专利名称：用于易碎材料的镭射单一化的改善的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明系有关于用于在易碎材料中加工出形态(feature)的改良方法及装置。特别是，其系有关于用于包含电子元件之工件之加工的改良方法及装置，其中一元件的多个复本建立于一共用基板之上。更具体言之，其系有关于使用镭射之元件单一化(singulation)或将半导体晶圆(semiconductor wafer)变成个别元件之分离动作。
背景技术：
电子元件之制造基本上系借由在一基板或工件上产出同一元件的多个复本。特别是，半导体元件系在被称为晶圆的基板上制造，其系由诸如娃(silicon)、砷化镓(galliumarsenide)或蓝宝石(sapphire)等材料或是能够支援产制半导体元件的各种制程的其他材料所构成的薄盘。在生产制程的某一点，这些元件需要被分离成个别的元件以供后续封 装及使用。此使其变成个别元件的分离动作称为"单一化"。单一化可以机械式地执行，利用钻石涂层锯片、以化学方式、借由遮罩及蚀刻、光学式地借由将镭射能量导引至晶圆或基板、或是此等方法的组合。单一化可以借由晶圆或基板的完全切割，或者借由在晶圆或基板的一或多个表面上进行一部分切割或多处部分切割，而后机械式地将晶圆或基板分割成个别的晶粒。完全切割晶圆或基板通常称为"切割(dicing)"，而不完全切割晶圆或基板以备后续之分割则常称为〃划线(scribing)"。一般而言，元件形状系呈长方形且以网格形式配置于晶圆或基板之上，使得其可以借由首先在方向16上而后在与该第一方向呈90度的方向14上在元件间进行完全穿透基板(切割)或不完全穿透基板(划线)的一连串切割而将元件分离，如同图I所例示。参见图1，基板上的元件之单一化之执行基本上系在方向上进行一连串切割，例如在介于每一列元件之间的X方向，接着在介于每一行元件之间的垂直Y方向上进行一连串切割，从而使得晶圆上的每一元件均得以与其他元件分离。元件单一化的相关问题包含固定配置(real estate)、元件损伤、成本、复杂度以及系统生产量。固定配置系指为了达成不对元件造成损伤的单一化，元件之间必须保留空间以使得切割动作可以有足够的空间进行而不致切到有效的元件。介于有效元件之间的区域被称为〃分隔道(street)"。图I之中显示在晶圆10之上，分隔道14、16介于有效元件12之间。由于处理一片晶圆或基板之成本基本上系固定的，故对于生产厂商而言，每一基板产出愈多元件，则产生的利润愈大。此使得将分隔道尽可能地变窄以将尽可能多的有效元件挤入晶圆或基板之中变得有利可图。狭窄分隔道的不利因素包含切口的大小以及邻近切割处损伤区域的宽度。虽然镭射基本上可以比机械式刀锯或化学蚀刻切出更窄之切口，但错射通常亦在切口附近产生一热影响区(heat affected zone ;HAZ),其系源于切割晶圆或基板所需的巨幅能量所产生的热。其不应容许此HAZ交迭到有效元件区域，否则其可能立即造成部件失效，或者缩短部件的使用寿命。该HAZ亦可能在元件使用时，由于HAZ中的裂缝或缺陷从HAZ传递到元件的有效元件区域，而导致元件故障。关于晶圆或基板之镭射单一化的另一问题在于自切口移除之材料的再沉积。镭射基本上系借由烧蚀(ablation)以及热能机制自基板或晶圆移除材料以形成切口。镭射光束在光束中央附近的能量可能足以烧蚀其照射之材料，意即材料被离子化并形成一电浆云团而散离切口。较接近射束周边处或直接相邻射束处，基板之材料可能无法接收到足够的能量以烧蚀材料，而只是使材料汽化或熔化及沸腾。在此情况下，材料在其汽化或沸腾时被自切口逐离。当材料被从切口逐出并远离镭射光束，其在切口边缘附近冷却并重新固化为碎片。若此等碎片抵达元件之有效电路区域，则其可能造成意外的电子故障，因此必须在元件封装之前加以移除。预测已被自一晶圆切割或划线的半导体晶粒之可靠度的一种方式系测试晶粒断裂强度(die break strength)。在此测试之中，一半导体晶粒承受弯曲,直到抵达其失效点。晶粒断裂强度的变异可以预见半导体组件失效，因此，改善晶粒断裂强度的晶圆切割或划线方法亦能增进组件可靠度。已知降低晶粒断裂强度之事项包含沿着机械或镭射造成之切割边缘的缺陷或裂缝。此外，被镭射汽化或液化的材料沿着切割边缘再沉积的碎片可能对电路造成损伤并降低可靠度。特别是，提供预定切割速度以及切口尺寸及形状的镭射参数亦在切割的顶端边缘造成HAZ，同时亦倾向于自该切口移除之材料再沉积于切割边缘而产生碎片。图2显示被 镭射切割之硅晶圆之剖面视图，其显示热影响区以及源自切口之材料之再沉积所造成的碎片。图2显示切割晶圆20之剖面视图，其具有顶端表面22及底部表面24，以及晶粒黏接薄膜(die attach film ；DAF) 26 其显示切口 28之一侧。同时亦显示再沉积之碎片30以及HAZ 32。该HAZ可以造成晶粒断裂强度之降低，而再沉积之碎片可以造成元件失效。用以执行此单一化动作之示范性错射处理装置系ESI Cignis错射单一化机器，由PortlandOregon, 97229 的 Electro Scientific Industries, Inc.所制造。此机器使用微微秒(picosecond)等级之错射以进行娃及其他基板材料之单一化。基板或晶圆镭射单一化的另一问题在于改善系统生产量。特别是，提供较高切割速度之镭射参数同时亦产生更多HAZ和再沉积碎片，此系无法接受的。其同时亦应注意，提供高切割速度之镭射参数同时亦在切割处产生碎片云(debris cloud)。此碎片云系由镭射脉冲所产生的电浆以及镭射脉冲所产生且被逐离工件的气体、液体及固体碎片所构成。其已知镭射脉冲所产生的碎片云可以自后续之镭射脉冲吸收能量。图3系显示示范性镭射基板切割制程中之切割深度相对于脉冲数目之关系图。此显示使用具有10奈秒脉冲之4瓦特Nd = YVO4镭射以5KHz重复率(!^petition rate)瞄准单一点进行硅工件之切割。其应可以由图3之中看出，在此实例之中，切割大约饱和于10脉冲处。相信此饱和系由第一镭射脉冲产生的碎片云所造成。在此情况下产生的碎片云不仅阻挡镭射辐射使其无法到达工件而防碍材料移除，并且进一步吸收加热电浆的镭射能量。当电浆吸收能量，其从而变热，且由于其接近工件，故将一些热能转移至工件之部分，包含正被加工的形态所在之侧壁。此外，云团中的汽体、液体或固体材料可能被逐出云团并沉积于工件之上。此转移之能量及材料造成裂缝、形态侧壁之劣化并增加碎片。并且，若能量更强之脉冲或更多脉冲被导入工件，使得更多能量经由碎片云传送至工件并从而让材料加工之作用持续，导致更多能量耦合入碎片云，而造成破裂、品质下降及碎片问题更形恶化。即使是使用微微秒或飞秒(femtosecond)等级的短持续时间脉冲之超快速制程以在材料有时间将热传到相邻之区域前进行材料之烧蚀，亦无法避免能量耦合进入碎片云。取决于所使用的材料以及镭射参数，此能量对工件造成相对应之损伤。
有关晶圆或基板之切割及划线之问题曾是先前研究之主题。发明人DonaldW.Brouillette、Robert F. Cook、Thomas G. Ference> Wayne J. Howell、Eric G. Liniger,以及Ronald L. Mendelson,于2001年8月7日之编号6，271，102的美国专利案METHODAND SYSTEM FOR DICING WAFERS, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCORPORATING THEPRODUCTS THERE0F(用于切割晶圆的方法及系统、以及含纳其产品之半导体结构)之中，描述在镭射自正面及背面切割之前以一锯片切割具有去角形态边缘之晶圆以增进晶粒断裂强度。此例中，其以镭射或锯片产生去角形态之切割而非直线切割。发明人Salman Akram于 2006 年 10 月 31 日之编号 7，129，114 的美国专利案 METHODS RELATING TO SIN⑶LATINGSEMICONDUCTOR WAFERS AND WAFER SCALE ASSEMBLIES (有关单一化半导体晶圆以及晶圆尺寸组件的方法)之中试图借由划出紧邻镭射切割之渠道并以保护材料涂覆这些渠道以解决晶粒断裂强度之问题。发明人Adrian Boyle于2006年11月9日之编号006/0249480的美国专利公开案LASER MACHINING USING AN ACTIVE ASSIST GAS(利用活性辅助汽体的镭 射加工)之中，揭示利用一辅助气体蚀刻掉切割边缘的损伤部分以增进晶粒断裂强度。发明人 Kali Dunne 及 Fallon O’fciain 于 2008 年 6 月 5 日之编号 2008/064863 的 WIPO 专利公开案之中描述利用沿切割路径分隔之特别型样镭射脉冲进行多次以避免碎片云。此等参考文件之共同点在于其皆希望借由试着克服镭射切割造成的晶粒断裂强度及碎片问题以增进切割或划线之后的晶粒品质。这些方法需要切割从晶圆的顶端及底部同时完成，由镭射及机械锯切之结合达成，或是需要诸如化学蚀刻的额外处理步骤以及设备，或是需要利用镭射进行多次动作。故所需求的系以镭射切割晶圆的有效率方式，无需额外的处理步骤、额外的多次动作或额外的设备，并借由避免由镭射加工造成碎片团而提供晶圆改善之晶粒断裂强度以及减少之碎片。
发明内容
本发明系一种用于镭射加工易碎材料的改良方法及装置。本发明之特色包含提供具有镭射参数之镭射并利用第一镭射参数以该镭射在工件进行第一切割，而后利用第二镭射参数以该镭射在该工件进行第二切割，该第二切割相邻该第一切割且避开该第一镭射切割所产生之碎片云。本发明之特色更包含移动镭射与工件交会之点以避开先前切割所产生之碎片云，而后利用第二镭射参数以镭射进行切割。本发明之特色增进镭射处理之优点，包含增加生产量，较小之分隔道尺寸以及缩减的耗材成本，同时并排除有关镭射诸如热影响区以及碎片再沉积之问题，从而增加晶粒断裂强度。本发明之实施例可以借由调整现有镭射晶圆单一化系统实施而成，例如由位于Portland OR 的 Electro Scientific Industries, Inc.所制造的 ESI Cigins 晶圆单一化系统。此系统使用微微秒镭射对半导体晶圆进行切割或划线。在运作之时，晶圆被固定于系统之上，接着在镭射以脉冲形式发出时透过运转平台相对于晶圆移动镭射光束，从而达成单一化晶圆所需之线性切割。此系统借由改变所用的镭射参数被调整以实现本发明之特色，可能包含所使用的镭射种类。此外，这些镭射参数需要被编程控制以在不同切割之间改变镭射参数。该系统需要被调整以允许后续镭射切割邻近或接近先前切割且避开碎片云。在本发明的此一特色之中，镭射脉冲以数个脉冲加工特定区域，脉冲数目可高达饱和该位置所需之脉冲数目之特定极限，而后快速地移动至离开碎片云之邻近位置以继续在未饱和位置进行加工。饱和意味一连串镭射脉冲之加工效率之降低，其系由取决于脉冲数目之碎片云镭射能量吸收所造成。本发明之特色借由先在基板或晶圆进行镭射切割以单一化基板或晶圆。调整镭射参数以提供所需之切割速度以及切口尺寸和形状。此镭射切割系对晶圆或基板进行不完全之穿透。其选择与此切割相关之镭射参数以最小化裂缝以及再沉积碎片。较低能量密度(fluence)之镭射参数增加切割时间，但因为此切割仅是不完全穿透晶圆或基板，故对系统生产量的影响不大。其亦应注意，此等初始镭射切割可能需要镭射光束多次动作，以使得该切割到达所需之深度，或者其可以导引镭射光束以在切割时照射到基板或晶圆上的许多不同点。初始切割之后，本发明之特色调整镭射参数以增加晶圆或基板之表面的镭射能量密度，而后导引镭射光束以在晶圆或基板上相邻先前切割处加工出穿透之切割。其调整镭射参数以允许镭射光束自晶圆移除材料，同时最小化对于晶圆或基板的额外损伤。此系由于执行第二切割的镭射脉冲所产生的碎片云有余地扩展至先前切割所造成之空间。以此种方式，碎片云更加快速地消散，而容许更大重复率以及更强能量之脉冲，此有助于增进生产 量同时降低裂缝以及再沉积碎片。此容许增进更大晶粒断裂强度之生产量。本发明之特色亦可以以反复之方式处理晶圆或基板，当切割更深入晶圆或基板时，交替使用第一镭射参数切割和第二参数切割。镭射脉冲聚焦之深度增加以允许材料加工之切割深度渐次加深。依据本发明特色之基板或晶圆处理之一优点在于第一切割处理可以在与执行第二切割的同一镭射处理系统上进行。其调整执行初始切割之前述ESICignis镭射单一化系统，以借由修改镭射处理射束之相关镭射参数，产生不会对基板或晶圆造成额外伤害之切害I]，以使得镭射能够在不产生HAZ或碎片的情形下自基板或晶圆移除材料。此系有可能的，因为单位时间内被移除的材料减少甚多，因此镭射能量密度可以较低。系统同时亦被调整以允许有效率地加工邻近位置。本发明之另一特色借由以一些具有特定镭射参数之镭射脉冲先在一位置进行加工以单一化基板或晶圆，这些镭射参数系上达特定材料之饱和极限。而后其借由镭射处理系统快速地将这些镭射脉冲导引至邻近或接近第一位置之位置，并以具有上达第二饱和极限之第二镭射参数之一些脉冲继续进行加工。此实施例使用适当定位以将镭射脉冲导引至工件上预定位置之复合射束以达成所需之系统生产量。本发明之这些特色之优点在于基板或晶圆无需移动且无需在另一不同的机器上再次校准，其亦无须翻转及放回机器以在一不同的面上进行镭射处理，其亦无需将机器设计成自两面处理基板或晶圆。此外，借由本发明之特色，其不需要化学或额外的制程步骤，诸如在晶圆或基板上沉积额外之材料迭层。虽然此需要至少二次动作以处理晶圆或基板中的单一切割，但动作的数目实质上少于需要多次动作的跳过相邻位置之方法。依据本发明之特色的晶圆或基板处理增进晶粒断裂强度并自经过单一化之元件移除再沉积材料，无需额外的设备、制程步骤或耗材供应。
图1，半导体晶圆。图2，晶圆切割之剖面视图。
图3，显示切割深度相对于脉冲数目之关系图。图4a，进行第一切割之晶圆。图4b，进行第一及第二切割之晶圆。图5，显示切割深度相对于脉冲数目之关系图。图6，调构出之镭射处理系统。
具体实施例方式本发明系一种用于产制于基板或晶圆上的电子元件之镭射单一化的改良方法。本发明之一实施例包含镭射处理系统，内有具有镭射参数之镭射。此实施例使用该镭射利用第一组镭射参数在基板或晶圆进行一部分切割。这些参数允许以可接受之切口宽度和可接受之速率在晶圆或基板中进行预定之切割而不致产生无法接受的HAZ或再沉积碎片。此实 施例接着在相邻该第一切割处利用第二组镭射参数以镭射切割该晶圆或基板。进行相邻该第一切割之第二切割允许来自基板或晶圆之碎片云被切割而散入第一切割之容纳空间，从而在后续镭射脉冲降低因加热碎片云而导致的不良效应。以此方式进行加工之工件展现出改善之晶粒断裂强度以及减少之碎片。此实施例增进镭射处理之优点，包含增加生产量，较小之分隔道尺寸以及缩减的耗材成本，同时并排除有关镭射诸如热影响区以及碎片再沉积之问题。本发明之一实施例对基板或晶圆进行之单一化系借由进行不完全穿透基板或晶圆之镭射切割以备后续相邻该第一次切割之第二切割的穿透切割。参见图1，晶圆10具有电子元件12产制于晶圆10之表面上。此等电子元件被水平的14及垂直的16分隔道隔开。分隔道系晶圆或基板上在有效元件之间保留的区域以容许进行单一化而不伤害有效元件的空间。基板上的元件之单一化之执行基本上系在一方向上进行一连串切割，例如在介于每一列元件之间的X方向(水平分隔道14)，接着在介于每一行元件之间的垂直Y方向上(垂直分隔道16)进行一连串切割，从而使得晶圆上的每一元件均得以与其他元件分离。调整镭射参数以提供所需之切割速度以及切口尺寸和形状。此等初始镭射切割可能需要镭射光束多次动作，以使得切割到达所需之深度，或者其可以导引镭射光束以在切割时照射到基板或晶圆上的不同点。图4a显示在一晶圆之中进行初始切割。在图4a之中，镭射光束42被导引至工件40以自晶圆40移除材料而形成初始切割50。其选择镭射参数以容许在可接受的速率下自工件移除材料而同时产生最少的HAZ及碎片。本发明用以建立该初始切割之一实施例所使用的示范性错射参数显示于表I之中。
权利要求
1.一种用于镭射加工易碎工件之改良的方法，所述改良之处包含 提供具有镭射参数之镭射； 利用第一镭射参数以所述镭射在所述工件中进行第一切割；以及 利用第二镭射参数以所述镭射在所述工件中进行第二切割，所述第二切割大致相邻所述第一切割，同时基本上避开所述第一镭射切割所产生之碎片云。
2.如申请专利范围第I项所述之方法，其中所述第一及第二镭射参数包含镭射种类、波长、脉冲持续时间、脉冲时序形状、镭射功率、能量密度、重复率、速度、间距、光斑尺寸、光斑形状以及焦点高度。
3.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之镭射种类包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纤镭射其中之一。
4.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之波长范围为从大约255奈米(nm)到大约2微米。
5.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之脉冲持续时间为从大约10飞秒到大约100微秒。
6.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之脉冲时序形状为高斯、裁制或方波其中之一。
7.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之镭射功率范围为从大约O. I微焦耳(microjoule)到大约I. O毫焦耳(millijoule)。
8.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之能量密度范围为从O.I微焦耳/平方公分(microjoules/cm2)到大约200焦耳/平方公分(Joules/cm2)。
9.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之重复率为大约IkHz或更闻。
10.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之速度范围为从大约10毫米/秒(mm/S)到大约10米/秒(10m/s)。
11.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之间距范围为从O微米到大约50微米。
12.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之光斑尺寸为大于或等于大约2微米。
13.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之光斑形状为高斯式、顶帽式(圆形)或顶帽式(方形)的其中之一。
14.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之焦点高度范围为从-10毫米(mm)到10毫米。
15.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之镭射种类包含Nd: YAG、Nd: YLF、或Nd: YVO4或光纤镭射其中之一。
16.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之波长范围为从大约255奈米到大约2微米。
17.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之脉冲持续时间为从大约10飞秒到大约100微秒。
18.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之脉冲时序形状为高斯、裁制或方形其中之一。
19.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之镭射功率范围为从大约O. I微焦耳到大约I. O毫焦耳。
20.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之能量密度范围为从O. I微焦耳/平方公分到大约200焦耳/平方公分。
21.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之重复率为大约IkHz或更高。
22.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之速度范围为从大约10毫米/秒到大约10米/秒。
23.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之间距范围为从O微米到大约50微米。
24.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之光斑尺寸为大于或等于大约2微米。
25.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之光斑形状为高斯式、顶帽式(圆形)或顶帽式(方形)的其中之一。
26.如申请专利范围第2项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之焦点高度范围为从-10毫米到+10毫米。
27.一种用于镭射加工易碎工件之改良的装置，包含 镭射，具有镭射脉冲及镭射脉冲参数； 镭射光学模组，用以将所述镭射脉冲导引至所述工件； 运转平台，用以在控制器的指挥下相对于所述镭射脉冲移动所述工件； 控制器，用以控制所述镭射脉冲参数、所述运转平台以及所述镭射光学模组， 其中所述镭射为用以借由所述控制器与所述镭射、所述镭射光学模组以及所述运转平台的协同运作下以第一镭射参数在第一位置加工所述工件，且之后所述镭射以第二镭射参数在相邻所述第一位置之第二位置加工所述工件，而避开在所述第一位置加工时所产生之碎片云。
28.如申请专利范围第27项所述之方法，其中所述第一及第二镭射参数包含镭射种类、波长、脉冲持续时间、脉冲时序形状、镭射功率、能量密度、重复率、速度、间距、光斑尺寸、光斑形状以及焦点高度。
29.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之镭射种类包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纤镭射其中之一。
30.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之波长范围为从大约255奈米到大约2微米。
31.如申请专利范围第28项所述之装置，其中所述第一镭射参数中之脉冲持续时间为从大约10飞秒到大约100微秒。
32.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之脉冲时序形状为高斯、裁制或方形其中之一。
33.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之镭射功率范围为从大约O. I微焦耳至大约I. O毫焦耳。
34.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之能量密度范围为从O. I微焦耳/平方公分到大约200焦耳/平方公分。
35.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之重复率为大约IkHz或更高。
36.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之速度范围为从大约10毫米/秒到大约10米/秒。
37.如申请专利范围第28项所述之装置，其中所述第一镭射参数中之间距范围为从O微米到大约50微米。
38.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之光斑尺寸为大于或等于大约2微米。
39.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之光斑形状为高斯式、顶帽式(圆形)或顶帽式(方形)的其中之一。
40.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第一镭射参数中之焦点高度范围为从-10毫米到10毫米。
41.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之镭射种类包含Nd:YAG, NdiYLF或Nd = YVO4或光纤镭射其中之一。
42.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之波长范围为从大约255奈米到大约2微米。
43.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之脉冲持续时间为从大约10飞秒到大约100微秒。
44.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之脉冲时序形状为高斯、裁制或方形其中之一。
45.如申请专利范围第28项所述之装置，其中所述第二镭射参数中之镭射功率范围为从大约O. I微焦耳到大约I. O毫焦耳。
46.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之能量密度范围为从O. I微焦耳/平方公分到大约200焦耳/平方公分。
47.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之重复率为大约IkHz或更高。
48.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之速度范围为从大约10毫米/秒到大约10米/秒。
49.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之间距范围为从O微米到大约50微米。
50.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之光斑尺寸为大于或等于大约2微米。
51.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之光斑形状为高斯式、顶帽式(圆形)或顶帽式(方形)的其中之一。
52.如申请专利范围第28项所述之方法，其中所述第二镭射参数中之焦点高度范围为从-10毫米到10毫米。
全文摘要
本发明实施例提供一种用于电子基板60单一化成晶粒的改良方法，运用一镭射70先在该基板60形成切割62，而后借由改变镭射参数以对切割62之边缘63去角66、67。此去角66、67动作借由降低残留损伤而增加晶粒断裂强度，并在不需要额外制程步骤、额外设备或耗材供应下移除初始镭射切割62所造成的碎片。
文档编号H01L21/301GK102844844SQ201180017460
公开日2012年12月26日 申请日期2011年3月31日 优先权日2010年4月2日
发明者大迫康, 达瑞·芬恩 申请人:伊雷克托科学工业股份有限公司