专利名称：：特高压单相自耦变压器的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种电压可达lOOOkV以上的单相自耦变压器，属变压器
技术领域：
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背景技术：
传统单相自耦变压器所采用的调压方式有两种，分别是恒磁通调压方式和中性点变磁通调压方式。釆用恒磁通调压方式的调压绕组设置在公共绕组的线端，因此调压绕组及所选调压开关的绝平至少是中压绕组的绝缘水平，图l是恒磁通调压接线原理图，这种单相自耦变压器有以下几个技术特点1.铁心磁通密度和具有恒定匝数的绕组的电压如低压电压是恒定的；2.调压绕组部分绝缘水平髙，其主、纵绝缘的设计是关键；3.所选开关电压等级髙，价格昂贵.而釆用中性点变磁通调压方式的调压绕组设置在公共绕组的末端，即设在中性是中性点变磁通调压接线原理图，这种单相自耦变压器有以下几个技术特点1.铁心磁通密度和具有恒定匝数的绕组的电压如低压电压是波动的；2.调压绕组部分绝g刊氏，其主、纵绝缘的设计非常简单；3.所选开关电压等级低，价格低廉。特高压单相自耦变压器，例如1000kV的自耦变压器，中压侧额定电压为500kV级，如絲用恒磁通调压方式，就需要选择电压超过330kV的开关，这在目前是不可能的，即使能够制造出这种开关，其价格也是难以接受的；如果釆用中性点变磁通调压方式，由于其低压电压在^分接下波动性很大，有时根本无法达到客户要求。因此，如何设计符合客户要求的髙性能、低成本的特髙压单相自耦变压器，是目前技术人员面临的一个难题。
发明内容本发明的目的在于克服现有技术的不足、提供一种结构简单、成本低廉的髙性能特髙压单相自耦变压器。本发明所述问以下述技术方案实现的一种特髙压单相自耦变压器，由自耦变压器主体、调压变压器和低压洲尝变压器组成，所述自耦变压器主体由低压绕组LV、公共绕组CV和串联绕组SV组成，所述调压变压器由励磁绕组EV和调压绕组TV组成，所述低压净hf尝变压器由低压励磁绕组LE和净H1绕组LT组成，各绕组的连接关系是调压绕组TV、公共绕组CV和串联绕组SV串联连接后接输入电压，调压绕组TV和公共绕组CV两端接输出电路，低压励磁绕组LE与调压绕组TV并联连接，低压绕组LV先与励磁绕组EV并联连接，再与净ht绕组LT串联连接后接净ht网络。上述特髙压单相自耦变压器，所述自耦变压器主体放置在一个独立油箱内，调压变压器和低压刮*变压器共用一个油箱。本发明釆用中性点变磁通调压方式，大大降低了调压开关的电压等级和制造成本，釆用低压净M尝变压器对低压进行净hf尝，使调压过程中低压线路端子电压絲恒定，釆用*式结构，将调压部分设为独立的调压变压器，与变压器主体分离，大幅度简化了主变压器的结构，提髙了绝缘可靠性和运输可行性，本发明不仅结构简单、成本低廉，而且低压电压波动小，绝缘可靠性高，能够满足各种用户的要求，下面结合附图对本发明进一步说明。图1是恒磁通调压接线原理图；图2是中性点变磁通调压接线原理图；图3是本发明的接线原理图.图中各标号为LV、低压绕组，CV、公共绕组，SV、串联绕组，EV、励磁绕组,TV、调压绕组，LE、低压励磁绕组，LT、净hf尝绕组，K、调压开关。文中所用符号Ws、串联绕组SV的匝数，Uh、高压电压，Wc、公共绕组CV的匝数，Um、么^绕组CV电压，Wl、低压绕组LV的匝数，Ul、低压绕组LV电压，Wt、调压绕组TV的每级匪数，et、每匪电压，N、分接数，Bm、铁心的磁通密度，具体实施方式本发明提出了一种全新的特髙压单相自耦变压器电磁设计原理和结构，在满调压功能的前提下，很好地净hf尝了低压电压的波动。该结构釆用中性点变磁通调压，根据运行要求，单独设置调压器，同时在调压器内另设一,H^变压器以保持调压时低压线路端子电压的^恒定。本发明的工作原^:设自耦变主体串联绕组SV的匝数为Ws，高压电压为Uh，自耦变主体公共绕组CV的匝数为Wc,公共绕组CV电压为Um,自耦变主体低压绕组LV的匝数为W1，低压绕组LV的电压为U1，调压绕组TV的每级匝数为Wt。髙压在^分接时电压是恒定的，假设为Uh-1050kV。则#4^接下每匝电压^=UhWs+Wc±N*WtN为分接数(N-O，1，2,3，4)土代表正反调压，正分接为+,负分接为-。从上式可以看出，由于Uh、Ws、Wc、Wt是常数，随着分接数N的变化，#分接下每臣电压et是不相同的。又铁心的磁通密度BfiF，At:铁心截面积At由于et的变化，朴分接下铁心的磁通密度Bm是不相同的，故称变磁通调压.此时^分接下主变低压绕组LV上电压Ul-Wl化t，可以看出低压电压也在变化，亦称低压电压发生了波动。为此需对其进行电压净l嚆校正，故另设置了一^H氐压电压净Ht器,给主体低压绕组LV串联了一个净M尝绕组LT。净ht绕组LT的功能是，当主体低压绕组LV电压上升，超过低压标准值110kV时，净hf尝绕组LT给一个反方向的减电压；当主体低压绕组LV电压下降，低于低压标准值110kV时，净hf尝绕组LT给一个反方向的加电压，净hf尝的结果是最终在变压器低压套管端子处得到非常接近于低压电压标准值110kV的电压。图3中M接的调压范围如表1:表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>权利要求1、一种特高压单相自耦变压器，其特征是，它由自耦变压器主体、调压变压器和低压补偿变压器组成，所述自耦变压器主体由低压绕组(LV)、公共绕组(CV)和串联绕组(SV)组成，所述调压变压器由励磁绕组(EV)和调压绕组(TV)组成，所述低压补偿变压器由低压励磁绕组(LE)和补偿绕组(LT)组成，各绕组的连接关系是调压绕组(TV)、公共绕组(CV)和串联绕组(SV)串联连接后接输入电压，调压绕组(TV)和公共绕组(CV)两端接输出电路，低压励磁绕组(LE)与调压绕组(TV)并联连接，低压绕组(LV)先与励磁绕组(EV)并联连接，再与补偿绕组(LT)串联连接后接补偿网络。2、根据权利要求l所述特高压单相自耦变压器，其特征是，所述自耦变压器主体放置在一个独立油箱内，调压变压器和低压刮^变压器共用一个油箱.全文摘要一种特高压单相自耦变压器，属变压器
技术领域：
，用于解决低压波动问题。其技术方案是它由自耦变压器主体、调压变压器和低压补偿变压器组成，所述自耦变压器主体由低压绕组、公共绕组和串联绕组组成，所述调压变压器由励磁绕组和调压绕组组成，所述低压补偿变压器由低压励磁绕组和补偿绕组组成，各绕组的连接关系是调压绕组、公共绕组和串联绕组串联连接后接输入电压，调压绕组和公共绕组两端接输出电路，低压励磁绕组与调压绕组并联连接，低压绕组先与励磁绕组并联连接，再与补偿绕组串联连接后接补偿网络。本发明不仅结构简单、成本低廉，而且低压电压波动小，绝缘可靠性高，能够满足各种用户的要求。文档编号H01F30/00GK101256891SQ20071018569公开日2008年9月3日申请日期2007年12月28日优先权日2007年12月28日发明者强刘,刘东升,哲庞,李洪秀,杜振斌,峰赵申请人:保定天威集团有限公司