管芯电压调节的制作方法

管芯电压调节
1.交叉引用
2.本技术要求宋(song)等人于2020年6月25日提交的题为“管芯电压调节(die voltage regulation)”的第63/044,237号美国临时专利申请和于2021年6月3日提交的题为“管芯电压调节”的第17/338,458号美国专利申请的优先权，其每一项均转让给本技术的受让人，并且其每一项明确地通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本技术领域涉及管芯电压调节。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，可将二进制存储器单元编程为通常由逻辑1或逻辑0表示的两种支持状态中的一者。在一些实例中，单个存储器单元可支持两种以上状态，可以存储其中的任何一种。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，组件可将状态写入或编程到存储器装置中。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、静态ram(sram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，feram)即使在不存在外部电源的情况下也可以长时间保持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，dram)在与外部电源断开连接时可失去其存储状态。


技术实现要素：

6.描述了一种设备。该设备可包含：第一管芯，其包括经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件；第二管芯，其包括易失性存储器，易失性存储器包括存储器单元和与存储器单元隔离的电容器，其中存储器单元包括电容器；以及导电线，其耦合第二管芯的电容器和经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件。
7.描述了一种方法。该方法可包含在布置于第一管芯上的第一组件处生成电压；使用电容器调节电压，电容器通过导电线与第一组件耦合且布置在第二管芯上，第二管芯包括包含电容器的多个存储器单元，其中在电容器与多个存储器单元隔离的情况下调节电压；以及将由电容器调节的电压施加到布置在第一管芯上的一或多个组件。
8.描述了一种设备。该设备可包含与多个导电垫接触的衬底；布置在衬底上的绝缘材料；第一管芯，其至少部分地由绝缘材料包围且通过第一导电线与多个导电垫中的第一导电垫耦合，第一管芯包括经配置以生成用于第一管芯的电压的组件；第二管芯，其至少部分地由绝缘材料包围且通过第二导电线与多个导电垫中的第二导电垫耦合，第二管芯包括
易失性存储器，易失性存储器包括经配置为存储器单元的多个电容器，并且第二管芯包括与多个电容器隔离的电容器；以及第三导电线，其与经配置以生成用于第一管芯和第二管芯的电容器的电压的组件耦合，第二管芯的电容器与经配置为存储器单元的多个电容器隔离。
附图说明
9.图1图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的系统的实例。
10.图2图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的存储器子系统的实例。
11.图3图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的裸片的实例。
12.图4图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置的实例。
13.图5图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置的实例。
14.图6示出了根据本公开的方面的支持管芯电压调节的装置的框图。
15.图7示出了图示根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的方法的流程图。
具体实施方式
16.诸如电子装置之类的装置可包含提供不同功能的多个管芯。例如，装置可包含第一管芯或非易失性存储器管芯，第一管芯是提供处理功能的逻辑管芯，非易失性存储器管芯用作电子装置的存储器。为了操作，第一管芯可使用由第一管芯上的一或多个组件生成的各种电压。例如，第一管芯可包含输出供第一管芯使用的电压的电压源、电压泵、低压差(ldo)电压调节器、输入/输出(i/o)组件或其它组件(或其任何组合)。在一些情况下，由第一管芯上的组件生成的电压可由电容器调节，使得电压不偏离工作范围的阈值。但是，在第一管芯上包含电容器以调节电压可能浪费第一管芯上的空间或者成本过高，以及其它缺点。并且附加地或替代地，使用第一管芯外部的离散独立电容器来调节电压可增加含有第一管芯和外部电容器的封装的大小，这对于各种应用(例如，移动应用)来说可能是不合需要的。
17.根据本文描述的技术，第二管芯上的电容器可用于调节由第一管芯上的一或多个组件产生的电压。电容器可类似于第二管芯上的易失性存储器单元的一或多个其它电容器，第二管芯可为dram管芯。在其它优点中，相对于在第一管芯上使用内部电容器，在第二管芯上使用电容器可更具成本效益和空间效率，并且相对于独立的离散外部电容器，电容器可以更低调。为了能够通过第二管芯上的电容器进行电压调节，一或多条导电线可将电容器连接到生成待调节电压的组件。在一些实例中，电容器可与第二管芯上的一或多个组件(例如，存储器单元和相关联的存取电路)隔离，这可增加电容器的可靠性(例如，通过限制电容器暴露于其额定电压)。
18.本公开的特征最初在参考图1和2描述的系统和子系统的上下文中描述。在如参考图3至5所描述的管芯和装置的上下文中描述本公开的特征。通过参考涉及如参考图6和图7所描述的管芯电压调节的设备图和流程图来进一步示出和描述本公开的这些和其它特征。
19.图1图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的系统100的实例。系统100可包含在诸如计算机或电话的电子装置中。系统100可包含主机装置105和存储器子系统110。主机装置105可以是与接口控制器115以及包含系统100的电子装置的其它组件接口的
处理器或片上系统(soc)。存储器子系统110可存储并提供对主机装置105的电子信息(例如，数字信息、数据)的存取。存储器子系统110可包含接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125。在一些实例中，接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125可包含在诸如封装130的相同物理封装中。然而，接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125可布置在不同的相应管芯(例如，硅管芯)上。
20.系统100中的装置可通过各种导电线(例如，迹线、印刷电路板(pcb)布线、再分布层(rdl)布线)耦合，这些导电线可实现装置之间的信息(例如，命令、地址、数据)的通信。导电线可构成信道、数据总线、命令总线、地址总线等。
21.存储器子系统110可经配置以提供非易失性存储器125的益处，同时保持与支持用于不同类型的存储器(例如易失性存储器120等)的协议的主机装置105的兼容性。例如，非易失性存储器125可提供例如非易失性、较高容量或较低功耗等益处(例如，相对于易失性存储器120)。但主机装置105可能与非易失性存储器125的各个方面不兼容或配置效率低下。例如，主机装置105可支持与非易失性存储器125不兼容的电压、存取延迟、协议、页大小等。为了补偿主机装置105与非易失性存储器125之间的不兼容性，存储器子系统110可配置有易失性存储器120，其可与主机装置105兼容且用作非易失性存储器125的高速缓存。因此，主机装置105可以使用易失性存储器120支持的协议，同时受益于非易失性存储器125的优点。
22.在一些实例中，系统100可包含在计算装置、电子装置、移动计算装置或无线装置中或与其耦合。装置可以是便携式电子装置。例如，装置可以是计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴装置、互联网连接的装置等。在一些实例中，装置可经配置以用于经由基站或接入点进行双向无线通信。在一些实例中，与系统100相关联的装置能够进行机器型通信(mtc)、机器对机器(m2m)通信或设备对设备(d2d)通信。在一些实例中，与系统100相关联的装置可被称为用户设备(ue)、站(sta)、移动终端等。
23.主机装置105可经配置以使用接口控制器115所支持的第一协议(例如，低功率双倍数据速率(lpddr))与存储器子系统110接口。因此，在一些实例中，主机装置105可直接与接口控制器115接口，且间接与非易失性存储器125和易失性存储器120接口。在替代的实例中，主机装置105可直接与非易失性存储器125和易失性存储器120接口。主机装置105还可与包含系统100的电子装置的其它组件接口。主机装置105可为或包含soc、通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其可为这些类型的组件的组合。在一些实例中，主机装置105可被称为主机。
24.接口控制器115可经配置以代表主机装置105与易失性存储器120和非易失性存储器125接口(例如，基于主机装置105发出的一或多个命令或请求)。例如，接口控制器115可以代表主机装置105促进数据在易失性存储器120和非易失性存储器125中的检索和存储。因此，接口控制器115可促进各种子组件之间的数据传送，例如主机装置105、易失性存储器120或非易失性存储器125中的至少一些之间的数据传送。接口控制器115可以使用第一协议与主机装置105和易失性存储器120接口，并且可以使用非易失性存储器125所支持的第二协议与非易失性存储器125接口。
25.非易失性存储器125可经配置以存储包含系统100的电子装置的数字信息(例如，
数据)。因此，非易失性存储器125可包含一或多个存储器单元阵列和经配置以操作一或多个存储器单元阵列的本地存储器控制器。在一些实例中，存储器单元可为或包括feram单元(例如，非易失性存储器125可为feram)。非易失性存储器125可经配置以使用与接口控制器115与主机装置105之间使用的第一协议不同的第二协议与接口控制器115接口。在一些实例中，非易失性存储器125可具有比易失性存储器120更长的存取操作延迟。例如，从非易失性存储器125检索数据可能比从易失性存储器120检索数据花费更长的时间。类似地，向非易失性存储器125写入数据可能比向易失性存储器120写入数据花费更长的时间。在一些实例中，非易失性存储器125可具有比易失性存储器120更小的页大小，如本文所描述。
26.易失性存储器120可经配置以作为诸如非易失性存储器125的一或多个组件的高速缓存来操作。例如，易失性存储器120可以存储包含系统100的电子装置的信息(例如，数据)。因此，易失性存储器120可包含一或多个存储器单元阵列和经配置以操作一或多个存储器单元阵列的本地存储器控制器。在一些实例中，存储器单元可为或包含dram单元(例如，易失性存储器可为dram)。非易失性存储器125可经配置以使用在接口控制器115与主机装置105之间使用的第一协议与接口控制器115接口。
27.在一些实例中，易失性存储器120可具有比非易失性存储器125更短的存取操作延迟。例如，从易失性存储器120检索数据比从非易失性存储器125检索数据花费更少的时间。类似地，向易失性存储器120写入数据比向非易失性存储器125写入数据花费更少的时间。在一些实例中，易失性存储器120可具有比非易失性存储器125更大的页大小。例如，易失性存储器120的页大小可以是2千字节(2kb)，非易失性存储器125的页大小可以是64字节(64b)或128字节(128b)。
28.虽然非易失性存储器125可以是比易失性存储器120更高密度的存储器，但是存取非易失性存储器125可能比存取易失性存储器120花费更长的时间(例如，由于不同的体系结构和协议等原因)。因此，将易失性存储器120操作为高速缓存可减少系统100中的延迟。例如，通过从易失性存储器120而不是从非易失性存储器125检索数据，可以相对快速地满足对来自主机装置105的数据的存取请求。为了便于易失性存储器120作为高速缓存的操作，接口控制器115可包含多个缓冲器135。缓冲器135可布置在与接口控制器115相同的管芯上，并且可经配置以临时存储用于在一或多个存取操作(例如，存储和检索操作)期间在易失性存储器120、非易失性存储器125或主机装置105(或其任何组合)之间传送的数据。
29.存取操作也可被称为存取过程或存取程序，且可涉及由存储器子系统110的组件中的一或多个执行的一或多个子操作。存取操作的实例可包含其中将主机装置105提供的数据存储(例如，写入)在易失性存储器120或非易失性存储器125(或两者)中的存储操作，以及其中从易失性存储器120或非易失性存储器125获得(例如，读取)主机装置105请求的数据并将其返回给主机装置105的检索操作。
30.为了在存储器子系统110中存储数据，主机装置105可通过将存储命令(也称为存储请求、写入命令或写入请求)传输到接口控制器115来起始存储操作(或“存储过程”)。存储命令可以以非易失性存储器125中的一组非易失性存储器单元为目标。在一些实例中，一组存储器单元也可称为存储器的一部分。主机装置105还可将待写入到该组非易失性存储器单元的数据提供到接口控制器115。接口控制器115可以将数据临时存储在缓冲器135
‑
a中。在将数据存储在缓冲器135
‑
a中之后，接口控制器115可将数据从缓冲器135
‑
a传送到易
失性存储器120或非易失性存储器125或两者。在直写模式中，接口控制器115可将数据传送到易失性存储器120和非易失性存储器125。在回写模式中，接口控制器115可仅将数据传送到易失性存储器120。
31.在任一模式中，接口控制器115可识别易失性存储器120中用于存储与存储命令相关联的数据的一或多个易失性存储器单元的适当集合。为此，接口控制器115可以实现组关联映射，其中非易失性存储器125中的一或多个非易失性存储器单元的每个组(例如，块)可被映射到易失性存储器120中的多组易失性存储器单元。例如，接口控制器115可实现n路关联映射，其允许来自一组非易失性存储器单元的数据被存储在易失性存储器120中的n组易失性存储器单元中的一者。因此，接口控制器115可以通过参考与目标非易失性存储器单元组相关联的n组易失性存储器单元来管理作为非易失性存储器125的高速缓存的易失性存储器120。如本文所使用的，除非另有描述或指出，一“组”对象可以指一或多个对象。尽管参考组关联映射进行了描述，但是接口控制器115可以通过实现一或多个其它类型的映射(例如直接映射或关联映射等)来将易失性存储器120管理为高速缓存。
32.在确定哪n组易失性存储器单元与目标组非易失性存储器单元相关联之后，接口控制器115可将数据存储在n组易失性存储器单元中的一或多个中。这样，通过从较低延迟的易失性存储器120检索数据而不是从较高延迟的非易失性存储器125检索数据，可以有效地满足来自主机装置105的对数据的后续检索命令。接口控制器115可以基于与存储在n组易失性存储器120中的数据相关联的一或多个参数，例如数据的有效性、年龄或修改状态，来确定n组易失性存储器120中的哪一组存储数据。因此，通过将数据存储在易失性存储器120中，可完全(例如，在回写模式中)或部分(例如，在直写模式中)满足主机装置105的存储命令。为了跟踪存储在易失性存储器120中的数据，接口控制器115可为一或多组易失性存储器单元(例如，为每组易失性存储器单元)存储标签地址，该标签地址指示具有存储在一组给定易失性存储器单元中的数据的非易失性存储器单元。
33.为了从存储器子系统110检索数据，主机装置105可通过将检索命令(也称为检索请求、读取命令或读取请求)传输到接口控制器115来起始检索操作(也称为检索过程)。检索命令可以以非易失性存储器125中的一组一或多个非易失性存储器单元为目标。在接收到检索命令时，接口控制器115可检查易失性存储器120中的所请求的数据。例如，接口控制器115可检查与目标组非易失性存储器单元相关联的n组易失性存储器单元中的所请求的数据。如果n组易失性存储器单元中的一组存储请求数据(例如，存储目标组非易失性存储器单元的数据)，则接口控制器115可将数据从易失性存储器120传送到缓冲器135
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a(例如，响应于确定n组易失性存储器单元中的一组存储所请求的数据)，使得可将其传输到主机装置105。术语“命中”可用于指易失性存储器120存储主机装置105所请求的数据的情形。如果n组一或多个易失性存储器单元不存储所请求的数据(例如，n组易失性存储器单元存储不同于目标组非易失性存储器单元的一组非易失性存储器单元的数据)，则接口控制器115可将所请求的数据从非易失性存储器125传送到缓冲器135
‑
a(例如，响应于确定n组易失性存储器单元不存储所请求的数据)，使得可将其传输到主机装置105。术语“未命中”可用于指易失性存储器120不存储主机装置105所请求的数据的情形。
34.在未命中情形中，在将所请求的数据传送到缓冲器135
‑
a之后，接口控制器115可将所请求的数据从缓冲器135
‑
a传送到易失性存储器120，使得易失性存储器120而非非易
失性存储器125可满足对数据的后续读取请求。例如，接口控制器115可将数据存储在与目标组非易失性存储器单元相关联的n组易失性存储器单元中的一组中。但是n组易失性存储器单元可能已经存储了其它组非易失性存储器单元的数据。因此，为了保存该其它数据，接口控制器115可将其它数据传送到缓冲器135
‑
b，使得将其传送到非易失性存储器125用于存储。此处理可被称为“驱逐”，并且从易失性存储器120传送到缓冲器135
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b的数据可被称为“牺牲”数据。在一些情况下，接口控制器115可将牺牲数据的子集从缓冲器135
‑
b传送到非易失性存储器125。例如，接口控制器115可以传送自从数据最初存储在非易失性存储器125中以来已经改变的牺牲数据的一或多个子集。易失性存储器120与非易失性存储器125之间不一致的数据(例如，由于一个存储器中的更新而另一个存储器不更新)在一些情况下可被称为“修改的”或“脏的”数据。在一些实例中(例如，当接口控制器以诸如回写模式的一种模式操作时)，脏数据可以是存在于易失性存储器120中但不存在于非易失性存储器125中的数据。
35.为了执行相应的操作，系统100中的每个装置可以生成用于内部使用的各种电压。例如，接口控制器115(或非易失性存储器125，以及其它组件)可包含生成以供接口控制器115(或非易失性存储器125，以及其它组件)中的其它组件使用的一或多个电压的组件或电路。根据本文描述的技术，易失性存储器120中的电容器可用于调节由接口控制器115或非易失性存储器125或两者生成的电压。为了实现此方案，一或多条导电线可将易失性存储器120中的电容器连接到生成用于调节的电压的组件。
36.图2图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的存储器子系统200的实例。存储器子系统200可以是参考图1描述的存储器子系统110的实例。因此，存储器子系统200可与如参考图1所描述的主机装置交互。存储器子系统200可包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206，它们可以分别是如参考图1所描述的接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125的实例。因此，如参考图1所描述，接口控制器202可以代表主机装置与易失性存储器204和非易失性存储器206接口。例如，接口控制器202可以操作易失性存储器204作为非易失性存储器206的高速缓存。将易失性存储器204操作为高速缓存可允许子系统提供非易失性存储器206(例如，非易失性、高密度存储)的益处，同时保持与支持不同于非易失性存储器206的协议的主机装置的兼容性。
37.在图2中，组件之间的虚线表示数据流或数据的通信路径，而组件之间的实线表示命令流或命令的通信路径。在一些情况下，存储器子系统200是可以包含在电子装置中的多个相似或相同子系统中的一者。在一些实例中，每个子系统可被称为片且可与主机装置的相应信道相关联。
38.非易失性存储器206可经配置以操作为主机装置的主存储器(例如，用于长期数据存储的存储器)。在一些情况下，非易失性存储器206可包含一或多个feram单元阵列。每一feram单元可包含选择组件和铁电电容器，且可通过将适当电压施加到一或多条存取线(诸如字线、板线和数字线)来存取。在一些实例中，可(例如)并发或同时地感测与激活的字线耦合的feram单元的子集，而不必感测与激活的字线耦合的所有feram单元。因此，feram阵列的页大小可不同于(例如，小于)dram页大小。在存储器装置的上下文中，页可指行中的存储器单元(例如，具有共同行地址的一组存储器单元)，且页大小可指行中的存储器单元或列地址的数目，或在存取操作期间存取的列地址的数目。替代地，页大小可指由各种接口处
理的数据的大小。在一些情况下，不同存储器装置类型可具有不同页大小。例如，dram页大小(例如，2kb)可以是非易失性存储器(例如，feram)页大小(例如，64b)的超集。
39.feram阵列的较小页大小可提供各种效率益处，因为单个feram单元可比单个dram单元需要更多的功率来读取或写入。例如，feram阵列的较小页大小可以促进有效的能量使用，因为当信息的相关联变化较小时可以激活较少数目的feram单元。在一些实例中，feram单元阵列的页大小可例如取决于利用feram操作的数据和命令的性质而动态地(例如，在feram单元阵列的操作期间)变化。
40.尽管单个feram单元可能需要比单个dram单元更多的功率来读取或写入，但是feram单元可以在没有外部电源的情况下长时间保持其存储的逻辑状态，因为feram单元中的铁电材料可以在没有电场的情况下保持非零电极化。因此，在非易失性存储器206中包含feram阵列可提供相对于易失性存储器单元(例如，易失性存储器204中的dram单元)的效率益处，因为其可减少或消除执行刷新操作的要求。
41.易失性存储器204可经配置以操作为非易失性存储器206的高速缓存。在一些情况下，易失性存储器204可包含一或多个dram单元阵列。每一dram单元可包含电容器，电容器包含介电材料以存储表示可编程状态的电荷。易失性存储器204的存储器单元可逻辑地分组或排列成一或多个存储器组(本文中称为“组”)。例如，易失性存储器204可包含十六个存储器组。存储器组的存储器单元可排列成栅格或交叉列和行的阵列，且可通过将适当电压施加到存储器单元的数字线(例如，列线)和字线(例如，行线)来存取或刷新每个存储器单元。存储器组的行可称为页，且页大小可指行中的列或存储器单元的数目。如上所述，易失性存储器204的页大小可以不同于(例如，大于)非易失性存储器206的页大小。
42.接口控制器202可包含用于与其它装置(诸如主机装置、易失性存储器204和非易失性存储器206)接口(例如，通信)的各种电路。例如，接口控制器202可以包括数据(da)总线接口208、命令和地址(c/a)总线接口210、数据总线接口212、c/a总线接口214、数据总线接口216和c/a总线接口264。数据总线接口可以支持使用一或多个通信协议的信息通信。例如，数据总线接口208、c/a总线接口210、数据总线接口216和c/a总线接口264可以支持使用第一协议(例如，lpddr信令)通信的信息，而数据总线接口212和c/a总线接口214可以支持使用第二协议通讯的信息。因此，与接口控制器202耦合的各种总线接口可以支持不同的数据量或数据速率。
43.数据总线接口208可以与数据总线260、事务总线222和缓冲器电路224耦合。数据总线接口208可经配置以通过数据总线260传输和接收数据以及通过事务总线222传输和接收控制信息(例如，确认/否定确认)或元数据。数据总线接口208还可经配置以在数据总线260与缓冲器电路224之间传送数据。数据总线260和事务总线222可以与接口控制器202和主机装置耦合，使得在接口控制器202与主机装置之间建立导电路径。在一些实例中，事务总线222的引脚可被称为数据掩码反转(dmi)引脚。虽然示出了一个数据总线260和一个事务总线222，但是可以有任何数量的数据总线260和任何数量的事务总线222与一或多个数据总线接口208耦合。
44.c/a总线接口210可以与c/a总线226和解码器228耦合。c/a总线接口210可经配置以通过c/a总线226传输和接收命令和地址。通过c/a总线226接收的命令和地址可以与通过数据总线260接收或传输的数据相关联。c/a总线接口210还可经配置以向解码器228传输命
令和地址，使得解码器228可以对命令进行解码并将已解码的命令和相关联的地址中继到命令电路230。
45.数据总线接口212可以与数据总线232和存储器接口电路234耦合。数据总线接口212可经配置以通过可与非易失性存储器206耦合的数据总线232传输和接收数据。数据总线接口212还可经配置以在数据总线232与存储器接口电路234之间传送数据。c/a总线接口214可以与c/a总线236和存储器接口电路234耦合。c/a总线接口214可经配置以从存储器接口电路234接收命令和地址，并通过c/a总线236将命令和地址中继到非易失性存储器206(例如，到非易失性存储器206的本地控制器)。通过c/a总线236传输的命令和地址可以与通过数据总线232接收或传输的数据相关联。数据总线232和c/a总线236可以与接口控制器202和非易失性存储器206耦合，使得在接口控制器202与非易失性存储器206之间建立导电路径。
46.数据总线接口216可以与数据总线238和存储器接口电路240耦合。数据总线接口216可经配置以通过可与易失性存储器204耦合的数据总线238传输和接收数据。数据总线接口216还可经配置以在数据总线238与存储器接口电路240之间传送数据。c/a总线接口264可以与c/a总线242和存储器接口电路240耦合。c/a总线接口264可经配置以从存储器接口电路240接收命令和地址，并通过c/a总线242将命令和地址中继到易失性存储器204(例如，到易失性存储器204的本地控制器)。通过c/a总线242传输的命令和地址可以与通过数据总线238接收或传输的数据相关联。数据总线238和c/a总线242可以与接口控制器202和易失性存储器204耦合，使得在接口控制器202与易失性存储器204之间建立导电路径。
47.除了用于与耦合的装置通信的总线和总线接口之外，接口控制器202可包含用于将非易失性存储器206操作为主存储器并且将易失性存储器204操作为高速缓存的电路。例如，接口控制器202可包含命令电路230、缓冲器电路224、高速缓存管理电路244、一或多个引擎246和一或多个调度器248。
48.命令电路230可以与缓冲器电路224、解码器228、高速缓存管理电路244和调度器248以及其它组件耦合。命令电路230可经配置以从解码器228接收命令和地址信息，并将命令和地址信息存储在队列250中。命令电路230可包含逻辑262，其处理命令信息(例如，来自主机装置)和来自其它组件(例如，高速缓存管理电路244、缓冲器电路224)的存储信息，并且使用该信息来生成用于调度器248的一或多个命令。命令电路230还可经配置以将地址信息(例如，地址位)传送到高速缓存管理电路244。在一些实例中，逻辑262可以是经配置以操作为有限状态机(fsm)的电路。
49.缓冲器电路224可以与数据总线接口208、命令电路230、存储器接口电路234和存储器接口电路234耦合。缓冲器电路224可包含用于易失性存储器204的至少一些存储器组(如果不是每个存储器组的话)的一组一或多个缓冲器电路。缓冲器电路224还可包含用于存取缓冲器电路的组件(例如，存储器控制器)。在一个实例中，易失性存储器204可包含十六个存储器组，并且缓冲器电路224可包含十六组缓冲器电路。每一组缓冲器电路可经配置以存储来自或用于(或两者)易失性存储器204的相应存储器组的数据。例如，用于存储器组0(bk0)的缓冲器电路组可经配置以存储来自或用于(或两者)易失性存储器204的第一存储器组，并且用于存储器组15(bk15)的缓冲器电路可经配置以存储来自或用于(或两者)易失性存储器204的第十六存储器组。
50.缓冲器电路224中的每一组缓冲器电路可包含一对缓冲器。该对缓冲器可包含一个缓冲器(例如，开放页数据(opd)缓冲器)和另一个缓冲器(例如，牺牲页数据(vpd)缓冲器)，该一个缓冲器经配置以存储以来自主机装置的存取命令(例如，存储命令或检索命令)为目标的数据，该另一个缓冲器经配置以存储由存取命令产生的驱逐过程的数据。例如，用于bk0的缓冲器电路组可包含缓冲器218和缓冲器220，它们可以分别是缓冲器135
‑
a和135
‑
b的实例。缓冲器218可经配置以存储以来自主机装置的存取命令为目标的bk0数据。并且缓冲器220可经配置以存储作为由存取命令触发的驱逐过程的一部分从bk0传送的数据。缓冲器电路组中的每一缓冲器可经配置具有对应于易失性存储器204的页大小的大小(例如，存储容量)。例如，如果易失性存储器204的页大小是2kb，则每个缓冲器的大小可以是2kb。因此，在一些实例中，缓冲器的大小可以等于易失性存储器204的页大小。
51.高速缓存管理电路244可以与命令电路230、引擎246和调度器248以及其它组件耦合。高速缓存管理电路244可包含为易失性存储器的用于一或多个存储器组(例如，每个存储器组)的高速缓存管理电路组。例如，高速缓存管理电路244可包含用于bk0至bk15的十六个高速缓存管理电路组。每个高速缓存管理电路组可包含两个存储器阵列，其可经配置以存储用于易失性存储器204的存储信息。例如，用于bk0的高速缓存管理电路组可包含存储器阵列252(例如，cdram标记阵列(cdt
‑
ta))和存储器阵列254(例如，cdram有效(cdt
‑
v)阵列)，其可经配置以存储bk0的存储信息。在一些实例中，存储器阵列也可称为阵列或缓冲器。在一些情况下，存储器阵列可以是或包含易失性存储器单元，诸如sram单元。
52.存储信息可包含与易失性存储器204相关联的内容信息、有效性信息或脏信息(或其任何组合)。内容信息(也可称为标签信息或地址信息)可指示哪些数据存储在一组易失性存储器单元中。例如，一组一或多个易失性存储器单元的内容信息(例如，标签地址)可指示哪组一或多个非易失性存储器单元当前具有存储在该组一或多个易失性存储器单元中的数据。有效性信息可指示存储在一组易失性存储器单元中的数据是实际数据(例如，具有预期顺序或形式的数据)还是占位符数据(例如，随机或伪数据，不具有预期或重要顺序)。脏信息可指示存储在易失性存储器204的一组一或多个易失性存储器单元中的数据是否不同于存储在非易失性存储器206的一组一或多个非易失性存储器单元中的对应数据。例如，脏信息可指示存储在一组易失性存储器单元中的数据相对于存储在非易失性存储器206中的数据是否已被更新。
53.存储器阵列252可包含存储易失性存储器204的相关联存储器组(例如，bk0)的存储信息(例如，内容和有效性信息)的存储器单元。存储信息可以在每页的基础上存储(例如，对于相关联的非易失性存储体的每一页可以有相应的存储信息)。接口控制器202可通过参考存储器阵列252中的存储信息来检查易失性存储器204中的所请求数据。例如，接口控制器202可从主机装置接收用于非易失性存储器206中的一组非易失性存储器单元中的数据的检索命令。接口控制器202可使用以存取请求为目标的一组一或多个地址位(例如，一组行地址位)来参考存储器阵列252中的存储信息。例如，使用组关联映射，接口控制器202可参考存储器阵列252中的内容信息以确定哪组易失性存储器单元(如果有的话)存储所请求的数据。
54.除了存储易失性存储器单元的内容信息之外，存储器阵列252还可存储指示一组易失性存储器单元中的数据是实际数据(也称为有效数据)还是随机数据(也称为无效数
据)的有效性信息。例如，易失性存储器204中的易失性存储器单元可最初存储随机数据并继续这样做，直到用来自主机装置或非易失性存储器206的数据写入易失性存储器单元为止。为了跟踪哪些数据是有效的，存储器阵列252可经配置以当实际数据存储在每一组易失性存储器单元中时为该组易失性存储器单元设置位。该位可被称为有效性位或有效性标志。与内容信息一样，存储在存储器阵列252中的有效性信息可以按页存储。因此，在一些实例中，每一有效性位可指示存储在相关联页中的数据的有效性。
55.存储器阵列254可类似于存储器阵列252，且还可包含存储与存储器阵列252相关联的易失性存储器204的存储器组(例如，bk0)的有效性信息的存储器单元。然而，存储在存储器阵列254中的有效性信息可基于子块存储，而不是基于存储器阵列252的每页存储。例如，存储在存储器阵列254的存储器单元中的有效性信息可指示一组(例如，页)易失性存储器单元中的易失性存储器单元子组的数据的有效性。例如，存储器阵列254中的有效性信息可指示存储在易失性存储器204的bk0中的数据页中的数据的每一子集(例如，64b)的有效性。在存储器阵列252中以每页为基础存储内容信息和有效性信息可允许接口控制器202快速且有效地确定易失性存储器204中是否存在数据命中或未命中。以子块为基础存储有效性信息可允许接口控制器202确定在驱逐过程期间哪些数据子集保存在非易失性存储器206中。
56.每个高速缓存管理电路组还可包含与命令电路230、引擎246、存储器接口电路234、存储器接口电路240和用于该高速缓存管理电路组的存储器阵列等组件耦合的相应的一对寄存器。例如，高速缓存管理电路组可包含第一寄存器(例如，寄存器256，其可为开放页标签(opt)寄存器)，其经配置以从存储器阵列252或调度器248
‑
b或两者接收存储信息(例如，标签信息、有效性信息或脏信息的一或多个位)。高速缓存管理电路组还可包含第二寄存器(例如，寄存器258，其可为牺牲页标签(vpt)寄存器)，其经配置以从存储器阵列254和调度器248
‑
a或两者接收存储信息。寄存器256和寄存器258中的信息可被传送到命令电路230和引擎246，以使这些组件能够进行决策。例如，命令电路230可基于来自寄存器256的内容信息发出用于读取非易失性存储器206或易失性存储器204的命令。
57.引擎246
‑
a可以与寄存器256、寄存器258和调度器248耦合。引擎246
‑
a可经配置以从各种组件接收存储信息并基于存储信息向调度器248发出命令。例如，当接口控制器202处于诸如直写模式的第一模式时，引擎246
‑
a可向调度器248
‑
b发出命令，并响应于调度器248
‑
b以启动或促进从缓冲器218到易失性存储器204和非易失性存储器206两者的数据传送。替代地，当接口控制器202处于诸如回写模式的第二模式时，引擎246
‑
a可向调度器248
‑
b发出命令，并且作为响应，调度器248
‑
b可启动或促进从缓冲器218到易失性存储器204的数据传送。在回写操作的情况下，存储在易失性存储器204中的数据最终可以在随后的驱逐过程期间被传送到非易失性存储器206。
58.引擎246
‑
b可以与寄存器258和调度器248
‑
a耦合。引擎246
‑
b可经配置以从寄存器258接收存储信息并基于存储信息向调度器248
‑
a发出命令。例如，引擎246
‑
b可向调度器248
‑
a发出命令以启动或促进脏数据从缓冲器220到非易失性存储器206的传送(例如，作为驱逐过程的一部分)。如果缓冲器220保存从易失性存储器204传送的一组数据(例如，牺牲数据)，则引擎246
‑
b可指示缓冲器220中的该组数据的哪个或哪些子集(例如，哪个64b)应被传送到非易失性存储器206。
59.调度器248
‑
a可以与接口控制器202的各种组件耦合，并且可以通过向存储器接口电路234发出命令来促进存取非易失性存储器206。由调度器248
‑
a发出的命令可以基于来自命令电路230、引擎246
‑
a、引擎246
‑
b或这些组件的组合的命令。类似地，调度器248
‑
b可以与接口控制器202的各种组件耦合，并且可以通过向存储器接口电路240发出命令来促进存取易失性存储器204。由调度器248
‑
b发出的命令可以基于来自命令电路230或引擎246
‑
a或两者的命令。
60.存储器接口电路234可以经由数据总线接口212和c/a总线接口214中的一或多个与非易失性存储器206通信。例如，存储器接口电路234可以提示c/a总线接口214将由存储器接口电路234通过c/a总线236发出的命令中继到非易失性存储器206中的本地控制器。并且存储器接口电路234可以通过数据总线232向非易失性存储器206传输数据或从其接收数据。在一些实例中，由存储器接口电路234发出的命令可以由非易失性存储器206支持，但不由易失性存储器204支持(例如，由存储器接口电路234发出的命令可不同于由存储器接口电路240发出的命令)。
61.存储器接口电路240可以经由数据总线接口216和c/a总线接口264中的一或多个与易失性存储器204通信。例如，存储器接口电路240可以提示c/a总线接口264将由存储器接口电路240通过c/a总线242发出的命令中继到易失性存储器204的本地控制器。并且存储器接口电路240可以通过一或多个数据总线238向易失性存储器204传输数据或从其接收数据。在一些实例中，由存储器接口电路240发出的命令可由易失性存储器204支持，但不由非易失性存储器206支持(例如，由存储器接口电路240发出的命令可不同于由存储器接口电路234发出的命令)。
62.接口控制器202的组件可以一起操作作为主存储器的非易失性存储器206和作为高速缓存的易失性存储器204。此操作可由从主机装置接收的一或多个存取命令(例如，读取/检索命令/请求和写入/存储命令/请求)来提示。
63.在一些实例中，接口控制器202可从主机装置接收存储命令。存储命令可以通过c/a总线226接收，并经由c/a总线接口210和解码器228中的一或多个传送到命令电路230。存储命令可包含或伴随有以非易失性存储器206的存储器地址为目标的地址位。要存储的数据可以通过数据总线260接收并经由数据总线接口208传送到缓冲器218。在直写模式中，接口控制器202可将数据传送到非易失性存储器206和易失性存储器204两者。在回写模式中，接口控制器202可仅将数据传送到易失性存储器204。在任一模式中，接口控制器202可首先检查以查看易失性存储器204是否具有可用于存储数据的存储器单元。为此，命令电路230可参考存储器阵列252(例如，使用一组存储器地址位)以确定与存储器地址相关联的n组(例如，页)易失性存储器单元中的一或多组是否为空(例如，存储随机或无效数据)。在一些情况下，易失性存储器204中的一组易失性存储器单元可称为线或高速缓存线。
64.如果n组相关联的易失性存储器单元中的一组可用于存储信息，则接口控制器202可将数据从缓冲器218传送到易失性存储器204以存储在该组易失性存储器单元中。但是如果没有相关联的易失性存储器单元组是空的，则接口控制器202可以启动驱逐过程以为易失性存储器204中的数据腾出空间。驱逐过程可涉及将n组相关联的易失性存储器单元中的一组中的旧数据(例如，现有数据)传送到缓冲器220。旧数据的脏信息也可传送到存储器阵列254或寄存器258以识别旧数据的脏子集。在将旧数据存储在缓冲器220中之后，可以将新
数据从缓冲器218传送到易失性存储器204，并且可以将旧数据从缓冲器220传送到非易失性存储器206。在一些情况下，旧数据的脏子集被传送到非易失性存储器206，并且干净子集(例如，未修改的子集)被丢弃。脏子集可由引擎246
‑
b基于在驱逐过程期间传送(例如，从易失性存储器204)到存储器阵列254或寄存器258的脏信息来识别。
65.在另一实例中，接口控制器202可以从主机装置接收检索命令。检索命令可以通过c/a总线226接收，并经由c/a总线接口210和解码器228中的一或多个传送到命令电路230。检索命令可包含以非易失性存储器206的存储器地址为目标的地址位。在尝试存取非易失性存储器206的目标存储器地址之前，接口控制器202可以检查以查看易失性存储器204是否存储数据。为此，命令电路230可参考存储器阵列252(例如，使用一组存储器地址位)以确定与存储器地址相关联的n组易失性存储器单元中的一或多组是否存储所请求的数据。如果所请求的数据存储在易失性存储器204中，则接口控制器202可将所请求的数据传送到缓冲器218以通过数据总线260传输到主机装置。
66.如果所请求的数据未存储在易失性存储器204中，则接口控制器202可从非易失性存储器206检索数据并将数据传送到缓冲器218以通过数据总线260传输到主机装置。另外，接口控制器202可将所请求的数据从缓冲器218传送到易失性存储器204，使得可以在随后的检索操作期间以较低的延迟存取数据。然而，在传送所请求的数据之前，接口控制器202可以首先确定n组相关联的易失性存储器单元中的一或多组是否可用于存储所请求的数据。接口控制器202可以通过与相关的高速缓存管理电路组通信来确定n组相关联的易失性存储器单元的可用性。如果相关联的一组易失性存储器单元可用，则接口控制器202可以将缓冲器218中的数据传送到易失性存储器204而不执行驱逐过程。否则，接口控制器202可以在执行驱逐过程之后将数据从缓冲器218传送到易失性存储器204。
67.存储器子系统200可以在一或多种配置中实现，包含单芯片版本和多芯片版本。多芯片版本可以在与包含存储器子系统200的一或多个其它组成部分的芯片分离的芯片上包含存储器子系统200的一或多个组成部分，包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206(以及其它组成部分或组成部分的组合)。例如，在一个多芯片版本中，各个单独的芯片可包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206中的每一个。相反，单芯片版本可以在单个芯片上包含接口控制器202、易失性存储器204和非易失性存储器206。芯片在本文也可称为管芯。
68.在一些实例中，接口控制器115、易失性存储器120和非易失性存储器125可布置在单独的管芯上，且每一管芯可包含产生供该管芯上的一或多个其它组件使用的电压的一或多个组件。可以使用电容器来调节由组件产生的电压，以减小与操作范围的阈值的偏差。但是出于成本和空间的原因，使用内部电容器(相对于管芯)来调节电压可能是不切实际的。并且由于电容器的大小，使用离散的、独立的外部电容器可能会对封装尺寸产生负面影响。
69.根据本文所描述的技术，由第一管芯(例如，包含接口控制器115或非易失性存储器125的管芯)上的组件产生的电压可由第二管芯(例如，包含易失性存储器120的管芯)上的电容器调节。在一些实例中，第二管芯上的电容器可使用与用作第二管芯上的存储器单元的电容器相同的工艺来形成，且因此相对于替代方案(诸如第一管芯内部的电容器或离散的独立外部电容器)而言可以是成本有效且空间有效的。为了实现电压调节，生成要调节的一或多个电压的一或多个组件可以经由一或多条导电线与第二管芯上的电容器耦合。
70.图3图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的裸片300的实例。裸片300可包含第一管芯305和第二管芯310。第一管芯305可以是包含如参考图1所描述的接口控制器115的逻辑管芯或包含非易失性存储器125的存储器管芯的实例。或者，第一管芯305可以是包含如参考图2所描述的接口控制器202的逻辑管芯或包含非易失性存储器206的存储器管芯的实例。第二管芯310可以是包含如参考图1所描述的易失性存储器120的存储器管芯的实例。或者，第二管芯310可以是包含如参考图2所描述的易失性存储器204的存储器管芯的实例。在一些实例中，第二存储器管芯是dram管芯(例如，包含dram单元的管芯)。
71.第一管芯305可包含输出电压的至少一个组件315。在一些情况下，组件315可以是生成供第一管芯305使用或操作的电压的组件。例如，组件315可以是电压源、电压泵、低压差(ldo)电压调节器、输入/输出(i/o)组件或输出供第一管芯305的一或多个其它组件使用的电压的其它组件等。附加地或替代地，组件315可向第二管芯310供电(例如，第二管芯310可将组件315输出的电压用于一或多个操作)。在一些实例中，由组件315输出的电压可能会经历破坏性，或使电压不适合其它组件使用的波动。例如，由组件315产生的电压可以以纹波状的方式达到峰值和下降，而不是保持恒定电平(或工作范围内的电平)。电压的此电位变化可能对施加电压的组件的操作产生负面影响。
72.在一些实例中，可通过将组件315与电容性负载耦合来调节(例如，平滑、保持在阈值范围内)由组件315生成的电压。例如，组件315的输出可以与“储存”或“平滑”电容器耦合，当电压上升到阈值以上时，该电容器减弱电压，而当电压下降到阈值以下时，该电容器增强电压。在一个实例中，储存电容器320可与组件315的输出并联放置，使得电容器1)当输出的电压上升到高于电容器的电压时充电，且2)当输出的电压下降到低于电容器的电压时放电，等等。因此，当组件315的电压低于阈值电压时，储存电容器320可以向组件315的输出提供电流，并且当组件315的电压升高到高于阈值电压时可以吸收电流。因此，电容器可将组件315的电压输出保持在阈值范围内。
73.然而，在第一管芯305上包括此电容器可能需要第一管芯305上的空间，并且成本过高，以及其它缺点。并且使用离散的外部电容器可以增加容纳第一管芯305和第二管芯310的封装的大小，以及其它潜在的缺点。例如，封装的高度可以比其以其它方式容纳电容器的高度高得多。由于储存电容器的高度可以是要调节的电压的幅度(例如，振幅)的函数，因此增加由组件315生成的电压可以导致更高的储存电容器，这又可以增加含有储存电容器和/或第一管芯305的物理封装的尺寸。
74.根据本文所描述的技术，第二管芯310上的电容器可用于调节由第一管芯305的组件输出的电压。例如，第二管芯310上的储存电容器320可以调节由第一管芯305上的组件315生成的电压。电压调节可以通过可将储存电容器320与组件315耦合的导电线325来实现。例如，一条导电线325可以将储存电容器320的第一端子与组件315的第一输出端子耦合，而另一条导电线325可以将储存电容器320的第二端子与接地基准330(和/或组件315的第二输出端子)耦合。与离散的外部电容器相比，储存电容器320可以具有相对面积效率、低成本和薄等优点。例如，可以经由用于构造dram存储器单元的电容器的定制低成本工艺来构造储存电容器320，其可以比离散电容器更紧凑。因此，根据本公开，可以实现外部储存电容器的益处而不牺牲封装尺寸。
75.尽管在结构上类似于作为第二管芯310上的存储器单元操作的电容器，但是除了
其它优点之外，储存电容器320可以与这些其它电容器中的一或多个隔离，以防止由于裸片300之间的电压差而可能发生的损坏。例如，储存电容器320可以与存储器单元和导电线(例如，数字线、板线等)或与用于存取第二管芯310上的存储器单元的电路(例如，感测组件)物理隔离或电隔离(或两者)。例如，储存电容器320的每个端子可以直接耦合到从端子延伸到第二管芯的相应接合垫的相应导电线325。在一些实例中，导电线325直接从储存电容器320的端子延伸到接合垫，而不导电地耦合到其它装置(例如，诸如晶体管、开关组件等有源装置)。在其它实例中，一或多个开关装置可以布置在两个储存电容器的端子之间，以使得能够调节电容器的有效电容。开关组件可以是反熔丝装置的一部分。在一些实例中，与储存电容器320耦合的接合垫可以与静电保护装置(例如，静电敏感装置(esd)保护结构)耦合。因此，在一些实例中，储存电容器320可以与静电保护装置耦合(但与其分离)。
76.不管隔离如何，储存电容器320可调节由组件315生成的电压，如本文所描述。因此，第一管芯(例如，第一管芯305)的电压调节可以通过第二管芯(例如，第二管芯310)上的电容器(例如，储存电容器320)来实现或执行。
77.图4图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置400的实例。装置400可包含第一管芯405和第二管芯410。第一管芯405可以是包含如参考图1所描述的接口控制器115的逻辑管芯，包含如参考图1所描述的非易失性存储器125的存储器管芯，包含如参考图2所描述的接口控制器202的逻辑管芯，包含如参考图2所描述的非易失性存储器206的存储器管芯，或参考图3所描述的第一管芯305的实例。第二管芯410可以是包含如参考图1所描述的易失性存储器120的存储器管芯，包含如参考图2所描述的易失性存储器204的存储器管芯或如参考图3所描述的第二管芯310的实例。在一些实例中，第二管芯410是dram管芯(例如，包含dram单元的管芯)。
78.第一管芯405和第二管芯410可包含在诸如封装415的物理封装中，其可包含塑料或其它非导电(例如，绝缘)材料。封装415可以具有高度420，其是含在封装415中的组件的大小的函数。在封装415内，第一管芯405和第二管芯410可以由至少部分地围绕第一管芯405和第二管芯410的材料(诸如绝缘材料425)保持在适当位置。绝缘材料425可与衬底430接触(例如，布置在其上)。衬底430可与导电垫435(也称为导电接口、引出线、引脚、接合垫等)耦合，而导电垫435又可与另一装置(诸如参考图1所描述的主机装置)耦合。因此，装置400可通过在导电垫上发送电子信号而与另一装置(诸如主机装置)通信。
79.第一管芯405和第二管芯410可以各自与允许电信号从管芯发送到其它装置(例如，通过导电垫435)的一或多条导电线耦合。导电线也可称为迹线、路线、信道、总线或其它合适的术语。例如，第一管芯405可以与导电线440
‑
a耦合，第二管芯410可以与导电线440
‑
b耦合。导电线440
‑
a可以允许第一管芯405向封装415外部的装置传输电信号(例如，命令、地址、数据等)，导电线440
‑
b可以允许第二管芯410向封装415外部的装置传输电信号。虽然所示的每个管芯与一条导电线440耦合，但是管芯可以以各种配置与任何数量的导电线440耦合。
80.第一管芯405和第二管芯410还可以与导电线445耦合，其可以允许第二管芯410上的电容器调节由第一管芯405上的组件输出的电压。例如，导电线445可将第一管芯405上的组件(例如，经配置以生成电压的组件，诸如组件315)与第二管芯410上的电容器(例如，储存电容器，诸如储存电容器320)连接。为了便于说明，示出了单条导电线445，但是导电线
445可以是连接如图3所示的储存电容器的多条导电线之一。在一些实例中，组件315的输出端子可以共享与导电线445之一和/或储存电容器320的端子之一相同的节点(例如，导电垫435)。在一些实例中，导电线445或导电线440
‑
b可以将储存电容器的另一端子耦合到接地引脚(例如，接地导电垫435)。
81.导电线445可沿第一方向(例如，沿z方向)穿过(例如，布置成穿过)绝缘材料425且可沿第二方向(例如，y方向)穿过(例如，布置成穿过)衬底430。因此，导电线445可沿垂直于第一方向(例如，z方向)的平面(例如，x
‑
y平面)穿过衬底。在一些情况下，穿过衬底430的导电线的部分或区段可称为横向部分或横向区段，因为其沿x
‑
y平面延伸穿过衬底430。在一些实例中，导电线445的横向部分可在第一管芯405和第二管芯410下方(相对于z方向)且在导电线440的横向部分之上。
82.如图所示，本文所描述的技术被实现为封装内解决方案(例如，在通用闪存(ufs)应用、受管nand(mnand)应用、基于ufs的多芯片封装(umcp)应用中)，其中第二管芯410包含在与第一管芯405相同的封装中。然而，本文描述的技术也可以作为板上解决方案来实现(例如，在固态驱动器(ssd)应用中)，其中第一管芯405和第二管芯410包含在相同的电子装置中，但是容纳在不同的封装中。不管封装方案如何，与其它电压调节方案相比，使用第二管芯410上的电容器调节由第一管芯405生成的电压可以提供各种优点(例如，较低的形成成本、降低的封装高度)。
83.图5图示了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置500的实例。装置500可以是参考图4所描述的装置400的实例，并且可包含第一管芯505和第二管芯510。第一管芯505可以是参考图3所描述的第一管芯305或参考图4所描述的第一管芯405的实例。第二管芯510可以是参考图3所描述的第二管芯310或参考图4所描述的第二管芯410的实例。除非另有说明，否则图5中以箭头终止的线可以表示用于诸如数据、元数据、命令、地址等信息的通信路径。无箭头终端的线可以表示连接组件的导电线(例如，金属迹线)。
84.第一管芯505可包含功能组件515，其尤其可为非易失性存储器阵列或逻辑芯片。例如，当第一管芯505是参考图1所描述的非易失性存储器106的实例时，功能组件515可以是feram阵列。第一管芯505还可包含操作电路520，其可包含用于与功能组件515或第一管芯505的其它组件接口并对其进行存取的电路。操作电路520可使用可由一或多个电压生成组件(诸如电压生成组件525
‑
a至电压生成组件525
‑
n)提供的一或多个电压。电压生成组件525可为电压源、电压泵、ldo电压调节器、i/o组件等的实例，且因此可生成并输出供第一管芯505的其它组件使用的电压。在一些实例中，操作电路520可包含开关组件，其在被激活时将由电压生成组件525产生的电压传送到第一管芯505上的其它组件。因此，可将由电压生成组件525产生的电压施加到第一管芯505的一或多个其它组件。
85.每个电压生成组件525可包含一或多个输出端子530，电压生成组件525将其充电到预定或可配置的电压电平。例如，电压生成组件525可包含输出端子530
‑
a
‑
1和输出端子530
‑
a
‑
2。类似地，电压生成组件525
‑
n可包含输出端子530
‑
n
‑
1和输出端子530
‑
n
‑
2。如上所述，通过在输出端子530和第一管芯505的另一组件之间建立导电路径(例如，由导电线、开关组件构成)，可以将由电压生成组件525产生的电压施加到该另一组件。输出端子也可称为输出节点、输出点或其它合适的术语。
86.第二管芯510可包含易失性存储器535，其可以是分别参考图1和2所描述的易失性
存储器120或易失性存储器204的实例。易失性存储器535可包含一或多个易失性存储器单元阵列，其可以是dram单元。如上所述，dram单元可包含经配置以存储表示逻辑状态的电荷的电容器。易失性存储器535可由存取电路540存取，存取电路540可包含促进诸如读取操作、写入操作、刷新操作等存储器操作的组件。例如，存取电路540可包含存储器控制器、地址解码组件(例如，行解码器和列解码器)、感测组件(例如，感测放大器)、驱动器或存取线(例如，数字线、板线和字线)或其任何组合以及其它组件。因此，易失性存储器535中的存储器单元可与存取电路540的组件耦合(例如，电耦合、物理耦合)。
87.第二管芯510还可包含为装置500的其它组件提供电压调节的一或多个电容器545。例如，电容器545
‑
a可以调节由第一管芯505生成的电压，而电容器545
‑
b可以调节由第二管芯510生成的电压。例如，电容器545
‑
a可以调节由电压生成组件525输出的电压。在一些实例中，电容器545
‑
a可经配置以调节比电容器545
‑
a更高的电压(或反之亦然)。电容器545可共享与易失性存储器535中的易失性存储器单元的电容器相同的形式或结构，但与存储器单元电容器不同，电容器545可与存取电路540隔离。此外，电容器545
‑
a可以与电容器545
‑
b隔离。此隔离可通过防止暴露于有害电压(例如，超过电容器545或其它组件的额定值的电压)来增加电容器545(或其它组件)的可靠性和寿命。然而，电容器545
‑
a可与电容器545
‑
b和存储器单元电容器共享共同接地基准。
88.在一些实例中，电容器545可以是无源装置(例如，不需要外部电源进行操作和/或能够存储能量的组件)。在一些实例中，电容器545可以是具有由绝缘体隔开的两个导电端子的组件。
89.电容器545
‑
a可以通过一或多条导电线550连接到电压生成组件525。例如，导电线550
‑
a可以将n个电容器545
‑
a连接到输出端子530
‑
a
‑
1，并且导电线550
‑
b可以将n个电容器545
‑
a连接到接地基准(未示出)和/或输出端子530
‑
a
‑
2(其中n是整数)。导电线550可如图3和4所示排列。因此，由电压生成组件525
‑
a输出的电压可由电容器组545
‑
a调节(例如，保持在电压电平带内)。
90.在一些实例中，电压生成组件525与电容器545
‑
a之间的连接可以是固定的(例如，永久的、静态的、不可改变的)，使得电容器545
‑
a所提供的电容不存在变化。例如，导电线550可以是在电压生成组件525
‑
a和电容器545
‑
a之间形成直接连接的硬连线导电线。硬连线特征可以是以永久电路的形式实现的特征。直接连接可以是两个或两个以上组件之间的连接，其不被其它组件(诸如开关组件)中断。硬连线直接连接在本文也可称为“短路”。因此，可通过使导电线550
‑
a和导电线550
‑
b与电容器545
‑
a短路而将固定电容提供给电压生成组件525
‑
a。由一组电容器提供的电容在一些实例中可被称为电容性负载或组合电容。
91.虽然提供固定电容性负载可适用于一些应用，但其它应用可受益于改变电容性负载的能力。在此类应用中，电压生成组件525与电容器545
‑
a之间的连接可以是可配置的。在一个实例中，沿导电线550布置(例如，放置)的开关组件可用于修改哪一电压生成组件525连接到电容器545
‑
a。例如，停用与导电线550耦合的开关组件可将电容器545
‑
a从电压生成组件525
‑
a断开，且激活与导电线550耦合的开关组件可将电容器545
‑
a连接到电压生成组件525
‑
n。
92.附加地或替代地，可以使用一或多个开关组件来修改哪些电容器545
‑
a连接到电压生成组件525。在一些实例中，电容器545
‑
a可包含并联配置的一或多组电容器。例如，组
555可包含电容器545
‑
a
‑
1、电容器545
‑
a
‑
2和电容器545
‑
a
‑
3。可以通过改变并联连接的电容器的数量来改变由组555提供的电容。例如，当两个电容器，电容器545
‑
a
‑
1和电容器545
‑
a
‑
2并联连接时，组555可以提供第一电容性负载。并且当三个电容器，电容器545
‑
a
‑
1、电容器545
‑
a
‑
2和电容器545
‑
a
‑
3并联连接时，组555可以提供第二(例如，更大)电容性负载。因此，由一组电容器提供的电容性负载可以通过增加并联连接的电容器的数量来增加，并且通过减少并联连接的电容器的数量来减少。
93.在一些情况下，可通过修改与导电线550耦合的一或多个开关组件560的状态来改变并联连接的电容器的数量。例如，通过激活可为能够在工厂或现场编程的反熔丝控制电路的一部分的开关组件560，电容器545
‑
a
‑
3可以与电容器545
‑
a
‑
1和电容器545
‑
a
‑
2并联连接。并且电容器545
‑
a
‑
3可以通过停用开关组件560而与电容器545
‑
a
‑
1和电容器545
‑
a
‑
2断开(例如，隔离)。因此，可以通过改变与电容器耦合的开关组件的活动状态来修改由一组电容器提供的电容。尽管在组555中示出了三个电容器545
‑
a，但是一组电容器可以包括任意数量的电容器545
‑
a，包含一个电容器。此外，一组中的电容器可以以任何配置来排列，并且不限于并联配置。
94.在一些实例中，可策略性地放置(例如，布置)导电线550，使得减少其它导电线之间的交叉耦合。例如，装置500可包含经配置以在第一管芯505与第二管芯510之间携载信息(例如，数据、命令、元数据、地址等)的导电线。导电线可以是独立的通信路径(例如，导电线570)或在总线565中组合在一起。通过导电线570发送的信息可以由一个管芯上的i/o接口(例如，i/o接口575
‑
a)传输并由另一管芯上的i/o接口(例如，i/o接口575
‑
b)接收和处理的信号来表示。但是一条导电线(例如，攻击者)上的信号波动可能干扰附近导电线(例如，受害者)上的信号。此现象可称为交叉耦合或串扰，并且可对装置500的性能产生负面影响。
95.为了减轻交叉耦合，可以将导电线550放置在否则将经历交叉耦合的多条导电线570之间。例如，可以将导电线550放置在导电线570
‑
a与导电线570
‑
b之间，从而减少由导电线570上的电压波动引起的干扰。因此，由于导电线550上的相对静态电压，导电线550可用作导电线570之间的屏蔽。在一些情况下，导电线550的充当屏蔽的部分可以是导电线的在x
‑
y平面中横穿衬底430的部分，如图3所示。因此，在一些实例中，除了通过电容器545
‑
a实现电压调节之外，导电线550还可减轻交叉耦合。
96.图6示出了根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的装置605的框图600。装置605可以是分别参考图4和5所描述的装置400或装置500的实例。装置605可经配置以使得装置605的第一管芯上生成的电压由装置的第二管芯上的电容器调节。装置605可包含电压生成模块610、电压调节模块615、电压施加模块620、开关组件管理器625和信息管理器630。这些模块中的每一个可包含经配置以执行本文所描述的功能的电路。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如，经由一或多个总线或其它导电连接)。
97.电压生成模块610可在布置于第一管芯上的第一组件处生成电压。电压调节模块615可以使用通过导电线与第一组件耦合的电容器来调节电压。电容器可布置在第二管芯上，第二管芯包含包含电容器的多个存储器单元。在一些实例中，在电容器与多个存储器单元隔离的情况下调节电压。在一些实例中，调节电压包含将电压的电平保持在阈值范围内。电压施加模块620可将由电容器调节的电压施加到布置在第一管芯上的一或多个组件。在一些实例中，施加电压包含激活一或多个开关组件以将电压传送到第一管芯的一或多个组
件。
98.在一些实例中，电容器包含在用于调节由第一组件生成的电压的第一组电容器中。在此类实例中，电压生成模块610可在布置于第一管芯上的第二组件处生成第二电压。电压调节模块615可使用与多个存储器单元隔离且通过第二导电线与第二组件耦合的第二组电容器来调节第二电压。电压施加模块620可激活与导电线、第二导电线或其组合耦合的开关组件以选择第一组电容器、第二组电容器或其组合。
99.开关组件管理器625可修改与第一组件耦合的电容性负载，其中电容性负载至少部分地基于电容器。在一些实例中，开关组件管理器625可修改与导电线耦合的开关组件的状态，以将并联连接的电容器的数量从第一数量修改为第二数量。
100.信息管理器630可以通过第二导电线在第一管芯与第二管芯之间传输信息。信息管理器630还可以通过第三导电线在第一管芯与第二管芯之间传输信息，其中导电线布置在第二导电线与第三导电线之间。
101.图7示出了图示根据本文公开的实例的支持管芯电压调节的一种或多种方法700的流程图。方法700的操作可以由本文所描述的装置或其组件来实现。例如，方法700的操作可以由参考图1至6所描述的装置来执行。在一些实例中，装置可以执行一组指令来控制装置的功能元件以执行所描述的功能。附加地或替代地，装置可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。
102.在705处，该方法可包含在布置于第一管芯上的第一组件处生成电压。存储器地址可与易失性存储器组中的一组存储器单元相关联。705的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，705的操作的各方面可以由参考图6所描述的电压生成模块来执行。
103.在710处，该方法可包含使用电容器调节电压，电容器通过导电线与第一组件耦合且布置在第二管芯上，第二管芯包括包含电容器的多个存储器单元，其中在电容器与多个存储器单元隔离的情况下调节电压。在一些实例中，调节电压包含将电压的电平保持在阈值范围内。710的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，710的操作的各方面可以由参考图6所描述的电压调节模块来执行。
104.在715处，该方法可包含将由电容器调节的电压施加到布置在第一管芯上的一或多个组件。在一些实例中，施加电压包含激活一或多个开关组件以将电压传送到第一管芯的一或多个组件。715的操作可以根据本文描述的方法来执行。在一些实例中，715的操作的各方面可以由参考图6所描述的电压施加模块来执行。
105.在一些实例中，本文所描述的设备可执行一种或多种方法，诸如方法700。该设备可包含用于在布置于第一管芯上的第一组件处生成电压的特征、方法或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)；使用电容器调节电压，电容器通过导电线与第一组件耦合且布置在第二管芯上，第二管芯包括包含电容器的多个存储器单元，其中在电容器与多个存储器单元隔离的情况下调节电压；以及将由电容器调节的电压施加到布置在第一管芯上的一或多个组件。
106.在一些实例中，电容器包含在用于调节由第一组件生成的电压的第一组电容器中。因此，本文中所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于在布置于第一管芯上的第二组件处生成第二电压的操作、特征、方法或指令；以及使用与多个存储器单元隔离且通过第二导电线与第二组件耦合的第二组电容器来调节第二电压。本文中所描述的方法
700和设备的一些实例可进一步包含用于激活与导电线、第二导电线或其组合耦合的开关组件以选择第一组电容器、第二组电容器或其组合的操作、特征、方法或指令。
107.本文所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于修改与第一组件耦合的电容性负载的操作、特征、方法或指令，其中电容性负载至少部分地基于电容器。本文所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于修改与导电线耦合的开关组件的状态以将并联连接的电容器的数量从第一数量修改为第二数量的操作、特征、方法或指令。
108.本文所描述的方法700和设备的一些实例可进一步包含用于通过第二导电线在第一管芯与第二管芯之间传输信息以及通过第三导电线在第一管芯与第二管芯之间传输信息的操作、特征、方法或指令；其中导电线布置在第二导电线与第三导电线之间。
109.在一些实例中，本文所描述的设备可执行方法700的各方面。该设备可包含：第一管芯，其包括经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件；第二管芯，其包括易失性存储器，易失性存储器包括存储器单元和与存储器单元隔离的电容器，其中存储器单元包括电容器；以及导电线，其耦合第二管芯的电容器和经配置以生成供第一管芯使用的电压的组件。
110.在一些实例中，该设备包含第一管芯和第二管芯下方的衬底，其中导电线的一区段沿第一方向穿过衬底。在一些实例中，该设备包含衬底与第一管芯和第二管芯之间的绝缘材料，其中导电线的第二区段沿不同于第一方向的第二方向穿过绝缘材料。
111.在一些实例中，该设备包含将第一管芯耦合到衬底的第一导电垫的第二导电线(例如，导电线440
‑
a)；以及将第二管芯耦合到衬底的第二导电垫的第三导电线(例如，导电线440
‑
b)，其中导电线(例如，导电线445)布置在第一管芯和第二管芯之下且导电线的横向区段布置在第二导电线的横向区段和第三导电线的横向区段之上。
112.在设备的一些实例中，第二管芯包含经配置以存取易失性存储器的存储器单元的电路(例如，存取电路540)，其中电容器与电路隔离。
113.在设备的一些实例中，导电线将电容器的第一端子与组件耦合。在此类实例中，设备可包含将电容器的第二端子与组件耦合的第二导电线。
114.在设备的一些实例中，第二管芯可包含与存储器单元隔离且与电容器并联的第二电容器(例如，电容器545
‑
a
‑
2)，其中导电线将第二电容器耦合到组件。
115.在一些实例中，设备可包含经配置以在第一管芯与第二管芯之间传送信息的第二导电线(例如，导电线570
‑
a)；以及经配置以在第一管芯与第二管芯之间传送信息的第三导电线(例如，导电线570
‑
b)，其中导电线布置在第二导电线与第三导电线之间。
116.在一些实例中，设备可包含开关组件(例如，开关组件560)，其沿导电线布置且经配置以修改至少部分地基于电容器的电容性负载。
117.在设备的一些实例中，第一管芯包括逻辑管芯或非易失性存储器管芯，且第二管芯包括dram管芯。
118.在一些实例中，本文所描述的设备可执行方法700的各方面。该设备可包含与多个导电垫接触的衬底；布置在衬底上的绝缘材料；第一管芯，其至少部分地由绝缘材料包围且通过第一导电线(例如，导电线440
‑
a)与多个导电垫中的第一导电垫耦合，第一管芯包括经配置以生成用于第一管芯的电压的组件；第二管芯，其至少部分地由绝缘材料包围且通过第二导电线(例如，导电线440
‑
b)与多个导电垫中的第二导电垫耦合，第二管芯包括易失性
存储器，易失性存储器包括经配置为存储器单元的多个电容器，并且第二管芯包括与多个电容器隔离的电容器；以及第三导电线(例如，导电线445)，其与经配置以生成用于第一管芯和第二管芯的电容器的电压的组件耦合，第二管芯的电容器与经配置为存储器单元的多个电容器隔离。
119.在设备的一些实例中，第三导电线的横向部分在第一管芯和第二管芯下方且在第一导电线和第二导电线的横向部分上方。
120.在设备的一些实例中，第三导电线沿第一方向穿过绝缘材料布置，且沿垂直于第一方向的第二方向穿过衬底布置。
121.在设备的一些实例中，第三导电线将电容器的第一端子与组件耦合。在此类实例中，设备可包含将电容器的第二端子与组件耦合的第四导电线。
122.应当注意，上述方法描述了可能的实施方案，并且可以重新排列或以其它方式修改操作和步骤，并且其它实施方案也是可能的。此外，可以组合来自两种或两种以上方法的部分。
123.本文所描述的信息和信号可以使用各种不同的技术和方法中的任何一种来表示。例如，在整个以上描述中可以引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子，或其任何组合来表示。一些附图可以将信号示为单个信号；然而，本领域普通技术人员将理解，信号可以表示信号总线，其中总线可以具有多种位宽。
124.协议可定义装置或组件支持使用的一或多个通信过程和一或多个通信参数。例如，协议可以定义各种操作、这些操作的定时和频率、各种命令或信号或两者的含义、一或多个存储器的一或多个寻址方案、为其预留引脚的通信类型、在诸如接口的各种组件处处理的数据的大小、由诸如接口的各种组件支持的数据速率，或由诸如接口的各种组件支持的带宽，以及其它参数和度量，或其任何组合。共享协议的使用可以实现装置之间的交互，因为每个装置可以以另一装置期望、识别和理解的方式操作。例如，支持相同协议的两个装置可以根据由协议定义的策略、过程和参数进行交互，而支持不同协议的两个装置可能不兼容。
125.为了说明，支持不同协议的两个装置可能是不兼容的，因为协议定义了不同的寻址方案(例如，不同数量的地址位)。作为另一说明，支持不同协议的两个装置可能是不兼容的，因为协议定义了用于响应单个命令的不同传送过程(例如，响应于命令而允许的突发长度或字节数量可能不同)。仅将命令转换为动作不应被解释为使用两种不同的协议。相反，如果由协议定义的相应过程或参数变化，则可以认为两个协议不同。例如，如果装置支持不同的寻址方案或用于响应命令的不同传送过程，则可以说装置支持两种不同的协议。
126.术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可指支持组件之间信号流动的组件之间的关系。如果在组件之间存在可以在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，则组件被认为彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接的组件的装置的操作，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接的组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或者所连接的组件之间的导电路径可以是间接导电路径，其可包含中间组件，诸如开关、晶体管或其它组件。在一些实例中，所连接的组件之间的信号流可例如使用一或多个中间组
件(诸如开关或晶体管)中断一段时间。
127.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的状态，在开路关系中，信号目前不能通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。当诸如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，该组件发起允许信号在先前不允许信号流动的导电路径上在其它组件之间流动的改变。
128.术语“隔离”是指其中信号目前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果它们之间存在开路，则组件彼此隔离。例如，当开关打开时，由位于组件之间的开关隔开的两个组件彼此隔离。当控制器隔离两个组件时，控制器影响使用先前允许信号流动的导电路径防止信号在组件之间流动的变化。
129.本文所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底上，诸如硅、锗、硅
‑
锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，诸如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包含但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或子区的导电性。掺杂可以在衬底的初始形成或生长期间通过离子注入或通过任何其它掺杂方法来执行。
130.本文讨论的开关组件或晶体管可以表示场效应晶体管(fet)，并且包括三端装置，其包含源极、漏极和栅极。端子可以通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包括重掺杂的(例如，退化的)半导体区域。源极和漏极可以由轻掺杂半导体区或信道隔开。如果信道是n型(即，多数载流子是电子)，则fet可称为n型fet。如果信道是p型(即，多数载流子是空穴)，则fet可称为p型fet。信道可以由绝缘栅氧化物覆盖。可以通过向栅极施加电压来控制信道导电性。例如，分别向n型fet或p型fet施加正电压或负电压可导致信道变得导电。当大于或等于晶体管阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以“导通”或“激活”。当将小于晶体管阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可为“断开”或“停用”。
131.本文结合附图阐述的描述描述了实例配置，而不代表可实现的或在权利要求范围内的所有实例。本文中使用的术语“示范性”是指“用作实例、例子或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例”。详细描述包含提供对所述技术的理解的具体细节。然而，这些技术可以在没有这些具体细节的情况下实施。在一些情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免模糊所描述的实例的概念。
132.在附图中，相似的组件或特征可以具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种组件可通过在附图标记后面加上破折号和区分相似组件的第二标记来区分。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则该描述可应用于具有相同第一附图标记的任何一个类似组件，而与第二附图标记无关。
133.本文所描述的信息和信号可以使用各种不同的技术和方法中的任何一种来表示。例如，在整个以上描述中可以引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子，或其任何组合来表示。
134.结合本文中的公开内容而描述的各种说明性框图和模块可用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其经设计以执行本文中所描述的功能的任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案
中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。
135.本文描述的功能可以以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实现。如果以由处理器执行的软件来实现，则功能可作为计算机可读媒体上的一或多个指令或代码来存储或传输。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求的范围内。例如，由于软件的性质，上述功能可以使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬布线或任何这些的组合来实现。实现功能的特征也可以物理地位于各种位置，包含被分布使得功能的部分在不同的物理位置实现。此外，如本文所使用的，包含在权利要求中，在项目列表(例如，由诸如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语开头的项目列表)中使用的“或”指示包含性列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。此外，如本文所使用的，短语“基于”不应被解释为对封闭的条件集的引用。例如，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可以基于条件a和条件b两者而不脱离本公开的范围。换句话说，如本文所使用的，短语“基于”应当以与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释。
136.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体和通信媒体，其包含便于将计算机程序从一个地方传送到另一个地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储装置，或可用于携带或存储指令或数据结构形式的所需程序代码手段并可由通用或专用计算机，或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，任何连接被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或诸如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或诸如红外线、无线电和微波的无线技术包含于媒体的定义中。本文使用的磁盘和光盘包含cd、激光盘、光盘、数字多功能盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常磁性地再现数据，而光盘用激光光学地再现数据。上述的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
137.提供本文的描述以使本领域技术人员能够制作或使用本公开。本领域技术人员将明了对本公开的各种修改，且本文中所界定的一般原理可应用于其它变化形式而不脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文所描述的实例和设计，而是应符合与本文所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。