专利名称：一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件封装领域，尤其涉及圆片级芯片尺寸封装(Wafer Level chip Scale Package, WLCSP)的封装结构。
背景技术：
近年来，由于芯片的微电路制作朝向高集成度发展，因此，其芯片封装也需向高功率、高密度、轻薄与微小化的方向发展。芯片封装就是芯片制造完成后，以塑胶或陶磁等材料，将芯片包在其中，以达保护芯片，使芯片不受外界水汽及机械性损害。芯片封装主要的功能分别有电能传送(Power Distribution)、信号传送(Signal Distribution)、热的散失 (Heat Dissipation)与保护支持(Protection and Support)。由于现今电子产品的要求是轻薄短小及高集成度，因此会使得集成电路制作微细化，造成芯片内包含的逻辑线路增加，而进一步使得芯片1/0(input/output)脚数增加， 而为配合这些需求，产生了许多不同的封装方式，例如，球栅阵列封装(Ball grid array, BGA)、芯片尺寸封装(Chip Scale Package，CSP)、多芯片模块封装(Multi Chip Module package, MCM package) ^1 ^ ' (Flip Chip Package) >5^ ' (Tape Carrier Package, TCP)及圆片级封装(Wafer Level Package, WLP)等。不论以何种形式的封装方法，大部分的封装方法都是将圆片分离成独立的芯片后再完成封装的程序。而圆片级封装是半导体封装方法中的一个趋势，圆片级封装以整片圆片为封装对象，因而封装与测试均需在尚未切割圆片的前完成，是一种高度整合的封装技术，如此可省下填胶、组装、黏晶与打线等制作，因此可大量降低人工成本与缩短制造时间。现有形成圆片级芯片尺寸封装的工艺如图1至5所示。首先请参照图1A，在圆片 10上具有至少一个芯片100。如图IB所示，在芯片100上配置有金属垫层104以及用以保护芯片100表面并将金属垫层104暴露的钝化层102 ；在钝化层102以及金属垫层104上通过溅射或者蒸镀工艺形成第一金属层106，第一金属层106的作用是在后续回流工艺中保护金属垫层104，第一金属层106可以是Al、Ni、Cu、Ti、Cr、Au、Pd中的一种或者它们的组合构成。接着请参照图1C，在第一金属层106上形成光刻胶层107，通过现有光刻技术定义出金属垫层104形状，然后进行曝光、显影工艺，在光刻胶层107中形成开口暴露出下层的金属垫层104上的第一金属层106 ；以光刻胶层107为掩模，在开口内的第一金属层106上形第二金属层108，所述第二金属层108的材料为Cu、Ni或其组合构成，所述形成第二金属层108的方法为电镀法。参考图1D，湿法去除光刻胶层107 ；刻蚀第一金属层106至曝露出钝化层102，使刻蚀后的第一金属层106a与第二金属层108构成凸点下金属层108a ；用钢网印刷法在第二金属层108上形成助焊剂109。如图IE所示，在助焊剂109上放置预制好的焊料球，然后在回流炉内保温回流，形成凸点110。
最后进行单体化切割步骤，以将圆片10上的各个芯片100单体化。在申请号为200510015208. 1的中国专利申请中还公布了更多相关信息。现有技术形成圆片级芯片尺寸封装过程中，由于焊料凸点材料直接与金属浸润层接触，金属浸润层的铜极易扩散到焊料凸点的锡中形成铜锡合金，影响焊接质量。同时，在金属浸润层上形成焊料之前，裸露的浸润层容易氧化而使后续形成的焊料凸点性能及可靠性降低。另一方面，在焊料凸点的形成过程中，焊料间容易滴落而影响产品的可靠性，尤其对于金属垫密集的产品，更容易出现焊料凸点间短路的问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，防止芯片电性能及可靠性降低。为解决上述问题，本发明提供一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，包括芯片、柱体、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、附着层和阻挡层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并填充于柱体间，保护胶的上表面与柱体的顶部齐平；所述柱体的顶部即阻挡层的上表面设有焊料凸点。可选地，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。可选地，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。可选地，所述附着层的材质是铜。可选地，所述铜附着层的厚度是50 100 μ m。可选地，所述阻挡层的材质是镍。可选地，所述镍阻挡层的厚度是1. 5 3 μ m。可选地，所述保护胶的材质为环氧树脂。可选地，所述焊料凸点的材质是纯锡或锡合金。可选地，所述焊料凸点的厚度是10 70 μ m。与现有技术相比，本发明形成的封装结构中附着层(Cu)在空间上提供了一个足够的物质空间，使焊料凸点能够牢固地置于附着层上而不会偏离；也正因为附着层等金属层构成的柱状结构使得焊料凸点的尺寸得以缩小，在保证最终产品焊接过程中物理连接可靠度的前提下，提升了单位空间内的功能输出端口数，更能满足芯片焊盘密间距、功能输出多的封装需求。厚度适宜的阻挡层(Ni) —方面能够避免自身因扩散效应而消失，进而有效地阻止焊料和附着层之间因金属间化合物的形成而产生的孔隙；同时又不至于因镍阻挡层过厚而导致电阻率上升而影响产品的电热性能。保护胶将本封装结构中附着层等金属层构成的柱体部分浇筑起来，不但增强了柱体的物理结构，更主要的是避免后续形成焊料凸点过程中焊料的滴落而造成柱体间的短路。
图IA至图IE是现有圆片级封装方法的过程示意图2是本发明高可靠圆片级柱状凸点封装结构的示意图；图3是本发明形成高可靠圆片级柱状凸点封装结构的具体实施方式
流程图；图4A至图4H是本发明形成高可靠圆片级柱状凸点封装机构的实施例的工艺示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。图2是本发明高可靠圆片级柱状凸点封装结构的示意图，所述封装结构包括芯片300、柱体、保护胶307和焊料凸点308 ；所述芯片300的上表面设有焊盘301和钝化层 302，所述钝化层302覆于芯片300焊盘301开口以外的上表面；所述焊盘301上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层303、金属浸润层304、附着层306a和阻挡层 306b，其中耐热金属层303的材料是钛、铬、钽或它们的组合，金属浸润层304的材料是铜、 铝、镍或它们的组合，附着层306a是厚度为50 100 μ m的铜层，阻挡层306b是厚度为 1. 5 μ m 3 μ m的镍层；所述保护胶307覆于焊盘301所在的芯片300表面并填充于柱体间，保护胶307的上表面与柱体的顶部齐平，保护胶307的材质为环氧树脂；所述柱体的顶部即阻挡层306b的上表面设有焊料凸点308，所述焊料凸点308是厚度为10 70μπι，对应的材质为纯锡或锡合金，如锡银合金、锡铜合金、锡银铜合金等。上述封装结构中，柱体在空间上提供了一个足够的物质空间，使焊料凸点能够牢固地置于柱体上而不会偏离；也正因为由连接层等金属层构成的柱状结构使得焊料凸点的尺寸得以缩小，在保证最终产品焊接过程中物理连接可靠度的前提下，提升了单位空间内的功能输出端口数，更能满足芯片焊盘密间距、功能输出多的封装需求。柱体中厚度适宜的镍阻挡层则能够避免自身因扩散效应而消失，进而有效地阻止焊料和附着层之间因金属间化合物的形成而产生的孔隙；同时又不至于因镍阻挡层过厚而导致电阻率上升而影响产品的电热性能。保护胶将柱体浇筑起来填充于柱体间，不但增强了柱体的物理结构，更主要的是避免后续形成焊料凸点过程中焊料的滴落而造成柱体间的电性短路。为进一步说明本发明封装结构之优点，以下结合一个具体的封装方法实施例对本发明封装结构作进一步介绍。图3是本发明形成高可靠圆片级柱状凸点封装的具体实施方式
流程图，包括步骤S101，在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；S102，在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；S103，在上述开口中的金属浸润层上形成连接层，所述连接层包括依次形成的附着层和阻挡层；S104，去除光刻胶；S105，蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；S106，在芯片上形成保护胶层，所述保护胶将连接层覆盖；S107，研磨保护胶层，使连接层中的阻挡层裸露；
S108，在阻挡层上形成焊料凸点并回流。首先执行步骤S101，在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层，形成如图4A所示的结构。在这一步骤中，芯片300上设有焊盘301和钝化层302，焊盘301是芯片300的功能输出端子，并最终通过后续形成的焊料凸点308实现电性功能的传导过渡；钝化层302的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺、苯三聚丁烯等介电材料或它们的混合物，用于保护芯片300中的线路。需要说明的是，所述芯片的焊盘和钝化层可以是芯片的初始焊盘和初始钝化层， 也可以是根据线路布图设计需要而形成的过渡焊盘、钝化层；形成过渡焊盘、钝化层的方式主要是采用再布线工艺技术，通过一层或多层再布线将初始焊盘、钝化层转载到过渡焊盘、 钝化层上。所述再布线工艺技术为现有成熟工艺，已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。在本实施例中，所述耐热金属层303的材料可以是钛Ti、铬Cr、钽Ta或它们的组合构成，本发明优选为Ti。所述金属浸润层304的材料可以是铜Cu、铝Al、镍Ni中的一种或它们的组合构成，其中较优的金属浸润层304为Cu。耐热金属层303与金属浸润层304 一起构成最终结构的种子层。所述耐热金属层303和金属浸润层304的方法同样可以采用现有的蒸发或溅射或物理气相沉积的方法，其中较优的方法为溅射。当然，根据本领域技术人员的公知常识，形成的方法不仅限于溅射方法，其他适用的方法均可应用于本发明，并且形成的耐热金属层303和金属浸润层304的厚度也是根据实际的工艺需求而定。 然后实施步骤S102，在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层，形成如图4B所示的结构。在这一步骤中，形成光刻胶305的方法可以是旋转涂布，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。形成光刻胶305后，具体可通过现有光刻显影技术定义出焊盘301的形状，使光刻胶305中形成开口以曝露出焊盘301上的金属浸润层 304。然后实施步骤S103，在上述开口中的金属浸润层上形成连接层，所述连接层包括依次形成的附着层和阻挡层，形成如图4C所示的结构。在这一步骤中，以芯片300上剩余的光刻胶305为掩膜，在上步中形成的光刻胶 305的开口内、金属浸润层304的上方，依次形成附着层306a和阻挡层306b，所述附着层 306a的材料为铜Cu，阻挡层306b的材料为镍Ni，附着层306a和阻挡层306b构成了连接层 306。形成连接层306的具体工艺可以通过用电镀的方式，当然，根据本领域技术人员的公知常识，形成的方法不仅限于电镀，其他适用的方法均可应用于本发明。本实施例中，附着层306a铜的厚度为50 100 μ m，具体厚度为50μπι、55μπι、 60 μ m、65 μ m、70 μ m、75 μ m、80 μ m、85 μ m、90 μ m、95 μ m 或 100 μ m 等。附着层 306a 为最终电性输出端子即柱状凸点的柱状结构主体。附着层306a在空间上提供了一个足够的物质空间，保证了后续的焊料凸点308能够牢固地置于附着层306a上而不会偏离，同时也提高了与焊料凸点308间的结合力。本实施例中，阻挡层30 镍的厚度为1. 5μπι 3μπι，具体厚度为1.5μπι、2μπι、 2. 5 μ m或3 μ m等。阻挡层306b的作用为防止后续形成焊料凸点308的材料扩散至铜附着层306a中，当Ni层厚度小于1. 5 μ m时，Ni最终会因相邻金属间的扩散效应而消失，进而无法起到阻挡作用；当Ni层厚度大于3μπι时，会因Ni金属本身的电热性能较差而导致电阻率上升，进而影响最终产品的电热性能。然后实施步骤S104，去除光刻胶，形成如图4D所示的结构。在完成上述工序后，光刻胶305可以去除了，可以使用湿法或剥离的方式去除，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。接着实施步骤S105，蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露，形成如图4Ε所示的结构。在这一步骤中，具体可通过喷洒酸液或将晶片浸泡于酸液中的方法来去除连接层 306以外的芯片300表面的金属浸润层304和耐热金属层303。然后实施步骤S106，在芯片上形成保护胶层，所述保护胶将连接层覆盖，形成如图 4F所示的结构。在这一步骤中，形成保护胶307的方法可以是印刷、旋涂等方式，这些方法的具体步骤已为本领域技术人员所熟知，在此不再赘述。形成保护胶307后，可以通过烘烤的方式固化保护胶307层。本实施例中，芯片300表面及连接层306均被保护胶307覆盖，既保护了钝化层 302，又稳固了柱状连接层306的物理结构；同时，保护胶307的材质为环氧树脂，可以释放芯片300及多层金属层间因热膨胀差异而导致的应力残留，进而提升了整个封装结构的可靠性；另外，各柱体结构间被保护胶307填充，可以避免后续焊料凸点308形成过程中因焊料的滴落而造成柱体间的短路。然后实施步骤S107，研磨保护胶层，使连接层中的阻挡层裸露，形成如图4G所示的结构。在这一步骤中，为了使具有电性传输功能的连接层306端口裸露，研磨保护胶307 层，使连接层306中的阻挡层306b表面得以裸露。在本实施例中，为了使阻挡层306b表面洁净以利于后续与焊料凸点308间的焊接结合，在研磨保护胶307层后，对裸露的阻挡层306b表面进行微蚀刻处理或等离子清洗。最后，实施步骤S108，在阻挡层上形成焊料凸点并回流，形成如图4H所示的结构。在这一步骤中，在阻挡层306b上形成焊料凸点308的方法可以是印刷焊料膏或是将预制好的焊料球直接植入等方式，再经过湿化回流工艺形成最终的焊料凸点308，这些方法的具体步骤已为本技术领域技术人员所熟知，在此不再赘述。在本实施例中，焊料凸点308的厚度是10 70μπι，具体厚度为ΙΟμπκΙδμπκ 20 μ m>25 μ m、30 μ m>35 μ m、40 μ m>45 μ m、50 μ m>55 μ m、60 μ m>65 μ m 70 μ m ·。胃 14凸
点308的材质为纯锡或锡合金，如锡银合金、锡铜合金、锡银铜合金等。由上述本封装结构中的柱状结构特性，形成的焊料凸点308尺寸较小，一方面节约了材料成本，更重要的是能满足焊盘301密间距或相同空间内更多功能输出点的应用需求。至此，也就是说，从焊盘301底部往上形成包括耐热金属层303、金属浸润层304、 附着层306a、阻挡层306b和焊料凸点308 ；其中由耐热金属层303、金属浸润层304、附着层 306a和阻挡层306b构成的柱状间被保护胶307填充以提高产品整体的可靠性能，最终实现了由焊盘301到焊料凸点308间电性传输的封装过渡。
虽然本发明以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于包括芯片、柱体、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面； 所述焊盘上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、附着层和阻挡层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并填充于柱体间，保护胶的上表面与柱体的顶部齐平；所述柱体的顶部即阻挡层的上表面设有焊料凸点。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述耐热金属层的材料是钛、铬、钽或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述金属浸润层的材料是铜、铝、镍或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述附着层的材质是铜。
5.根据权利要求4所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述铜附着层的厚度是50 100 μ m。
6.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述阻挡层的材质是镍。
7.根据权利要求6所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述镍阻挡层的厚度是1.5 3μπι。
8.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述保护胶的材质为环氧树脂。
9.根据权利要求1所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述焊料凸点的材质是纯锡或锡合金。
10.根据权利要求9所述的一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，其特征在于，所述焊料凸点的厚度是10 70 μ m。
全文摘要
一种高可靠圆片级柱状凸点封装结构，包括芯片、柱体、保护胶和焊料凸点；所述芯片的上表面设有焊盘和钝化层，所述钝化层覆于芯片焊盘开口以外的上表面；所述焊盘上设有柱体，所述柱体由底部往上依次包括耐热金属层、金属浸润层、附着层和阻挡层；所述保护胶覆于焊盘所在的芯片表面并填充于柱体间，保护胶的上表面与柱体的顶部齐平；所述柱体的顶部即阻挡层的上表面设有焊料凸点。本发明提高了产品的电性能和可靠性，适用于焊盘密间距、输出功能多的圆片级封装。
文档编号H01L23/488GK102496606SQ20111042886
公开日2012年6月13日 申请日期2011年12月19日 优先权日2011年12月19日
发明者施建根, 石磊, 陶玉娟 申请人:南通富士通微电子股份有限公司