专利名称：用于控制超声波压电致动器的装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种机动车载装置，其用于控制受到电子驱动且与内燃机中的燃料喷射器相关联的至少一个超声波压电致动器。
背景技术：
更精确地说，本发明根据其第一实施形态涉及现有技术中例如在法国专利申请FR 2 847 743中介绍并在图1-2中部分地示出的一种控制装置。该装置被设计为控制由控制 计算机10以及DC电压源Vbatt (几十伏，例如12V或42V)电子地驱动的至少一个超声波压 电致动器4。该控制装置包含-第一级1，用于升高由DC电压源Vbatt供电的所述DC电压Vbatt，并被设计为在电 力线5上产生中间DC电压Vinte (几百伏，例如250V)，-第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级1所产生的中间DC电压Vinte供 电，并包含第一存储装置20，第一存储装置20 —方面连接到地K，另一方面连接到电力线5， 并被设计为存储中间DC电压Vinte，第三级3，用于对经由电力线5由第二级2所存储的中间DC电压Vinte供电的中间 DC电压VintCT进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器4的AC激励电压Ve(千伏以上， 例如 1200V)。这种已知的控制装置使得可以传送“致动/保持”型的中间DC电压Vinte,控制，其 被设计为提供喷射器7的希望的运行，即-在短暂的喷射致动期间，也就是说，在第一喷射瞬间期间，经由第一级1和第二 级2，向第三级3传送高幅度的中间DC电压Vinte，以便通过第三级3致动超声波压电致动 器4的事实上为瞬间的激励，从而加速喷射器7的开启，因此确保进入发动机6的汽缸的燃 料流，-在长的喷射保持阶段期间，也就是说，一旦所述第一瞬间已经过去，直到喷射结 束时，经由第一级1和第二级2，向第三级3传送中等(moderate)幅度的中间DC电压Vinte， 以便通过第三级3保持超声波压电致动器4的激励，从而对于喷射的剩余时间将喷射器7 保持于开启位置。为了产生电压幅度的这些变化，根据FR 2 847 743的控制装置以及特别是第一 级1和第二级2 (尤其是开关装置(晶体管)和其它无源部件装置)必须是过大型的，这是 因为它们必须被设计为耐受致动阶段期间供到第三级3的最大电力。尽管短时间内被传 送，此最大电力大于对于保持阶段的长时间传送的中等电力。因此，必须在控制装置的紧凑 性和第一级1与第二级2的庞大装置——因为它们是过大型的，以便向第三级3传送所述 “致动/保持”控制——之间达成微妙的妥协。
发明内容
基于此新观察的本发明主要目的在于提出一种控制装置，其被设计为至少是降低至少一种上面提到的限制。为此目的，控制装置一此外，其按照上面的前序部分对其所作的一般定义—— 的实质性特征在于第二级至少包含-一个第二存储装置，其安装在电力线和地之间，与第一存储装置并联，并被设计 为存储中间DC电压Vinte ；-一个第一开关装置，其串联安装在第二存储装置和地之间，并被设计为有选择地 控制第二存储装置对中间DC电压Vinto的存储，一直到Vbt < Vinter的低DC电压设置点VBT。借助此布置，可以 -由尺寸对于所述中等电力设计的同样的第一级，对第二级的两个不同的存储装 置供电，以便在其中存储两个不同的电压；-接着，相继地从第一或从第二存储装置，向第三级3传送所述“致动/保持”电压 控制，以便获得两个不同的电压幅度相应地为，致动阶段，来自第一存储装置，保持 阶段，来自第二存储装置的VBT。由于至少第一级的尺寸不再设计为(最大)致动电力，而仅仅是(中等)保持电 力，使得其体积变小(且成本变小)，因此，最终有助于根据本发明的控制装置的更好的紧凑性。根据其第二实施形态，本发明涉及一种内燃机，其使用根据本发明的控制装置，也 就是说，置有此控制装置的这种发动机。
参照附图，由下面作为说明而不是限制的介绍，将会明了本发明的其他特征和优 点，在附图中图1示出了具有三个级的已知控制装置的局部简化电路图，以便使得可以驱动超 声波压电致动器，从而将燃料喷射到内燃机中；图2示出了具有三个级的已知控制装置的第三级的局部简化电路图，其由电压调 制器构成，并连接到超声波压电致动器；图3-5示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第二级的第一、第二、第三变 型的三个局部简化电路图；图6原理性地示出了图5所示根据本发明具有三个级的控制装置的第二级的第三 变型的第一与第二开关装置在存储中间(充电)电压期间的控制算法；图7示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第一级的第一变型的局部简化 电路图，其由电气隔离的回扫电压转换器(flyback voltage converter)构成；图8示出了根据本发明具有三个级的控制装置的第一级的第二变型的局部简化 电路图，其由升压转换器构成。
具体实施例方式示出了现有技术的图1和图2已经在上面讨论。如图3-8中示出和在前面介绍的那样，本发明涉及机动车载控制装置，其被设计 为控制由控制计算机10和DC电压源Vbatt电子驱动的至少一个超声波压电致动器4。致动器4与例如用于向内燃机6的汽缸喷射燃料的喷射器7相关联。在另一实例(图中未示 出)中，喷射器7也可安装在排气管道中，以便将例如燃料喷射到容纳在所述管道中的去污 染装置中，从而促进其中的烟灰氧化反应。控制装置包含(图3-5，7-8)-第一级1，用于对由DC电压源Vbatt供给的所述DC电压Vbatt进行升压，并被设计 为在电力线5中产生中间DC电压Vinter ；-第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级1所产生的中间DC电压Vinte供 电，包含第一存储装置20，第一存储装置20在一方面连接到地K，另一方面连接到电力线5， 并被设计为存储中间DC电压Vinte ；-第三级3，用于对经由电力线5由第二级2所存储的中间DC电压VintCT供给的中 间DC电压Vinte,进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器4的AC激励电压VE。根据本发明，第二级2至少包含(图3-5)-一个第二存储装置21，其安装在电力线5和地K之间，与第一存储装置20并联， 并被设计为存储中间DC电压Vinte ；-一个第一开关装置22，其串联安装在第二存储装置21和地K之间，并被设计为 有选择地控制通过第二存储装置21对中间DC电压Vinte的存储，直到Vbt < Vinter的低DC 电压设置点VBT。“参照地K”的第一开关装置22的此优选位置——也就是说，放置在第二存储装置 21和地K之间——使得可以将电力线5留在第一开关装置22的自由电压上。这使得可以 更为容易地驱动根据本发明的装置的电子线路。如图4所示，第二级2可包含至少一个第二开关装置23，其串联安装在第一存储装 置20和地K之间，并被设计为有选择地控制由第一存储装置20对中间DC电压Vinte,的存 储，直到Vht彡Vinter的高DC电压设置点Vht。借助此布置，可以使得第一存储装置20和第二存储装置21可互换。另外，此拓扑 使得可以对高电压Vht进行调制，以便在汽缸中的同一压缩循环期间产生燃料的多次喷射。优选为，第二级2包含至少一个第三开关装置24，其串联安装在第一存储装置20 和电力线5之间，并被设计为有选择地控制第一存储装置20对中间DC电压Vinte的存储， 一直到Vbt < Vht彡Vinter的高DC电压设置点Vht。借助此拓扑，可以经由电力线5以隔离的方式将第一存储装置20或第二存储装置 21连接到第三调制级3，也就是说，在没有这两个存储装置20、21之间的电压再平衡的情况 下(因此，在没有发出可能导致损坏或甚至是摧毁控制装置的电路的过度发热(热损耗) 的情况下)(如果第一开关装置22和第三开关装置23的对应的控制不重叠的话)。第一存储装置20可包含至少一个第一电容器，其具有第一电容C1,第二存储装置 21可包含至少一个第二电容器，其具有第二电容C2，使得C2 >Ci。优选为，在以下时候，C2 > S^C1 -在短暂的喷射致动阶段期间，也就是说，在第一喷射瞬间(大约20μ s和大约 200 μ s之间)期间，第一电容器用于经由电力线5向第三级3传送高电压Vht，以便通过第 三级3发起超声波压电致动器4的事实上为瞬间的激励，从而加速喷射器7的开启，因此， 确保进入发动机6的汽缸的燃料流；以及
_在长的(>> 200μ S)喷射保持阶段期间，也就是说，一旦所述第一瞬间已经过去，一直到喷射的结束，第二电容器用于经由电力线5向第三级3传送低电压Vbt，以便通过 第三级3保持超声波压电致动器4的激励，从而对于喷射的其余时间，将喷射器7保持在开 启位置。借助这些布置，控制装置的尺寸、特别是第二级2的尺寸(尤其是，在致动与保持 阶段期间代表电源的所述电容器的尺寸)可在考虑以下事实的情况下得到最优化第三级 3的电力需求对于致动阶段(其在上面的实例中，从第一电容器C1吸取)低于对于保持阶 段的电力需求(其在上面的实例中，由第二电容器C2吸取)。另外，在缺少第三开关装置的情况下(例如，对于图3所示的拓扑)，电压再平衡现 象在致动阶段结束与保持阶段开始之间在第一与第二电容器之间发生(在其开关期间，以 便将电压传送到电力线5)。在这种情况下，电容器之间的关系C2 > C1(另外，C2 > 3*Ci的 关系)有助于使得此再平衡更快，由此使得其所伴随的发热最小化，以便保护控制装置的 电子线路的整体性。如图5所示，串联安装在第二存储装置21和地K之间的第一开关装置22可包含 至少一个第一晶体管M2,其具有-第一源极S2,连接到地K，-第一漏极D2,连接到第二存储装置21，-第一栅极G2,连接到第一控制块25，_第一衬底B2，连接到地K，且串联安装在第一存储装置20和电力线5之间的第三开关装置24可包含至少一个 第二晶体管M3，其具有；-第二源极S3,连接到电力线5，-第二漏极D3,连接到第一存储装置20，-第二栅极G3,连接到第一控制块25，-第二衬底B3,连接到电力线5。第一晶体管M2和第二晶体管M3的使用使得可以在第一控制块25的帮助下容易地 控制第二存储装置21和第一存储装置20，特别是通过使得第一电容器C1和第二电容器C2 之间的切换时的电力损耗最小化，并通过提供更容易的运行和保持阶段可用电压值的更大 的动态。如图5所示，第一晶体管M2包含至少一个第一二极管d2，其具有连接到第一源极 S2的第一阳极A2和连接到第一漏极D2的第一阴极X2，第二晶体管M3包含至少一个第二二 极管d3，其具有连接到第二源极S3的第二阳极A3和连接到第二漏极D3的第二阴极X3。借助此拓扑，可以将高电压Vht保持为总是高于低电压Vbt (Vht > Vbt)，特别是在放 电期间(当第二级2向第三级3馈送电压时)。具体而言，当处于放电(从高电压Vht开 始)的第一电容器逼近第二电容器的低电压Vbt时，连接在这两个电容器之间经由第一二极 管d2和第二二极管d3发生，以便保持不均衡VHT > VBT。这种特性具有可靠性以及成本方 面的价值，因为并不必需附加的系统来提供放电或充电(当第一级1向第二级2馈送电压 时)的控制装置运行期间的不均衡Vht > VBT。优选为，第一晶体管M2为η沟道金属氧化物半导体场效应(MOSFET)型(电流通过电子的移动提供)，第二晶体管M3为ρ沟道金属氧化物半导体场效应(MOSFET)型(电流 由空穴的移动提供)。第一二极管d2和第二二极管d3分别以结构化的方式在第一 MOSFET晶体管M2和 第二 MOSFET晶体管M2上存在。借助于此拓扑，因此可以产生分立部分的节省(使控制装 置的电子线路杂乱的上面介绍的第一二极管d2的和第二二极管d3的节省)，所述第一二极 管d2和所述第二二极管d3安装在MOSFET晶体管中，由此使得控制装置的电子线路更小。如图4所示，串联安装在第一存储装置20和地K之间的第二开关装置23可包含 至少一个第三晶体管M4,其具有-第三源极S4,连接到地K，-第三漏极D4,连接到第一存储装置20，-第三栅极G4,连接到第二控制块26，-第三衬底B4,连接到地K，第三晶体管M4可包含至少一个第三二极管d4，其具有连接到第三源极S4的第三阳 极A4和连接到第三漏极D4的第三阴极X4,第三晶体管M4优选为η沟道金属氧化物半导体 场效应(MOSFET)型。由此形成的第二开关装置23提供的优点基本上类似于上面参照包含第一晶体管 M2的第一开关装置22已经讨论的，这里不再详细阐释。另外，注意，两个控制块25、26中的每一个可包含图3_5中标为“Ζ”的至少一个的 驱动器的模块。各个驱动器Z放置在对应的晶体管的栅极和地K之间，并在所述栅极上传 送控制控制电压VDD，其使得可以使对应的晶体管闭合，也就是说，允许电流经过(在缺少电 压Vdd的情况下，或当电压Vdd保持低于晶体管特有的某个阈值时，后者保持关断状态即断 开，阻碍任何电流流通)。为了进一步使得控制装置的电子线路最小化，两个控制块25、26 可以完全相同(图5)，以便包含例如与将被控制的晶体管M2、M3 —样多的驱动器Z。优选为，第一级1包含至少一个电气隔离回扫电压转换器(借助变压器Tf)，其例 如为在图7中所示出的，并包含DC电压源Vbatt，例如，具有电容Cbatt的12V或42V电池，变 压器Tf包含两个磁耦合的电感Lf、二极管Df、驱动两个电感Lf中的一个的开关装置(例如 轮到时由驱动器Z控制的MOSFET型第四晶体管M5)。通过变压器Tf的电压变换比，可以在第一级1的输出上实现电压增益，同时，保持 由汽缸压缩循环施加的动态(因此保持喷射的动态)。另外，变压器Tf的磁装置的漏感效 应使得可以确保第四晶体管M5的温和的开关(温和的开关意味着第四晶体管M5在其端子 电压低时的闭合，低电压为在每次开关时在第四晶体管M5中产生小于或等于变压器Tf中 的电阻或磁耗散的能量耗散的电压)，这进一步改进了包含回扫电压转换器的第一级1的 电力效率。电气隔离还使得可以在电磁兼容性——也叫做EMC——方面改进第一级1的性 能，也就是说，在第一级1的运行而不将电磁干扰引入控制装置的电子线路的容量方面，特 别是对于VintCT/Vbatt > 10的电压增益。或者，第一级1可包含至少一个升压转换器，其类似于例如在图8中所示出的，并 包含DC电压源Vbatt，例如为12V或42V电池，具有电容Cbatt、电感器Lb、二极管Df、由驱动器 Z控制的开关装置(例如，MOSFET型的第五晶体管M1)。此布置的优点在于升压转换器的鲁棒性。
第三调制级3可具有已知的拓扑，例如图2中所示的，其在法国专利申请FR 2 847 743中介绍，并包含由开关装置驱动的电感器Lp (例如轮到时由驱动器Z控制的MOSFET型 的第六晶体管M6)、存储装置(例如，具有电容Cp的电容器)。对于根据本发明的控制装置的运行，应当注意，第二级2的充电与放电(特别地， 第一存储装置20和第二存储装置21的)从来不是同时的-或者，包含第一级1和第二级2的控制装置的电子线路的第一部分有效(负载)，-或者，包含第二控制级2和第三控制级3的电子线路的第二部分有效。由于此，电力线5也以周期性的方式运行-或者，借助第一级1，处于第二级2的充电(在汽缸的两个压缩循环之间，也就是 说，在两次喷射之间)。第三级3于是无效，其开关装置断开(图2中的第六晶体管M6在其 “断开”状态将第三级3的电感器Lp从地K断开)，-或者，通过向第三级3供给电压，处于首先(在致动阶段期间)从第一存储装置 20、接着(在保持阶段期间)从第二存储装置的放电(在每次喷射期间)。第一级1于是无 效，其开关装置断开(对于升压转换器(图8)，处于“断开”状态的第五晶体管M1将第一级 1的电感器Lb从地K断开，对于回扫电压转换器(图7)，处于“断开”状态的第四晶体管M5 将第一级1的变压器Tf的电感器Lf之一从地K断开)。第一运行实例关于如图3所示具有第一晶体管M2的控制装置介绍。在这种情况下，在充电开始时，第一晶体管M2保持闭合(将第二电容器C2连接到 地K)。因此，两个电容器C1和C2充电直到使得Vbt < Vinter的低DC电压设置点Vbt (对于保 持阶段适应的电压)。于是，第一晶体管M2断开(将第二电容器(2从地K断开)。作为此结 果，当第一电容器C1的充电继续(从第一级1，经由电力线5)，直到使得Vbt < Vht≤Vinter (优 选为Vht = Vinter)的高DC电压设置点Vbt，第二电容器C2的电压保持不变(等于低DC电压 设置点Vbt)。在放电(在喷射期间)开始时，第一晶体管M2在致动阶段期间保持断开(第二电 容器C2因此从地K断开)。第三级3于是被供给来自第一电容器C1的高电压VHT。在从致 动阶段到保持阶段的转换期间，第一晶体管M2闭合(将第二电容器C2连接到地K)。电压 的再平衡在第一电容器C1和第二电容器C2之间发生，使得其相应的端子上的电压差抵消。 保持阶段的喷射以新的电压继续，其保持高于(尽管其确切值在再平衡之后保持未知)低 DC电压设置点Vbt (准确地，由于所述再平衡)并且低于致动阶段的高DC电压设置点VHT。第二运行实例参照这样的控制装置介绍如图5所示，其具有第一晶体管M2和第二晶体管M3,并在图6所示充电期间(由第二级2存储电压)用于控制所述晶体管Μ2、Μ3的算法的帮助下。在这种情况下，在充电开始时，第一晶体管M2保持闭合(将第二电容器C2连接到 地K)，第二晶体管M3保持断开(第一电容器Cl因此从电力线5断开)。优选为，为了防止 第一电容器C1和第二电容器C2之间暂时的再平衡——所述暂时再平衡产生热损耗，过程首 先用于第二晶体管M3的断开(图6中的时刻t0)，接着用于第一晶体管M2的闭合(图6中 的时刻、，使得t1> t0)。因为两个电容器C1与C2借助二极管d3连接，这些电容器C1和C2 被充电直到低DC电压设置点Vbt (对于保持阶段适应的电压)。于是，第一晶体管M2断开 (将第二电容器C2从地K断开)。考虑断开第一 η沟道晶体管M2必需的第一时延τ2>0短于闭合第二 P沟道晶体管M3的第二时延τ3> τ2>0(图6)，当所述第二时延τ 3已经 过去时，第二晶体管M3闭合，将第一电容器C1连接到电力线5。由于这一点，当第一电容器 C1的充电继续时(从第一级1经由电力线5)，一直到使得Vbt < Vht彡Vinter (优选为Vht = Vinter)的高DC电压设置点Vht，第二电容器C2的电压保持不变(等于低DC电压设置点Vbt)。在放电(在喷射期间)开始时，在致动阶段期间，第一晶体管M2保持断开(将第 二电容器C2从地K断开)，同时，第二晶体管M3保持闭合(将第一电容器C1连接到电力线 5)。在转换到保持阶段期间(在所述第二时延τ 3之后)，第二晶体管M3断开(将第一电 容器C1从电力线5断开)，第一晶体管M2闭合(将第二电容器C2连接到地K)。不像上面的第一实例，在这种第二情况下，第一电容器C1和第二电容器C2之间不 发生充电的再平衡。具体而言，在第一电容器C1端子电压高于第二电容器C2端子电压时 (Vht > Vbt)，两个相应的二极管d2、d3 “看到”其相应的阳极A2、A3以及阴极X2、X3上的严格 为正的电压(VD2 = Vx2 > Vs2 = Va2，以及 Vd3 = Vx3 > Vs3 = Va2，图 5)。第一二极管 d2 和第 二二极管d3因此处于关闭状态(除非MOSFET的隔离电压被超过，其不在预期的使用条件 下发生)。控制装置的电子线路因此表现为好像所述二极管d2、d3不存在一样。如果第一 电容器C1端子电压足够减小到等于第二电容器C2端子电压，相应的二极管d2、d3的端子电 压抵消，于是，倾向于下降到低于零(VD2 = Vx2 < Vs2 = Va2，Vd3 = Vx3 < Vs3 = Va2，图5)，即 立即停止的现象，这是由于所述二极管d2、d3变为导通状态，并表现为好像两个闭合的开关 (分别将第二电容器C2连接到地K以及将第一电容器C1连接到电力线5)。电流于是可从 第二电容器C2流到第一电容器C1 (在图5中标为“I”的箭头的方向)，以便保持第一电容 器Cl和第二电容器C2的端子电压的均衡。总之，保持阶段中的喷射以精确等于低DC电压 设置点Vbt的电压继续。因此，和图3所示的相比，图5所示的控制装置的拓扑允许在保持 阶段中第三级3的输入上的电压的更好控制，这是因为从致动阶段到保持阶段的转换期间 的再平衡，没有使得可以将精确电压(等于低电压设置点Vbt)在保持阶段中传送到第三级 3的输入。
权利要求
一种用于控制至少一个由控制计算机(10)和DC电压源(Vbatt)电子驱动的超声波压电致动器(4)的装置，包含 第一级(1)，用于对由DC电压源(Vbatt)供给的所述DC电压(Vbatt)进行升压，并被设计为产生电力线(5)中的中间DC电压(Vinter)， 第二级2，用于存储，其经由电力线5由第一级(1)所产生的中间DC电压(Vinter)供电，并包含第一存储装置(20)，第一存储装置(20)一方面连接到地(K)，另一方面连接到电力线(5)，并被设计为存储中间DC电压(Vinter)， 第三级(3)，用于对经由电力线(5)由被第二级(2)存储的中间DC电压(Vinter)供给的中间DC电压(Vinter)进行调制，并被设计为产生超声波压电致动器(4)的AC激励电压(VE)，其特征在于，第二级(2)至少包含 一个第二存储装置(21)，其安装在电力线(5)和地(K)之间，与第一存储装置(20)并联，并被设计为存储中间DC电压(Vinter)； 一个第一开关装置(22)，其串联安装在第二存储装置(21)和地(K)之间，并被设计为有选择地控制第二存储装置(21)对中间DC电压(Vinter)的存储，一直到使得VBT＜Vinter的低DC电压设置点(VBT)。
2.根据权利要求1的控制装置，其特征在于，第二级(2)包含至少一个第二开关装置 (23)，第二开关装置(23)串联安装在第一存储装置(20)和地(K)之间，并被设计为有选择 地控制第一存储装置(20)对中间DC电压(Vinter)的存储，直到使得Vht彡Vinter的高DC电 压设置点(Vht)。
3.根据权利要求1或2的控制装置，其特征在于，第二级(2)包含至少一个第三开关装 置(24)，其串联安装在第一存储装置(20)和电力线(5)之间，并被设计为有选择地控制第 一存储装置(20)对中间DC电压(Vinter)的存储，一直到使得Vbt < Vht ( Vinter的高DC电压 设置点(Vht)。
4.根据权利要求1-3中任意一项的控制装置，其特征在于，第一存储装置(20)包含至 少一个具有第一电容(C1)的第一电容器，且其特征在于，第二存储装置(21)包含至少一个 具有第二电容(C2)的第二电容器，使得C2 > C1。
5.根据权利要求3或4的控制装置，其特征在于，串联安装在第二存储装置(21)和地 (K)之间的第一开关装置(22)包含至少一个第一晶体管(M2),其具有-第一源极(S2),连接到地(K)， -第一漏极(D2),连接到第二存储装置(21)， -第一栅极(G2),连接到第一控制块(25)， -第一衬底(B2),连接到地(K)，且其特征在于，串联安装在第一存储装置(20)和电力线(5)之间的第三开关装置(24) 包含至少一个第二晶体管(M3),其具有； -第二源极(S3),连接到电力线(5)， -第二漏极(D3),连接到第一存储装置(20)， -第二栅极(G3),连接到第一控制块(25)， -第二衬底(B3),连接到电力线(5)。
6.根据权利要求5的控制装置，其特征在于，第一晶体管(M2)包含至少一个第一二极 管(d2)，其具有连接到第一源极(S2)的第一阳极(A2)和连接到第一漏极(D2)的第一阴极 (X2),且其特征在于，第二晶体管(M3)包含至少一个第二二极管(d3)，其具有连接到第二源 极(S3)的第二阳极(A3)和连接到第二漏极(D3)的第二阴极(X3)。
7.根据权利要求5或6的控制装置，其特征在于，第一晶体管(M2)为η沟道金属氧化 物半导体场效应型，且其特征在于，第二晶体管(M3)为ρ沟道金属氧化物半导体场效应型。
8.根据权利要求2-7中任意一项的控制装置，其特征在于，串联安装在第一存储装置 (20)和地(K)之间的第二开关装置(23)包含至少一个第三晶体管(M4),其具有-第三源极(S4),连接到地(K)，-第三漏极(D4),连接到第一存储装置(20)，-第三栅极(G4),连接到第二控制块(26)，-第三衬底(B4),连接到地(K)，且其特征在于，第三晶体管(M4)包含至少一个第三二极管(d4)，其具有连接到第三源 极(S4)的第三阳极(A4)和连接到第三漏极(D4)的第三阴极(X4),且其特征在于，第三晶体管(M4)为η沟道金属氧化物半导体场效应型。
9.根据权利要求1-8中一项的控制装置，其特征在于，第一级(1)包含至少一个电气隔 离回扫电压转换器。
10.根据权利要求1-8中一项的控制装置，其特征在于，第一级(1)包含至少一个升压 转换器。
全文摘要
本发明涉及一种控制装置，其包含第一级(1)，用于升高DC电压(Vbatt)，以便产生中间电压(Vinter)；第二级(2)，其为由第一级(1)供电的存储级，包含用于存储中间电压(Vinter)的第一存储装置(20)；第三级(3)，用于对中间电压(Vinter)进行调制，以产生用于对超声波压电致动器(4)进行激励的AC激励电压(VE)。根据本发明，第二级(2)包含第二存储装置(21)，其与第一存储装置(20)并联安装，并被设计为存储中间电压(Vinter)，第一开关装置(22)，命令由第二存储装置(21)进行的中间电压(Vinter)的存储，到使得VBT＜Vinter的低电压设置点(VBT)。
文档编号H01L41/04GK101990716SQ200980112298
公开日2011年3月23日 申请日期2009年4月7日 优先权日2008年4月8日
发明者C·努瓦尔, P·巴罗索 申请人:雷诺股份公司