专利名称：一种内置tf存储卡的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种封装结构，尤其涉及一种内置TF存储卡的封装结构。
背景技术：
随着技术的的飞速发展，存储卡的封装技术也在不断革新，现有的封装技术采用的是Wafer的Dies封装，这样的封装结构，Dies不能先进行烧录资料，这样就不能先确定 Dies的好坏，会影响封装的良率；由于Dies的尺寸及脚位定义不同，造成PCB板有很多种， 管理起来非常不方便，增加管理成本。存储卡传统的方式是控制器和存储器结合的形式，存储芯片的价格会出现周期波动，成本也会随之波动。上述现有技术封装结构存在以下不足1、封装时采用Dies封装，Dies好坏不能先确定，影响封装良率；2、Dies封装会造成PCB板的多样性，增加管理成本；3、存储芯片的周期价格波动导致生产成本的波动。
发明内容本实用新型要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种内置TF存储卡的封装结构。本实用新型解决所述技术问题可以通过采用以下技术方案来实现提供一种内置TF存储卡的封装结构，包括基板、主控芯片、连接线、容阻元件、TF卡、塑胶体和非导电银胶；所述主控芯片使用非导电银胶粘合在基板表面，并通过连接线与基板相连接；所述容阻元件和TF卡使用锡膏焊接在基板上；所述封胶体置于基板上，用于以包裹设置在基板上的电子元件。芯片分为存储TF卡和控制芯片，控制芯片采用焊线机将芯片于基板上对应的焊盘进行桥接；存储TF卡为表贴元件，使用锡膏焊接在基板上。所述容阻元件为表贴器件，并使用锡膏焊接在基板上。所述基板连同基板上元件整体被环氧树脂包裹，形成塑胶体。同现有技术相比较，本实用新型的有益效果在于1、采用该封装结构，能够直接降低了存储卡的成本。
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中图1是本实用新型封装结构示意图；图2是本实用新型封装好主视图。
具体实施方式
下结合附图所示之优选实施例作进一步详述。CN 202259244 U说明书2/2 页本实用新型之用于一种内置TF存储卡的封装结构，如图1所示，包括基板1、控制芯片2、连接线3、容阻元件4、TF卡5、塑胶体6和非导电银胶7 ；所述主控芯片2使用非导电银胶7粘合在基板1表面，并通过连接线3与基板1相连接；所述容阻元件4和TF卡5 使用锡膏焊接在基板1上；所述封胶体6置于基板上，用于以包裹设置在基板1上的电子元件。芯片分为存储TF卡5和控制芯片2，控制芯片2采用焊线机将芯片于基板1上对应的焊盘进行桥接，存储TF卡5为表贴元件，使用锡膏焊接在基板1上。如图1所示所述容阻元件4为表贴器件，并使用锡膏焊接在基板1上。如图2所示，所述基板1连同基板上元件整体被环氧树脂包裹，形成塑胶体。上述实现过程为本实用新型的优先实现过程，本领域的技术人员在本实用型的基础上进行的通常变化和替换包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种内置TF存储卡的封装结构，其特征在于包括基板(1)、控制芯片(2)、连接线 (3)、容阻元件(4)、TF卡(5)、塑胶体(6)和非导电银胶(7)；所述主控芯片(2)使用非导电银胶(7 )粘合在基板(1)表面，并通过连接线(3 )与基板(1)相连接；所述容阻元件(4)和 TF卡(5)使用锡膏焊接在基板(1)上；所述封胶体(6)置于基板上，用于以包裹设置在基板 (1)上的电子元件。
2.如权利要求1所述的存储卡的封装结构，其特征在于芯片分为存储TF卡(5)和控制芯片(2)，控制芯片(2)采用焊线机将芯片于基板(1)上对应的焊盘进行桥接，存储TF卡(5)为表贴元件，使用锡膏焊接在基板(1)上。
3.如权利要求1所述的存储卡的封装结构，其特征在于 所述容阻元件(4)为表贴器件，并使用锡膏焊接在基板(1)上。
4.如权利要求1所述的存储卡的封装结构，其特征在于所述基板(1)连同基板上元件整体被环氧树脂包裹，形成塑胶体。
专利摘要本实用新型提供一种内置TF存储卡的封装结构包括基板、主控芯片、连接线、容阻元件、TF卡、塑胶体和非导电银胶；所述主控芯片使用非导电银胶粘合在基板表面，并通过连接线与基板相连接；所述容阻元件和TF卡使用锡膏焊接在基板上；所述封胶体置于基板上，用于以包裹设置在基板上的电子元件。芯片分为存储TF卡和控制芯片，控制芯片采用焊线机将芯片于基板上对应的焊盘进行桥接；存储TF卡为表贴元件，使用锡膏焊接在基板上。所述容阻元件为表贴器件，并使用锡膏焊接在基板上。所述基板连同基板上元件整体被环氧树脂包裹，形成塑胶体。采用该封装结构，能够直接降低存储卡的成本。
文档编号H01L23/31GK202259244SQ201120343029
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月14日 优先权日2011年9月14日
发明者郭寂波 申请人:深圳市劲升迪龙科技发展有限公司