记忆卡的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种记忆卡。
【背景技术】
[0002]记忆卡俨然已成为现在储存媒体的新工具，不但具有体积小、容量大等优点，同时数据间的传输速度也相当快速，可以每秒1MB的速率进行数据的写入和读取，因而常见其应用于数码相机、移动电话等便携式电子装置中。目前市面上记忆卡种类相当繁多，如XD、SD、MMC、CF、MS、SM等，前述各类型不同的记忆卡间的主要差别在于储存格式及体积大小的不同。
[0003]一般而言，记忆卡多以两片壳体而将具有存储器单元的电子模块封装于内，而在所述壳体彼此对接的的过程中，其多会以定位结构将壳体予以定位之后，再以超音波熔接的方式结合壳体。然而，现有定位结构因制作公差而容易使得定位之后仍存在其间产生间隙，因而造成壳体之间仍会产生横向位移而错位(offset)，而在制程中形成不良品。
[0004]据此，如何使壳体的对位结构提高其定位效能，便是相关人员所需思考并解决的课题。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供一种记忆卡，其壳体通过定位组件而能无误地彼此对接。
[0006]本实用新型的记忆卡，包括第一壳体、第二壳体以及电子模块。第一壳体具有第一定位件。第二壳体具有第二定位件。电子模块容置于第一壳体与第二壳体对接后所形成的空间内。第一定位件具有侧缘，第二定位件具有导引面。第一壳体与第二壳体沿一轴彼此对接时，侧缘抵接在导引面上。在一截面上，导引面为一线段且侧缘为一点，其中线段与该轴夹锐角，截面平行于该轴。
[0007]在本实用新型的一实施例中，上述的第一定位件是凹槽，具有所述的侧缘。第二定位件是凸柱，具有所述的导引面。
[0008]在本实用新型的一实施例中，上述的凸柱具有基部、末端与连接在基部与末端之间的一对导引面，且导引面彼此相对。凹槽在开口处具有一对侧缘，且侧缘彼此相对。当第一壳体与第二壳体对接时，侧缘分别抵接于导引面。
[0009]在本实用新型的一实施例中，在所述截面上，基部沿一方向具有尺寸D1，而末端沿该方向具有尺寸D2，且凹槽的侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D3，其中Dl > D3 > D2。
[0010]在本实用新型的一实施例中，上述的凸柱在截面上的轮廓呈梯形。
[0011]在本实用新型的一实施例中，上述的凸柱具有基部与位于末端的导引面。凹槽在开口处具有一对侧缘，且侧缘彼此相对。当第一壳体与第二壳体对接时，侧缘抵接于导引面。
[0012]在本实用新型的一实施例中，在所述截面上，基部沿一方向具有尺寸D4，凹槽的侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D3，且D4 > D3。
[0013]在本实用新型的一实施例中，上述的导引面为曲面，侧缘同时抵接于曲面上。
[0014]在本实用新型的一实施例中，上述的第一定位件是凸柱，具有所述的侧缘。上述的第二定位件是凹槽，具有所述的导引面。
[0015]在本实用新型的一实施例中，上述的凸柱在末端具有彼此相对的一对侧缘，而凹槽具有底部与连接在开口与底部之间的一对导引面。当第一壳体与第二壳体对接时，侧缘分别抵接于导引面。
[0016]在本实用新型的一实施例中，在所述截面上，底部沿一方向具有尺寸D6，开口沿该方向具有尺寸D7，该对侧缘沿该方向的相对距离为尺寸D5，且D6 < D5 < D7。
[0017]在本实用新型的一实施例中，在所述截面上，凹槽沿所述方向的尺寸从开口处朝向底部收敛。
[0018]在本实用新型的一实施例中，上述的凸柱在末端具有彼此相对的一对侧缘，而凹槽具有位于底部的导引面，且导引面为曲面。当第一壳体与第二壳体沿该轴对接时，该对侧缘同时抵接于导引面。
[0019]在本实用新型的一实施例中，在所述截面上，侧缘沿所述方向的相对距离为尺寸D5，而凹槽在开口处具有沿所述方向的尺寸D8，且D5 < D8。
[0020]在本实用新型的一实施例中，电子模块包括电路板、连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块以及存储器控制电路单元。电路板位于第一壳体与第二壳体之间。连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块以及存储器控制电路单元分别配置于电路板上，且经由电路板而彼此电性连接。
[0021]基于上述，记忆卡的第一壳体与第二壳体分别通过定位件在截面上的外形轮廓及尺寸关系，而使第一壳体与第二壳体在对接时，除能通过定位件的导引面而提供导引定位的效果外，还通过定位件在截面上是以单点式进行对接，即，不使定位件形成面接触关系，因而能进一步地提供定位件在横向(垂直对接轴向)上的卡置关系，以避免对接后的定位件产生相对位移而有效地避免第一壳体与第二壳体产生错位的情形，因而此举能提供记忆卡的壳体在进行超音波熔接时较佳的对位与固定效果。
[0022]为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
【附图说明】
[0023]图1是本实用新型一实施例的一种记忆卡的组装示意图；
[0024]图2是图1的记忆卡中部分构件的局部放大图；
[0025]图3示出本实用新型另一实施例的一种记忆卡的局部组装示意图；
[0026]图4示出本实用新型又一实施例的一种记忆卡的局部组装示意图；
[0027]图5示出本实用新型又一实施例的一种记忆卡的局部组装示意图。
[0028]附图标记说明:
[0029]100:记忆卡；
[0030]110、210、310、120、320、420:壳体；
[0031]112、212、312:凸柱;
[0032]112a、212a、322a、422a:导引面；
[0033]122、322、422:凹槽;
[0034]122a、312a:侧缘；
[0035]111、126:开口；
[0036]131:电路板；
[0037]130:电子模块；
[0038]132:可复写式非易失性存储器模块；
[0039]134:存储器控制电路单元；
[0040]136:连接接口单元；
[0041]D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8:尺寸；
[0042]E1、E3:基部；
[0043]E2:末端；
[0044]S1、S2:内表面；
[0045]X1、X2、X3、X4:中心轴。
【具体实施方式】
[0046]图1是本实用新型一实施例的一种记忆卡的组装示意图。图2是图1的记忆卡中部分构件的局部放大图。在此同时提供直角坐标系以便于描述相关构件。请同时参考图1与图2，在本实施例中，记忆卡100例如是安全数字记忆卡(Secure Digital Card，简称SD卡)，其包括壳体110、壳体120以及电子模块130。在本实施例中，壳体110与壳体120的材质例如是呈片状的塑胶壳体，其能通过超音波熔接于壳体的周缘而相互结合。
[0047]再者，电子模块130包括电路板131、连接接口单元136、可复写式非易失性存储器模块132以及存储器控制电路单元134，其中连接接口单元136、可复写式非易失性存储器模块132与存储器控制电路单元134分别配置在电路板131上，并经由电路板131而彼此电性连接。存储器控制电路单元134用以执行以硬件型式或固件型式实现的多个逻辑门或控制指令，并且根据系统指令在可复写式非易失性存储器模块132中进行数据的写入、读取与抹除等操作。此外，可复写式非易失性存储器模块132是耦接至存储器控制器134，并且用以储存系统所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块132具有实体抹除单元，其可属于同一个存储器晶粒(die)或者属于不同的存储器晶粒。每一实体抹除单元分别具有多个实体程序单元，并且属于同一个实体抹除单元的实体程序单元可被独立地写入且被同时地抹除。例如，每一实体抹除单元是由128个实体程序单元所组成。然而，必须了解的是，本实用新型并不限于此，每一实体抹除单元是可由64个实体程序单元、256个实体程序单元或其他任意个实体程序单元所组成。
[0048]更详细来说，实体抹除单元为抹除的最小单位。也就是，每一实体抹除单元含有最小数目的一并被抹除的存储单元。实体程序单元为程序的最小单元。即，实体程序单元为写入数据的最小单元。每一实体程序单元通常包括数据比特区与冗余比特区。数据比特区包含多个实体存取位址用以储存使用者的数据，而冗余比特区用以储存系统的数据(例如，控制信息与错误更正码)。在本范例实施例中，每一个实体程序单元的数据比特区中会包含4个实体存取位址，且一个实体存取位址的大小为512字节(byte，简称B)。然而，在其他范例实施例中，数据比特区中也可包含8个、16个或数目更多或更少的实体存取位址，本实用新型并不限制实体存取位址的大小以及个数。例如，实体抹除单元为实体区块，并且实体程序单元为实体页面或实体扇。
[0049]基于上述，通过把电子模块130封装在壳体110、壳体120之内，以经由壳体110的多个开口 111让电子模块130的连接接口单元136暴露出来，作为记忆卡100与其他外接装置(未示出)电性连接的接口。在此不限定记忆卡的种类，举凡需以壳体将具有上述构件的电子模块通过超音波熔接而封装在内者，皆能适用于本实用新型。
[0050]在壳体110与壳体120的连接过程中，需通过相关结构而进行对位，然如前述，现有的定位结构因制作公差等问题，而容易造成壳体110与壳体120在定位后仍存在错位(offset)的情形。据此，在本实施例中，壳体110具有突出于内表面SI的多个凸柱112，而壳体120具有多个位于内表面S2的凹槽122，其中所述凸柱112分别对应于凹槽122，以在壳体110与壳体120沿Z轴对接时，凸柱112能对应地抵靠于凹槽122。
[0051]值得注意的是，本实用新型的壳体110、壳体120中，定位组件(在此，定位组件是由两个对应的定位件构成，即上述的凸柱112与凹槽122)的其中之一具有导引面，而使该定位件以所述导引面与定位组件的另一定位件对接，且定位组件在一截面上，所述导引面与另一定位件是以单点方式进行接触，以在达到导引定位的同时，也能避免上述横向相互错位的情形。
[0052]为方便描述凸柱112与凹槽122，在此将图1所示出的记忆卡100沿Y_Z平面予以剖视，也就是在本实用新型的实施例中，以Y-Z平面为基准提供一截面作为对壳体110、壳体120进行剖视的手段，而使导引面112a在所述截面上是呈一线段，而侧缘在所述截面上是呈一点。后续实施例的截面将以同样方式对相关壳体与其上的结构进行描述，在此先行说明。
[0053]详细而言，本实施例的壳体110中，凸柱112具有基部E1、末端E2与连接