专利名称：一种大功率三极管的制作方法
技术领域：
一种大功率三极管
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，更具体地说，涉及一种绝缘型大功率三极管。背景技术：
目前，一般的晶体管的集电极就是其热基板，即集电极和散热基板是相通的。在使 用过程中需要采用绝缘措施将晶体管与散热器隔开，通常用云母片或涤纶薄膜覆导热硅脂 后，贴装于功率器件与散热器之间。这种绝缘措施将导致热阻大幅度提高，实际耗散功率降 低，可靠性下降。采用这种绝缘方式易产生漏电绝缘不佳和短路等故障，同时对散热器表面 和器件安装面的光洁度要求不高。所述现有技术的缺陷值得改进。
实用新型内容本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷，提供一种大功率三极管，该一种大功 率三极管将集电极与散热基板隔开，既保证了电的绝缘，又保证了热的快速传导。本实用新型的技术方案如下所述一种大功率三极管，包括芯片、热沉、底板和引 脚，其特征在于，芯片的安装面上涂覆热硅脂，并贴装于热沉上，热沉与底板之间设有导热 绝缘电陶瓷片，热沉上设有晶体管的一只引脚，引脚通过引线与芯片相连，所述导热绝缘电 陶瓷片双面涂镀有金属层。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述导热绝缘电陶瓷片选用高导热 率绝缘的电子陶瓷片，所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属 层的厚度为8-18微米。根据上述结构的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型结构紧凑、电流线性 耗、噪音低、耗散功率大、热阻小。本实用新型采用电子陶瓷作绝缘导热层，热导率高，其集 电极-基极间击穿强度大于1000V。安装于同样表面积的散热器上，热阻比云母片绝缘情况 低 20%。
附图1为本实用新型的结构示意图；附图2为本实用新型的内部结构侧视图。在附图中，1、芯片；2、底板；3、热沉；4、导热绝缘电陶瓷片；5、引脚；6、引线。
具体实施方式
以下结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述如附图1、附图2所示，一种大功率三极管，包括芯片1、热沉3、底板2和引脚5，其 特征在于，芯片1的安装面上涂覆热硅脂，并贴装于热沉3上，该芯片1优选采用双极型晶 体管，热沉3与底板2之间设有导热绝缘电陶瓷片4，热沉3上设有晶体管的一只引脚5，该
3热沉3优选采用铜，引脚5通过引线6与芯片1相连，所述导热绝缘电陶瓷片4双面涂镀有所述导热绝缘电陶瓷片4选用高导热率绝缘的电子陶瓷片，所述的电子陶瓷片 的厚度为150-250微米。所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。所述的电子陶瓷片双面涂镀的金属层优选采用镍。
权利要求1.一种大功率三极管，包括芯片、热沉、底板和引脚，其特征在于芯片(1)的安装面上 涂覆热硅脂，并贴装于热沉C3)上，热沉C3)与底板( 之间设有导热绝缘电陶瓷片，热 沉(3)上设有晶体管的一只引脚(5)，引脚(5)通过引线(6)与芯片(1)相连，所述导热绝 缘电陶瓷片(4)双面涂镀有金属层。
2.根据权利要求1所述的一种大功率三极管，其特征在于所述导热绝缘电陶瓷片(4) 选用高导热率绝缘的电子陶瓷片，所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。
3.根据权利要求2所述的一种大功率三极管，其特征在于所述的电子陶瓷片的单面 涂镀金属层的厚度为8-18微米。
专利摘要本实用新型公开了一种大功率三极管，包括芯片、热沉、底板和引脚，其特征在于，芯片的安装面上涂覆热硅脂，并贴装于热沉上，热沉与底板之间设有导热绝缘电陶瓷片，热沉上设有晶体管的一只引脚，引脚通过引线与芯片相连，所述导热绝缘电陶瓷片双面涂镀有金属层。所述导热绝缘电陶瓷片选用高导热率绝缘的电子陶瓷片，所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。本实用新型结构紧凑、电流线性好、噪音低、耗散功率大、热阻小。
文档编号H01L29/73GK201927610SQ20102062154
公开日2011年8月10日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者李稳, 高宗利 申请人:深圳市科瑞半导体有限公司