、v：0.005～0.500％ti、b及v在铸造时的凝固过程中，会形成第2相粒子(tib2等硼化物、或是al3ti或ti-v-b颗粒等)，因为它们会成为晶粒核，具有使晶粒微细化的效果。晶粒微细化，从而抑制第二相粒子的尺寸的不均匀性，会得到减低使用该铝合金基板的磁盘的强度和颤振特性的波动的效果。ti、b及v的合计含量小于0.005％时，不会得到上述效果。即使ti、b及v的合计含量超过0.500％，其效果也会饱和，不会得到显著的改善效果。因此，ti、b及v合计含量设为0.005～0.500％的范围。ti、b及v合计含量优选为0.005～0.100％的范围。此外，所谓ti、b及v的合计含量，在包含这些元素全部的情况下，为三种元素的合计，在仅含有两种元素的情况下，是这两种元素的合计，在仅包含一种元素的情况下，是该一种元素的合计。其他元素用于本发明的铝合金基板的铝合金基材的剩余部分由al和不可避免的杂质构成。作为不可避免的杂质，可举出mg、pb、ga、sn等，只要分别小于0.10％，且合计小于0.20％，就不会损害作为在本发明中得到的铝合金基板的特性。7.化合物除去工序本发明的减少盘颤的铝合金基板由于包含fe而化合物大，且存在密度高。因此，无电解镀ni-p工序后的铝合金基盘中，大量产生结节。然而，如前所述，铝合金基盘的表面及背面通过研磨工序除去结节而没有问题。另一方面，在铝合金基盘的内周面和外周面产生的结节原样残留。因此，通过对铝合金基板应用化合物除去工序从而预先除去内周面和外周面的化合物，能够防止无电解镀ni-p工序后的铝合金基盘的内周面和外周面的结节产生。在此，本发明中所谓的化合物是指al-fe、al-fe-mn等的金属间化合物。在化合物除去工序中，通过药液除去残留在铝合金基板表面的化合物。作为使用的药液，使用在10～30℃的10～60mass％(下面，简记为“％”)的hno3溶液中含有10～80g/l的hf的hno3/hf的混合溶液(下面，简记为“混合溶液”)。该混合溶液蚀刻力强，尤其增大化合物附近的铝合金基板的溶解速度。化合物附近的铝合金基板溶解从而除去化合物，可以选择性地仅除去铝合金基板的表面的化合物。在上述混合溶液中，hf的浓度小于10g/l，并且hno3的浓度小于10％的情况下，蚀刻力弱而不能充分地除去铝合金基板表面的化合物。另一方面，hf的浓度超过80g/l，并且hno3的浓度超过60％的情况下，蚀刻力过强而进行铝合金基板的母相的溶解。其结果，铝合金基板表面的凹凸变大，不会得到通过后面的无电解镀ni-p工序所形成的无电解镀ni-p表面的平滑性。hf浓度优选为20～60g/l，hno3浓度优选为25～50％。并且，混合溶液的温度设为10～30℃。小于10℃时，反应速度慢而不能充分地除去铝合金基板表面的化合物。另一方面，超过30℃时，由于反应速度过快而进行铝合金基板的母相的溶解，铝合金基板表面的凹凸变大。混合溶液的温度优选为15～25℃。并且，化合物除去工序中的处理时间设为5～60秒。小于5秒时，反应时间过短，不能充分地除去铝合金基板表面的化合物。另一方面，超过60秒时，反应时间过长而进行铝合金基板的母相的溶解，因而铝合金基板表面的凹凸变大。处理时间优选为10～30秒。化合物除去工序在铝合金基板的磨削工序前实施。具体而言，采用“内径外径加工工序-除应变加热处理工序-化合物除去工序-磨削工序”的顺序，或者“内径外径加工工序-预备磨削工序-除应变加热处理工序-化合物除去工序-磨削工序”的顺序，或者“内径外径加工工序-切削工序-除应变加热处理工序-化合物除去工序-磨削工序”的顺序那样的工序。8.磁盘用铝合金基板的第1发明的制造方法8-1.概要根据图1，针对本发明的磁盘用铝合金基板的第1发明的制造方法进行说明。本发明的铝合金基板，首先，以形成预定的合金组成的方式熔制熔液(s101)，对其进行半连续铸造(s102)，对铸坯进行任意的均质化处理(s103)，实施热轧(s104)、冷轧(s105)，制作铝合金板(s106)。此外，也可以在冷轧之前或过程中，对轧制板进行任意的退火处理。将通过这样的方式制作的铝合金板冲切为圆环状，制成圆环状的盘坯(s107)，对该盘坯实施加压平坦化退火处理(s108)。并且，对盘坯的内周面及外周面实施内径外径加工(s109)，实施除应变加热处理(s110)、化合物除去(s111)、磨削加工(s112)。也可以代替这样的s109～s112的工序，如图2所示，实施内径外径加工(s109)，实施预备磨削加工(s109-1)、除应变加热处理(s110)、化合物除去(s111)、磨削加工(s112)。并且，也可以如图3所示，实施内径外径加工(s109)，实施切削加工(s109-2)、除应变加热处理(s110)、化合物除去(s111)、磨削加工(s112)。通过这样的方式，制成磁盘用铝合金基板(s113)。下面，针对各工序详细地进行说明。8-2.铸造工序首先，以成为预定的合金组成范围的方式，按照常规方法进行加热、熔融从而调制铝合金熔液。按照半连续铸造法(dc铸造法)铸造通过这样的方式制备的铝合金熔液。铸造时的冷却速度优选为0.1～1000℃/s的范围。8-3.均质化处理阶段接着，对所铸造的铝合金铸坯根据需要实施均质化处理。均质化处理的条件没有特别的限定，但例如可以采用500℃以上、0.5小时以上的1段加热处理。均质化处理时的加热温度的上限并没有特别的限定，但超过650℃时，可能会产生铝合金的熔融，因此上限设为650℃。8-4.热轧工序施以均质化处理的、或没有施以均质化处理的铝合金的铸坯通过热轧加工成板材。在热轧工序中，进行均质化处理的情况下优选将热轧开始温度设为300～550℃，关于热轧结束温度，优选设为小于380℃，较优选设为300℃以下。热轧结束温度的下限并没有特别的限定，但为了防止边缘裂纹等的不良状况的产生，下限设为200℃。另一方面，不进行均质化处理的情况下，优选将热轧开始温度设为380℃以下，较优选设为350℃以下。关于热轧结束温度，并没有特别的限定，但为了防止边缘裂纹等的不良状况，下限设为200℃。8-5.冷轧工序接着，通过冷轧将热轧板加工成0.45～1.8mm左右的冷轧板。这样，通过冷轧将热轧板打造成需要的产品板厚。冷轧的条件并没有特别的限定，根据所需的产品板强度或板厚确定即可，关于冷轧率，优选设为10～95％。在冷轧之前或冷轧的过程中，为了确保冷轧加工性，可以设置退火处理工序。在实施退火处理的情况下，例如在分批式退火的情况下为200℃以上380℃以下的温度、0.1～10小时的条件。8-6.盘坯的冲切工序和加压平坦化退火处理工序将通过上述的方式制作的铝合金板冲切为圆环状，制成圆环状的铝合金板。接着，对该圆环状的铝合金板实施220～450℃下、30分钟以上的加压平坦化退火处理，制成平坦化的圆环状的盘坯。8-7.机械加工工序、除应变加热处理及化合物除去工序接着，对平坦化后的盘坯，如上述的图1所示，实施内径外径加工(s109)、除应变加热处理(s110)、化合物除去(s111)、磨削加工(s112)，或者如图2所示，在图1的工序中的s109和s110之间设置预备磨削工序(s109-1)，或者如图3所示，同样地在图1的工序中的s109和s110之间设置切削工序(s109-2)。在此，在除应变加热处理工序中，优选将铝合金板在250～400℃的温度下进行5～15分钟的加热处理。另外，按照上述实施化合物除去(s111)。由以上，得到铝合金基板。9.磁盘用铝合金基板的第2发明的制造方法9-1.概要根据图4，针对本发明的磁盘用铝合金基板的制造方法进行说明。本发明的铝合金基板，首先，以形成预定的合金组成的方式熔制熔液(s101)，对其进行连续铸造(s102)，对铸坯进行任意的均质化处理(s103)，实施冷轧(s104)，制作铝合金板(s105)。此外，也可以在冷轧之前或过程中，对轧制板进行任意的退火处理。将通过这样的方式制作的铝合金板冲切为圆环状，制成圆环状的盘坯(s106)，对该盘坯实施加压平坦化退火处理(s107)。并且，对盘坯的内周面及外周面实施内径外径加工(s108)，实施除应变加热处理(s109)、化合物除去(s110)、磨削加工(s111)。也可以代替这样的s108～s111的工序，如图5所示，实施内径外径加工(s108)，实施预备磨削加工(s108-1)、除应变加热处理(s109)、化合物除去(s110)、磨削加工(s111)。并且，也可以如图6所示，实施内径外径加工(s108)，实施切削加工(s108-2)、除应变加热处理(s109)、化合物除去(s110)、磨削加工(s111)。通过这样的方式，制成磁盘用铝合金基板(s112)。下面，针对各工序进行详细的说明。9-2.铸造工序首先，以形成预定的合金组成范围的方式，按照常规方法进行加热、熔融从而调制铝合金熔液。由通过这样的方式调制的铝合金熔液，通过连续铸造法(cc铸造法)，铸造2.0～10.0mm左右的铝合金的薄铸造板。在此，在连续铸造法中，一对辊(或带式连铸机、块连铸机)之间通过铸造喷嘴供给熔液，通过来自辊的排热直接铸造铝合金的铸造板。在基于连续铸造法的铝合金的薄铸造板的铸造中，优选使铸造后经过1分钟后的铸造板的温度为230～350℃。并且，优选使铸造后经过10分钟后的铸造板的温度为150℃以上、小于230℃。这样，使铸造后经过1分钟后的铸造板的温度为230～350℃，并且使铸造后经过10分钟后的铸造板的温度为150℃以上、小于230℃，从而使细微的第二相粒子(主要为al-fe系化合物)大量分布，能够得到提高强度的效果。通过这样的细微的第二相粒子的大量分布，从而能够比dc铸造法进一步实现提高强度的效果。此外，作为cc法中冷却铸造板的方法，例如可以采用风机空冷、喷雾冷却、喷淋冷却及水冷等的方法。9-3.均质化处理阶段接着，根据需要对所铸造的铝合金的铸造板实施均质化处理。均质化处理的条件并没有特别的限定，例如优选设为300～450℃下0.5～24小时的加热条件。由此，抑制第二相粒子的尺寸的不均匀性，得到减低铝合金基板的强度和颤振特性的波动的效果。9-4.冷轧工序接着，通过冷轧将热轧板加工成0.45～1.8mm左右的冷轧板。这样，通过冷轧将热轧板打造成需要的产品板厚。冷轧的条件并没有特别的限定，根据所需的产品板强度和板厚确定即可，关于冷轧率，优选设为10～95％。在冷轧之前或冷轧的过程中，也可以是，为了确保冷轧加工性而设置退火处理工序。在实施退火处理的情况下，例如在分批式退火中为200℃以上380℃以下的温度下、0.1～10小时的条件。9-5.盘坯的冲切工序和加压平坦化退火处理工序将通过上述的方式制作的铝合金板冲切为圆环状，制备圆环状的铝合金板。接着，对该圆环状的铝合金板实施220～450℃下、30分钟以上的加压平坦化退火处理，制备平坦化的圆环状的盘坯。9-6.机械加工工序、除应变加热处理及化合物除去工序接着，对平坦化后的盘坯，如上述的图1所示，实施内径外径加工(s108)、除应变加热处理(s109)、化合物除去(s110)、磨削加工(s111)，或者如图2所示，在图1的工序中的s108和s109之间设置预备磨削工序(s108-1)，或者如图3所示，同样地在图1的工序中s108和s109之间设置切削工序(s108-2)。在此，在除应变加热处理工序中，优选将铝合金板以250～400℃的温度进行5～15分的加热处理。另外，如上述实施化合物除去(s110)。由以上，得到铝合金基板。10.磁盘用铝合金基盘的制造方法处理通过以上的方式制作的铝合金基板制作铝合金基盘的工序与在第1发明中制造的铝合金基板和第2铝合金基板相同。即，在对铝合金基板的表面实施脱脂处理、酸蚀刻处理、剥黑膜处理后实施浸锌处理(zn置换处理)(图1的s114、图4的s113)，进一步，对实施了浸锌处理的表面实施无电解镀ni-p处理作为基底处理(图1的s115、图4的s114)。通过这样的方式，制作磁盘用铝合金基盘(图1的s116、图4的s115)。下面，针对各工序详细地进行说明。优选地，脱脂处理使用市售的ad-68f(上村工业制)脱脂液等，在温度40～70℃、处理时间3～10分钟、浓度200～800ml/l的条件下进行脱脂。优选地，酸蚀刻处理使用市售的ad-107f(上村工业制)蚀刻液等，在温度50～75℃、处理时间0.5～5分钟、浓度20～100ml/l的条件下进行酸蚀刻。优选地，酸蚀刻处理之后，作为通常的剥黑膜处理，使用hno3，在温度15～40℃、处理时间10～120秒、浓度：10～60％的条件下进行剥黑膜处理。优选地，1st浸锌处理使用市售的ad-301f-3x(上村工业制)的浸锌处理液等，在温度10～35℃、处理时间0.1～5分钟、浓度100～500ml/l的条件下进行。优选地，1st浸锌处理之后，使用hno3，在温度15～40℃、处理时间10～120秒、浓度：10～60％的条件下进行zn剥离处理。其后，以与1st浸锌处理相同的条件实施2nd浸锌处理。对2nd浸锌处理的铝合金基材表面，实施无电解下的镀ni-p处理工序作为基底镀敷处理(图1的s115、图4的s114)。优选地，无电解下的镀ni-p处理使用市售的nimudenhdx(上村工业制)镀液等，在温度80～95℃、处理时间30～180分、ni浓度3～10g/l的条件下进行镀敷处理。通过上述的镀敷前处理工序和无电解下的镀ni-p处理工序，得到基底镀敷处理了的磁盘用铝合金基盘(图1的s116、图4的s115)。11.磁盘的制造最后，通过研磨使基底镀敷处理后的铝合金基盘的表面平滑，在研磨表面设置基底层，在其上通过溅射附着磁性体层而形成(图1的s117、图4的s116)，由此制成磁盘。此外，优选地，在磁性体层之上进一步设置保护膜及润滑层。实施例下面，基于实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。1.第1实施例本发明例1～47、比较例1～23在该第1实施例中，示出对于铝合金的铸造方法使用了dc铸造法的例子。首先，按照常规方法熔解表1所示的成分组成的各铝合金，熔制铝合金熔液。接着，通过dc铸造法铸造铝合金熔液，制作铸坯。将上述铸坯的两面表面切削15mm，在520℃下实施1小时的均质化处理。接着，在热轧开始温度460℃、热轧结束温度280℃下进行热轧，制成板厚3.0mm的热轧板。热轧板不进行中间退火，通过冷轧(轧制率73.3％)轧制至板厚0.8mm，作为最终轧制板。将通过这样的方式得到的铝合金板冲切为外径98mm、内径24mm的圆环状，制作圆环状铝合金板。此外，在表1中“-”表示小于检测界限。[表1]表1对通过上述的方式得到的圆环状铝合金板，在1.5mpa的压力下，实施300℃下3小时的加压平坦化退火，制成盘坯。对该盘坯实施表2、3所示的工序，制作铝合金基板，进行外周面的基于观察的评价。此外，通过内外径的切削加工，形成外径97mm、内径25mm。此外，在表2、3中，“↑”表示与上栏相同。例如，在表2的内径外径加工的情况下，c1表示如其上的栏所记载的为“外径97mm、内径25mm”。而且，c2与c1相同，为“外径97mm、内径25mm”，以下同样地，c3～c27也表示“外径97mm、内径25mm”。除应变加热处理等中也同样。[表2][表3]其后，对铝合金基板实施镀敷前处理。首先，利用ad-68f(上村工业制)的浓度400ml/l进行50℃下、5分钟的碱脱脂后，利用ad-107f(上村工业制)的浓度50ml/l进行60℃下、3分钟的酸蚀刻，并且利用室温的30％hno3水溶液(25℃)进行50秒钟的剥黑膜。接着，利用25℃浸锌处理液(ad-301f，上村工业制)的浓度300ml/l进行50秒钟的1st浸锌处理。1st浸锌处理后，利用30％hno3水溶液(25℃)进行60秒钟的浸锌(zn)层的剥离，利用25℃浸锌处理液(ad-301f，上村工业制)的浓度300ml/l再次进行1分钟的2nd浸锌处理。针对实施了2nd浸锌处理的铝合金基板，利用90℃的无电解镀ni-p处理液(nimudenhdx，上村工业制)，实施无电解镀敷14μm厚度的ni-p(120分钟)，接着利用毛布进行精研磨(单面研磨量4μm)，得到评价用的铝合金基盘。其后，进行外周面的基于观察的评价。评价1：磨削加工后的外周面的观察将镀敷前处理前的磨削加工后的铝合金基板用作评价用试样，使用数字显微镜(keyence制造的vhx-6000)以2000倍拍摄外周面5视野。根据拍摄影像，评价孔的最大径的测量和个数。由5视野的平均计算每1mm2的孔数，若最大径10μm以上的孔小于100个/mm2则为优良(◎)，若为100个/mm2以上、200个/mm2以下则为良好(○)，若多于200个/mm2则为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表4、5中示出结果。[表4]表4[表5]表5评价2：无电解镀ni-p处理后的铝合金基盘的外周面的观察将无电解镀ni-p处理后的铝合金基盘用作评价用试样，使用sem以1000倍拍摄该外周面5视野。根据拍摄影像，评价凸部的最大径的测量和个数。由5视野的平均计算每1mm2的凸部的数量，若最大径4～10μm的凸部小于150个/mm2则为优良(◎)，若为150个/mm2以上、300个/mm2以下则为良好(○)，若多于300个/mm2则为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表4、5中示出结果。评价3：镀敷平滑性将无电解镀ni-p后的铝合金基盘用作评价用试样，将其浸渍在50℃的50vol％硝酸中3分钟，刻蚀ni-p镀敷表面。使用sem以5000倍的倍率拍摄蚀刻后的ni-p镀敷表面5视野。此外，1视野的面积为536μm2。根据拍摄5视野的图像测量镀敷缺陷数，求得5视野的算术平均值。将该算术平均值小于5个/视野设为优良(◎)，将5个以上、小于10个/视野定为良好(○)，将10个以上/视野定为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表4、5中示出结果。评价4：颤振特性将无电解镀ni-p处理及表面研磨后的铝合金基盘用作评价用试样，评价颤振特性。此外，虽然应以涂敷作为产品的磁性体的磁盘进行评价，但已确认的是，铝合金基盘的评价结果与磁盘的评价结果相同。在空气的存在下，将评价用试样设置在市售的硬盘驱动器中，进行测量。硬盘驱动器使用seagate制造的st2000(商品名)，电机驱动通过将alivetechno制造的sld102(商品名)直接连接于电机而驱动。转数设为7200rpm，通常设置多个盘，在其上部的磁盘表面用激光多普勒计即小野测器制造的ldv1800(商品名)观察表面的振动。观察到的振动用小野测器制造的fft分析装置ds3200(商品名)进行频谱分析。观察在硬盘驱动器的盖开孔，从该孔观察硬盘表面来进行。另外，移除设置在市售的硬盘上的可压缩板来进行评价。颤振特性的评价是通过显现颤振的300～1500hz附近的宽峰的最大移位(磁盘颤振(nm))来进行的。已知该宽峰被称为nrro(non－repeatablerunout：不可重复偏转)，对头部的定位误差影响很大。颤振特性的评价在空气中将30nm以下的情况定为优良(◎)，将超过30nm而50nm以下的情况定为良好(○)，将大于50nm的情况定为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表4、5中示出结果。本发明例1～23及比较例1～12是改变铝合金的组分的实施例，本发明例24～47及比较例13～23是改变铝合金基板的处理工序的实施例。本发明例1～47由于合金组成及化合物除去工序的条件在本发明范围内，因此所有的评价结果为合格。在比较例1中，因fe的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。在比较例2中，因fe的含量多而粗大的al-fe系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例3中，因cu的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。并且，浸锌被膜不均匀，镀敷表面产生缺陷，故而镀敷平滑性也不合格。在比较例4中，因cu的含量多而粗大的al-cu系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例5中，因zn的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。并且，浸锌被膜不均匀，镀敷表面产生缺陷，故而镀敷平滑性也不合格。在比较例6中，因zn的含量多而母相的电位过低，在镀敷处理的各工序中，母相的熔解多而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例7中，因mn的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。在比较例8中，因mn的含量多而粗大的al-mn系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此，镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例9中，因si的含量多而粗大的si颗粒多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例10中，因ni的含量多而不能轧制，不能得到评价用试样。在比较例11中，因cr的含量多而粗大的al-cr系化合物多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例12中，因zr的含量多而粗大的al-zr系化合物多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例13～15中，没有应用化合物除去工序。其结果，表面因研磨而镀敷平滑性良好，但镀敷后的外周面的凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例16中，因化合物除去工序中使用的药液的hf浓度低而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例17中，因化合物除去工序中使用的药液的hf浓度过高，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例18中，因化合物除去工序中使用的药液的hno3浓度低而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节。并且，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸，产生镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例19中，因化合物除去工序中使用的药液的hno3浓度过高而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周部端面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例20中，因化合物除去工序中使用的药液的温度低而反应速度慢，不能充分地除去化合物，不能充分地除去外周面的化合物。其结果，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例21中，因化合物除去工序中使用的药液的温度高而反应速度快，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例22中，因化合物除去工序的时间短而反应时间不充分，没有充分地除去化合物，不能充分地除去外周面的化合物。其结果，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例23中，因化合物除去工序的时间长而过度进行反应，导致铝基板的熔解大而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。2.第2实施例本发明例48～94、比较例24～46在该第2实施例中，示出铝合金的铸造方法使用cc铸造法的例子。首先，按照常规方法熔解表1所示的成分组成的各铝合金，熔制铝合金熔液。接着，通过cc铸造法铸造铝合金熔液，制作厚度6mm的薄铸造板。接着，通过冷轧将上述铸造板轧制至板厚0.8mm，制成最终轧制板。将通过这样的方式得到的铝合金板冲切成外径98mm、内径24mm的圆环状，制作圆环状铝合金板。对通过上述的方式得到的圆环状铝合金板，在1.5mpa的压力下，实施300℃下、3小时的加压平坦化退火，制成盘坯。对该盘坯实施表2、3所示的工序，制作铝合金基板，进行外周面的基于观察的评价。此外，通过内外径的切削加工，制成外径97mm、内径25mm。其后，对铝合金基板实施镀敷前处理。首先，利用ad-68f(上村工业制)的浓度400ml/l进行50℃下、5分钟的碱脱脂后，利用ad-107f(上村工业制)的浓度50ml/l进行60℃下、3分钟的酸蚀刻，并且利用室温的30％hno3水溶液(25℃)进行50秒钟剥黑膜。接着，利用25℃浸锌处理液(ad-301f，上村工业制)的浓度300ml/l进行50秒钟的1st浸锌处理。在1st浸锌处理后，以30％hno3水溶液(25℃)进行60秒钟的浸锌(zn)层的剥离，通过25℃浸锌处理液(ad-301f，上村工业制)的浓度300ml/l再次进行1分钟的2nd浸锌处理。针对实施了2nd浸锌处理的铝合金基板，利用90℃的无电解镀ni-p处理液(nimudenhdx，上村工业制)，实施无电解镀敷14μm厚度的ni-p(120分钟)，接着利用毛布来进行精研磨(单面研磨量4μm)，得到评价用的铝合金基盘。其后，进行外周面的基于观察的评价。评价1：磨削加工后的外周面的观察将镀敷前处理前的磨削加工后的铝合金基板用作评价用试样，使用数字显微镜(keyence制造的vhx-6000)以2000倍拍摄外周面5视野。根据拍摄影像，评价孔的最大径的测量和个数。由5视野的平均计算每1mm2的孔数，若最大径10μm以上的孔小于100个/mm2则为优良(◎)，若为100个/mm2以上、200个/mm2以下则为良好(○)，若多于200个/mm2则为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表6、7中示出结果。[表6]表6[表7]表7评价2：无电解镀ni-p处理后的铝合金基盘的外周面的观察将无电解镀ni-p处理后的铝合金基盘用作评价用试样，使用sem以1000倍拍摄该外周面5视野。根据拍摄影像，评价凸部的最大径的测量和个数。由5视野的平均计算每1mm2的凸部的数量，若最大径4～10μm的凸部小于150个/mm2则为优良(◎)，若为150个/mm2以上、300个/mm2以下则为良好(○)，若多于300个/mm2则为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表6、7中示出结果。评价3：镀敷平滑性将无电解镀ni-p后的铝合金基盘用作评价用试样，将其浸渍在50℃的50vol％硝酸中3分钟，刻蚀ni-p镀敷表面。使用sem以5000倍的倍率拍摄蚀刻后的ni-p镀敷表面5视野。此外，1视野的面积为536μm2。根据拍摄5视野的图像测量镀敷缺陷数，求得5视野的算术平均值。将该算术平均值小于5个/视野定为优良(◎)，将5个以上、小于10个/视野定为良好(○)，将10个以上/视野定为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表6、7中示出结果。评价4：颤振特性将无电解镀ni-p处理及表面研磨后的铝合金基盘用作评价用试样，评价颤振特性。此外，虽然应以涂敷作为产品的磁性体的磁盘进行评价，但已确认的是，铝合金基盘的评价结果与磁盘的评价结果相同。在空气的存在下，将评价用试样设置在市售的硬盘驱动器中，进行测量。硬盘驱动器使用seagate制造的st2000(商品名)，电机驱动通过将alivetechno制造的sld102(商品名)直接连接于电机而驱动。转数设为7200rpm，通常设置多个盘，在其上部的磁盘表面用激光多普勒计即小野测器制造ldv1800(商品名)观察表面的振动。观察到的振动用小野测器制造的fft分析装置ds3200(商品名)进行频谱分析。观察在硬盘驱动器的盖开孔，从该孔观察硬盘表面来进行。另外，移除设置在市售的硬盘上的可压缩板来进行评价。颤振特性的评价通过显现颤振的300～1500hz附近的宽峰的最大移位(磁盘颤振(nm))来进行。已知该宽峰被称为nrro(non－repeatablerunout：不可重复偏转)，对头部的定位误差影响很大。颤振特性的评价在空气中将30nm以下的情况定为优良(◎)，将超过30nm而50nm以下的情况定为良好(○)，将大于50nm的情况定为不良(×)。将◎和○定为合格，将×定为不合格。在表6、7中示出结果。本发明例48～70及比较例24～35是改变铝合金的组成的实施例，本发明例71～94及比较例36～46是改变铝合金基板的处理工序的实施例。本发明例48～94，合金组成及化合物除去工序的条件在本发明范围内，因而所有评价结果合格。在比较例24中，因fe的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。在比较例25中，因fe的含量多而粗大的al-fe系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例26中，因cu的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。并且，浸锌被膜不均匀，镀敷表面产生缺陷，故而镀敷平滑性也不合格。在比较例27中，因cu的含量多而粗大的al-cu系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例28中，因zn的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。另外，浸锌被膜不均匀，镀敷表面产生缺陷，故而镀敷平滑性也不合格。在比较例29中，因zn的含量多而母相的电位过低，因此在镀敷处理的各工序中，母相的熔解多而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例30中，因mn的含量少而第二相粒子少，颤振特性不合格。在比较例31中，因mn的含量多而粗大的al-mn系化合物多，化合物除去工序后的孔多，伴随于此镀ni-p后的凸部也多。其结果，镀敷平滑性不合格。在比较例32中，因si的含量多而粗大的si颗粒多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例33中，因ni的含量多而不能轧制，不能得到评价用试样。在比较例34中，因cr的含量多而粗大的al-cr系化合物多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例35中，因zr的含量多而粗大的al-zr系化合物多，即使应用化合物除去工序也不能除去。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例36～38中，没有应用化合物除去工序。其结果，表面因研磨而镀敷平滑性良好，但镀敷后的外周面的凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例39中，因化合物除去工序中使用的药液的hf浓度低而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例40中，因化合物除去工序中使用的药液的hf浓度过高，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸。因此，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例41中，因化合物除去工序中使用的药液的hno3浓度低而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节。另外，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸，产生镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例42中，因化合物除去工序中使用的药液的hno3浓度过高而不能充分地除去外周面的化合物，镀敷后的外周部端面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例43中，因化合物除去工序中使用的药液的温度低而反应速度慢，不能充分地除去化合物，不能充分地除去外周面的化合物。其结果，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例44中，因化合物除去工序中使用的药液的温度高而反应速度快，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。在比较例45中，因化合物除去工序的时间短而反应时间不充分，没有充分地除去化合物，不能充分地除去外周面的化合物。其结果，镀敷后的外周面凸部多，大量产生结节，不合格。在比较例46中，因化合物除去工序的时间长而反应过度进行，铝合金基板的熔解大而大量产生凹凸。其结果，产生镀ni-p后的外周面的凸部及镀敷表面的缺陷，镀敷平滑性不合格。工业上的可利用性通过提供一种具有减少盘颤，且减少无电解镀ni-p表面的缺陷这样的特征的磁盘用铝合金基盘，从而可以提供一种磁盘，其使得磁盘的薄壁化带来的搭载张数的增加和每1张的存储容量的增加成为可能，有助于hdd的高容量化。当前第1页12当前第1页12