专利名称：孔量测图形以及孔量测方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种孔量测图形以及利用该孔量测图形进行孔量测的孔量测方法。
背景技术：
半导体芯片制造中，在光刻定义一层电路后，需要量测一些图形尺寸来监控光刻工艺是否达标。因此，一般采用各种量测图形来量测各种电路图形，例如线条、沟槽、孔等。随着集成电路技术的不断发展，关键尺寸越来越小，这给集成电路关键尺寸的自动量测带来了极高的要求。对于例如接触孔和通孔之类的关键层，由于其本身量测的图形为孔(洞)，因此， 相对于普通的线性量测图形，接触孔和通孔之类的关键层的量测难度就比较大。如果需要量测大片的重复密集区域的孔洞，则更加的困难；并且，对于接触孔和通孔这样的关键层， 很多时候我们需要量测多个位置的关键尺寸；因此，如果大片密集区域的孔洞是第一个量测点并且该第一个量测点的位置没有找正确的话，会给后面量测点的量测带来偏差，从而导致自动量测的失败。所以，我们急需找到一种准确的量测大片密集区域孔洞的好的量测方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够借助在接触孔和通孔层密集图形区域设置辅助量测图形从而改善其关键尺寸量测情况的孔量测图形以及孔量测方法。根据本发明的第一方面，提供了一种孔量测图形，其包括第一部分、第二部分以及第三部分；其中，所述第一部分是至少包含三行三列的重复图形的重复图形区域，所述第二部分是一个“T”型图形翻转90度之后形成的图形，所述第三部分是一个“T”型图形。优选地，所述第二部分位于所述第一部分侧部，并且第三部分位于所述第一部分上部或下部。优选地，所述第二部分以及所述第三部分在水平方向与竖直方向的尺寸与实际测量的图形尺寸比例在1 1-3 1之间。优选地，所述第二部分以及所述第三部分同时设置在量测位置行及列的起始位置。优选地，所述第二部分以及所述第三部分与所述第一部分之间的距离，在给定光刻工艺条件下不会影响主图形关键尺寸的最小距离。根据本发明第一方面，提供了一种改善接触孔和/或通孔层密集区域量测关键尺寸的孔量测图形，其中借助在接触孔和通孔层密集图形区域设置辅助量测图形从而改善了其关键尺寸量测情况。由此，根据本发明第一方面的孔量测图形改善了接触孔和/或通孔层密集区域关键尺寸的量测；提高了扫描电子显微镜自动量测的成功率。
根据本发明的第二方面，提供了一种利用根据本发明第一方面所述的孔量测图形进行孔量测的孔量测方法，其包括通过曝光和显影将光掩模上的接触孔和通孔关键尺寸量测图形转移到光刻胶膜中；利用线宽扫描电子显微镜，通过水平和垂直方向的辅助图形确定第一量测点位置；以及执行接触孔和/或通孔关键尺寸量测。由于采用了根据本发明第一方面所述的孔量测图形，因此，本领域技术人员可以理解的是，根据本发明第二方面的孔量测方法同样能够实现根据本发明的第一方面的孔量测图形所能实现的有益技术效果。即，根据本发明第二方面，提供了一种改善接触孔和/或通孔层密集区域量测关键尺寸的孔量测方法，其中借助在接触孔和通孔层密集图形区域设置辅助量测图形从而改善了其关键尺寸量测情况。由此，根据本发明第二方面的孔量测方法改善了接触孔和/或通孔层密集区域关键尺寸的量测；提高了扫描电子显微镜自动量测的成功率。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图1示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形。图2示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第一部分。图3示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第二部分。图4示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第三部分。图5示意性地示出了根据本发明另一实施例的孔量测图形。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。图1示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形。如图1所示，根据本发明实施例的孔量测图形包括第一部分A、第二部分B以及第三部分C。图2示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第一部分A。如图2所示， 第一部分A是一个密集重复图形区域，该密集重复图形区域至少包含三行三列的高度重复图形Al。图3示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第二部分B。第二部分B 是一个“T”型逆时针翻转90度之后形成的图形。图4示意性地示出了根据本发明实施例的孔量测图形的第三部分C。第三部分C 是一个T型图案。再次参考图1，可以看出，第二部分B与第三部分C相互成90度直角。并且，第二部分B位于第一部分A的上部，第二部分C位于第一部分A的左侧部。第二部分B以及第三部分C可作为辅助量测图形，它们同时设置在量测位置行及列的起始位置。具体地说，如图1所示，第二部分B以及第三部分C位于第一部分A的作为起始位置的第三行和第三列的位置处。优选地，作为辅助量测图形的第二部分B以及第三部分C在水平方向与竖直方向的尺寸与实际测量的图形尺寸比例在1 1-3 1之间。进一步优选地，作为辅助量测图形的第二部分B以及第三部分C与作为主图形的第一部分A之间的距离，在给定光刻工艺条件下不会影响主图形关键尺寸的最小距离。在本发明的方法实施例中，利用图1所示的根据本发明实施例的孔量测图形来进行孔量测的方法可包括如下步骤1)通过曝光和显影将光掩模上的接触孔和通孔关键尺寸量测图形(第一部分A、 第二部分B以及第三部分C)转移到光刻胶膜中。2)利用线宽扫描电子显微镜，通过水平和垂直方向的辅助图形(第二部分B以及第三部分C)确定第一量测点位置。3)执行接触孔和/或通孔关键尺寸量测。由此，本发明的方法实施例提供了一种借助在接触孔和通孔层密集图形区域设置辅助量测图形从而改善其关键尺寸量测情况的方法。图5示意性地示出了根据本发明另一实施例的孔量测图形。具体地说，虽然以第二部分B是一个“T”型逆时针翻转90度之后形成的图形为例说明了根据发明实施例的孔量测图形，但是，在替换实施例中，第二部分B是一个“T”型顺时针翻转90度之后形成的图形，这样，第二部分B与第三部分C仍然相互成90度直角，但是这时第二部分B将位于第一部分A的右侧。显然，图1和图5所示的实施例均示出了第二部分B位于第一部分A的上部的情况，但是，本领域的技术人员可以理解的是，第二部分B位于第一部分A的下部的方式也是可行的。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下， 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种孔量测图形，其特征在于包括第一部分、第二部分以及第三部分；其中，所述第一部分是至少包含三行三列的重复图形的重复图形区域，所述第二部分是一个“T”型图形翻转90度之后形成的图形，所述第三部分是一个“T”型图形。
2.根据权利要求1所述的孔量测图形，其特征在于，所述第二部分位于所述第一部分侧部，并且第三部分位于所述第一部分上部或下部。
3.根据权利要求1或2所述的孔量测图形，其特征在于，所述第二部分以及所述第三部分在水平方向与竖直方向的尺寸与实际测量的图形尺寸比例在1 1-3 1之间。
4.根据权利要求1或2所述的孔量测图形，其特征在于，所述第二部分以及所述第三部分同时设置在量测位置行及列的起始位置。
5.根据权利要求1或2所述的孔量测图形，其特征在于，所述第二部分以及所述第三部分与所述第一部分之间的距离，在给定光刻工艺条件下不会影响主图形关键尺寸的最小距离。
6.一种利用根据权利要求1至5之一所述的孔量测图形进行孔量测的孔量测方法，其特征在于包括通过曝光和显影将光掩模上的接触孔和通孔关键尺寸量测图形转移到光刻胶膜中； 利用线宽扫描电子显微镜，通过水平和垂直方向的辅助图形确定第一量测点位置；以及执行接触孔和/或通孔关键尺寸量测。
全文摘要
本发明提供了一种孔量测图形以及孔量测方法。跟本发明的孔量测图形包括第一部分、第二部分以及第三部分；其中，所述第一部分是至少包含三行三列的重复图形的重复图形区域，所述第二部分是一个“T”型图形翻转90度之后形成的图形，所述第三部分是一个“T”型图形。其中，所述第二部分位于所述第一部分侧部，并且第三部分位于所述第一部分上部或下部。根据本发明，提供了一种改善接触孔和/或通孔层密集区域量测关键尺寸的孔量测图形和方法，其中借助在接触孔和通孔层密集图形区域设置辅助量测图形，从而改善了其关键尺寸量测情况。
文档编号H01L21/66GK102437068SQ20111036617
公开日2012年5月2日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日
发明者夏婷婷, 毛智彪 申请人:上海华力微电子有限公司