专利名称：在封装过程中提高焊点特性的方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域的封装技术，特别涉及一种在封装过程中提高焊点特性的方法。
背景技术：
在晶圆上制作多个半导体器件是一种有效节约成本的方法。一旦在晶圆的制作工艺和测试完成，半导体器件就从晶圆分离出来并装配到最终的集成电路管壳中。封装过程就是用焊点将半导体器件的衬垫和集成电路管壳上的电极互相连接起来。图1为现有技术制作焊点的方法流程图，结合图加 图2d所示的制作焊点剖面结构示意图进行详细说明。步骤101、在半导体器件的上表面旋涂钝化层30，如图加所示；在本步骤中，钝化层30可以采用光阻胶材料制成，厚度为十几微米；步骤102、对钝化层30进行图案化，暴露半导体器件的衬垫20的全部上表面或部分上表面，如图％所示；在本步骤中，对钝化层30进行图案化的过程为采用图案化的光罩作为掩膜，对钝化层30进行曝光后再显影，得到图案化的钝化层30 ；步骤103、以图案化的钝化层30为掩膜，采用物理气相沉积方式得到焊点底层金属层(UBM) 40，如图2c所示；在本步骤中，UBM的材料为铜和/或铬，用于在后续点焊焊点时，作为种子层，易于镀上金焊点，一般厚度比较薄，只有几微米；在本步骤中，使用物理气相沉积方式溅射金属铜和/或铬到半导体器件的裸露衬垫20上；步骤104、在UBM40上电镀金焊点50，如图2d所示；在本步骤中，电镀过程为将具有步骤103结构的半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金就被电离为离子，电镀到半导体器件的UBM40表面上；在该过程中，采用电流密度为(0. 3 0.5) ASD (10_2安培/平方毫米)的电流在反应腔中分离金离子，然后分离的金离子电镀到UBM40表面，所得到的金焊点50高度为20微米左右。采用上述方式虽然可以制作金焊点，但是所制作金焊点的结构却是坍塌的，如图 2d所示，可以看出，金焊点的结构并不是垂直于半导体器件的水平表面的长方体结构，而是上窄下宽的梯形柱体结构。这在后续封装过程中会导致临近的金焊点短路，特别是随着半导体器件的特征尺寸越来越小，这种现象会更加严重，降低了所制作的半导体器件的良率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种在封装过程中提高焊点特性的方法，该方法能够使得金焊点结构垂直于半导体器件的水平表面，从而不会造成临近的金焊点之间的短路问题， 提高半导体器件的良率。为达到上述目的，本发明实施的技术方案具体是这样实现的一种在封装过程中提高焊点特性的方法，该方法包括在半导体器件上形成图案化的钝化层，裸露半导体器件上的衬垫；采用物理气相沉积方式在所述衬垫上沉积焊点底层金属层UBM ；在UBM上采用二步电镀方式电镀得到金焊点，其中，第一步电镀方式所采用的电流密度保证电离的金离子垂直电镀在UBM上，第二步电镀方式所采用的电流密度大于第一步电镀方式所采用的电流密度。 所述第一步电镀方式所采用的电流密度为(0. 2 0. 3) *10_2安培/平方毫米ASD ；所述第二步电镀方式所采用的电流密度为0. 3 0. 5ASD。所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度为经过两步电镀方式得到的金焊点厚度的15% 20%。所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度和钝化层齐平。所述电镀方式电镀得到金焊点的过程为将半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金被电离为离子，进行电镀。由上述技术方案可见，本发明提供的方法采用两次电镀的电镀方式制作金焊点， 第一次电镀方式所采用的电流密度保证电离的金离子垂直电镀在UBM40表面上，第二次电镀方式所采用的电流密度大于第一次电镀方式所采用的电流密度，以保证在有限的时间内得到符合高度要求的金焊点。这样，就可以使得金焊点结构垂直于半导体器件的水平表面， 不会造成临近的金焊点之间的短路问题，提高半导体器件的良率。
图1为现有技术制作焊点的方法流程图；图加 图2d所示的制作焊点剖面结构示意图；图3为不同大小金离子电镀示意图；图4为本发明制作焊点的方法流程图；图fe 图恥所示的制作焊点剖面结构示意图。
具体实施例方式造成现有技术2d所示的金焊点的结构原因是，钝化层30采用光阻胶材料制成的， 当钝化层30旋涂完后，要采用软烘方式去除光阻胶中的溶剂。但是，对于下层的钝化层30 和上层的钝化层30来说，其去除光阻胶中溶剂的速率是不同的，上层的钝化层30去除的比较快，而下层的钝化层30去除的比较慢，最终导致下层的钝化层30的质地软于上层的钝化层30。这样，在电镀金焊点时，当电流密度比较大时，由于电解得到的金离子比较大，电镀到UBM表面上的过程中，就会造成图案化的钝化层30的图案化变形，从而使得在未遮盖钝化层30的位置处，也就是电镀金离子的位置处变形，导致所电镀得到的金焊点结构变形。
另外，在电镀金焊点时，所电镀的金离子大小也影响最终得到的金焊点结构。当金离子大时，在UBM上电镀过程中，就容易倾斜，当金离子小时，在UBM上电镀过程中，就比较垂直。如图3所示，图中的左侧为金离子小的情况，在电镀过程中，金离子垂直于UBM表面覆盖；图中的右侧为金离子大的情况，在电镀过程中，金离子倾斜于UBM表面覆盖。随着半导体器件的特征尺寸越来越小，金离子相对来说也越来越大，所以造成最终得到的金焊点结构的坍塌。在现有技术中，金离子的大小是由电流密度决定的，电流密度大，则在电解液中所分离的金离子大，电流密度小，则在电解液中所分离的金离子小。因此，为了使得最终得到的金焊点结构不坍塌，本发明采用两次电镀的电镀方式制作金焊点，其中，第一次电镀方式所采用的电流密度保证分离的金离子垂直电镀在UBM40上，第二次电镀方式所采用的电流密度大于第一次电镀方式所采用的电流密度，以保证在有限的时间内得到符合高度要求的金焊点。这样，就可以使得金焊点结构垂直于半导体器件的水平表面，从而不会造成临近的金焊点之间的短路问题，提高半导体器件的良率。本发明适用于采用氰化物或非氰化物的电镀金焊点过程，以下详细进行说明。图4为本发明制作焊点的方法流程图，结合图fe 图5d所示的制作焊点剖面结构示意图进行详细说明。步骤401、在半导体器件的上表面旋涂钝化层30，如图加所示；在本步骤中，钝化层30可以采用光阻胶材料材料制成，厚度为十几微米；步骤402、对钝化层30进行图案化，暴露半导体器件的衬垫20的全部上表面或部分上表面，如图％所示；在本步骤中，对钝化层30进行图案化的过程为采用图案化的光罩作为掩膜，对钝化层30进行曝光后再显影，得到图案化的钝化层30 ；步骤403、以图案化的钝化层30为掩膜，采用物理气相沉积方式在裸露的衬垫20 上溅射UBM40，如图2c所示；在本步骤中，UBM的材料为铜或铬或者铜和铬的合金，用于在后续点焊焊点时，易于镀上金焊点，一般厚度比较薄，只有几微米；在本步骤中，使用物理气相沉积溅射金属铜和/或铬到半导体器件的裸露衬垫20 上；在这里，步骤401 步骤403的过程和现有的图1中的步骤101 步骤103相同， 这里不再累述；步骤404、采用电镀方式，应用保证分离的金离子垂直电镀在UBM40上的电流密度，在UBM40表面上电镀金离子，电镀的厚度为要制作的金焊点厚度的15% 20%，如图fe 所示；在本步骤中，在金焊点厚度为20微米时，电流密度为0. 2 03ASD ；在本步骤中，金焊点的厚度可以齐平钝化层30的厚度，这样，由于电流密度采用的比较小，电离得到的金离子就比较小，不会造成图案化的钝化层30的变形，所以不会造成金焊点的结构坍塌；在本步骤中，电镀过程为将具有步骤403结构的半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金就被电离为离子，电镀到半导体器件的UBM40表面上，所通入电流的电流密度保证分离的金离子垂直电镀在UBM40上；步骤405、采用大于第一次电镀方式所采用的电流密度的电流密度，继续在UBM40 上电镀金离子，得到金焊点，如图恥所示；在本步骤中，所采用的电流密度为0. 3 0. 5ASD ；在本步骤中，电镀过程为将具有步骤404结构的半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金就被电离为离子，继续电镀到在步骤404已经形成的金焊点上，所通入电流的电流密度大于第一次电镀方式所采用的电流密度，这样可以保证电镀的时间；从图恥可以看出，本发明采用两步电镀的方式制作金焊点，在保证电镀时间的情况下改善了所制作的金焊点结构，提高了最终制作半导体器件的良率。以上举较佳实施例，对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种在封装过程中提高焊点特性的方法，该方法包括在半导体器件上形成图案化的钝化层，裸露半导体器件上的衬垫； 采用物理气相沉积方式在所述衬垫上沉积焊点底层金属层UBM ； 在UBM上采用二步电镀方式电镀得到金焊点，其中，第一步电镀方式所采用的电流密度保证电离的金离子垂直电镀在UBM上，第二步电镀方式所采用的电流密度大于第一步电镀方式所采用的电流密度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所采用的电流密度为 (0. 2 0. 3) *10-2安培/平方毫米ASD ；所述第二步电镀方式所采用的电流密度为0. 3 0. 5ASD。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度为经过两步电镀方式得到的金焊点厚度的15% 20%。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度和钝化层齐平。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述电镀方式电镀得到金焊点的过程为将半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金被电离为离子，进行电镀。
全文摘要
本发明公开了一种在封装过程中提高焊点特性的方法，该方法包括在半导体器件上形成图案化的钝化层，裸露半导体器件上的衬垫；采用物理气相沉积方式在所述衬垫上沉积焊点底层金属层UBM；在UBM上采用二步电镀方式电镀得到金焊点，其中，第一步电镀方式所采用的电流密度保证电离的金离子垂直电镀在UBM上，第二步电镀方式所采用的电流密度大于第一步电镀方式所采用的电流密度。本发明提供的方法使得金焊点结构垂直于半导体器件的水平表面，从而不会造成临近的金焊点之间的短路问题，提高半导体器件的良率。
文档编号H01L21/60GK102194719SQ20101013029
公开日2011年9月21日 申请日期2010年3月15日 优先权日2010年3月15日
发明者蒋瑞华 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司