技术特征：
1.一种包括多个存储器单元的存储器器件，每个存储器单元包括：多栅极铁电栅场效应晶体管(fefet)，包括：第一源极/漏极端子；第二源极/漏极端子；以及栅极，包括多个铁电层，所述铁电层被配置为使得所述铁电层中的每个具有相应的唯一切换电场。2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电层中的每个具有不同的表面积。3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电层中的每个具有不同的介电常数。4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电层处于堆叠布置中。5.根据权利要求4所述的存储器器件，还包括：导电缓冲层或非导电层，位于所述铁电层中的相邻铁电层之间。6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述铁电层串联电连接。7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个铁电层包括n个铁电层，其中，n是正整数，并且其中，所述fefet具有2n个阈值电压(vt)电平。8.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述多个铁电层包括后道工序(beol)铁电栅极结构，并且其中，所述存储器器件还包括：衬底，限定具有第一掺杂类型的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区、以及位于所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的沟道区；以及栅极金属层，在所述衬底上方横向布置在所述第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；非铁电栅极氧化物，位于所述栅极金属层与所述衬底之间；以及通孔，将所述栅极金属层电耦合至所述beol铁电栅极结构的第一端。9.一种存储器器件，包括：多位存储器单元的阵列，以行和列布置，所述行中的每个具有对应字线，所述列中的每个具有对应源极位线、对应读位线和对应写位线；多个存取晶体管，各自具有连接至多位存储器单元中的相应一个的第一源极/漏极端子、连接至所述对应列的所述写位线的第二源极/漏极端子、以及连接至所述对应行的所述字线的栅极端子；其中，所述多位存储器单元中的每个包括铁电场效应晶体管(fefet)，所述fefet具有耦合至所述对应列的所述源极位线的第一源极/漏极端子、耦合至所述对应列的所述读位线的第二源极/漏极端子、以及包括n个铁电层(n是大于1的正整数)的栅极，所述n个铁电层被配置为使得所述fefet具有2n个阈值电压(vt)电平。10.一种操作存储器单元的方法，包括：提供存储器单元，所述存储器单元包括具有源极、漏极和栅极的多栅极铁电栅极场效应晶体管(fefet)；向所述栅极施加第一预定信号，以将第一数据值写入至所述存储器单元的第一位；向所述栅极施加第二预定信号以将所述第一数据值写入至所述存储器单元的第二位。
技术总结
一种存储器器件，包括多个存储器单元。每个存储器单元包括具有第一源极/漏极端子、第二源极/漏极端子和栅极的多栅极FeFET，该栅极具有多个铁电层，该铁电层被配置为使得铁电层中的每个具有相应的唯一切换电场。本发明的实施例还涉及一种操作存储器单元的方法。施例还涉及一种操作存储器单元的方法。施例还涉及一种操作存储器单元的方法。
技术研发人员：喻鹏飞
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.21
技术公布日：2021/10/8