专利名称：一种高频晶体管的制作方法
技术领域：
一种高频晶体管
技术领域：
本实用新型涉及一种微电子元器件，更具体地说，涉及一种高频晶体管。背景技术：
传统的晶体管，由于金的电导率高、物理化学性质相对稳定，易于淀积电镀，与其 他金属的热匹配较好，因此常用来作为晶体管芯片的背金材料，即在外延片背面采用蒸发、 溅射等方法背金。虽然金与硅的结合产生的接触电阻已很小，但是超高频晶体管由于其高 频特性的特殊需要，要求各个结之间的接触电阻、接触电容等越小越好，单纯金材料不是背 金材料的最佳选择。所述现有技术的缺陷值得改进。
实用新型内容本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷，提供一种高频晶体管，该一种高频晶 体管可降低晶体管的高频损耗、提高高频特性。本实用新型的技术方案如下所述一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于所 述外延片背面设有背金层，所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层。根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au 层所形成的背金层的总厚度为1 士0. ISym0根据上述结构的本实用新型，其特征还在于，所述外延片与背金层总厚度小于140 微米。根据上述结构的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型经超减薄后采用五层 金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si (硅)层、Pt(钼)层、Ni (镍)层、Cr(铬) 层、W(钨)层、Au(金)层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻 达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本 实用新型广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。
附图1为本实用新型结构示意图。在附图中，1、外延片；2、Pt层；3、Ni层；4、Cr层；5、W层；6、Au层。
具体实施方式
以下结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述如附图1所示，一种高频晶体管，包括外延片1，其特征在于，所述外延片1背面由 内到外依次设有由Pt(钼)层2、Ni(镍)层3、Cr(铬)层4、W(钨)层5、Au(金)层6共 五层的背金层，所述由Pt、Ni、Cr、W、Au所形成的背金层的总厚度为1 士0. 18μπι，外延片经 超减薄处理，处理后所述外延片1与背金层总厚度小于140微米，将五种金属依次蒸发、溅 射在外延片1杯背面。
权利要求1.一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于所述外延片(1)背面设有背金层，所述 背金层包括Pt层⑵、Ni层(3)、Cr层、W层(5)、Au层(6)。
2.根据权利要求1所述的一种高频晶体管，其特征还在于所述由Pt层Q)、Ni层(3)、 &层G)、W层(5)、Au层(6)所形成的背金层的总厚度为1 士0. ISym0
3.根据权利要求1所述的一种高频晶体管，其特征还在于所述外延片(1)与背金层 总厚度小于140微米。
专利摘要本实用新型公开了一种高频晶体管，包括外延片，其特征在于，所述外延片背面设有背金层，所述背金层包括金属Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层，所述由Pt层、Ni层、Cr层、W层、Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.18μm，所述外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用五层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si(硅)层、Pt(铂)层、Ni(镍)层、Cr(铬)层、W(钨)层、Au(金)层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以使相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。
文档编号H01L29/72GK201927608SQ20102062152
公开日2011年8月10日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者李稳, 高宗利 申请人:深圳市科瑞半导体有限公司