专利名称：磁电容的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电器，尤其是一种电容器。
背景技术：
电容的容量表示电容所能储存的电荷的多少，常用电解电容的单位是微法，用在电源中用来滤除波纹电压，使得直流电压纯净，目前电容单位体积的容量都很小。
发明内容
本发明针对现有技术的缺陷，提供一种容量大的电容器。为了实现上述目的，本发明采取以下措施来实现
一种磁电容，包括绝缘体，电极，其特征在于设置H型绝缘体，绝缘体在两电极之间，另外在两电极之间增加多块磁铁，形成磁场，从而获得大容量的电容器。
本发明相对于已有技术具有如下特点增加一磁场，提高了电容的容量。
附图为磁电容的结构示意图。
其中1，磁铁；2，电极；3，电极；4，绝缘体；5，磁铁。
具体实施例方式
结合附图加以说明-绝缘体4为H形状，设置在电极2、 3之间，H型绝缘体4两侧为磁铁l、5，电容通电后，两磁铁l、 5形成磁场，从而增大电容的容量。
实际中，本发明的电容容量比相同体积的电容要增大40%，性能良好。
权利要求
1、一种磁电容，包括绝缘体，电极，其特征在于设置H型绝缘体，绝缘体在两电极之间，另外在两电极之间增加多块磁铁，形成磁场，从而获得大容量的电容器。
全文摘要
本发明提供一种磁电容，包括绝缘体，电极，设置H型绝缘体，绝缘体在两电极之间，另外在两电极之间增加多块磁铁，形成磁场，从而获得大容量的电容器，增加一磁场，提高了电容的容量。
文档编号H01G4/00GK101483099SQ20081024606
公开日2009年7月15日 申请日期2008年12月22日 优先权日2008年12月22日
发明者杨贻方 申请人:杨贻方