一种芯片中坏块地址的跳转方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种芯片中坏块地址的跳转方法和装置。
【背景技术】
[0002]随着现代化技术的不断发展，嵌入式设备发展迅速，尤其是应用于智能系统，它们广泛应用于工业控制、手机、导航等领域，这些嵌入式设备大多都搭载了大容量的闪存芯片，以满足系统和数据的储存要求。
[0003]然而，由于闪存芯片的生产工艺导致内部会存在无法进行读写操作的坏块，但是嵌入式设备在设计过程中，会对坏块出现的范围有一定的要求，而闪存芯片的生产厂家一般只能保证闪存芯片无坏块或对坏块的数量进行控制，因而闪存芯片的生产厂家需要在闪存芯片出厂时进行坏块检测，嵌入式设备的生产商也会在设备生产前对采购的闪存芯片进行测试，以检测其坏块出现的区域是否在允许的范围内。
[0004]在市场上有很多针对闪存芯片的烧写、检测工具，它们功能强大，具备检测、烧写、擦除、校验等功能，但是普遍价格昂贵，使用复杂，速度慢。或者利用闪存芯片内设置的比较电路进行坏块位置的比对，一组坏块地址信息需要一个比较电路进行比对，过多的比较电路会占用闪存芯片的面积，造成闪存芯片的面积过大，也提高了闪存芯片的制作成本。
【发明内容】
[0005]本发明提供一种芯片中坏块地址的跳转方法和装置，以解决比较电路占用闪存芯片的面积，造成闪存芯片的面积过大，也提高了闪存芯片的制作成本的问题。
[0006]为了解决上述问题，本发明提供了一种芯片中坏块地址的跳转方法，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述方法包括:
[0007]将被访问的块的地址信息输入至所述第一芯片裸片；
[0008]将所述第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至所述第一芯片裸片；
[0009]在所述第一芯片裸片中比对所述坏块的地址信息与所述被访问的块的地址信息，得到比对结果；
[0010]根据所述比对结果进行坏块地址的跳转。
[0011]优选地，所述将被访问的块的地址信息输入至所述第一芯片裸片之前，所述方法还包括:
[0012]通过列地址将所述坏块的地址信息锁存到所述第零芯片裸片。
[0013]优选地，所述通过列地址将所述坏块的地址信息锁存到所述第零芯片裸片，包括:
[0014]通过所述坏块的地址信息在阵列中的列地址寻址读出所述坏块的地址信息；
[0015]通过译码将所述坏块的地址信息从解码数据输入端锁存至所述第零芯片裸片。
[0016]优选地，所述将所述第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至所述第一芯片裸片，包括:
[0017]通过所述坏块的地址信息在阵列中的列地址将所述第零芯片裸片中锁存的预设数量的所述坏块的地址信息依次串联输出至所述第一芯片裸片。
[0018]优选地，所述根据所述比对结果进行坏块地址的跳转，包括:
[0019]若所述比对结果表示所述坏块的地址信息包括所述被访问的块的地址信息，则进行坏块地址的跳转。
[0020]相应地，本发明还提供了一种芯片中坏块地址的跳转装置，所述芯片包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，所述装置包括:
[0021 ] 访问地址输入模块，用于将被访问的块的地址信息输入至所述第一芯片裸片；
[0022]坏块地址输出模块，用于将所述第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至所述第一芯片裸片；
[0023]地址比对模块，用于在所述第一芯片裸片中比对所述坏块的地址信息与所述被访问的块的地址信息，得到比对结果；
[0024]跳转模块，用于根据所述比对结果进行坏块地址的跳转。
[0025]优选地，所述装置还包括:
[0026]坏块地址锁存模块，用于在所述访问地址输入模块将被访问的块的地址信息输入至所述第一芯片裸片之前，通过列地址将所述坏块的地址信息锁存到所述第零芯片裸片。
[0027]优选地，所述坏块地址锁存模块，包括:
[0028]坏块地址读出模块，用于通过所述坏块的地址信息在阵列中的列地址寻址读出所述坏块的地址信息；
[0029]坏块地址输入模块，用于通过译码将所述坏块的地址信息从解码数据输入端锁存至所述第零芯片裸片。
[0030]优选地，所述坏块地址输出模块通过所述坏块的地址信息在阵列中的列地址将所述第零芯片裸片中锁存的预设数量的所述坏块的地址信息依次串联输出至所述第一芯片裸片。
[0031]优选地，所述跳转模块若所述比对结果表示所述坏块的地址信息包括所述被访问的块的地址信息，则进行坏块地址的跳转。
[0032]与现有技术相比，本发明包括以下优点:
[0033]芯片在出厂前需要进行坏块检测，如果检测到存在坏块，会把坏块的地址信息写入阵列的特定位置中，坏块的地址信息在芯片寿命范围内不会被改变，用户也不能改变。
[0034]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，将被访问的块的地址信息输入至第一芯片裸片；将第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至第一芯片裸片，即将坏块的地址信息依次串联在一起输入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比对坏块的地址信息与被访问的块的地址信息，得到比对结果；根据比对结果进行坏块地址的跳转。将坏块的地址信息依次串联在一起通过扫描式比对，则只需要一个第一芯片裸片，节省了芯片的面积，降低了芯片的制作成本。
【附图说明】
[0035]图1是本发明实施例一中的一种芯片中坏块地址的跳转方法的步骤流程图；
[0036]图2是本发明实施例二中的一种芯片中坏块地址的跳转方法的原理示意图；
[0037]图3是本发明实施例二中的一种芯片中坏块地址的跳转方法的步骤流程图；
[0038]图4是本发明实施例二中的一种芯片中坏块地址的跳转方法的匹配波形示意图；
[0039]图5是本发明实施例三中的一种芯片中坏块地址的跳转装置的结构图；
[0040]图6是本发明实施例四中的一种芯片中坏块地址的跳转装置的结构图。
【具体实施方式】
[0041]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0042]下面通过列举几个具体的实施例详细介绍本发明提供的一种芯片中坏块地址的跳转方法和装置。
[0043]实施例一
[0044]本发明实施例一提供了一种芯片中坏块地址的跳转方法。本发明实施例中的芯片可以包括第零芯片裸片和第一芯片裸片。
[0045]参照图1，示出了本发明实施例一中的一种芯片中坏块地址的跳转方法的步骤流程图。
[0046]步骤100，将被访问的块的地址信息输入至所述第一芯片裸片。
[0047]在芯片上电结束后，用户可以对芯片进行正常的操作，以读操作为例，在正常的读数据之前，首先要进行坏块(bad block)扫描，被访问的块可以为芯片中的其中一个块。
[0048]以NAND FLASH 为例，NAND FLASH 中共有 1024 个 block，地址从 O 到 1023，若被访问的block的地址为314，则将RA<15:6> = 314(block的地址，即行地址为314)输入到Diel〈ll:0>(第一芯片裸片)。
[0049]步骤102，将所述第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至所述第一芯片裸片。
[0050]芯片在出厂前需要测试，如果测试到坏块的存在，则会将坏块的地址信息写入到阵列(ARRAY)的特定位置中。在给芯片上电后，自动将ARRAY中的坏块的地址信息读出。
[0051]第零芯片裸片用于存储从ARRAY中读出的坏块的地址信息。
[0052]步骤104，在所述第一芯片裸片中比对所述坏块的地址信息与所述被访问的块的地址信息，得到比对结果。
[0053]坏块的地址信息和被访问的块的地址信息均存储在第一芯片裸片中。
[0054]若坏块的地址信息包括被访问的块的地址信息，则Hi t〈 11: 0> (比对结果)全为I ;若坏块的地址信息不包括被访问的块的地址信息，则表示被访问的块是正常的块。
[0055]步骤106，根据所述比对结果进行坏块地址的跳转。
[0056]芯片内部电路会根据:0>的值来确定跳转到替换坏块的块的操作。
[0057]本发明实施例通过采用上述方案，芯片在出厂前需要进行坏块检测，如果检测到存在坏块，会把坏块的地址信息写入阵列的特定位置中，坏块的地址信息在芯片寿命范围内不会被改变，用户也不能改变。
[0058]芯片中包括第零芯片裸片和第一芯片裸片，将被访问的块的地址信息输入至第一芯片裸片；将第零芯片裸片中锁存的坏块的地址信息依次输出至第一芯片裸片，即将坏块的地址信息依次串联在一起输入至第一芯片裸片；在第一芯片裸片中比对坏块的地址信息与被访问的块的地址信息，得到比对结果；根据比对结果进行坏块地址的跳转。将坏块的地址