1.一种存储系统，包括：
多个第一存储单元，所述多个第一存储单元耦合至第一位线；
电压偏置晶体管，所述电压偏置晶体管具有被配置为接收第一系统电压的第一端子、第二端子以及控制端子；
第一页缓冲器，所述第一页缓冲器耦合至所述第一位线和所述电压偏置晶体管的所述第二端子；
共源晶体管，所述共源晶体管具有耦合至所述第一位线的第一端子、被配置为接收第二系统电压的第二端子、以及控制端子；以及
偏置电路，所述偏置电路包括：
充电电流再现单元，所述充电电流再现单元耦合至所述电压偏置晶体管，并且被配置为根据流经所述电压偏置晶体管的充电电流来生成充电参考电压；
单元电流再现单元，所述单元电流再现单元耦合至所述共源晶体管，并且被配置为根据流经所述共源晶体管的单元电流来生成单元参考电压；
电流比较器，所述电流比较器耦合至所述充电电流再现单元和所述单元电流再现单元；以及
位线偏置发生器，所述位线偏置发生器耦合至所述电流比较器和所述第一页缓冲器，并且被配置为根据所述第一位线的充电状态来生成和调整位线偏置电压。
2.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述电流比较器包括：
第一电流发生器，所述第一电流发生器被配置为根据所述充电参考电压来生成第一复制充电电流；以及
第二电流发生器，所述第二电流发生器被配置为根据所述单元参考电压来生成第一复制单元电流。
3.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述位线偏置发生器被配置为通过所述第一复制充电电流与所述第一复制单元电流之间的差异来检测所述第一位线的充电状态。
4.根据权利要求2所述的存储系统，其中：
当所述第一复制充电电流大于所述第一复制单元电流时，所述位线偏置发生器提高所述位线偏置电压；并且
当所述第一复制充电电流基本上等于所述第一复制单元电流时，所述位线偏置发生器保持所述位线偏置电压。
5.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述第一页缓冲器包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合至所述电压偏置晶体管的所述第二端子的第一端子、第二端子以及被配置为接收预充电控制信号的控制端子；
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合至所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子、第二端子以及被配置为接收钳位控制信号的控制端子；
第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合至所述第二晶体管的所述第二端子的第一端子、耦合至所述第一位线的第二端子以及被配置为接收所述位线偏置电压的控制端子；
第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合至所述第二晶体管的所述第二端子的第一端子、耦合至感测放大器的第二端子以及被配置为接收感测控制信号的控制端子；以及
第五晶体管，所述第五晶体管具有耦合至所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子、耦合至所述第四晶体管的所述第二端子的第二端子以及被配置为接收预充电选择信号的控制端子。
6.根据权利要求1所述的存储系统，其中，所述充电电流再现单元包括：
第六晶体管，所述第六晶体管具有被配置为接收所述第一系统电压的第一端子、第二端子以及耦合至所述电压偏置晶体管的所述控制端子的控制端子；
第一运算放大器，所述第一运算放大器具有耦合至所述第六晶体管的所述第二端子的正输入端子、耦合至所述电压偏置晶体管的所述第二端子的负输入端子以及被配置为输出所述充电参考电压的输出端子；以及
第七晶体管，所述第七晶体管具有耦合至所述第六晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述第二系统电压的第二端子以及耦合至所述第一运算放大器的所述输出端子的控制端子。
7.根据权利要求6所述的存储系统，其中，所述单元电流再现单元包括：
第八晶体管，所述第八晶体管具有被配置为接收所述第一系统电压的第一端子、第二端子以及控制端子；
第二运算放大器，所述第二运算放大器具有耦合至所述第八晶体管的所述第二端子的正输入端子、耦合至所述第一位线的负输入端子以及耦合至所述第八晶体管的所述控制端子并且被配置为输出所述单元参考电压的输出端子；以及
第九晶体管，所述第九晶体管具有耦合至所述第八晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述第二系统电压的第二端子以及耦合至所述共源晶体管的所述控制端子的控制端子。
8.根据权利要求7所述的存储系统，其中：
第一电流发生器包括第十晶体管，所述第十晶体管具有第一端子、被配置为接收所述第二系统电压的第二端子以及被配置为接收所述充电参考电压的控制端子；并且
第二电流发生器包括第十一晶体管，所述第十一晶体管具有被配置为接收所述第一系统电压的第一端子、耦合至所述第十晶体管的所述第一端子的第二端子以及被配置为接收所述单元参考电压的控制端子。
9.根据权利要求8所述的存储系统，其中：
所述第十晶体管和所述第七晶体管是n型晶体管；并且
所述第十一晶体管和所述第八晶体管是p型晶体管。
10.根据权利要求8所述的存储系统，其中，所述位线偏置发生器包括：
第三运算放大器，所述第三运算放大器具有被配置为接收第二偏置电压的正输入端子、耦合至所述第十晶体管的所述第一端子的负输入端子以及被配置为输出所述位线偏置电压的输出端子；
第十二晶体管，所述第十二晶体管具有耦合到所述第三运算放大器的所述输出端子的第一端子、耦合到所述第三运算放大器的所述负输入端子的第二端子以及耦合到所述第十二晶体管的所述第一端子的控制端子；以及
电阻器，所述电阻器具有耦合至所述第十二晶体管的所述第二端子的第一端子以及被配置为接收所述第二系统电压的第二端子。
11.根据权利要求2所述的存储系统，其中，所述电流比较器还包括：
第三电流发生器，所述第三电流发生器被配置为根据所述充电参考电压来生成第二复制充电电流；
第四电流发生器，所述第四电流发生器被配置为根据所述单元参考电压来生成第二复制单元电流；以及
反相器，所述反相器具有耦合至所述第三电流发生器和所述第四电流发生器的输入端子以及被配置为根据所述第二复制充电电流和所述第二复制单元电流之间的差异来输出感测指示信号的输出端子。
12.根据权利要求1所述的存储系统，还包括：
多个第二存储单元，所述多个第二存储单元耦合至第二位线；以及
第二页缓冲器，所述第二页缓冲器耦合至所述第二位线、所述电压偏置晶体管的所述第二端子、所述共源晶体管的所述第一端子以及所述位线偏置发生器。
13.一种偏置电路，包括：
充电电流再现单元，所述充电电流再现单元被配置为耦合至电压偏置晶体管，并且根据流经所述电压偏置晶体管的充电电流来生成充电参考电压；
单元电流再现单元，所述单元电流再现单元被配置为耦合至共源晶体管，并且根据流经所述共源晶体管的单元电流来生成单元参考电压；
电流比较器，所述电流比较器耦合至所述充电电流再现单元和所述单元电流再现单元，所述电流比较器包括：
位线偏置发生器，所述位线偏置发生器耦合至所述电流比较器，并且所述位线偏置发生器被配置为耦合至页缓冲器，并且根据位线的充电状态来生成和调整位线偏置电压，以控制所述页缓冲器对所述位线进行充电。
14.根据权利要求13所述的偏置电路，其中，所述电流比较器包括：
第一电流发生器，所述第一电流发生器被配置为根据所述充电参考电压来生成第一复制充电电流；以及
第二电流发生器，所述第二电流发生器被配置为根据所述单元参考电压来生成第一复制单元电流。
15.根据权利要求14所述的偏置电路，其中，所述位线偏置发生器被配置为通过所述第一复制充电电流与所述第一复制单元电流之间的差异来检测所述位线的充电状态。
16.根据权利要求14所述的偏置电路，其中：
当所述第一复制充电电流大于所述第一复制单元电流时，所述位线偏置发生器提高所述位线偏置电压；并且
当所述第一复制充电电流基本上等于所述第一复制单元电流时，所述位线偏置发生器保持所述位线偏置电压。
17.根据权利要求13所述的偏置电路，其中，所述充电电流再现单元包括：
第一晶体管，所述第一晶体管具有被配置为接收第一系统电压的第一端子、第二端子以及耦合至所述电压偏置晶体管的控制端子的控制端子；
第一运算放大器，所述第一运算放大器具有耦合至所述第一晶体管的所述第二端子的正输入端子、耦合至所述电压偏置晶体管的所述第二端子的负输入端子以及被配置为输出所述充电参考电压的输出端子；以及
第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合至所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收第二系统电压的第二端子以及耦合至所述第一运算放大器的所述输出端子的控制端子。
18.根据权利要求17所述的偏置电路，其中，所述单元电流再现单元包括：
第三晶体管，所述第三晶体管具有被配置为接收所述第一系统电压的第一端子、第二端子以及控制端子；
第二运算放大器，所述第二运算放大器具有耦合至所述第三晶体管的所述第二端子的正输入端子、耦合至所述位线的负输入端子以及耦合至所述第三晶体管的所述控制端子并且被配置为输出所述单元参考电压的输出端子；以及
第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合至所述第三晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述第二系统电压的第二端子以及耦合至所述共源晶体管的所述控制端子的控制端子。
19.根据权利要求18所述的偏置电路，其中：
所述第一电流发生器包括第五晶体管，所述第五晶体管具有第一端子、被配置为接收所述第二系统电压的第二端子以及被配置为接收所述充电参考电压的控制端子；并且
所述第二电流发生器包括第六晶体管，所述第六晶体管具有被配置为接收所述第一系统电压的第一端子、耦合至所述第五晶体管的所述第一端子的第二端子以及被配置为接收所述单元参考电压的控制端子。
20.根据权利要求19所述的偏置电路，其中：
所述第五晶体管和所述第二晶体管是n型晶体管；并且
所述第六晶体管和所述第三晶体管是p型晶体管。
21.根据权利要求20所述的偏置电路，其中，所述位线偏置发生器包括：
第三运算放大器，所述第三运算放大器具有被配置为接收第二偏置电压的正输入端子、耦合至所述第五晶体管的所述第一端子的负输入端子以及被配置为输出所述位线偏置电压的输出端子；
第七晶体管，所述第七晶体管具有耦合到所述第三运算放大器的所述输出端子的第一端子、耦合到所述第三运算放大器的所述负输入端子的第二端子以及耦合到所述第七晶体管的所述第一端子的控制端子；以及
电阻器，所述电阻器具有耦合至所述第七晶体管的所述第二端子的第一端子以及被配置为接收所述第二系统电压的第二端子。
22.根据权利要求14所述的偏置电路，其中，所述电流比较器还包括：
第三电流发生器，所述第三电流发生器被配置为根据所述充电参考电压来生成第二复制充电电流；
第四电流发生器，所述第四电流发生器被配置为根据所述单元参考电压来生成第二复制单元电流；以及
反相器，所述反相器具有耦合至所述第三电流发生器和所述第四电流发生器的输入端子以及被配置为根据所述第二复制充电电流和所述第二复制单元电流之间的差异来输出感测指示信号的输出端子。