一种同时烧录多个i2ceeprom的烧录方法和系统的制作方法

文档序号:9472518阅读:967来源:国知局
一种同时烧录多个i2c eeprom的烧录方法和系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电可擦可编程只读存储器巧EPROM)领域,并且特别设及一种同时烧 录多个I2CEEPROM的烧录方法和系统。
【背景技术】
[0002] I2C总线是PHILIPS公司为有效实现电子器件之间的控制而开发的一种简单的双 向两线总线。它是一种两线式高速的、全双工、同步的通信串行总线,用于连接微控制器及 其外围设备。
[0003] 在标准的I2C总线协议中,物理链路包括一条串行数据线(SDA)和一条串行时钟 线(S化)。I2C总线有=种数据传输速度模式:标准模式为100肺PS,快速模式为400肺PS, 高速模式支持快至3. 4Mbps的速度。所有的数据传输速度的模式都是兼容的。由于其简单、 灵活、硬件管脚资源少等优点,在器件与器件之间的通信中有着广泛的应用。
[0004] 现在,I2C总线已经成为一个国际标准,在超过100种不同的1C集成电路上实现, 得到超过50家公司的许可,应用设及家电、通信、控制等众多领域,特别是在ARM嵌入式系 统开发中得到广泛应用,常用于存储系统的一些基本信息等数据。 阳0化]在使用I2CEEPROM之前,通常需要将数据烧入至其中。在现有的烧录I2CEEPROM的方法中,需要一片一片进行烧录,造成动作浪费,同时浪费时间和人力,效率低下。

【发明内容】

[0006] 本发明的目的在于提供一种同时烧录多个I2CEEPROM的烧录方法和系统W改进 现有技术的缺陷。
[0007] 本发明实施例提供一种同时烧录多个I2CEEPROM的烧录方法,其特征在于,包 括:
[0008] 步骤S1 :将N个待烧录的I2CEEPROM依次装入N个烧录座;
[0009] 步骤S2 :将需要烧录的数据加载进控制器;
[0010] 步骤S3 :由所述控制器控制启动I2C总线;
[0011] 步骤S4 :将所述数据通过所述I2C总线烧录至第M个待烧录的I2CEEPROM,其中, M为大于等于1小于等于N的整数;
[0012] 步骤S5 :烧录成功后,由所述控制器控制点亮与所述第M个待烧录的I2CEEPROM 对应的LED;
[0013] 步骤S6 :判断烧录是否完成,如果完成,则流程前进到步骤S8 ;如果未完成,则流 程前进到步骤S7 ;
[0014] 步骤S7 :将M的值加1且流程返回至所述步骤S4继续烧录下一个待烧录的I2C EEraOM;W及 阳01引步骤S8:烧录结束。
[0016] 优选地,可同时烧录的I2CEEPROM的所述个数N与所述I2CEEPROM的容量有关。
[0017] 优选地,M的初始值为1。 阳0化]优选地,在所述步骤S6中:
[0019] 如果有N个LED被点亮,则表示烧录完成;如果被点亮的所述LED的个数少于N, 则表示还有未被烧录的I2CEEPR0M,则将M的值加1,继续烧录下一个I2CEEPR0M。
[0020] 本发明实施例还提供一种同时烧录多个I2CEEPR0M的烧录系统,其特征在于,所 述烧录系统包括烧录座、控制器和多个LED,其中,所述控制器通过I2C总线连接于所述烧 录座,所述多个L邸连接于所述控制器,所述烧录座用于装载N个待烧录的I2CEEPR0M,所 述控制器用于:
[0021] 装载需要烧录的数据;
[0022] 控制启动所述I2C总线,将所述数据通过所述I2C总线烧录至第M个待烧录的I2C EEPR0M,其中,M为大于等于1小于等于N的整数;
[0023] 烧录成功后,控制点亮与所述第M个待烧录的I2CEEPR0M对应的所述LED;
[0024] 判断烧录是否完成,如果完成,则烧录结束;如果未完成,则将M的值加1,继续烧 录下一个待烧录的I2CEEPR0M。
[0025] 优选地,可同时烧录的I2CEEPR0M的所述个数N与所述I2CEEPR0M的容量有关。
[0026] 优选地,如果有N个所述LED被点亮,则表示烧录完成;如果被点亮的所述LED 的个数少于N,则表示还有未被烧录的I2CEEPR0M,则将M的值加1,继续烧录下一个I2C EEraOM。
[0027] 优选地,M的初始值为1。
[0028] 优选地,所述烧录系统还包括第一电阻和第二电阻,将所述I2C总线的SDA信号线 和S化信号线上拉到电源VCC。
[0029] 本发明提供的同时烧录多个I2CEEPR0M的烧录方法和系统一次最多可同时烧 录八个I2CEEPR0M,并且在烧录当前I2CEEPR0M的同时,可W准备下一组要烧录的I2C EEPR0M,可W极大的节省时间,提高效率。
【附图说明】
[0030] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可W 根据运些附图获得其他的附图。
[0031] 图1为本发明一实施方式提供的同时烧录多个I2CEEPR0M的烧录方法的流程示 意图。
[0032] 图2所示为容量为化B的I2CEEPR0M的引脚图。
[0033] 图3为本发明一实施方式提供的同时烧录多个I2CEEPR0M的烧录系统的结构示 意图。
【具体实施方式】
[0034] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,W下结合附图及实施例,对 本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用W解释本发明,并 不用于限定本发明。
[0035] 参见图1,图1为本发明一实施方式提供的同时烧录多个I2CEEPR0M的烧录方法 的流程示意图,该烧录方法100包括W下步骤:
[0036] 步骤S1 :将N个待烧录的I2CEEPR0M依次装入N个烧录座。
[0037] 具体地,表1所示为I2CEEPR0M的容量与有效地址引脚的数量的对应关系,由表1 可知,可同时烧录的I2CEEPR0M的个数N与I2CEEPR0M的容量有关。在本发明一实施例 中,如果待烧录的I2CEEPR0M的容量为化B或2邸,则可W同时烧录8个I2CEEPR0M,即N =8。
[0038] 表 1
[0039]
[0040] 在本发明一实施例中,W烧写容量为化B的I2CEEPR0M为例,图'2所示为容量为 化B的I2CEEPR0M的引脚图。如图2所示,容量为化B的I2CEEPR0M共有8个引脚,其中, 有3个引脚(A0、A1、A。为地址引脚,因此,可同时烧录的I2CEEPR0M的个数为8,即N= 8。引脚S化和SDA分别与I2C总线的S化和SDA相连。优选地,WP引脚是忍片的写保护 引脚,在烧写之前应当将其置于低电平,W便于烧录器对忍片进行正常的读写操作。
[0041] 步骤S2 :将需要烧录的数据加载进控制器。
[0042] 步骤S3 :由控制器控制启动12C总线。 阳0创步骤S4 :将数据通过I2C总线烧录至第M个待烧录的I2CEEPR0M,其中,M为大于 等于1小于等于N的整数。
[0044] 具体地,在本发明一实施例
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