专利名称：一种窄线宽激光器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是指一种新型高功率窄线宽激光器。
技术背景
F-P腔是光学和激光研究中的重要工具。环形F-P腔的透射光具有与F-P腔相 同的光谱结构，可以提供窄线宽光反馈。
目前环形F-P腔由分立元件构成。例如Yabai He and Brian J.Orr提出的结构，参见图1所示，环形滤波器(Ringfilter)的三个反射镜构成等效F-P腔，半导体激光管 (LD，Laserdiode)发射出的激光光束通过准直透镜、分光棱镜、部分反射镜Ml等光学 器件入射到Ring filter构成的F_P腔中振荡后，透射出的光经部分反射镜M2后最终入射 到光折变晶体CPhoto-refractive crystal)上，其相位共轭光原路返回，经F_P腔后的折射光 反馈到TA，以此进行选模。
然而，而分立元件F-P腔的容易受到外界音频、机械振动和温度变化的干扰和 影响，腔的体积比较大，系统的稳定性比较差。
二极管芯片(DC，Diodechip)技术是目前实现大功率激光输出的主要途径。如 图2、3所示，Sandra Stry等人采用Littrow，Iittman结构构成大功率外腔激光器。
图2所示为Sandra Stry等人采用Littrow结构大功率外腔激光器示意图。光栅一 级衍射返回构成反馈；激光管的另一端面作为输出。激光波长可通过调节光栅的位置实 现。
图3所示为Sandra Stry等人采用Littman结构构成大功率外腔激光器示意图。光 栅一级衍射被反射镜反射回光栅，其一级衍射返回构成反馈；激光管的另一端面作为输 出。激光波长可通过调节反射镜的位置实现。
但是，Sandra Stry等人采用Littrow，Iittman结构构成大功率外腔激光器线宽比 较宽；Yabai He and Brian J.Orr提出采用分立元件折叠F-P腔，而分立元件F-P腔的容易受到外界音频、机械振动和温度变化的干扰和影响，腔的体积比较大，系统的稳定性比较差。发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种结构简单、稳定的窄线宽激光器，实现 窄线宽大功率输出和频率的大范围调解。
基于上述目的本发明提供的一种窄线宽激光器，包括二极管芯片DC、单块环 形F-P腔、以及光栅或光折变晶体；
所述激光器中各部件的布设使得DC后端发出的激光光束作为输出光输出；DC 前端发出的激光光束，从所述F-P腔的输入面入射进入所述单块环形F-P腔，经过至少两 个反射面反射后，回到输入面的入射点；从所述单块环形F-P腔其中一个反射面透射的 光束入射到所述光栅/光折变晶体后，被按原路径反馈回DC，以此进行选模。4
可选的，该激光器中所述单块环形F-P腔包含有三个光学面光线从输入面入 射进入单块环形F-P腔，经过在第一反射面反射后，到达第二反射面，经第二反射面反 射后回到输入面的入射点；并且从反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光，所 述从第一反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光。
可选的，该激光器中所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面体单块结构，所述入 射面和第一反射面为梯形的两腰所在面，所述第二反射面为梯形的下底所在面；
或者所述单块环形F-P腔为等边三角型五面体结构，等边三角型三个边所在平 面作为所述光学面。
可选的，该激光器中所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面体单块结构时，所述 入射面和第二反射面夹角为66.42。
可选的，该激光器中所述单块环形F-P腔入射面利用光学镀膜技术镀有合适反 射率Ra的反射膜，所述第一反射表明为高反射面，该表面高反射率Rb = Ra;所述第二 反射表明为全反射面。
可选的，该激光器中所述单块环形F-P腔的光学面均为微凸面型或均为平面；
或者所述单块环形F-P腔的光学面为平面与微凸面组合、或微凸与平面及微凹 面的组合。
可选的，该激光器中所述光栅为全息光栅、或者刻线光栅。
可选的，该激光器中所述光栅为刻线密度为MOOg/mm、具有合适的衍射效率、 刻线面积大小为12.5mm X 12.5mm、厚度为6mm的全息衍射光栅；
所述光折变晶体为Rh:BaTi03非镀膜元件，掺Rh的浓度为6ppm，尺寸为6.6mm X 5.1mm X 8.2mm，晶体光轴c沿着晶体的长边方向。
可选的，该激光器还包括准直透镜，分别设置在所述DC的前后端，所述DC 发出的光束首先经过准直透镜准直后再入射到其他光学器件或输出。
可选的，该激光器还包括有以下调节设备中的一种或一种以上组合
单块环形F-P腔的调节设备，通过改变单块环形F-P腔的内部光程来调节单块环 形F-P腔决定的谐振频率；或者通过旋转单块环形F-P腔，来改变入射光线、出射光线 的角度；
外腔的调节设备，通过改变激光器外腔长度、光学性能来调节激光频率；
DC的调节设备，通过改变DC的输入电流来改变DC输出光频率范围；或者通 过改变DC的温度来改变DC输出光频率范围。
可选的，该激光器中所述外腔的调节设备，包括通过改变入射至光栅/光折 变晶体的光束角度来调节光折变晶体选频的调节装置；或者通过改变光栅/光折变晶体 到单块环形F-P腔或光栅/光折变晶体到DC的距离来调节光栅/光折变晶体选频决定的 激光振荡频率的调节装置；
所述单块环形F-P腔的调节设备包括以下一种或一种以上的组合
所述单块环形F-P腔上粘接的压电陶瓷，进行F-P腔谐振频率的快速小范围细 调；
设置于所述单块环形F-P腔的温控器件，进行F-P腔谐振频率的慢速大范围粗 调；
设置于所述单块环形F-P腔微调螺钉或压电陶瓷，用于改变单块环形F-P腔的对 光栅/光折变晶体的反馈角度；
所述外腔的调节设备为用于调整光栅/光折变晶体角度的调节装置；
所述DC的调节设备包括以下一种或一种以上的组合
DC热沉，通过改变DC的温度，改变DC输出光频率范围。
从上面所述可以看出，本发明提供的窄线宽激光器，通过把环形F-P腔的反射 镜直接做在一块光学材料上，解决分立元件环形F-P腔稳定性不好，易受到外界干扰， 体积过大和系统复杂等问题。把反馈加在Diode chip上，实现窄线宽大功率输出，同时 对光栅(或光折变晶体)进行调节，实现频率的大范围调解。
图1为现有Yabai He and Brian J.Orr半导体激光器结构示意图2为现有Sandra Stry等人采用Littrow结构大功率外腔激光器示意图3为现有Sandra Stry等人采用Littman结构构成大功率外腔激光器示意图4为单块环形F-P腔示意图5为另一单块环形F-P腔示意图6为本发明第一个实施例的新型高功率窄线宽激光器示意图7为本发明第二个实施例的新型高功率窄线宽激光器示意图8为本发明实施例带有调节部件的单块环形F-P腔增强Littrow衍射结构激光 器结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并 参照附图，对本发明进一步详细说明。
本发明的技术方案如图6，图7所示。本发明的窄线宽激光器主要包括二极 管芯片(DC) 5，准直透镜(COL) 3、7，光栅(GT) 17或光折变晶体701(下文用光栅/光 折变晶体表示)，以及单块环形F-P腔(MFC)8。其中，所述光栅17可以采用如全息 光栅、刻线光栅等。
发明的一个实施例中所述单块环形F-P腔的结构，如图4所示，为横截面为等腰 梯形的六面体结构。光线输入面上的A点入射进入环形F-P腔，经过在镀有高反射膜的 反射表面上B点反射后，到C点，经C点所在的平面全反射后回到A点，形成环形腔， 其B点的透射光被全息光栅(或光折变晶体)反馈回Diode chip,由于F-P腔所具有更好 的选频作用，使得整个光栅(或光折变晶体)外腔的选频作用被极大地增强，其效果表现 为锥形放大器振荡的频率噪声被进一步压缩，从而实现激光线宽的压窄。
在该六面体上的2个光学表面中，A点所在表面为输入输出耦合面，该表面为平 面，利用光学镀膜技术镀有合适反射率Ra的反射膜，例如反射率Ra = 0.9至0.99。A 点所在的表面单独构成等效F-P腔的两端反射面。该表面可为平面，B点所在平面为高 反射面，该表面高反射率Rb = Ra，即与A点所在平面的反射率相同。C点所在平面为 折叠面，该面为全反射面可不镀膜，通过内全反射原理实现光束的折叠。A点和C点所在的表面夹角为66.42°。光学加工中90°的角度公差和3个光学表面的塔差得到严格保 证。
优选的，利用低传输损耗的光学石英玻璃作为材料，通过光学加工使其形成 包含3个光学面的梯形六面体单块结构形式。该梯形体底边长度15mm，梯形侧边长 12mm, 厚度为6mm。
单块环形F-P腔除了可做成三个光学面的梯形六面体结构外还可以做成三角型 五面体结构，如图5所示。入射到单块环形F-P腔的入射角为49.3°，设计单块环形F-P 腔长12X 12X 12mm3，每个内角都为60°。此外还可以做成其他形状，也不一定必须是 等边或等角的对称结构，也可以由三个以上的光学面组成，例如除入射面外还包含有三 个、四个或更多的反射面，只要是能在内部形成环形谐振就可以。
所述单块环形F-P腔的光学面除均为平面外，根据需要还可以制作成光学面均 为微凸面型；或者单块环形F-P腔的光学面为平面与微凸面组合、或微凸与平面及微凹 面的组合。
采用全息光栅的窄线宽激光器实施例结构参见图6所示，在本实施例中采用图4 所示的单块环形F-P腔。DC 5后端发出的激光光束，经过镀有高透射膜的后表面发出 后，经准直透镜3准直后输出；DC 5前端发出的激光光束，经镀有高透射膜的前表面发 出后，经准直透镜7准直，然后经单块环形F-P腔7透射后，入射到全息光栅17上，其 一级衍射原路返回，经单块环形F-P腔7后的折射光反馈到DC 5，以此进行选模。在全 息光栅17背面上可以设置压电陶瓷(PZT)601用于调节全息光栅的角度。
针对图6例如功率IW波长为689nm的Diode chip (DC) 5发出的激光光束， 经过镀有高透射膜的后表面后，再经过焦距为4mm，数值孔径为0.6的非球面准直透镜3 准直，DC 5的光经光隔离器OIl后输出。DC 5的镀有高透射膜的另一端面的光以入射 角37.34°在兼做输入输出耦合面上的单块F-P腔8的A点入射(由一个由单块优质光学 石英玻璃材料加工构成的F-P腔8)，入射光在A点发生反射和折射。其中折射进入环 形F-P腔的光束部分，入射在镀有高反射膜的反射表面上的B，在该点被反射后，返回到 折叠面C点，以大于全反射的角度入射在C点，在C点发生全反射，折回到A点，形成 谐振，其B点的透射光以一定的角度入射在刻线密度为MOOg/mm、具有合适的衍射效率 (如一级衍射效率4% -58%之间)、刻线面积大小为12.5_X 12.5mm、厚度为6mm 的全息衍射光栅上，其一级衍射原路返回，反馈回DCDC 5。该光束强度在谐振频率处达 到最大值，实现窄线宽激光器。Diode chip (DC) 5入射到A点的反射光与经单块环形谐振 在A的透射光的总合在谐振时最弱。将光栅17，Diode chip 5的前表面和环形F-P腔8 组成光栅外腔。环形F-P腔8的透射光具有与F-P腔相同的光谱结构，该透射光作为反 馈光沿着与原入射光束共线反向的路径，经光栅17被返回到Diode Chip(DC) 5中。由于 F-P腔的选频作用，使得光栅外腔的选频作用被进一步增强，其效果表现为激光振荡的频 率噪声被进一步压缩，从而实现激光线宽的压窄，得到短期线宽小于20kHz。
采用光折变晶体的窄线宽激光器实施例结构参见图7所示，在本实施例中采用 图4所示的单块环形F-P腔。DC 5后端发出的激光光束，经过镀有高透射膜的后表面 发出后，经准直透镜3准直后输出；DC 5前端发出的激光光束，经镀有高透射膜的前表 面发出后，经准直透镜7准直，然后经单块环形F-P腔7透射后，入射到光折变晶体701上，其相位共轭光原路返回，经单块环形F-P腔7后的折射光反馈到DC 5，以此进行选 模。在光折变晶体701背面上可以设置压电陶瓷(PZT)702用于调节全息光栅的角度。 在光折变晶体701背面上可以设置压电陶瓷(PZT) 702用于调节光折变晶体701的角度。
针对图7例如功率IW波长为689nm的Diode chip (DC)发出的激光光束，经过 镀有高透射膜的后表面后，再经过焦距为4mm，数值孔径为0.6的非球面准直透镜准直， DC的光经光隔离器OI后输出。DC的镀有高透射膜的另一端面的光以入射角37.34°在 兼做输入输出耦合面上的单块F-P腔的A点入射，入射光在A点发生反射和折射。其中 折射进入环形F-P腔的光束部分，入射在镀有高反射膜的反射表面上的B，在该点被反射 后，返回到折叠面C点，以大于全反射的角度入射在C点，在C点发生全反射，折回到 A点，形成谐振，其B点的透射光入射到光折变晶体。
本实施例中，光折变晶体选用RkBaTiO3非镀膜元件，该晶体为非镀膜元件，掺 Rh的浓度为6ppm。尺寸为6.6mm X5.1mmX8.2mm，晶体光轴c沿着晶体的长边方向。 光场在晶体内产生电荷重新分布，引起折射率调制，即自相位体全息光栅。光经由自相 位体全息光栅后产生相位共轭，光原路返回以此实现对DC的反馈，该光束强度在谐振频 率处达到最大值，由于F-P腔的选频作用，使得光栅外腔的选频作用被进一步增强，其 效果表现为激光振荡的频率噪声被进一步压缩，从而实现激光线宽的压窄。
在本发明中，单块环形F-P腔决定的谐振频率可通过粘接压电陶瓷方法和控温 技术分别实现快速小范围细调和慢速大范围粗调，实现对激光频率的调谐与控制，而光 栅选频决定的激光振荡频率可通过整体转动单块环形F-P腔实现。例如通过微调螺钉或 另外的压电陶瓷改变单块腔的角度。经过这些途径，可将全息光栅(或光折变晶体)选 频决定的激光频率与单块F-P腔决定的激光频率调成接近一致。利用激光振荡的物理机 制，使得在单块F-P腔的谐振频率上产生激光振荡，并且可通过调整单块温度和粘接在 单块上的压电陶瓷片调整控制激光频率。并可通过改变支配单块环形F-P腔转动的压电 陶瓷电压或微调调节螺钉实现光栅(或光折变晶体)外腔对单块环形F-P腔频率的跟踪或 同步。
本发明提供的激光器中，还可以设置各种调节设备，主要包括如下几种
单块环形F-P腔的调节设备，可以是通过改变单块环形F-P腔的内部光程来调节 单块环形F-P腔决定的谐振频率的调节设备，例如在所述单块环形F-P腔上粘接的压 电陶瓷，进行F-P腔谐振频率的快速小范围细调，在所述单块环形F-P腔上设置热沉等温 控器件，进行F-P腔谐振频率的慢速大范围粗调。或者通过旋转单块环形F-P腔，来改 变入射光线、出射光线的角度的调节设备，例如在单块环形F-P腔与底板连接部分设 置微调螺钉或压电陶瓷，来改变单块环形F-P腔的对光栅/光折变晶体的反馈角度。
外腔的调节设备，通过改变激光器外腔长度、光学性能等来调节激光频率。例 如用于调整光栅/光折变晶体角度的调节装置，通过改变入射至光栅/光折变晶体的光 束角度来调节光栅/光折变晶体选频，从而决定激光振荡频率；或者通过改变光栅/光折 变晶体到单块环形F-P腔或光栅/光折变晶体到DC的距离来调节光栅/光折变晶体选频 决定的激光振荡频率。
DC的调节设备，通过改变DC的输入电流来改变DC输出光频率范围；或者通 过改变DC的温度来改变DC输出光频率范围，例如热沉等。
参见图8所示，图8给出了带有调节机构的全息光栅结构的单块环形F-P腔增强 激光器实施例。该激光器主要包括光学隔离器(01)1，非球面准直透镜调整架2，非球 面准直透镜(Col) 3，Diodechip的热沉4，DC 5，非球面准直透镜调整架6，非球面准直 透镜(Col) 7，单块环形F-P腔(MFC) 8，单块环形F_P腔热沉9，可用于单块的慢速大范 围频率调谐，调节架动板11，调节架定板12，微调螺钉13，用于单块环形F-P腔的整体 调整，调节架压电陶瓷14，用于单块环形F-P腔的整体调谐；粘在单块环形F-P腔上的 压电陶瓷16，可用于环形F-P腔的快速频率调谐；光栅GT 17，光栅固定架18。图中， 10指示的是外腔激光器输出，15指示的是光栅衍射返回的光在单块B面的反射光，该光 束可作为监测光。
图8的实施例中，采用如图4所示的环形单块F-P腔结构。
Diode chip 5采用温度传感器和半导体制冷器4以及水冷装置实现温度控制。单 块环形F-P腔8采用温度传感器和半导体制冷器9实现温度控制。该单块环形F-P腔8 的谐振频率可通过粘接在该腔上的压电陶瓷16的方法和对单块环形F-P腔热沉9精密控 温技术分别作快速小范围细调和慢速大范围粗调，实现对激光频率的调谐与控制，而光 栅17选频决定的激光振荡频率可通过整体转动单块环形F-P腔8实现。例如通过微调螺 钉13或粘接在动板上的压电陶瓷14改变单块腔8的对光栅17的反馈角度。在改变角度 的过程中，固定在粘有压电陶瓷14调节架动板11上的单块环形F-P腔8和单块环形F-P 腔热沉9随着动板11 一起旋转，进入单块环形F-P腔8的光束方向也随着调节架动板11 的转动改变相同的角度，实现对光栅的一级衍射光的波长反馈。经过这些途径，可将光 栅17选频决定的激光频率与单块F-P腔8决定的激光频率调成接近一致。利用激光振荡 的物理机制，使得在单块F-P腔8的谐振频率上产生激光振荡，并且可通过调整单块热沉 9的温度和粘接在单块上的压电陶瓷片16调整控制激光频率。可通过改变支配单块F-P 腔转动的压电陶瓷14的电压或微调调节螺钉13，带动单块环形F-P腔8随着动板11 一 起旋转，实现光栅外腔对单块F-P腔频率的跟踪或同步。非球面准直透镜调整架2、6用 于固定非球面镜及激光束准直的调整，单块环形F-P腔8通过热沉9固定在调节架动板 11上，调节架动板11可通过定板12上的微调螺钉调整。调节架定板12、DC热沉4、 光隔离器011、非球面准直透镜调整架2、6、光栅固定架17均被固定在底板18上。
以上所述的具体实施例仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明。 比如本发明中的DC可选用其他型号；单块环形F-P腔的腔体也可选用其它形状，尺 寸大小也可选用其它尺寸，66.42°角也可选用其它角度，单块环形F-P腔材料也可选用 其它光学或激光材料，镀膜参数也可选用其它数值；光栅也可以采用刻线光栅或其他类 型；光折变晶体可采用其他晶体，掺杂浓度可选用其它浓度；TA发出的激光波长可选用 其它波长数值等。总之，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、 改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种窄线宽激光器，其特征在于，包括二极管芯片DC、单块环形F-P腔、以及 光栅或光折变晶体；所述激光器中各部件的布设使得DC后端发出的激光光束作为输出光输出；DC前端 发出的激光光束，从所述F-P腔的输入面入射进入所述单块环形F-P腔，经过至少两个反 射面反射后，回到输入面的入射点；从所述单块环形F-P腔其中一个反射面透射的光束 入射到所述光栅/光折变晶体后，被按原路径反馈回DC，以此进行选模。
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔包含有三个光学 面光线从输入面入射进入单块环形F-P腔，经过在第一反射面反射后，到达第二反射 面，经第二反射面反射后回到输入面的入射点；并且从反射面的透射光作为该单块环形 F-P腔的出射光，所述从第一反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光。
3.根据权利要求2所述的激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面 体单块结构，所述入射面和第一反射面为梯形的两腰所在面，所述第二反射面为梯形的 下底所在面；或者所述单块环形F-P腔为等边三角型五面体结构，等边三角型三个边所在平面作 为所述光学面。
4.根据权利要求3所述的激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔为等腰梯形六面 体单块结构时，所述入射面和第二反射面夹角为66.42°。
5.根据权利要求2-4任意一项所述的激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔入射 面利用光学镀膜技术镀有合适反射率Ra的反射膜，所述第一反射表明为高反射面，该表 面高反射率Rb = Ra;所述第二反射表明为全反射面。
6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述单块环形F-P腔的光学面均为微 凸面型或均为平面；或者所述单块环形F-P腔的光学面为平面与微凸面组合、或微凸与平面及微凹面的 组合。
7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述光栅为全息光栅、或者刻线光栅。
8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述光栅为刻线密度为2400g/mm、 具有合适的衍射效率、刻线面积大小为12.5mmX 12.5mm、厚度为6mm的全息衍射光 栅；所述光折变晶体为Rh:BaTi03非镀膜元件，掺Rh的浓度为6ppm，尺寸为 6.6mmX5.1mmX8.2mm,晶体光轴c沿着晶体的长边方向。
9.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，该激光器还包括准直透镜，分别 设置在所述DC的前后端，所述DC发出的光束首先经过准直透镜准直后再入射到其他光 学器件或输出。
10.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器还包括有以下调节设备 中的一种或一种以上组合单块环形F-P腔的调节设备，通过改变单块环形F-P腔的内部光程来调节单块环形 F-P腔决定的谐振频率；或者通过旋转单块环形F-P腔，来改变入射光线、出射光线的角 度；外腔的调节设备，通过改变激光器外腔长度、光学性能来调节激光频率； DC的调节设备，通过改变DC的输入电流来改变DC输出光频率范围；或者通过改 变DC的温度来改变DC输出光频率范围。
11.根据权利要求10所述的激光器，其特征在于，所述外腔的调节设备，包括通 过改变入射至光栅/光折变晶体的光束角度来调节光折变晶体选频的调节装置；或者通 过改变光栅/光折变晶体到单块环形F-P腔或光栅/光折变晶体到DC的距离来调节光栅 /光折变晶体选频决定的激光振荡频率的调节装置；所述单块环形F-P腔的调节设备包括以下一种或一种以上的组合 所述单块环形F-P腔上粘接的压电陶瓷，进行F-P腔谐振频率的快速小范围细调； 设置于所述单块环形F-P腔的温控器件，进行F-P腔谐振频率的慢速大范围粗调； 设置于所述单块环形F-P腔微调螺钉或压电陶瓷，用于改变单块环形F-P腔的对光栅 /光折变晶体的反馈角度；所述外腔的调节设备为用于调整光栅/光折变晶体角度的调节装置； 所述DC的调节设备包括以下一种或一种以上的组合 DC热沉，通过改变DC的温度，改变DC输出光频率范围。
全文摘要
本发明公开了一种窄线宽激光器，包括二极管芯片(DC)、单块环形F-P腔、和光栅/光折变晶体；所述激光器中各部件的布设使得DC后端发出的激光光束作为输出光输出；DC前端发出的激光光束，从所述F-P腔的输入面入射进入所述单块环形F-P腔，经过至少两个反射面反射后，回到输入面的入射点；从所述单块环形F-P腔其中一个反射面透射的光束入射到所述光栅/光折变晶体后，被按原路径反馈回DC，以此进行选模。本发明能够实现激光器窄线宽大功率输出，输出频率的单模大范围调节，且稳定性好，不易受外界干扰，体积小、系统简单和使用方便。
文档编号H01S5/10GK102025102SQ200910176900
公开日2011年4月20日 申请日期2009年9月23日 优先权日2009年9月23日
发明者彭瑜, 方占军, 曹建平, 李烨, 臧二军 申请人:中国计量科学研究院