用于受限区域平坦化的设备和方法

专利名称：用于受限区域平坦化的设备和方法
用于受限区域平坦化的设备和方法本申请是申请号为200780019913. 6，申请日为2007年3月27日，发明名称为“用 于受限区域平坦化的设备和方法”的申请的分案申请。
背景技术：
半导体器件(如集成电路、存储单元等)的制造中，执行一系列制造操作以在该半导体晶片上形成特征。这些半导体晶片包括具有形成在硅基片上多层结构形式的集成电路 器件。在基片层，形成具有扩散区的晶体管器件。在后续的层中，将互连金属线图案化并且 电连接到该晶体管器件，以形成所需的集成电路器件。并且，图案化的导电层由介电材料与 其他导电层绝缘。在导电互连制造过程中，在晶片上沉积金属层。所沉积的金属将比较大的区域 (如沟槽区域)更快地填充该晶片上较小的特征(如亚微米特征)中间的区域。因为这 些较小的特征跨越相对较大的晶片区域，应当认识到这些较大的晶片区域具有增大的地势 (topography) 0这些增大地势区域需要连同这些减小地势区域的平坦化而平坦化。同时发 生的晶片的增大和减小地势区域的平坦化提出挑战。例如，为了实现晶片这些增大地势区 域的平坦化，可能需要延长的过抛光时间。然而，晶片这些减小地势区域暴露于延长的过抛 光时间会导致这些减小地势区域过多的材料去除，例如，会不希望地暴露和/或损坏沉积 的金属下面的阻挡层。

发明内容
在一个实施方式中，公开一种用于半导体晶片的受限区域平坦化的临近头。该临 近头包括限定为保持电解液的室。阴极设置在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜 设在该室的下部开口上，从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电 解液。该临近头还包括流体供应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面 的位置。另外，真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力，从而使 从该流体供应通道驱除的流体流过该阳离子交换隔膜的下部表面。在另一实施方式中，公开一种用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法。该方法 包括操作，用于将临近头设在半导体晶片顶部表面上方并且邻近该表面，从而该临近头的 阳离子交换隔膜面对该半导体晶片的顶部表面。该方法还包括操作，用于将电解液设在该 阳离子交换隔膜的顶部表面和阴极之间。该方法进一步包括在该阳离子交换隔膜底部表面 和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水。然后，将偏置电压施加在该半导体晶片的 顶部表面和该阴极之间，从而从该半导体晶片的顶部表面释放的阳离子受到影响而穿过该 去离子水、该阳离子交换隔膜和该电解液到达该阴极。在另一实施方式中，公开一种用于半导体晶片的受限区域平坦化的临近头。该临 近头包括室，限定为保持电解液。阴极设在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设 在该室的下部开口上并且直接暴露于保持在该室内的电解液。该临近头进一步包括流体供 应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置。以及，真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力，从而使从该流体供应通道驱除的流体 流过该阳离子交换隔膜的下部表面。另外，电流测量装置，连接以测量流过该阳离子交换隔 膜的电流。该测得的电流使得能够检测平坦化终点。在另一实施方式中，公开一种检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法。该 方法包括操作，用于将临近头设在半导体晶片顶部表面上方并且邻近该表面，从而该临近 头的阳离子交换隔膜面对该半导体晶片的顶部表面。该方法还包括操作，用于将电解液设 在该阳离子交换隔膜的顶部表面和阴极之间。该方法进一步包括在该阳离子交换隔膜底部 表面和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水。然后，将偏置电压施加在该半导体晶 片的顶部表面和该阴极之间，从而从该半导体晶片的顶部表面释放的阳离子受到影响而穿 过该去离子水、该阳离子交换隔膜和该电解液到达该阴极。该方法进一步包括操作，用于监 测通过该阳离子交换隔膜的电流 量以检测平坦化工艺的终点。该平坦化工艺的终点发生在 观察到监测电流量稳定的时候。在另一实施方式中，公开一种用于半导体晶片的受限区域平坦化的临近头。该临 近头包括室，限定为保持电解液。阴极设在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设 在该室的下部开口上，从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解 液。该临近头还包括流体供应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的 位置。使从该流体供应通道驱除的流体流过该阳离子交换隔膜的下部表面。本发明的这些和其他特征将在下面结合附图、作为本发明示例说明的具体描述中 变得更加明显。


图1是说明其上沉积了铜层的基片的简化示意图；图2A是按照本发明一个实施方式、示出设在待平坦化的晶片上方并且临近该晶 片的临近头的纵剖图的图解；图2B是按照本发明一个实施方式、示出图2A的临近头的横剖图；图2C是按照本发明一个实施方式、示出临近头外形视图的图解；图2D是按照本发明一个实施方式、示出能使晶片受限区域平坦化的临近头电抛 光功能的图解；图2E是按照本发明一个实施方式、示出没有结合真空通道的临近头的图解；图3A-3C是按照本发明一个实施方式、示出受限区域平坦化工艺期间晶片在临近 头下方移动的一系列图解；图4是按照本发明一个实施方式、示出受限区域平坦化工艺期间、晶片和阴极之 间的电流作为时间的函数的图表的图解；图5是按照本发明一个实施方式、示出用于半导体晶片受限区域平坦化的方法的 流程图的图解。
具体实施例方式在下面的描述中，阐述许多具体细节以提供对本发明的彻底理解。然而，对于本领 域技术人员，显然，本发明可不利用这些具体细节的一些或者全部而实施。在有的情况下，公知的工艺步骤和/或结构没有说明，以避免不必要的混淆本发明。在半导体晶片(“晶片”)上铜互连制造过程中，可以使用电镀工艺将铜层沉积在 种子/阻挡层上。电镀液中的成分为亚微米特征的恰当填充做准备。然而，这些亚微米特 征倾向于比大块区域和较大的沟槽区域(即，大于1微米)镀得快。这些亚微米区域通常 建立在大的存储阵列中，如静态随机访问存储器(SRAM)，并且可以跨越晶片大的区域。应当 认识到，这导致晶片这些大的区域除了大的沟槽区域需要平坦化之外还有额外的地势需要 平坦化的。图1是说明其上沉积了铜层的基片的简化示意图。使用电镀工艺将铜层103沉积 在设置晶片101之上的种子/阻挡层上(为了清楚而未示)。如之前提到的，电镀液中的 成分为亚微米特征上的良好填充做准备，如区域105中的亚微米沟槽，但是这些特征倾向 于比大块区域(bulk area)和沟槽区域107和109镀得更快。该基片地势中的高区域或 “台阶”(由区域111说明)形成在该亚微米沟槽区域105之上。这些台阶也称作“超填充 (superfill) ”区域。该超填充区域111是由比场效应区域108和沟槽区域107和109更厚 的铜膜形成的。该超填充区域111必须连同该场效应区域108和沟槽区域107和109上的 地势平坦化。目前的平坦化技术并不适于以有效地方式控制该超填充地势，S卩，平坦化技术对 于图案密度和电路布图敏感。更具体地，化学机械平坦化(CMP)工艺往往必须根据进入的 晶片属性进行调节。所以，为了适应晶片批次(lots)之间的变化，要对该CMP工艺(如改 变步骤时间、过抛光时间或终点算法)做出变化。以及，要对该CMP工艺做这样的改变以适 应在混合产品生产线的晶片上所遇到的不同的图案密度和电路布图。当试图在超填充区域的地势上执行单个的CMP工艺时，在执行过抛光以从该超填 充区域111完全去除残余的铜时，过多的凹陷和腐蚀会发生在沟槽区域107和109。另外， 不仅要求该CMP工艺要去除该超填充区域111内过多的铜，还要求该CMP工艺以沿着该晶 片等高线的方式进行这个去除。该晶片的等高线是由该晶片的硅基片中本身的波纹导致 的。该波纹通常是总的厚度变化在0.2微米到0.5微米量级。目前的CMP工艺不能适当地 处理超填充区域地势和晶片等高线，而同时有效地平坦化该沟槽和场效应区域中的其他地 势。此外，该CMP工艺废水(通常是包含铜和固体废料的酸性或碱性化学制剂)的耗材和 废料处理的费用高。本发明提供用于使用电镀平坦化执行晶片的受限区域平坦化(CAP)的设备和方 法，在废料流中由最少的化学废水。更具体地，临近头用来与待平坦化的晶片建立闭环阴极 半电池(半电池)关系。图2A是按照本发明一个实施方式、示出待平坦化的晶片223上方 并且邻近该晶片的临近头200的纵剖图的图解。该临近头200结构包括电解室结构215和 外围结构217。形成该电解室结构215以保持其中的电解液211。在各种不同的实施方式 中，该电解液211可以是静止的或循环的。去离子水供应通道227形成在是该电解室结构 215相对的内部之间并且靠近该临近头200的中心。真空通道225形成在该电解室结构215 的外部和该外围结构217之间。应当认识到，该电解室结构215和外围结构217可以有实 际上任何具有足够机械强度以及对接触材料足够的化学稳定性的材料形成。图2B是按照本发明一个实施方式、示出图2A的该临近头200的横剖图的图解。 该电解室结构215示为具有环形外形，该去离子水供应通道227形成在环形外形电解室结构215的中间。该外围结构217形成为以隔开的关系围绕该电解室结构215。所以，该外围结构217也是环形外形。如所示，该真空通道225形成在该电解室结构215和该外围结构 217。应当认识到，该真空通道225围绕该电解室结构215的周界。根据图2A，该电镀室215的底部是由单向阳离子交换隔膜221形成。该隔膜221 起到将该电解液211包含在该电镀室215内的作用。在一个实施方式中，该隔膜221限定为 具有大约0. 050英寸的厚度。在运行中，通过该去离子水供应通道227提供去离子水209， 如箭头201标示的。供应的去离子水209在该临近头200和该晶片223之间、流过该隔膜 221，并且向上通过该真空通道225，如箭头205标示的。在一个实施方式中，该隔膜221限 定为具有在大约0.25英寸到大约2英寸范围内的宽度。该隔膜221的宽度对应该去离子 水从该供应通道227到到达该真空通道225流过的线性距离。应当认识到，基本上全部量 的去离子水209通过该真空通道225返回，因此在该临近头200和该晶片223之间形成去 离子水209弯液面。去离子水弯液面的外缘是由弯液面边界219形成。阴极213设置在该电镀室215内。该阴极213电连接到偏置电压源207。该晶片 223暴露于该去离子水209的表面代表阳极，并且电连接到偏置电压源208。该晶片(阳 极)保持在相对于该阴极213正的偏置电压。因此，正电子将被从该晶片223向该阴极213 吸引。在一个实施方式中，该晶片223和该阴极213之间的偏置电压保持在从大约IOV到 大约25V的范围内。图2C是按照本发明一个实施方式、示出该临近头200外形视图的图解。该临近头 200具有由长维度(LD)和短维度(SD)限定的矩形外形。因此，该临近头200和该晶片223 之间的去离子水209的弯液面限定为具有基本上矩形的外形。在一个实施方式中，该该临 近头200的长维度(LD)超出该晶片223的直径，以及该短维度(SD)小于该晶片223的直 径。所以，一旦该临近头200在该短维度(SD)的方向在该晶片223上方完全移动并且邻近 该晶片上表面，该晶片整个上表面将在该临近头200下方暴露于去离子水弯液面。尽管在这里该临近头200描述为具有环形外形的电解室结构215和对应环形外形 的真空通道225，应当认识到，该临近头200的其他实施方式可包括其他几何构造的该电镀 室215和真空通道225。然而，不管该临近头200的具体几何构造，应当理解，应当控制该去 离子水以在该临近头200和晶片223之间建立的弯液面内流过隔膜221。在一个实施方式 中该去离子水209以大约100mL/min到大约2000mL/min范围内的速率在该隔膜221和该 晶片223之间流动。图2D是按照本发明一个实施方式、图解示出能使该晶片223受限区域平坦化的临 近头200电抛光功能。该隔膜221限定为包括形成阳离子能够通过的通道网的功能基的聚 合物基(matrix)。在一个实施方式中，该隔膜221是由包括硫酸功能基的特富龙碱(base) 形成。通常，该隔膜221对于晶片并不是渗透的。然而，可以与阳离子一起“拖着”水分子 通过这些功能基的网。该隔膜221允许阳离子通过功能基的网，同时阻止阴离子通过功能 基的网。因此，该隔膜221是单向阳离子交换隔膜。在适当的偏置电压的影响下，阳离子将容易移动通过该隔膜221。所以，该隔膜 221适合用在从该晶片223去除金属(例如铜)的电镀平坦化工艺中。具体地，可使金属阳 离子(例如Cu++阳离子)从该晶片223(即，阳极)在施加在该晶片223和该阴极213之间 的偏置电压影响下移动到该阴极213。如图2D所示，该隔膜221通过该去离子水209与该晶片223分开。因此，该去离子水209提供用于该金属阳离子(例如Cu++阳离子)从该晶 片223到该隔膜221传输的介质。在到达该隔膜221时，该金属阳离子可穿过功能基的网 而到达该电解液211。在到达该电解液211时，该金属阳离子将行进到该阴极213和并且镀 在该阴极213上。除了提供阳离子交换路径的网，该隔膜221内的这些功能基(例如，该硫酸基)还 用作调节该隔膜221附近该去离子水209的pH。受到该隔膜221pH影响的去离子水209的 区域代表关键边界层233，如图2D中虚线所标示。当该金属化地势229暴露于该关键边界 层233时，该关键边界层233内的去离子水209的pH受到该隔膜221这些功能基充分地影 响以能够蚀刻该晶片223的顶部表面上的金属化地势229。应当认识到，由该隔膜221施加 在该关键边界层233内去离子水209上的pH影响在距离该隔膜221—定距离内下降。所 以，在该关键边界层233靠近该隔膜221的部分内蚀刻反应将以更快的速率发生。在施加在该阴极213和该阳极(即，该晶片223表面上的金属化地势)之间的 偏 置电压的影响下，在该关键边界层233内的蚀刻反应中释放的金属阳离子(如Cu++)将结合 2-3个水分子，被引导通过该隔膜221和并且镀在该阴极213。因此，该晶片223的金属化 地势229暴露于该隔膜221下层的该关键边界层将使该金属化地势229能够平坦化。随着 该晶片223在该临近头200及其隔膜221下方横向移动，该晶片223表面上的较高地势特 征将靠近该隔膜221，并因此将以相对于该晶片223的表面上较低地势特征更高的速率蚀 亥IJ。因此，该晶片223的表面上较高地势特征的更快速蚀刻使得该晶片223的该金属化地 势229能够以自上而下的方式平坦化。为了使该金属化地势229能够暴露于该关键边界层233，需要将该隔膜221带到足 够靠近该晶片223。然而，如果使该隔膜过于靠近该晶片223，该隔膜会被吸引到晶片223 并且附着到该晶片223。该隔膜221和该晶片223之间的直接接触是不希望的，因为该隔膜 221的这些功能基(例如，硫酸基)会过快地从该晶片223蚀刻该金属，导致该接触区域脱 水和该隔膜吸到该基片，产生对该晶片223的损坏。另外，该隔膜221和该晶片223之间的 物理接触会物理损坏该隔膜221和/或晶片223。为了确保该隔膜221不会附着到该晶片 223，该隔膜221和该晶片223之间必须保持一个最小距离(Dmin)。与保持该隔膜221和该晶片223之间最小距离(Dmin)的需要结合，还必需将该晶片 223的表面暴露于该关键边界层233。平坦化该晶片223所要求的该关键边界层233厚度可 以在十或百微米的量级。将该临近头200和该晶片223之间的物理间隔控制到零点几个微 米是完全不可行的。另外，因为蚀刻速率随着该隔膜221靠近该晶片223而增加，还必需控 制隔膜221和该晶片223之间间隔距离的均勻性。因此，该隔膜221和该晶片223之间的间 隔距离必需可适应整个该晶片223的等高线变化，并且优选地自我限制(self-limiting)。尽管有关于控制该临近头200和该晶片223之间物理间隔的限制，该隔膜221的 机械特性能使该晶片223以基本上均勻的方式暴露于关键边界层233。更具体地，该临近 头200可以设置为足够靠近该晶片223到这种程度，即该隔膜221朝向该晶片223的挠曲 将使得该晶片223能暴露于该关键边界层233，而不允许该隔膜221接触到晶片223。该电 解液211的压力(P)与该去离子水209在该隔膜221上流过导致的伯努利效应相结合能够 导致该隔膜朝向该晶片223挠曲一段距离(d)。该临近头200能够将该隔膜221和该晶片223之间的该去离子水209弯液面保持在基本上固定的厚度。在一个实施方式中，该临近头200和该晶片223之间的物理间隔控制在从大约是0. 5mm到大约2mm的范围内。如之前所讨论的，该去离子水209是从靠近该 临近头200中间的供应通道227传送并且流过该隔膜221至靠近该临近头200外缘的真空 通道225。由去离子水209流过该隔膜221导致的伯努利效应导致该隔膜221朝向该晶片 223挠曲。由去离子水209流动导致的隔膜221挠曲的量取决于该去离子水的流动速率。 因此，该去离子水209的流动速率可用来控制隔膜221挠曲距离(d)。该电解液211压力 (P)也可以影响该隔膜221挠曲距离⑷。按照前面所述，该临近头200和该晶片223之间的物理间隔可以相对于该关键边 界层233厚度不精确的方式控制。那么，该电解液211压力(P)和去离子水209流动速率 可以调节以提供对该隔膜221挠曲距离(d)的精细控制，从而精细地控制该隔膜221和该 晶片223之间的间隔距离。在一个实施方式中，该电解液211压力(P)保持在从大约Opsig 到大约IOpsig的范围内。可以想象的是晶片223内固有的该等高线(即波纹)或超过该关键边界层233厚 度。然而，该隔膜221的挠曲能力使得该隔膜221能顺应该晶片223的等高线，从而在该隔 膜221和该晶片223之间保持均勻的间隔距离。换句话说，该隔膜221的挠曲性与由该电 解液211压力(P)和该去离子水209流动速率提供的控制相结合，使得该隔膜221能够在 该临近头200和晶片223相对彼此移动时沿着该晶片223的等高线。图3A-3C按照本发明一个实施方式、示出在该受限区域平坦化工艺期间该晶片 223在该临近头200下方横向移动的一系列图解。因此，图3A-3C的实施方式将该临近头 200描述为静止而该晶片223在该临近头200的下方在方向301横向移动。然而，应当认 识到，本发明并不限于具有静止的临近头200和移动的晶片223。在另一实施方式中，该晶 片223可以是静止的以及和该临近头200可以移动。在又一个实施方式中，该晶片223和 该临近头200都可以相对彼此移动。关于图3A-3C，应当注意该地势特征303是在被该隔膜221下方的关键边界层233 占据的水平内。图3A表示该临近头200恰好在该地势特征303横向移动通过该关键边界 层233之前的位置。图3B表示该地势特征303在该隔膜221下方的关键边界层233内的 临近头200位置。图3C表示恰好在该地势特征303横向移动通过该关键边界层233之后 的该临近头200位置，从而平坦化该地势特征303。当该金属阳离子在该偏置电压231/207的影响下从该地势特征303穿过该隔膜 221到达该阴极213时，该闭环阴极半电池(形成在该晶片223表面的该金属化地势229 和该电解211内的阴极213之间)起到镀金属阳离子(例如，Cu++)的作用。该晶片223和 该隔膜221之间的距离由该去离子水209流动速率和电解液211压力(P)来控制。该晶片 223相对于该临近头200的相对速度设为提供所需要的平坦化量。更具体地，该地势特征 303暴露于该关键边界层的持续时间与该蚀刻速率相结合确定该地势特征303在该临近头 200下方的横向移动(即，通过该关键边界层233)过程中有多少被去除。该蚀刻速率是该 关键边界层233内该去离子水的pH和所施加的偏置电压231/207的函数。应当理解该关键 边界层233内去离子水的pH是由该隔膜221的组份(即，由该隔膜221内的这些功能基) 确定的。该晶片223在该临近头200下横向移动过程中，该晶片223顶部表面的金属化地势229电连接到一个或多个电极。在一个实施方式中，两个电极用来接触该晶片223顶部表面上的金属化地势229。这两个电极的每个限定为可移动以与该晶片223电连接以及断 开。应当认识到这两个电极移动以与该晶片223连接和断开可以许多方式进行。例如，在 一个实施方式中，这两个电极可以在与该晶片223对齐的平面中线性运动。在另一实施方 式中，这两个电极具有足够细长的外形以及在与该晶片223共面布置中定位，以及可以转 动的方式接触该晶片223。还应当那个认识到，这两个电极的外形可以许多方式形成。例如，在一个实施方式 中，这两个电极可以是基本上矩形外形。在另一实施方式中，这两个电极的每个可具有晶片 接触边缘，限定为沿着该晶片223外围弯曲。在又一个实施方式中，这两个电极可以是C形 的。应当理解本实施方式的这两个电极是可独立控制的。在本实施方式中，使该晶片223在该临近头200下方横向移动从而该临近头200 的该长维度(LD)基本上垂直于这两个电极之间延伸的虚拟线。随着该晶片223在该临近头 200下方移动，控制离临近头200较远的电极以电连接到该晶片223顶部表面上的金属化地 势229。并且，随着该晶片223在该临近头200下方移动，控制离该临近头200较近的电极 以与该晶片223顶部表面上的金属化地势229电断开。这两个电极以上面描述的方式连接 到该晶片223能使该晶片223暴露于该关键边界层233的部分上的电流分布得到优化。另 夕卜，这两个电极以上面描述的方式连接到该晶片223使每个电极在去离子水209弯液面在 该晶片223上方横向移动时能够与该晶片断开。尽管本发明按照使用单个临近头200来描述，应当理解其他实施方式可使用多个 临近头200。例如，如果需要增加该晶片223在该临近头200下方的横向移动速率，可以背 靠背设置多个临近头200以能够充分平坦化。另外，另一个用来执行冲洗和干燥操作的临 近头可跟着该临近头200。此外，在一个实施方式中，由本发明的临近头200提供的受限区 域平坦化可用来获得保留在晶片223上的均勻的(平坦的)金属层(例如Cu)。在一些实 施方式中，这个均勻的层可以在1000埃到2000埃量级厚。其上具有均勻金属层的晶片223 可以通过单独的最终蚀刻工艺来处理以清除剩余金属所需的厚度。应当认识到，由本发明的临近头200提供的受限区域平坦化工艺不需要在该晶片 223上施加机械压力/应力，而这是传统的化学机械平坦化(CMP)工艺中常用的。另外，应 当认识到，本发明中该临近头200的隔膜221和该晶片223之间的间隔距离并不依赖于该 隔膜221和该晶片223之间的相对速度。而是，本发明中该隔膜221和该晶片223之间的 间隔距离是由该隔膜221和该晶片223之间去离子水209的流动速度以及该隔膜221后面 的该电解液211压力(P)来控制。因此该边界层通常独立于该头-晶片相对速度而形成和 保持，以及之后去除速率可独立于边界层厚度控制由头相对该晶片的停留时间控制。应当认识到，该边界层可通过迫使水通过该隔膜而形成，而不使用真空返回管来 去除水(即，可以淹没该晶片而溢流收集在该处理室的排水管中)。图2E是按照本发明一 个实施方式、示出没有结合真空通道的临近头200A的图解。之前关于图2A描述的临近头 200特征也包含在图2E的临近头200A中，除了真空返回通道225。在图2E的实施方式中， 该去离子水209流过该隔膜221以及该晶片223，并且最终离开该晶片223边缘到达收集装 置。在该受限区域平坦化工艺期间，如上面关于该临近头200所描述的，阳离子从该晶片223到阴极213的流动产生可测量的电流。因此，这个电流从该晶片223(阳极)流到 该阴极213。电流测量装置可连接在该晶片223和该阴极213之间以测量从该晶片223到 该阴极213的电流。应当认识到，从该晶片223到阴极213的电流是该关键边界层233和 该晶片223表面的金属化地势229之间有效接触面积的函数。该有效接触面积表示该金属 化地势229在该关键边界层233内的面积。因此，该有效接触面积表述可从其上去除金属 阳离子(例如Cu++)的该金属化地势229的面积。随着去除该金属化地势229的较高部分，即平坦化，在该受限区域平坦化工艺期 间，该有效接触面积增加，即该晶片在该关键边界层233内的晶片表面区域将增加。所以， 随着去除该金属化地势229的较高部分，该晶片223和该阴极213之间的金属阳离子流将 增加。这个增加的金属阳离子流表示从该晶片223流到阴极213的电流增加。最终，当该晶 片变得平坦，该有效接触面积变成基本上恒定。当该有效接触面积变成基本上恒定，从该晶 片223到阴极213的金属阳离子流变成基本上恒定，S卩，该晶片表面的每个部分对金属阳离 子流具有同等的贡献。所以，当该有效接触面积变成基本上恒定，该晶片223和该阴极213 之间的电流变成基本上恒定。因此，该晶片223和该阴极213的电流趋平象征该晶片22 3 被平坦化。因此，可以监视该晶片223和该阴极213的电流以确定该平坦化工艺的终点。图4是按照本发明一个实施方式、示出在该受限区域平坦化工艺期间作为时间函 数的该晶片223和该阴极213电流的图解。为了易于讨论，该晶片223和该阴极213之间 流动的电流将被称为“电流”。从该受限区域平坦化工艺开始，电流随着该晶片被平坦化而 稳定增加。如上面所讨论的，电流的稳定增加是由于随着该金属化地势229的较高部分变 得平坦，更多的金属化地势229暴露于该关键边界层233所导致的。随着该金属化地势229接近平坦状态，该电流开始趋平。当该晶片223变成基本 上平的，该晶片表面的每个部分将以基本上同等的方式暴露于该关键边界层233。因此，当 该晶片223变成基本上平的，该电流将趋平，如图4曲线上的位置401所示。该位置401表 示该受限区域平坦化工艺的终点。如果该受限区域平坦化工艺继续而超过对应位置401的 时间，该电流将保持基本上平的。然而，最终，将从该晶片223去除足够的金属从而之前存 在的金属化地势229下方的非导电层将暴露出来。当暴露出非导电层时，该电流将下降， 如图4曲线上的位置403所示。因此，该位置403表示该受限区域平坦化工艺的突破点 (breakthrough point)0在一个实施方式中，该受限区域平坦化工艺可以持续到到达该突破点。然而，在另 一实施方式中，该受限区域平坦化工艺可以持续到到达该平坦化终点。因为以自上而下的 方式去除该金属化地势229，通常期望当到达该平坦化终点时，在该晶片表面上保留平坦化 的金属层。当到达该受限区域平坦化工艺的平坦化终点时，该晶片223会经受到单独的最 终蚀刻工艺，例如，湿清洁蚀刻工艺或等离子回蚀刻工艺，以均勻地去除该晶片表面上存在 的剩余金属所要求的厚度。图5是按照本发明一个实施方式、示出用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法 的流程图的图解。应当理解图5的方法倾向于使用关于图2A-4描述的该临近头200来执 行。该方法包括操作501，用于将临近头设置半导体晶片的顶部表面上方并且邻近该表面， 从而阳离子交换隔膜面对该半导体晶片的顶部表面。在操作503，将电解液设置在该阳离子 交换隔膜的顶部表面和阴极之间。执行操作505以在该阳离子交换隔膜的底部表面和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水。该方法进一步包括操作507，用于在该半导体晶片 的顶部表面和该阴极之间施加偏置电压，从而该半导体晶片的顶部表面释放出的阳离子受 到影响而穿过该去离子水、该阳离子交换隔膜以及穿过该电解液到达该阴极。在一个实施方式中，该去离子水的流 动速率是可控的从而该阳离子交换隔膜在伯 努利力的作用下朝向该半导体晶片的顶部表面挠曲而不接触该半导体晶片的顶部表面。该 阳离子交换隔膜的挠曲导致该去离子水的PH改变区域靠近该阳离子交换隔膜的底部表面 (即，该上述关键边界层233)以及接触该晶片的顶部表面。应当理解该去离子水的pH改变 区域导致从该半导体晶片的顶部表面释放出阳离子。该方法进一步包括操作509，用于扫描在该临近头下方的该半导体晶片，从而以基 本上均勻的自上而下的方式去除该半导体晶片的顶部表面上存在的金属化地势。另外，该 方法可包括用于监测平坦化终点的工艺。该平坦化终点监测工艺包括监测通过该阳离子交 换隔膜的电流量。该平坦化终点对应电流所监测的通过该阳离子交换隔膜的电流量的趋 平。应当理解通过该阳离子交换隔膜的电流量通过测量该半导体晶片的顶部表面和该阴极 之间的电流来监测。尽管本发明依照多个实施方式描述，但是可以理解，本领域的技术人员在阅读之 前的说明书以及研究了附图之后将会实现各种改变、增加、置换及其等同方式。所以，其意 图是下面所附的权利要求解释为包括所有这样的落入本发明主旨和范围内的改变、增加、 置换和等同物。
权利要求
一种半导体晶片的受限区域平坦化的方法，包括将临近头设在半导体晶片顶部表面上方并且邻近该表面，从而该临近头的阳离子交换隔膜面对该半导体晶片的顶部表面；将电解液设在该阳离子交换隔膜的顶部表面和阴极之间；在该阳离子交换隔膜底部表面和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水；和将偏置电压施加在该半导体晶片的顶部表面和该阴极之间，从而从该半导体晶片的顶部表面释放的阳离子受到影响而穿过该去离子水、该阳离子交换隔膜和该电解液到达该阴极。
2.如权利要求1所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，进一步包括控制该去离子水的流动速率，从而该阳离子交换隔膜在伯努利力的影响下朝向该半导 体晶片的顶部表面挠曲而不接触该半导体晶片的顶部表面。
3.如权利要求2所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，其中该阳离子交换 隔膜的挠曲导致靠近该阳离子交换隔膜的底部表面的该去离子水的PH改变区域接触该晶 片的顶部表面，该去离子水的PH改变区域导致从该半导体晶片的顶部表面释放出阳离子。
4.如权利要求1所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，进一步包括扫描该临近头下方的半导体晶片，从而以基本上均勻地自上而下的方式去除该半导体 晶片的顶部表面上存在的金属化地势。
5.如权利要求1所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，进一步包括 排出邻近该阳离子交换隔膜的底部表面的第一位置处的去离子水；吸出邻近该阳离子交换隔膜的底部表面的第二位置处的去离子水，从而去离子水溢出 该阳离子交换隔膜的底部表面。
6.如权利要求1所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，其中该阳离子交换 隔膜限定为使阳离子能够流过该阳离子交换隔膜并且阻止阴离子流过该阳离子交换隔膜， 同时提供大块流体限制。
7.如权利要求1所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，进一步包括控制该阳离子交换隔膜的顶部表面上的电解质溶液的压力，以便控制该阳离子交换隔 膜的挠性。
8.一种用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，包括将临近头设在半导体晶片顶部表面上方并且邻近该表面，从而该临近头的阳离子交换 隔膜面对该半导体晶片的顶部表面；将电解液设在该阳离子交换隔膜的顶部表面和阴极之间； 在该阳离子交换隔膜底部表面和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水； 将偏置电压施加在该半导体晶片的顶部表面和该阴极之间，从而从该半导体晶片的顶 部表面释放的阳离子受到影响而穿过该去离子水、该阳离子交换隔膜和该电解液到达该阴 极；和监测通过该阳离子交换隔膜的电流量以监测平坦化工艺的终点。
9.如权利要求8所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，其中该平 坦化工艺的终点对应所监测的通过该阳离子交换隔膜的电流量的趋平。
10.如权利要求8所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，其中通过该阳离子交换隔膜的电流量是通过测量该半导体晶片的顶部表面和该阴极之间的电流 来监测的。
11.如权利要求8所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，进一步 包括；扫描该临近头下方的半导体晶片，从而存在于该半导体晶片的顶部表面上的金属化地 势以基本上均勻地自上而下的方式去除。
12.如权利要求8所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，进一步 包括控制该去离子水的流率，从而该阳离子交换隔膜在伯努利力的作用下向该半导体晶片 的顶部表面弯曲但不接触该半导体晶片的顶部表面。
13.如权利要求12所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，其中该 阳离子交换隔膜的弯曲使得邻近该阳离子交换隔膜底部表面的去离子水PH改性区域与该 半导体晶片的顶部表面接触，该去离子水的PH改性区域使得该阳离子从该半导体晶片的 顶部表面释出。
14.如权利要求8所述的用于检测受限区域平坦化工艺中平坦化终点的方法，进一步 包括排出邻近该阳离子交换隔膜的底部表面的第一位置处的去离子水；吸出邻近该阳离子交换隔膜的底部表面的第二位置处的去离子水，从而去离子水溢出 该阳离子交换隔膜的底部表面。
15.如权利要求8所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，其中该阳离子交 换隔膜限定为使阳离子能够流过该阳离子交换隔膜并且阻止阴离子流过该阳离子交换隔 膜，同时提供大块流体限制。
16.如权利要求8所述的用于半导体晶片的受限区域平坦化的方法，进一步包括控制该阳离子交换隔膜的顶部表面上的电解质溶液的压力，以便控制该阳离子交换隔 膜的挠性。
全文摘要
提供用于执行半导体晶片的受限区域平坦化的临近头和相关使用方法。该临近头包括限定为保持电解液的室。阴极设置在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设在该室的下部开口上，从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解液。该临近头还包括流体供应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置。另外，真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力，从而使从该流体供应通道驱除的流体在该阳离子交换隔膜的下部表面上流动。
文档编号H01L21/00GK101872721SQ201010190018
公开日2010年10月27日 申请日期2007年3月27日 优先权日2006年3月31日
发明者弗里茨·C·雷德克, 约翰·M·博伊德, 约翰·德拉里奥斯, 耶兹迪·多尔迪, 迈克尔·拉夫金 申请人:朗姆研究公司