专利名称：光传感器的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管光传感器。
背景技术：
通常，提及光传感器，公知一种具有形成于栅极绝缘膜之下的用于光电转换的半导体薄膜的晶体管型结构。 一种由于将光传感器安装到绝缘衬底上的必要性而采用非晶硅作为光电转换半导体薄膜的薄膜晶体管结构也是众所周知的。
日本专利申请K0KAI公开文本No. 8-213584公开了这样一种薄膜晶体管型光传感器。JP08-213584中公开的光传感器具有由遮光导电材料构成的底部栅电极，该电极形成于底部栅极绝缘膜的下面，而所述底部栅极绝缘膜则形成于由非晶硅构成的用于光电转换的半导体薄膜的下面。此外，在这一常规结构中，在所述半导体薄膜上形成顶部栅极绝缘膜，在所述顶部栅极绝缘膜上提供由透光导电材料构成的顶部栅电极。此外，在一对由n型非晶硅构成的欧姆接触层上提供由遮光导电材料构成的源电极和漏电极，其中，所述一对欧姆接触层位于顶部栅极绝缘膜下面的半导体薄膜的上表面的两侧。在这种情况下，源电极和漏电极的相对的端面相互平行，其间的距离对应于沟道长度。由于JP 08-213584中公开的光传感器中的源电极和漏电极的这种结构，所述源电极和漏电极的相互面对并且相互平行的端部尤其将阻挡否则会沿斜向照射到所述光电转换半导体薄膜上的光。这样将不可能确保足够的光敏度(光电流/暗电流的比率)。
发明内容
根据本发明的一个方面的光传感器包括用于光电转换的半导体薄膜(5)，其具有细长的平面形状，并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部和沿所述纵向延伸的第二侧部。源电极(9)沿所述纵向延伸，并且
7包括与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b， 9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b， 10c)。所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)的至少其中之一包括沿所述纵向布置并且与所述半导体薄膜(5)重叠的突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口部分(9c， 10c)。在所述半导体薄膜(5)与所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)的至少其中之一之间形成欧姆接触层(7， 8)。
图1是根据本发明的第一实施例的光传感器的透视平面图(假设所有的元件都是可透视的)；
图2A是沿图1的"ILtIIa"线截取的截面图；图2B是沿图1的"IIb-IIb"线截取的截面图3是图1、图2A和图2B中所示的用于光电转换的半导体薄膜的平面
图4是图1、图2A和图2B所示的欧姆接触层的平面图；图5是用于说明根据本发明的设备的相对于光强(照度)的Vg-Id特性的曲线图；.
图6是用于说明对比设备的相对于光强(照度)的Vg-Id特性的曲线
图7是用于说明由图5和图6获得的根据本发明的设备和对比设备的相对于光强(照度)的截止电流特性的曲线图8是根据本发明的第二实施例的光传感器的透视平面图(假设所有的元件都是可透视的)；
图9A是沿图8的IXfIXA线截取的截面图9B是沿图8的IXB-IXB线截取的截面图10是图8、 9A和9B所示的用于光电转换的半导体薄膜的平面图11是图8、 9A和9B所示的欧姆接触层的平面图12是根据本发明的第三实施例的光传感器的透视平面图(假设所有的元件都是可透视的)；
图13A是沿图12的XIII八-XIIlA线截取的截面图； 图13B是沿图12的XIIIB-XIIlB线截取的截面图； 图14是图12、13A和13B所示的用于光电转换的半导体薄膜的平面以及
图15是图12、 13A和13B所示的欧姆接触层的平面图。
具体实施例方式
(第一实施例)
图1-4示出了本发明的第一实施例的结构。图1是根据本发明的第一 实施例的光传感器的透视平面图。图2A是沿图1的"II厂IIa"线截取的截 面图。图2B是沿图1的"IIb-IIb"线截取的截面图。
根据第一实施例的光传感器包括由玻璃等构成的衬底1。在衬底1的上 表面上提供由铬等构成的条状栅电极2和连接至栅电极2的栅极线3。
在衬底1的上表面上提供由氮化硅等构成的栅极绝缘膜4，所述栅极绝 缘膜4覆盖栅电极2和栅极线3。在栅极绝缘膜4的上表面上提供由本征非 晶硅构成的用于光电转换的半导体薄膜5，并且该半导体薄膜5位于栅电极 2之上。
沿沟道长度L的方向，在半导体薄膜5的上表面的中央部分上(即， 在半导体薄膜5的沟道区之上)提供由氮化硅等构成的条状沟道保护膜6。 沿沟道长度L的方向在沟道保护膜6的上表面的相应侧上并且在处于所述 相应侧的所述半导体薄膜5的上表面上提供由n型非晶硅构成的欧姆接触 层7和8。
分别在欧姆接触层7和8的上表面上并且在处于欧姆接触层7和8附 近的所述栅极绝缘膜4的上表面的部分上提供由铬等构成的源电极9和漏 电极10。在栅极绝缘膜4的上表面的部分上提^^由铬等构成的待分别连接 至源电极9和漏电极10的源极线11和漏极线12。在栅极绝缘膜4的上表 面上提供由氮化硅构成的覆盖膜13，以覆盖沟道保护膜6、源电极9、漏电 极10、源极线11和漏极线12 (参考图2A和2B)。
在下文中将说明半导体薄膜5、欧姆接触电极7和8以及源电极9和漏电极10的平面形状。
如图1所示，源电极9和漏电极10具有大致为齿梳形的平面形状，其 包括条状部分9a和10a以及方形突出部分9b和10b。在条状部分9a的与 条状部分10a相对的一侧等间隔设置方形突出部分9b，在条状部分10a的 与条状部分9a相对的一侧等间隔设置方形突出部分10b。在突出部分9b之 间提供方形缺口部分9c，在突出部分10b之间提供方形缺口部分10c。源 电极9的所有突出部分9b和漏电极10的所有突出部分10b沿沟道宽度方 向(垂直于沟道长度方向L的纵向)具有相同的宽度W1，源电极9的所有 缺口部分9c和源电极10的所有缺口部分10c沿沟道宽度方向具有相同的 宽度W2。将突出部分9b (缺口部分9c)的相应侧边部分布置到与相对的突 出部分10b (缺口部分10c)的相应侧边部分对准的位置。
如图3所示，半导体薄膜5包括设置在沟道保护膜6下面的条状部分 5a (参考图2B)，并且包括在条状部分5a的相应侧上沿纵向等间隔设置的 方形突出部分5b和5c。突出部分5b和5c沿沟道宽度方向与源电极9和漏 电极10的突出部分9b和10b具有相同的宽度Wl。沿纵向在突出部分5b之 间等间隔设置方形缺口部分5d，沿纵向在突出部分5c之间等间隔设置方形 缺口部分5e。缺口部分5d和5e沿沟道宽度方向与源电极9和漏电极10的 缺口部分9c和10c具有相同的宽度W2。
将缺口部分5d和5e设置在分别对应于图1所示的源电极9和漏电极 10的缺口部分9c和10c的位置上。将突出部分5b和5c设置在分别对应于 图1所示的源电极9和漏电极10的突出部分9b和10c的位置上。
半导体薄膜5的位于缺口部分5d和5e的基底(base)处的端面与沟 道保护膜6的沿图1所示的沟道长度L方向的两个端面处于相同位置(参 考图2B)。此外，半导体薄膜5的沿沟道长度L的方向处于突出部分5b和 5c的末端处的端面与分别处于图1所示的缺口部分9c和10c的基底处的源 电极9的端面(图l的左端面)和漏电极10的端面(图l中的右端面)处 于相同的位置(尽管突出部分5b和5c实际上分别设置在突出部分9c和10c 的下面)。因而，源电极9的外侧端面(图1的右端面)和漏电极10的外 侧端面(图1的左端面)沿沟道长度L的方向位于半导体薄膜5的两个端 面的外侧。
10如图4所示，欧姆接触层7和8分别包括沿沟道宽度W的方向(垂直 于沟道长度方向的纵向)等间隔设置的方形部分(分立的岛)7a和8a。方 形部分7a和8a与半导体薄膜5的突出部分5b和5c以及源电极9和漏电 极10的突出部分9b和10b具有相同的宽度Wl。在方形部分7a之间提供空 间7b，在方形部分8a之间提供空间8b。空间7b和8b沿沟道宽度方向与 半导体薄膜5的缺口部分5d和5e以及源电极9和漏电极10的缺口部分9c 和10c具有相同的宽度W2。
空间7b和8b设置在分别与图1所示的源电极9和漏电极10的缺口部 分9c和10c相同的位置上。方形部分7a和8a仅分别设置在图1所示的源 电极9和漏电极10的突出部分9b和10b下。
因而，如上所述，在根据第一实施例的光传感器中，(由诸如铬的遮光 导电材料构成的)源电极9的缺口部分9c、欧姆接触层7中的空间7b以及 半导体薄膜5的缺口部分5d设置在相同的位置上；(由诸如铬的遮光导电 材料构成的)漏电极10中的缺口部分10c、欧姆接触层8的空间8b以及半 导体薄膜5的缺口部分5e设置在相同的位置上。这些缺口部分起着透光部 分的作用，因而不仅能够提高直接从正上方照射到半导体薄膜5上的光的 量，还能够提高从斜向(具体而言，从上方沿图1所示的右侧和左侧倾斜 地)照射到半导体薄膜5上的光的量。
如图2B所示，在半导体薄膜5上对应于缺口部分5d、(空间7b)、 9c、 缺口部分5e、(空间8b)和10c的部分处未形成源电极9和漏电极10。但 是，由于在对应于突出部分9b和10b的部分处设置于源电极9和漏电极10 下的欧姆接触层7和8的边缘效应(沟道边沿效应)的作用下电流将流入 半导体薄膜5，因而尽管在半导体薄膜5中形成了缺口部分5d和5e，仍然 有足够量的光电流流入到半导体薄膜5内。
但是，如果缺口部分5d、 5e、 9c和10c以及空间7b和8b中的每者沿 沟道宽度W方向的宽度W2增大到某一程度，在边缘效应的作用下，电流流 量就要降低。相应地，半导体薄膜5的每一缺口部分的宽度W2优选等于或 短于沟道长度L。此外， 一般而言，将源电极9和漏电极10之间的沿图1 所示的沟道长度方向的距离Ll大致设置为允许在对源电极9和漏电极10 构图时实施蚀刻工艺的最小尺寸(一般为几nm)。半导体薄膜5的每一缺口部分沿沟道宽度方向的宽度W2不受特定限 制，而是优选将其大致设置为允许在对半导体薄膜5进行构图时实施蚀刻 工艺的最小尺寸，从而令人满意地获得上述边缘效应。因而，优选将半导 体薄膜5的每一缺口部分沿沟道宽度方向的宽度W2以及源电极9和漏电极 IO之间的沿沟道长度方向的距离LI 二者设置为(用于进行构图的)最小特 征尺寸。换言之，它们优选具有同样的尺寸，或者大致具有同样的尺寸。
接下来将说明实验实例。制备了一种设备(在下文中将其称为根据本 发明的设备)作为光传感器，其中沟道宽度W为20000 u m;宽度W1 (例 如，源电极9和漏电极10的每一突出部分9b和10b沿沟道宽度W的方向 的宽度)为6um;宽度W2 (例如，每一缺口部分5d和5e沿沟道宽度方向 的宽度)为4um;沟道长度L为9um;距离Ll为4 P m。
此外，还制备了一种设备(在下文中将其称为对比设备)作为用于对 比的光传感器，其不具有半导体薄膜5、欧姆接触层7和8、源电极9以及 漏电极10的缺口部分或空间5d、 5e、 7b、 8b、 9c和10c。
也就是说，在这一对比设备中，源电极和漏电极是简单的条状部件， 其沿沟道长度L方向的尺寸等于源电极9和漏电极10在对应于突出部分9b 和10b的位置上沿沟道长度L的方向的尺寸。此外，在对比设备中，用于 光电转换的半导体薄膜是简单的条状构件，其沿沟道长度L的方向的尺寸 等于半导体薄膜5在对应于突出部分5b和5c的位置上沿沟道长度L的方 向的尺寸。此外，在对比设备中， 一对欧姆接触层是简单的条状构件，其 沿沟道长度L的方向的尺寸等于方形部分7a和8a沿沟道长度L的方向的 尺寸。
当在分别将源极电压和漏极电压设为0V和10V的情况下检査根据本发 明的设备和对比设备的对应于O lx、 100 lx、 1000 lx、 10000 lx和100000 lx的光强(照度)的Vg-Id特性时，获得了图5 (根据本发明的设备)和 图6 (对比设备)所示的结果。当在分别将源极、漏极和栅极电压设置为 0V、 10V和-10V的情况下获得对应于所述光强(照度)的截止电流时，获 得了图7所示的结果。参考图7，实线和虚线分别表示根据本发明的设备和 对比设备的结果。
从图7显然可以看出，尽管通过实线表示的根据本发明的设备中的暗电流的值(O lx)通常等于通过虚线表示的对比设备中的暗电流的值(O lx)， 但是根据本发明的设备中的光电流的值(100到10000 lx)比通过虚线表 示的对比设备中的光电流的值(100到10000 lx)大大约一个数量级。也 就是说，与对比设备相比，根据本发明的设备的感光度(光电流/暗电流的 比率)提高了大约一个数量级。 (第二实施例)
图8-11示出了本发明的第二实施例的结构。图8是根据本发明的第二 实施例的光传感器的透视平面图。图9A是沿图8的IX八-IXA线截取的截面图。 图9B是沿图8的IXB-IXe线截取的截面图。图10是图8、 9A和9B所示的用 于光电转换的半导体薄膜的平面图。图11是图8、 9A和9B所示的欧姆接 触层的平面图。
采用相同的附图标记表示与上文中参考第一实施例描述的元件相同的 元件。采用"'"标示第二实施例中与第一实施例中的对应元件不同的结 构元件的附图标记。
根据第二实施例的光传感器与图1到图4所示的根据第一实施例的光 传感器的不同之处在于，根据第二实施例，在源电极和漏电极的下面设置 欧姆接触层和用于进行光电转换的半导体薄膜，从而在设置于所述半导体 薄膜的一部分之上的欧姆接触层之上提供所有的源电极，并且在设置于所 述半导体薄膜的一部分之上的欧姆接触层之上提供所有的漏电极。
也就是说，如图10所示，根据第二实施例的半导体薄膜5'具有这样 的结构，其中，在比图3所示的条状部分5a宽的条状部分5a'内将为方形 孔的缺口部分5d，按照等间隔布置成一行，并且在所述条状部分5a'内按 照等间隔将为方形孔的缺口部分5e'布置成另一行。每一缺口部分5d'与 源电极9的每一缺口部分9c沿沟道长度和宽度方向具有相同的尺寸，并且 将缺口部分5d'分别设置在对应于缺口部分9c的位置上。每一缺口部分 5e'与漏电极10的每一缺口部分10c沿沟道长度和宽度方向具有相同的尺 寸，并且将缺口部分5e'分别设置在对应于缺口部分10c的位置上。
此外，如图11所示，欧姆接触层7'和8'分别具有与图8所示的源 电极9和漏电极10大致相同的齿梳状平面形状。此外，欧姆接触层7'的 每一缺口部分7b'沿沟道长度和宽度方向与源电极9的每一缺口部分9c具有相同的尺寸，并且将缺口部分7b'分别设置到对应于缺口部分9c的位置 上。欧姆接触层8'的每一缺口部分8b'沿沟道长度和宽度方向与漏电极 10的每一缺口部分10c具有相同的尺寸，并且将缺口部分8b'分别设置到 对应于缺口部分10c的位置上。
因而，就这一结构而言，如图8和图9所示，将所有的源电极9都设 置在欧姆接触层7'之上，其中，所述欧姆接触层7'设置在半导体薄膜5' 的一部分之上，并且将所有的漏电极10都设置在欧姆接触层8'之上，其 中，所述欧姆接触层8'设置在半导体薄膜5'的一部分之上。
应当注意，根据第二实施例的源极线ll'和漏极线12'中的每者具有 三层结构，包括从底部依次形成的本征非晶硅膜、n型非晶硅膜和由铬等构 成的金属膜。
(第三实施例)
图12-15示出了本发明的第三实施例的结构。图12是根据本发明的第 三实施例的光传感器的透视平面图。图13A是沿图12的XIII八-XIIlA线截取 的截面图。图13B是沿图12的XIIIb-XIIlB线截取的截面图。图14是图12、 13A和13B所示的用于光电转换的半导体薄膜的平面图。图15是图12、 13A 和13B所示的欧姆接触层的平面图。
采用相同的附图标记表示与上文中参考第一实施例描述的元件相同的 元件。采用"""标示与第一实施例中的对应元件不同的结构元件的附图 标记。
具体而言，根据第三实施例的光传感器与图1到图4所示的根据第一 实施例的光传感器的不同之处在于，根据第三实施例，用于光电转换的半 导体薄膜5"具有如图14所示的简单的条状形状，欧姆接触层7"和8"中 的每者具有如图15所示的简单的条状形状。也就是说，半导体薄膜5"以 及欧姆接触层7"和8"不具有缺口部分，因而，根据第三实施例，只有源 电极9和漏电极10具有缺口部分9c和10c。 (其他实施例)
根据上述实施例，沟道长度L为9um，沟道宽度W相当大，即，大到 20000um。但是，所给出的沟道长度L和沟道宽度W的值只是例子，本发 明不限于此，可以根据需要选择适当的值。例如，可以减小沟道宽度W。在减小沟道宽度w时，源电极、漏电极等可以具有一个或几个缺口部分。
此外，根据上述实施例，所述光传感器属于具有沟道保护膜6的沟道 保护膜类型。但是，本发明不限于此，其还适用于(例如)没有沟道保护 膜6的沟道边沿型光传感器。在这种情况下，为了确保沟道长度L，可以将 源电极9和漏电极10的突出部分9b和10b的相对的端面之间的距离设为 等于沟道长度L。
权利要求
1、一种光传感器，包括用于光电转换的半导体薄膜(5；5’；5”)，其具有细长的平面形状，并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部和沿所述纵向延伸的第二侧部；源电极(9)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)；漏电极(10)，其沿所述纵向延伸，并且包括与所述半导体薄膜(5；5’；5”)的所述第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)；以及形成于所述半导体薄膜(5；5’；5”)与所述源电极(9)的侧边部分(9b，9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b，10c)的至少其中之一之间的欧姆接触层(7，8；7’，8’；7”，8”)其特征在于所述源电极(9)的侧边部分(9b，9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b，10c)的所述至少其中之一包括多个突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述多个突出部分(9b，10b)沿所述纵向布置且与所述半导体薄膜(5；5’；5”)重叠。
2、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，源电极(9)的侧 边部分(9b， 9c)和漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)都具有突出部 分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口部分(9c， 10c)。
3、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")是对应于所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和 所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)的所述至少其中之一的突出部 分(9b， 10b)形成的。
4、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述半导体薄膜(5; 5'; 5")具有设置在所述半导体薄膜(5; 5'; 5") 的第一侧部和第二侧部之间的沟道区，所述沟道区具有沿纵向的沟道宽度 和沿垂直于所述纵向的方向的沟道长度；并且每一所述缺口部分(9c， 10c)沿所述沟道宽度方向的尺寸不超过所述沟道长度。
5、 根据权利要求4所述的光传感器，其特征在于还包括形成于所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的所述沟道区上的沟道保护膜。
6、 根据权利要求5所述的光传感器，其特征在于，所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10)的侧边部 分(10b， 10c)都具有突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口部分(9c， 10c);并且每一所述缺口部分(9c， 10c)沿所述沟道宽度方向的尺寸等于所述源 电极(9)的突出部分(9b)之一的末端和相对的漏电极(10)的突出部分 (10b)的末端之间的距离。
7、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述半导体薄膜(5; 5，)具有对应于所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10) 的侧边部分(10b， 10c)的所述至少其中之一中的缺口部分(9c， 10c)的 缺口部分(5d， 5e; 5d，， 5e，)。
8、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")包括对应于所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c) 和所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)的所述至少其中之一的突出 部分(9b， 10b)而布置的分立的岛。
9、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)都具有突出部分(9b， 10b)和形成于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口部分(9c， 10c);并且所述半导体薄膜(5; 5'; 5")从所述第一侧部到所述第二侧部的宽度不小于所述源电极(9)的缺口部分(9c， 10c)之一的基底和所述漏电极 (10)的相对的一个缺口部分(9c， 10c)的基底之间的距离。
10、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层 (7'， 8')具有齿梳形状，该齿梳形状具有对应于所述源电极(9)的侧边部分(9b， 9c)和所述漏电极(10)的侧边部分(10b， 10c)的所述至少 其中之一中的缺口部分(9c， 10c)的缺口部分(7c'， 8c')。
11、 根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层 (7"， 8")包括形成于所述半导体薄膜(5")的第一侧部上的第一条状构件和形成于所述半导体薄膜(5")的第二侧部上的第二条状构件。
12、 一种光传感器，包括用于光电转换的半导体薄膜(5; 5'; 5")，其具有细长的平面形状， 并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部、沿所述纵向延伸的第二 侧部以及设置于所述第一侧部和所述第二侧部之间的沟道区；欧姆接触层(7， 8; 7'， 8，； 7"， 8")，其沿所述纵向延伸，并且分别 形成于所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的所述第一侧部和所述第二侧部上；源电极(9)，其形成于所述欧姆接触层(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")中 的第一个上，从而沿所述纵向延伸；以及漏电极(10)，其形成于所述欧姆接触层(7， 8; 7，， 8，； 7"， 8")中 的第二个上，从而沿所述纵向延伸，其特征在于所述源电极(9)包括按照一定间隔布置并且与所述半导体薄膜(5; 5';5")的第一侧部重叠的突出部分(9b， 10b)，并且所述漏电极(10)包括按照一定间隔布置并且与所述半导体薄膜(5;5'; 5")的第二侧部重叠的突出部分(9b， 10b)。
13、 根据权利要求12所述的光传感器，其特征在于，所述源电极(9) 和所述漏电极(10)具有设置于所述突出部分(9b， 10b)之间并且不与所 述半导体薄膜(5; 5'; 5")重叠的缺口部分(9c， 10c)。
14、 根据权利要求13所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层 (7， 8; 7，， 8'; 7"， 8")形成于所述半导体薄膜(5; 5，; 5")的除了所述沟道区之外的区域和所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的对应于所述源电极(9)和所述漏电极(10)的缺口部分(9c， 10c)的区域上。
15、 根据权利要求13所述的光传感器，其特征在于，每一欧姆接触层 (7， 8)包括对应于所述源电极(9)和所述漏电极(10)之一的突出部分而布置的分立的岛。
16、 一种光传感器，包括用于光电转换的半导体薄膜(5; 5'; 5")，其具有细长的平面形状，并且包括沿所述细长形状的纵向延伸的第一侧部、沿所述纵向延伸的第二侧部以及设置于所述第一侧部和所述第二侧部之间的沟道区；欧姆接触层(7， 8; 7，， 8，；.7"， 8")，其沿所述纵向延伸，并且分别 形成于所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的第一侧部和第二侧部上；源电极(9)，其形成于所述欧姆接触层(7， 8; 7'， 8'; 7"， 8")中 的第一个上，从而沿所述纵向延伸；以及漏电极(10)，其形成于所述欧姆接触层(7， 8; 7'， 8'; 7"， 8")中 的第二个上，从而沿所述纵向延伸，其特征在于所述源电极(9)包括与所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的第一侧部重叠的突出部分(9b， 10b)和设置于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口 部分(9c， 10c)，从而使所述突出部分(9b， 10b)和所述缺口部分(9c， 10c)按照一定间隔交替设置，每一所述缺口部分(9c， 10c)的宽度小于 每一所述突出部分(9b， 10b)的宽度，并且所述漏电极(10)包括与所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的第二侧部重叠的突出部分(9b， 10b)和设置于所述突出部分(9b， 10b)之间的缺口 部分，从而使所述突出部分(9b， 10b)和所述缺口部分(9c， 10c)按照 一定间隔交替设置，每一所述缺口部分(9c， 10c)的宽度小于每一所述突 出部分(9b， 10b)的宽度。
17、 根据权利要求16所述的光传感器，其特征在于，所述欧姆接触层 (7， 8; 7'， 8，； 7"， 8")形成于所述半导体薄膜(5; 5，； 5")的除了所述沟道区之外的区域和所述半导体薄膜(5; 5'; 5")的对应于所述源电极(9)和所述漏电极(10)的缺口部分(9c， 10c)的区域上。
18、 根据权利要求16所述的光传感器，其特征在于，每一欧姆接触层 (7， 8)包括对应于所述源电极(9)和所述漏电极(10)之一的突出部分而布置的分立的岛。
19、 根据权利要求16所述的光传感器，其特征在于，所述半导体薄膜 (5; 5'; 5")的宽度不小于所述源电极(9)的缺口部分(9c)之一的基底和所述漏电极(10)的相对的一个缺口部分(10c)的基底之间的距离。
全文摘要
一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。
文档编号H01L31/0224GK101517746SQ20078003514
公开日2009年8月26日 申请日期2007年12月14日 优先权日2006年12月27日
发明者小林启和, 山口郁博, 松本广 申请人:卡西欧计算机株式会社