专利名称：用于淀积工艺的蒸发源和绝缘固定板,以及电热丝缠绕板和用于固定电热丝的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于淀积工艺的蒸发源和绝缘固定板，以及一种电热丝缠绕板和用于固定电热丝的方法，尤其是，涉及一种用于淀积工艺的蒸发源，其中改善了低的材料使用率，并且确保了淀积薄膜在整个区域上的厚度均匀性。
还有，本发明涉及一种绝缘固定板、电热丝缠绕板以及用于固定电热丝的方法，其中防止了设置并且固定于蒸发源上的电热丝受到损坏，电热丝被轻易地安装在蒸发源的周围，来均匀地向蒸发源施加热量，增强了电热丝的耐久性能，并且缩小了由用于固定电热丝的固定板遮蔽起来的区域，以便提高效率，其中所述蒸发源被用于利用淀积工艺形成半导体薄膜。
背景技术：
一般来说，包括有机场致发光(EL)器件或者类似器件的有机半导体器件可以利用两种方法制造而成。一种是在真空环境中蒸发一种低分子材料，另外一种是将一种高分子材料溶解于一种溶剂中，并且通过利用旋涂、浸涂、刮涂、喷墨印刷或者类似工艺涂布溶解后的高分子溶液。
在前述方法中，当在真空状态下形成薄膜时，在衬底的前方排列一个具有所需形状的开口的掩膜(a shadow mask)，来通过该掩膜在所述衬底上淀积薄膜。
对于前述真空淀积方法来说，为了确保薄膜的厚度均匀性，如图1中所示，衬底1与蒸发源2间隔开，并且蒸发源2位于衬底1的中心的下方。此后，在衬底1旋转的同时所述薄膜得以淀积。
作为前述方法的一种改进，如图2中所示，蒸发源2以一个倾斜角度位于衬底1的下方。此后，在衬底1旋转的同时所述薄膜得以淀积，来由此增强薄膜的均匀性。
但是，随着衬底尺寸的增大，前述淀积方法会导致若干问题。换句话说，随着衬底尺寸的增大，衬底1与蒸发源2之间的距离也会增大。由于衬底1与蒸发源2之间的距离增大，从蒸发源2蒸发出来的物质会自然地淀积在衬底1上，但是大部分会均匀地淀积在真空腔室上，从而使得蒸发源材料的使用率明显下降。考虑到在实际应用中有机材料非常昂贵，所以在真空腔室上发生所不希望的淀积现象是导致制造成本升高的主要因素。
还有，随着衬底具有一个大的尺寸，如图3中所示，由于掩膜3与蒸发源2之间的夹角所导致的阴影效应(图3中的‘a’)成为问题。阴影效应是由于衬底1与蒸发源2在衬底1的中部处的夹角与衬底1与蒸发源2在衬底1的边缘处的夹角不同而造成的。这个问题在掩膜上的开口缩小很多的制造自然色器件(a natural color device)时更为严重。
针对前述阴影效应问题，已经提出了这样一种方法，其中多个蒸发源线性排列，或者这样一种方法，其中利用一个线状蒸发源对衬底进行扫描。
但是，在利用多个蒸发源的情况下，难以通过对各个蒸发源进行控制来将蒸发速率控制在一个所需的值。还有，在利用线性蒸发源的情况下，解决在衬底边缘处产生的薄膜不均匀现象并不容易。
与此同时，在真空状态下用于淀积工艺的蒸发源通常被分成加热蒸发源和辐射蒸发源，在加热蒸发源中，利用直接电阻加热来蒸发所述蒸发物质，在辐射蒸发源中，利用由电热丝产生的热辐射来蒸发所述蒸发物质。
图4是传统辐射蒸发源中的电热丝固定装置的透视图。
如图4中所示，一根电热丝32被设置在一个坩锅31的周围，在坩锅31中容放有蒸发物质。尽管该示例示出了坩锅31对应于一个点状源，但是对于本技术领域技术人员来说将会明白的是，该示例也可以被应用于对应于线状源的坩锅。
为了对电热丝32进行固定，由陶瓷制成的绝缘固定板33和34被设置在坩锅31的上端部和下端部处，并且电热丝32被交替地插入到孔33a和34a内。在利用高温蒸发源的情况下，一块金属板(未示出)被设置在绝缘固定板33和34外周的周围，来反射由电热丝辐射出的热量。
由此，为了通过利用上方绝缘固定板33和下方绝缘固定板34来设置电热丝32，上方绝缘固定板33和下方绝缘固定板34被设置成使得它们上的孔33a和34a相互面对并且相互对应。接着，长的电热丝32被依次穿过上方绝缘固定板33上的上孔33a和下方绝缘固定板34上的下孔34a。电热丝被插入与该电热丝穿过的前一下孔34a相邻的孔34a内，并且接着被沿着与前一插入方向相反的方向插入与前一上孔33a相邻的孔33a内。通过反复进行前述操作，电热丝32被插入到所有的上孔33a和下孔34a内，并且随后如图4中所示那样被固定起来。
在前述操作中，在电热丝32穿过相邻的孔之后，其被拉扯至张紧状态，以防止电热丝发生开裂(opened)并且均匀地施加热量。那么，在拉扯电热丝32的过程中，电热丝32有可能由于与绝缘固定板上的孔之间发生摩擦而受损或者弯曲。
如果蒸发源在电热丝如前所述受损的状态下制造而成，并且电流流过所述电热丝，那么由于电热丝上的局部不均匀电阻，坩锅的温度分布将不均匀。如果电热丝在这种状态下长时间使用，那么在受损部分处的机械强度会被削弱，从而有可能导致电热丝发生开裂。
还有，前述传统电热丝固定装置会由上方和下方绝缘固定板的厚度遮蔽住电热丝，从而使得施加在坩锅上的辐射热量相应地减少。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，其中改善了低的材料使用率，确保了淀积薄膜在整个区域上的厚度均匀性，并且改善了由于掩膜导致的阴影效应。
本发明的另外一个目的在于提供一种电热丝缠绕板和用于固定电热丝的方法，其中防止了电热丝受损，电热丝被轻易地安装在蒸发源的周围，来均匀地向蒸发源施加热量，增强了电热丝的耐久性能，并且缩小了由用于固定电热丝的固定板遮蔽起来的区域，以便提高淀积效率。
为了实现这些目的和其它优点，并且根据本发明的主旨，如同在这里实施和宽泛描述的那样，在此提供了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，该坩锅于其中形成有一容放空间，用于容纳蒸发物质，以及一个沿着长度方向形成于坩锅一个侧面处的开口部，其中所述开口部随着从其两个端部朝向中部延伸而变窄。
所述开口部的中部可以沿着长度方向局部封闭。
在本发明的一个方面，在此提供了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，其具有一个用于在其中容纳蒸发物质的容放空间，并且其一个侧面敞开；和一个开口调节单元，其具有一个开口，该开口的宽度随着从其两个端部朝向中部延伸而变窄，该开口调节单元在所述侧面处被独立地插入坩锅内。
优选的是，所述坩锅在与开口调节单元重叠的部分处被局部去除，从而使得开口调节单元的一部分暴露在一个加热源之下。
还有，在所述容放空间内，在所述开口的下部处可以形成一个防溅部，用于防止蒸发物质被排放到外部。
优选的是，在所述容放空间内，沿着长度方向可以以规则的间隔排布多个部件(blocks)，用于分隔所述容放空间并且在其中容放蒸发物质。
在本发明的一个方面，在此提供了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，该坩锅具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳一种蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于其一个侧面处的开口部，其中所述开口部被制成使得其宽度随着从其两个端部朝向中部延伸而变窄，并且所述坩锅还包括一个防溅部，该防溅部被制成在所述容放空间内从所述开口的下侧部分突伸出来。
在本发明的一个方面，在此提供了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源装置，这种线状蒸发源装置包括一个坩锅，其具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳一种蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩锅一个侧面处的开口部；和一个加热单元，其被安装成与所述坩锅协同工作，用于蒸发所述蒸发物质，其中所述开口部被制成使得其宽度随着从两个端部朝向中部延伸而变窄。
在本发明的一个方面，在此提供了一种用于将电热丝固定在淀积蒸发源中的绝缘固定板，这种绝缘固定板包括一个框架，其形成了一个封闭回路；和多个突起，这些突起与所述框架一体成形，并且从所述框架朝向所述框架中部突伸出来，这些突起以规则的间隙相互间隔开，其中所述突起中的每一个均具有一个形成于其上表面中的沟槽，并且电热丝悬挂于该沟槽上。
优选的是，所述框架具有一条穿过槽，电热丝在所述间隙与沟槽交汇的部分处穿过该穿过槽。
可选择地，所述绝缘固定板还可以包括一个悬挂爪，其形成于所述框架的外端部处；和一块辐射板，它的两个端部被固定在所述悬挂爪与所述外端部之间。
在本发明的一个方面，在此提供了一种淀积蒸发源中的加热器组件，包括一对绝缘固定板，它们沿纵向以恒定的间距相互分开设置，用于将电热丝固定在用于进行淀积的蒸发源中，这种绝缘固定板包括(a)一个框架，其形成了一个封闭回路；和(b)多个突起，这些突起与所述框架一体成形，并且从所述框架朝向所述框架的中部突伸出来，这些突起以规则的间隙相互间隔开，其中所述突起中的每一个均具有形成于其上表面中的沟槽，并且电热丝悬挂于该沟槽上；电热丝，其穿过所述那对绝缘固定板的间隙，并且利用所述沟槽作为边界沿着上、下方向以“Z”字形缠绕。
在本发明的一个方面，在此提供了一种淀积蒸发源中的电热丝缠绕板，其被设置成使得电热丝缠绕在前述的绝缘固定板上，这种电热丝缠绕板包括多对销槽(pin grooves)，销被插入该销槽内，并且以规则的间隔排布成两列，其中，位于一列中的销槽被以“Z”字形排布，而面对着另外一列中的销槽之间的区域，并且所述销槽之间的宽度对应于所述绝缘固定板上的突起的宽度。
可选择地，所述电热丝缠绕板可以进一步包括另一销槽，该销槽与所述两列中的任一个以预定的距离间隔开进行延伸。
优选的是，所述电热丝缠绕板还包括固定沟槽，该固定沟槽被制成与形成在所述电热丝缠绕板端部处的销槽相邻，并且用于固定电热丝的前端部的固定件被插入其内。
在本发明的一个方面，在此提供了一种用于对淀积蒸发源中的电热丝进行固定的方法，通过利用权利要求13中的绝缘固定板和权利要求18中的电热丝缠绕板，所述电热丝被安装并且固定在蒸发源上，这种方法包括下述步骤将销插入到所述电热丝缠绕板上的销槽内，并且将电热丝的前端部固定在一个与其上起先缠绕有电热丝的销相邻的位置处；利用插入的销作为边界将电热丝以“Z”字形缠绕在一列和与该列相对的另外一列之间；将缠绕完毕的电热丝与所述电热丝缠绕板分离开；将分离下来的电热丝的弯曲部分悬挂在所述绝缘固定板的突起的沟槽上；以及对其上缠绕有电热丝的那对绝缘固定板进行牵拉和排布，以便具有一个恒定的张力，并且将所述那对绝缘固定板安装在蒸发源处。
优选的是，在将所述那对绝缘固定板安装在蒸发源处的步骤之后，所述固定方法还包括沿着电热丝的向外方向将一块辐射板安装到所述那对绝缘固定板之间。
需要明白的是，前面的总体描述和下面的详细描述均为示例和说明目的，并且用于进一步解释所要求保护的本发明。
附图示出了本发明的实施例并且与下面的描述一同用于解释本发明的原理，其中这些附图用于提供对本发明的进一步理解，并且被结合入本说明书内构成本说明书的一部分。
在附图中图1示出了一种利用传统蒸发源的淀积方法；图2示出了另外一种利用传统蒸发源的淀积方法；图3示出了当利用一种传统蒸发源淀积薄膜时导致的阴影效应；图4是传统辐射蒸发源中的电热丝固定装置的透视图；图5是用于根据本发明第一实施例制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源的透视图；图6是图5中所示线状蒸发源的侧向剖视图；图7a是用于根据本发明第二实施例制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源的侧向剖视图；图7b是图6a的侧向剖视图；图8是用于根据本发明第三实施例制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源的剖视图；图9示出了一种利用本发明中的线状蒸发源的薄膜淀积方法；图10是另外一种利用本发明中的线状蒸发源的薄膜淀积方法；图11是根据本发明第四实施例用于制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源的剖视图；图12示出了一种利用图11中所示线状蒸发源的薄膜淀积方法；图13是曲线，示出了当利用根据本发明用于制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源时薄膜的厚度均匀性；图14是透视图，示出了电热丝在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内的安装状态；
图15是在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的绝缘固定板的平面图；图16是沿着图3中线A-A′截取的剖视图；图17是另外一个在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的绝缘固定板的剖视图；图18是在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的电热丝缠绕板的平面图；而图19是分解透视图，示出了利用了在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内的电热丝固定装置中的电热丝缠绕板的电热丝。
具体实施例方式
下面将详细地参考本发明的优选实施例，在附图中示出了这些优选实施例的例子。
图5是根据本发明第一实施例用于制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源的透视图，而图6是图5中所示线状蒸发源的侧向剖视图。
坩锅10具有一个形成于其一个侧面处的开口11。坩锅10的另外一个侧面被封闭起来，形成一个容放空间。淀积物质(A)被容放在所述容放空间中。优选的是，坩锅10被加工成长柱状，并且开口11沿着坩锅10的长度方向形成。
在此，可以通过在开口11的上方沿着一个垂直于长度方向的方向移动或者反过来使坩锅10移动来淀积一个薄膜。
根据本发明，开口11的宽度被制成当其沿着长度方向从坩锅10的两个端部朝向中部延伸时变窄，从而使得其能够以一个均匀厚度淀积薄膜。
换句话说，在传统技术中，由于开口11的宽度在坩锅10的整个长度上相同，那么所淀积的薄膜被制成在中部相对较厚，但是随着其朝向衬底的周边行进，被制成相对较薄。最终，所述薄膜的均匀性总体下降。
还有，如果开口11的中部被部分封闭，那么可以获得相同的效果。
对于本技术领域中那些熟练技术人员来说将会明白的是，在不脱离本发明实质和范围的条件下，可以对前述基本特性进行各种改进和变型。例如，开口11可以被制成圆形或者长方形，来沿着长度方向相互间隔开，以便使得尺寸随着其朝向中部行进而减小。
此外，成形有一个沿着长度方向具有相同宽度的主开口和排布在该主开口两侧的三角形辅助开口，除了所述中部的某些部分之外，各个三角形辅助开口的宽度随着其朝向中部行进而减小。
根据第二实施例的线状蒸发源如图7a和7b中所示，一个开口11被制成沿着长度方向具有恒定尺寸，并且一个开口调节单元20被独立地安装成能够轻易地对开口区域进行调节，其中开口调节单元20具有一个喷嘴部21，该喷嘴部21的宽度在形式上与第一实施例中相同。
一般来说，由于难以形成具有与第一实施例中相同形状的开口，所以开口调节单元20被可拆卸地制成，并且被安装在坩锅10上的开口11上。
开口调节单元20可以被一体制成，或者可以独立地制造两个或更多开口，并且被组合安装起来。优选的是，在开口调节单元20的上端部处形成有一个凸缘，从而使得能够精确地设定一个紧密插入坩锅10的上端部的深度。
还有，在坩锅10的下部处，一个防溅件30被安装成与喷嘴部21间隔开一个恒定的距离，以便防止坩锅10中的物质(A)发生溅射来损害衬底或者类似物体。
根据第三实施例的线状蒸发源在前述第二实施例利用了开口调节单元20的情况下，该开口调节单元20将被插入到坩锅10内，来用于遮蔽热量，从而使得所述开口的相对温度下降，并且由此使得淀积物质可以淀积在开口调节单元20上。在这种情况下，在淀积操作进行的同时，有可能导致淀积物质使得开口调节单元20中的开口形状发生改变，并且还会封闭入口。
为了解决这种缺陷，如图8中所示，坩锅10的两个侧部被部分地挖开，以便显露出开口调节单元20，从而使得显露部分形成了一个加热部12，来允许电热丝的热量在淀积时直接对开口调节单元20进行加热，并且防止淀积物质(A)淀积在开口调节单元20上和防止入口被封闭。
图9示出了利用本发明中的线状蒸发源的薄膜淀积方法。本发明的工作过程和效果将参照图5至9进行描述。
如图9中所示，在利用了本发明中的线状蒸发源的情况下，淀积操作优选通过相对于坩锅10上的开口11的长度方向直线移动衬底1和掩膜3来实现，但是在某些时候也可以通过在衬底1和掩膜3固定的状态下直线移动坩锅10来实现。
坩锅10上的开口11可以具有不同形状，只是它被制成为使得宽度随着从两个端部朝向中部行进减小即可。换句话说，如果两个边缘部分呈三角形，并且位于一个边缘部分的三角形顶点与开口中部之间的通道延伸至另外一个边缘部分的三角形顶点，那么可以获得相同的效果，并且可以大大提高薄膜的厚度均匀性。
还有，如图7a和7b中所示，可以通过将独立的开口调节单元20安装到开口11上来轻易地控制开口11中物质(A)蒸发所穿过的区域。开口调节单元20可以制成可拆卸，从而使得当喷嘴21由于物质(A)的淀积而被玷污并且由此使得所述开口区域变窄时，可以被轻易地拆下来并且进行清洁。
与此同时，倘若第一次启动淀积操作或者物质密度发生变化时，物质(A)会发生溅射而玷污衬底1或者有可能执行无法预测的淀积操作，这样会导致淀积薄膜严重受损。因此，设置一个防溅件30来防止这种问题。
首先，在利用传统蒸发源淀积薄膜的情况下，为了确保薄膜淀积的厚度均匀性，需要使得衬底1与蒸发源间隔开。但是，在利用本发明中的线状蒸发源的情况下，由于能够在衬底1相对接近蒸发源的状态下执行淀积操作，所以物质(A)的使用寿命达到延长，从而使得无需频繁地更换淀积源。
与此同时，如图10中所示，在某些时候，淀积操作可以通过在衬底1和掩膜3沿着长度方向直立并且坩锅10沿着长度方向布置的状态下向左、向右移动衬底1和掩膜3来实现。
在前述情况下，如果坩锅具有一般形状，那么淀积物质会向下偏斜，并且会由此导致淀积物质下落。或者，尽管能够制取薄膜，但是无法确保薄膜的厚度均匀性。为了解决前述缺陷，部件13被安装在容放有淀积物质的内部空间中，呈能够打开和关闭的抽屉形式。由此，可以防止淀积物质向下偏斜。
根据第四实施例的线状蒸发源参照图11，在衬底1和掩膜3直立的情况下，在坩锅10内、一个面对着衬底1的侧面处形成有一个开口11，并且形成一个用于防止物质(A)发生溅射的防溅部14。
如图12中所示，淀积操作通过在衬底1和掩膜3直立的状态下上、下移动坩锅10来实现。
图13是一条曲线，示出了在使用根据本发明用于制造薄的有机半导体器件的线状蒸发源时的薄膜厚度均匀性。如图13中所示，例子(●)，即通过利用本发明中的线状蒸发源制得的薄膜，与例子(▲)，即通过利用点状蒸发源制得的薄膜，和例子(■)，即没有利用开口调节单元制得的薄膜，相比具有较好的厚度均匀性。
图14是一个透视图，示出了电热丝在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内的安装状态，图15是在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的绝缘固定板的平面图，而图16是一个沿着图3中线A-A′的剖视图。
为了便于进行描述，利用一个点状蒸发源示例来对本实施例进行描述，并且将会明白的是，本实施例可以被应用于第一至第四实施例中的线状蒸发源。
电热丝70被以规则的间隔设置在一个点状蒸发源40的周围，来将点状蒸发源40包围起来。
电热丝70的两个端部由布置在点状蒸发源40的两个端部处的绝缘固定板60固定起来。
参照图15和16，绝缘固定板60包括一个环状框架63，和多个突起61，这些突起61从框架63一体地朝向中部突伸出来。在突起61的上表面上，分别形成有沟槽61a，用于在其中对电热丝70进行导引和固定。还形成有多个穿过槽62，这些穿过槽62的直径容许电热丝70穿过其中。
优选的是，突起61以规则的间隔单独形成，并且在电热丝穿过的位置成形有圆形穿过槽62，以便不会对电热丝造成损害，即使由于电热丝70发生运动而产生摩擦时也是如此。
图17是另外一个在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的绝缘固定板的剖视图。
悬挂爪64被成形在绝缘固定板60中的框架63的外端部处，用于固定辐射板80的两个端部。换句话说，为了获得一个较高的辐射温度，辐射板80被安装成将电热丝70包围起来。形成于框架63的外端部处的悬挂爪64容许更为容易地将辐射板70安装起来。
图18是在本发明中用于淀积工艺的蒸发源内电热丝固定装置中的电热丝缠绕板的平面图。
为了通过利用本发明中的绝缘固定板60更为容易地将电热丝70安装在蒸发源40处，利用电热丝缠绕板50。多对销槽51在电热丝缠绕板50上排布成两列，销(图19中的52)被插入穿过销槽51。相应对销槽51之间的间隔对应于突起61的宽度，并且列之间的间隔对应于上方与下方绝缘固定板60之间的间隔。
位于一列中的相应对销槽51最好被设置成面对着另外一列中的相应对销槽之间的区域，以便使得电热丝70被以“Z”字形缠绕起来。
还有，可以将销槽51制成其宽度对应于突起61的宽度，并且一个接一个地设置。此时，被插入销槽51内的销的周边最好被制成圆形，以便在插入电热丝的同时减小电热丝与销之间的摩擦。
此外，固定沟槽55对应于一个插入固定件(图19中的54)的部分，并且它们被成形在多个位置处，以便根据蒸发源的尺寸缠绕电热丝来将该电热丝安装起来，其中所述固定件用于固定电热丝70的前端部。
图19是一个分解透视图，示出了一种利用本发明中用于淀积工艺的蒸发源内的电热丝固定装置的电热丝缠绕板的电热丝缠绕方法。
首先，将是这样一个步骤，其中通过利用参照图18和19的电热丝缠绕板将电热丝安装在蒸发源处。
如图19中所示，销52被插入电热丝缠绕板50上的销槽51内，电热丝70穿过固定沟槽55之间，并且一个固定件54被插入并固定在固定沟槽55上，以便使得电热丝保持一个恒定的拉力。
此后，利用相应的销52作为边界，电热丝70被以“Z”字形反复缠绕在销52的周围。
在电热丝被缠绕完毕之后，固定件54被去除并且将销52与销槽51分离开，从而使得缠绕成预定形状的电热丝70与电热丝缠绕板50分离开。换句话说，由于电热丝70具有恒定的直径，所以其仍旧保持缠绕形状。
在这种状态下，电热丝被悬挂在上方和下方绝缘板60上，以便使得电热丝70被相应的销52弯曲的部分被悬挂在突起61的沟槽61a上。
此后，以即将安装的蒸发源的高度来对两个绝缘板60进行拉扯，以便具有一个恒定的拉力，并且接着将两个绝缘固定板60安装在蒸发源处。
如前所述，本发明的特征在于，所述电热丝利用电热丝缠绕板缠绕，以便保持一个预定形状，并且缠绕在绝缘固定板的突起上的电热丝被移动并安装在蒸发源处。利用前述安装方法，不会在电热丝上施加过大摩擦或拉力，并且能够轻易地对电热丝进行安装。
与此同时，如果需要，本发明可以被构造成在施加于蒸发源上侧面和下侧面的辐射热量之间存在差异。尤其是，存在有多种情况，其中使得蒸发源的下侧面具有一个高于上侧面的温度。在这种情况下，可以如图18中示出的那样设置另外的销槽53，这些销槽53以恒定的距离与对应于下侧面的热量间隔开。
延伸地安装的销槽53所处的部分可以被用作一个边界，来对电热丝进行缠绕。通过如此操作，增加了电热丝的分布，从而使得能够提高下侧面的温度。
尽管在此已经参照本发明的优选实施例对本发明进行了描述和图示，但是对于本领域技术人员来说将会明白的是，可以在不脱离本发明的实质和范围的条件下进行各种改进和变型。因此，所希望的是本发明覆盖所有落入所附权利要求以及等效描述的范围内的改进和变型。
工业实用性如前所述，根据本发明的线状蒸发源，当利用一种淀积工艺形成薄膜时，改善了真空蒸发源的低的材料使用率，确保了在淀积薄膜的整个区域上的厚度均匀性，并且还改善了由于掩膜导致的阴影效应。
此外，根据本发明中的电热丝固定装置和方法，防止了电热丝受损，并且能够将电热丝安装在蒸发源的周围。还有，热量被均匀地施加在蒸发源上，提高了电热丝的耐久性，并且缩小了由绝缘固定板遮蔽起来的区域，以便提高效率。
权利要求
1.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，该坩锅具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩锅一个侧面处的开口部，其中，所述开口部随着从其两个端部朝向中部行进而变窄。
2.如权利要求1所述的线状蒸发源，其中，所述开口部的中部被沿着长度方向局部封闭。
3.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，其具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩锅一个侧面处的开口部，其中，所述开口部沿着长度方向以预定的间距相互间隔开。
4.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，其具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩锅一个侧面处的开口部，其中，所述开口部包括一个主开口，其沿着长度方向具有相同的宽度；和三角形辅助开口，它们被布置在所述开口部的两侧，并且每一个的宽度均随着朝向中部行进而在除了中部的预定部分的其余部分处减小。
5.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，其具有一个用于在其中容纳蒸发物质的容放空间，并且一个侧面敞开；和一个开口调节单元，该开口调节单元具有一个开口，该开口的宽度随着从其两个端部朝向中部行进而变窄，该开口调节单元在所述一个侧面处被独立地插入坩锅内。
6.如权利要求5所述的线状蒸发源，其中，所述坩锅在与开口调节单元重叠的部分处被局部去除，从而使得所述开口调节单元的一部分暴露在加热源之下。
7.如权利要求1、3、4和5中任一项所述的线状蒸发源，还包括一个在所述容放空间内形成于所述开口下部处的防溅部，用于防止蒸发物质被排放到外部。
8.如权利要求1、3、4和5中任一项所述的线状蒸发源，还包括多个在所述容放空间内沿着长度方向以规则间隔排布的部件，用于分隔所述容放空间并且在其中容放所述蒸发物质。
9.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩锅，该坩锅具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于其一个侧面处的开口部，其中，所述开口部被制成使得其宽度随着从其两个端部朝向中部行进而变窄，并且所述坩锅还包括一个防溅部，该防溅部形成在所述容放空间内从所述开口的下侧部分突伸出来。
10.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源装置，这种线状蒸发源装置包括一个坩锅，其具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于其一个侧面处的开口部；和一个加热单元，该加热单元与所述坩锅相关联地安装，用于蒸发所述蒸发物质，其中，所述开口部被制成使得其宽度随着从两个端部朝向中部行进而变窄。
11.一种用于将电热丝固定在淀积蒸发源中的绝缘固定板，这种绝缘固定板包括一个框架，该框架形成了一个封闭回路；和多个突起，这些突起与所述框架一体成形，并且从所述框架朝向框架中部突伸出来，这些突起以规则的间隙相互间隔开，其中，所述突起中的每一个均具有形成于其上表面中的沟槽，并且电热丝悬挂于该沟槽上。
12.如权利要求11所述的绝缘固定板，其中，所述框架具有穿过槽，电热丝在所述间隙与沟槽相交的部分处穿过该穿过槽。
13.如权利要求11所述的绝缘固定板，还包括悬挂爪，该悬挂爪形成于所述框架的外端部处；和辐射板，该辐射板的两个端部被固定在所述悬挂爪与所述外端部之间。
14.一种淀积蒸发源中的加热器组件，包括一对绝缘固定板，它们沿着长度方向以恒定的间距相互分开设置，用于将电热丝固定在用于进行淀积的蒸发源中，这种绝缘固定板包括(a)一个框架，其形成了一个封闭回路；和(b)多个突起，这些突起与所述框架一体成形，并且从所述框架朝向所述框架的中部突伸出来，这些突起以规则的间隙相互间隔开，其中所述突起中的每一个均具有一个形成于其上表面中的沟槽，并且电热丝悬挂于该沟槽上；电热丝，该电热丝穿过所述那对绝缘固定板的间隙，并且利用所述沟槽作为边界沿着上、下方向以“Z”字形缠绕。
15.如权利要求14所述的加热器组件，还包括悬挂爪，该悬挂爪形成于所述框架的外端部处；和辐射板，该辐射板的两个端部被固定在所述悬挂爪与所述外端部之间。
16.一种淀积蒸发源中的电热丝缠绕板，其被设置成使得电热丝缠绕在权利要求11中所述的绝缘固定板上，这种电热丝缠绕板包括多对销槽，销被插入该销槽之内，并且以规则的间隔排布成两列，其中，位于一列中的销槽被以“Z”字形排布，来面对着另外一列中的销槽之间的区域，并且所述销槽之间的宽度对应于所述绝缘固定板上的突起的宽度。
17.如权利要求16所述的电热丝缠绕板，还包括另一销槽，这些销槽与所述两列中的任一个以预定的距离间隔开并延伸。
18.如权利要求16所述的电热丝缠绕板，还包括固定沟槽，该固定沟槽形成在电热丝缠绕板端部处形成的销槽附近，并且用于固定电热丝的前端部的固定件被插入该固定沟槽中。
19.一种用于对淀积蒸发源中的电热丝进行固定的方法，通过利用权利要求13中的绝缘固定板和权利要求18中的电热丝缠绕板，所述电热丝被安装并固定在蒸发源上，这种方法包括下述步骤将销插入到电热丝缠绕板上的销槽内，并且将电热丝的前端部固定在一个与其上起先缠绕有电热丝的销相邻的位置处；利用插入的销作为边界将电热丝以“Z”字形缠绕在一列与该列面对的另外一列之间；将缠绕完毕的电热丝与所述电热丝缠绕板分离开；将分离下来的电热丝上的弯曲部分悬挂在所述绝缘固定板的突起的沟槽上；以及对其上缠绕有电热丝的那对绝缘固定板进行拉动和分布，以便具有一个恒定的拉力，并且将所述那对绝缘固定板安装在蒸发源处。
20.如权利要求19所述的方法，在将所述对绝缘固定板安装在蒸发源处之后，还包括沿着电热丝的向外方向将辐射板安装到所述对绝缘固定板之间。
21.一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源装置，这种线状蒸发源装置包括一个坩锅，其具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于其一个侧面处的开口部；一对绝缘固定板，它们沿着长度方向以恒定的间距相互分开设置，用于将电热丝固定在用于进行淀积的蒸发源中，这种绝缘固定板包括(a)一个框架，其形成了一个封闭回路；和(b)多个突起，这些突起与所述框架一体成形，并且从所述框架朝向所述框架中部突伸出来，这些突起以规则的间隙相互间隔开，其中所述突起中的每一个均具有一个形成于其上表面中的沟槽，并且电热丝悬挂于该沟槽上；以及电热丝，其穿过所述对绝缘固定板的间隙，并且利用所述沟槽作为边界沿着上、下方向以“Z”字形缠绕起来。
全文摘要
本发明公开了一种用于形成有机半导体器件用薄膜的线状蒸发源，这种线状蒸发源包括一个坩埚，该坩埚具有一个形成于其中的容放空间，用于容纳蒸发物质，和一个沿着长度方向形成于坩埚一个侧面处的开口部，其中，所述开口部随着从其两个端部朝向中部行进而变窄。倘若利用这种线状蒸发源形成薄膜，可以改善用于形成薄膜的真空淀积源的低的材料利用率，可以确保在整个区域上淀积的薄膜的厚度均匀性，并且改善了由掩膜造成的阴影效应。
文档编号H01L21/20GK1795537SQ03810209
公开日2006年6月28日 申请日期2003年3月18日 优先权日2003年3月18日
发明者李宰卿, 金信哲, 明鲁勋 申请人:伊诺维克斯股份有限公司