使用红外线的贯通孔图案检查方法

专利名称：使用红外线的贯通孔图案检查方法
技术领域：
本发明是关于一种用于三维积层等的基板的检查方法及检查装置。又，关于利用此等的曝光系统及半导体装置的制造方法。
背景技术：
在认为半导体的微细化已接近限界的情况下，将半导体晶片三维积层具有效能提升、省电化、省空间化等的优点，作为与半导体的微细化同等的附加价值提升的手段而急速普及。三维积层为使半导体晶片薄至10 50 U m程度为止而积层的技术，但上下的晶片间的电气连接是使用贯通晶片的多数个电极(TSV:硅贯通电极)进行。如此，能以短距离将晶片间电气连接，因此相较于将晶片水平排列连接的习知SiP(System in a Package),可达成元件的动作速度的提升、省电化、省空间化。TSV(Through-Silicon Via)的形成方法，有在形成半导体晶片上的元件之前进行的情形、或在形成半导体晶片上的元件之后进行的情形等各种情形，任一情形皆通过在晶圆(硅基板上)形成微细直径的深孔、以绝缘膜覆盖孔的侧壁后将铜等导电性高的物质填充形成。此时，在TSV的形成过程、及TSV的形成后的检查重要，此等的检查是通过将晶圆分割并以SEM(扫描型电子显微镜)或TEM(透射型电子显微镜)等观察来进行。此方法能观察剖面实际的形状，但相反地为破坏性检查，检查耗时。另一方面，也有以显微镜等观察晶圆表面的方法，但如此仅能确认晶圆表面的状态。又，亦通过使用红外线的显微镜观察透射像，但一次仅能观察极小的区域，以此方法检查晶圆整面的TSV并不实际。再者，此方法中，由于观察从一方观看的透射像，因此不易检测微小立体的形状变化。然而，有以衍射光的强度或偏光状态的变化等检查形成在半导体晶圆的反复图案的技术(例如，参照专利文献I)。根据此方式，能以短时间检查广面积，以短时间高感度检测用以形成图案的曝光装置的焦点变动或剂量(曝光能量)变动导致的异常、或起因于加工装置的缺陷或调整不良的异常。专利文献1:美国专利第7298471号说明书

发明内容
然而，使用此方式的习知装置中，照明光的波长为可见 深紫外的波长域，具有仅能检查晶圆表面附近的状态、亦即在晶圆表面的TSV的直径或开口部的异常，无法检测在TSV的孔的深部分的异常的问题。本发明是有鉴于上述问题而构成，其目的在于提供一种能检查至图案的深部为止的基板的检查方法及检查装置，以及利用此等的曝光系统及半导体装置的制造方法。为了达成上述目的，本发明的基板的检查方法，具有:照射步骤，对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射照明光，该照明光具有对该基板渗透至既定深度为止的渗透性；检测步骤，检测该照明光被该基板反射或透射过的光；以及检查步骤，使用以在该检测步骤检测出的该图案为依据的信息进行该基板的检查。此外，上述检查方法中，该基板为硅基板亦可，在该检查步骤，根据该照明光对该硅基板的渗透特性，从在该检测步骤检测出的来自该硅基板的检测信号进行该硅基板的所欲深度位置为止的该检查亦可。又，上述检查方法中，作为该照明光使用约600nm 约IlOOnm的波长的光亦可。又，上述检查方法中，该图案为由对该基板开孔形成的复数个孔构成的孔图案亦可，该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔亦可。又，上述检查方法中，具有运算步骤，该运算步骤利用来自该基板的光与该孔的直径的相关，从在该检测步骤检测出的检测信号算出该孔的直径亦可。又，上述检查方法中，在该照射步骤，将该照明光照射至该基板，以在该基板的该图案使衍射光产生亦可，在该检测步骤，检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光亦可。又，本发明的基板的检查装置，具备:照射部，对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射红外线即照明光；检测部，检测来自该照明光照射后的该基板的光，并输出检测信号；调整部，依据该图案调整该基板与该照射部与该检测部的中至少一个；以及检查部，使用该检测信号的状态进行该基板的检查。此外，上述检查装置中，该基板为硅基板亦可，该检查部，根据该照明光对该硅基板的渗透特性与来自该硅基板的该检测信号，进行该硅基板的所欲深度位置为止的该检查亦可。又，上述检查装置中，该照射部，作为该照明光将复数个波长的照明光分别照射至该基板亦可，该检查部，根据该照明光对该硅基板的渗透特性，进行该所欲深度位置的该检查亦可。又，上述检查装置中，作为该照明光使用约600nm 约IlOOnm的波长的光亦可。又，上述检查装置中，该照射部，从未形成该图案的该另一方的面侧将具有到达至少该图案程度的渗透性的光照射至该基板亦可。又，上述检查装置中，该图案为由从该基板表面朝向内部形成的复数个孔构成的孔图案亦可，该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔亦可。又，上述检查装置中，具备运算部，该运算部利用来自该基板的光与该孔的直径的相关，从该检测信号算出该孔的直径亦可。又，上述检查装置中，该照射部，将该照明光照射至该基板，以在该基板的该图案使衍射光产生亦可，该检测部，检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光亦可。又，上述检查方法中，检测被该基板反射的光时，作为该照明光，从该另一方的面照射具有到达至少该图案程度的渗透性的照明光亦可。又，上述检查方法中，使用该渗透性彼此不同的复数个波长的照明光，就该复数个波长的照明光分别反复照射该照射光的动作、检测被该基板反射或透射过的光的动作、及进行该基板的检查的动作。又，本发明的曝光系统，具备在基板表面使既定图案曝光的曝光装置、及进行被该曝光装置曝光而在表面形成有该图案的基板的检查的检查装置；该检查装置是本发明的检查装置，将该检查部进行的该检查的结果输出至该曝光装置；该曝光装置，依据从该检查装置输入的该检查的结果，设定该曝光装置的曝光条件。
又，本发明的半导体装置的制造方法，具有在基板表面使既定图案曝光的曝光步骤、依据该曝光进行后的该图案对基板表面进行蚀刻的蚀刻步骤、及进行该曝光或该蚀刻进行而在表面形成有该图案的基板的检查的检查步骤，其特征在于:该检查步骤是使用本发明的检查方法进行。根据本发明，能进行检查至硅基板的图案的内部为止。


图1是显示检查方法的流程图。图2是检查装置的概要构成图。图3(a)是从上方观察晶圆时的放大图，(b)是晶圆的剖面放大图。图4(a)是孔的途中呈膨胀状态的晶圆的剖面放大图，(b)是孔的深处呈逐渐变细状态的晶圆的剖面放大图。图5是显示相对于光的波长的硅的复折射率变化的图表。图6是显不相对于光的波长的对娃的侵入长度变化的图表。图7是显示对硅的侵入长度与光的波长的关系的表。图8是显示半导体装置的制造方法的流程图。图9是曝光系统的概要构成图。图10是曝光装置的控制方块图。图11(a)是第I测试晶圆的剖面放大图，(b)是第2测试晶圆的剖面放大图，(C)是第3测试晶圆的剖面放大图，(d)是第4测试晶圆的剖面放大图。图12是显示第I测试晶圆的衍射影像图。图13(a)是显示第2测试晶圆的衍射影像图，(b)是显示(a)的衍射影像的信号强度与孔直径的关系的图表。图14(a)是显示第2测试晶圆的衍射影像图，(b)及(C)分别是比较(a)的衍射影像的信号强度与孔径的相关的图表。图15是显示相对从第I测试晶圆至第3测试晶圆的图案变化的信号变化的图表。图16(a)是显示以与第I测试晶圆相同条件制作的晶圆的衍射影像图，(b)是显示(a)的衍射影像的信号强度与孔深度的相关的图表。图17是显示相对从第I测试晶圆至第4测试晶圆的图案变化的信号变化的图表。
具体实施例方式以下，参照图式说明本发明的实施形态。图2是显示第I实施形态的检查装置，通过此装置一次检查硅基板即晶圆W的表面整体。第I实施形态的检查装置10，具备保持形成为大致圆盘形的晶圆W的晶圆夹头15，通过未图示的搬送装置搬送来的晶圆W是载置在晶圆夹头15的上且通过真空吸附固定保持。保持在晶圆夹头15的晶圆W，能通过旋转倾斜机构16以晶圆W的旋转对称轴(晶圆夹头15的中心轴)作为旋转轴旋转。又，通过旋转倾斜机构16能使保持在晶圆夹头15的晶圆W以通过晶圆W表面的轴为中心倾斜(倾动)，能调整照明光的入射角。检查装置10进一步具备对保持在晶圆夹头15的晶圆W的表面将照明光作为平行光照射的照明系(照射部)20、使来自接受照明光的照射时的晶圆W的光聚光的受光系30、接受受光系30所聚光的光并拍摄晶圆W的像的摄影装置(检测部)35、控制器(调整部)40及影像处理部(检查部)45。照明系20具有射出照明光的光源部21、使从光源部21射出的照明光朝向晶圆W的表面反射的照明侧凹面镜25。光源部21是由卤素灯等构成，能使用未图示的复数个波长选择滤镜射出从详细后述的复数个波长选择后的光。此外，不限于波长选择滤镜，使用分光器选择照明光的波长亦可。此外，从光源部21往照明侧凹面镜25射出的照明光，由于光源部21的射出部配置在照明侧凹面镜25的焦点面，因此通过照明侧凹面镜25成为平行(远心)的光并照射至保持在晶圆夹头15的晶圆W的表面整体。此外，对晶圆W的照明光的入射角与出射角能通过使晶圆夹头15倾斜(倾动)以使晶圆W的载置角度变化来调整。来自晶圆W的出射光(衍射光或正反射光等)被受光系30聚光。受光系30是以与晶圆夹头15对向配置的受光侧凹面镜31为主体构成，被受光侧凹面镜31聚光后的出射光到达摄影装置35的摄影面上，使晶圆W的像成像。摄影装置35是由未图示的物镜或影像感测器等构成，使形成在影像感测器的摄影面上的晶圆W的像光电转换以产生影像信号(检测信号)，将产生后的影像信号透过控制器40输出至影像处理部45。控制器40分别控制晶圆夹头15、旋转倾斜机构16、光源部21、摄影装置35等的动作。此外，控制器40为了使后述衍射条件一致，构成为调整晶圆夹头15、旋转倾斜机构
16、光源部21、摄影装置35的至少一个。影像处理部45，根据从摄影装置35输入的晶圆W的影像信号，产生晶圆W的数字影像。在与影像处理部45电气连接的数据库46预先储存有良品晶圆的影像数据，影像处理部45，在产生晶圆W的影像(数字影像)后，比较产生的晶圆W的影像数据与储存在数据库46的良品晶圆的影像数据，检查在晶圆W有无异常(缺陷)。接着，影像处理部45的检查结果及此时的晶圆W的影像在未图示的影像显示装置输出显示。此外，数据库46不一定要与影像处理部45电气连接，例如，经由无线线路连接成可传达信息亦可。然而，作为检查对象的晶圆W，在检查对象的加工处理(例如，蚀刻处理)之后,从加工装置(例如，蚀刻装置)通过未图示的搬送装置搬送至晶圆夹头15上。此外，此时，作为检查对象的晶圆W，在以晶圆W的图案或设在外缘部的位置基准(凹口或定向平面等)为基准进行对准的状态下，搬送至晶圆夹头15上。在晶圆W的背面形成有例如图3所示的反复图案(孔图案)。此图案A为在由硅(Si)构成的裸晶圆以规则配置形成有孔(通孔或孔)的构造。此处，图3(a)是从上方观察晶圆W时的一部分的放大，(b)是晶圆W的剖面放大图。作为一例，孔的直径为2 u m、孔之间距为4 u m、孔的深度为20 u m。此外，晶圆W的厚度为725 y m，图3中晶圆W的厚度是省略其记载。又，图3中，以斜线(hatching)表示硅的部分，以白色显示孔的部分。图4是显示构成图案A的孔未正常形成的情形的例。此处，图4(a)是显示孔的途中膨胀的情形，图4(b)是显示孔的深处逐渐变细的情形。若变成上述形状，则会对之后的形成程序及完成后的TSV的功能造成影响，因此必须通过检查来发现。针对使用以上述方式构成的检查装置10的晶圆W的检查方法，参照图1所示的流程图进行说明。首先，通过未图示的搬送装置将作为检查对象的晶圆W以表面朝向上方的方式预先搬送至晶圆夹头15上。又，在搬送的途中通过未图示的对准机构取得形成在晶圆W的表面的图案A的位置信息，能将晶圆W以既定方向载置于晶圆夹头15上的既定位置。此外，以下的动作是通过控制器40对各部发出执行储存在未图示的记忆装置的程序的指令来实现。首先，对晶圆W的表面照射具有对晶圆W的透射性(渗透性)的照明光(步骤S101)o在此照射步骤，从光源部21对照明侧凹面镜25射出具有既定波长(可见光或近红外线的波长域)的照明光，被照明侧凹面镜25反射后的照明光成为平行光照射至保持在晶圆夹头15的晶圆W的表面整体。此时，通过调整从光源部21射出的照明光的波长与保持在晶圆夹头15的晶圆W的旋转角度及倾斜角度(以下，称为使衍射条件一致)，能以摄影装置35接受来自规则形成的既定间距的反复图案A的衍射光以形成晶圆W的像。具体而言，通过旋转倾斜机构16，以在晶圆W的表面上的照明方向(从照明系20朝向受光系30的方向)与图案A的反复方向一致的方式使晶圆夹头15旋转，且设图案A之间距为P、照射至晶圆W的表面的照明光的波长为X、照明光的入射角为0 1、n次衍射光的出射角为9 2时，通过惠更斯原理进行满足下述数学式I的设定(使晶圆夹头15倾斜)。数学式IP=n X 入 / {sin ( 0 I) -sin ( 0 2)}接着，检测来自照明光照射后的晶圆W的衍射光(步骤S102)。在晶圆W的反复图案A产生的衍射光，被受光侧凹面镜31聚光并到达摄影装置35的摄影面上，使晶圆W的像(衍射光的像)成像。在此检测步骤，摄影装置35的影像感测器使形成在摄影面上的晶圆W的像光电转换而产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部45。接着，利用检测出的衍射光的信息(衍射光的强度)进行晶圆W检查(步骤S103)。在此检查步骤，影像处 理部45根据从摄影装置35输入的影像信号产生晶圆W的影像(数字影像)。又，影像处理部45，在产生晶圆W的影像(数字影像)后，比较产生的晶圆W的影像数据与储存在数据库46的良品晶圆的影像数据，检查在晶圆W有无异常(缺陷)。此夕卜，晶圆W的检查是就各晶片区域分别进行，在作为检查对象的晶圆W的信号强度(亮度值)与良品晶圆的信号强度(亮度值)之差大于既定阈值的情形，判定为异常。另一方面，信号强度(亮度值)之差小于既定阈值，则判定为正常。接着，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部45的检查结果及此时的晶圆W的影像。使用本实施形态的检查装置10取得以来自晶圆W整面的衍射光为依据的影像后，取得的影像成为具有与衍射光的强度对应的明亮度的影像(以下，称为衍射影像)。衍射光的强度依据衍射效率的分布变化，若均匀地形成规则形成的图案A，则不会产生衍射效率的局部变化。相对于此，若一部分区域的图案A的形状变化，则该区域的衍射效率变化，其结果对应区域的衍射影像的明亮度变化，因此能检测在对应区域的图案的变化。此外，图案的变化为图案A的线宽(孔径)或剖面形状的变化。相当于通过摄影装置35拍摄取得的衍射影像的I个像素的晶圆W上的距离(像素尺寸)为例如300 u m,虽远大于图案A的尺寸或反复间距，但在衍射影像的各像素的明亮度是与来自晶圆W上的该区域的图案的衍射光的平均强度对应。由于用以形成图案的曝光装置等的缺陷，无法正常形成晶圆W的图案A的情形，具有某面积的区域的图案整体相同地变形，因此即使像素尺寸大于图案A的尺寸或反复间距，亦可检测该区域的异常(不良)。
例如，通过来自控制器40的指令设定成从光源部21射出波长546nm(e线)的光(照明光)，使衍射条件一致后，能通过摄影装置35取得衍射影像。从此衍射影像，如上述，可检测图案A的异常(不良)。然而。由于波长546nm的光不会透射过硅，因此可检测的异常仅为晶圆W表面附近的异常。亦即，可检测的异常为晶圆W表面附近的孔径的异常、或晶圆W表面附近的孔的剖面形状的异常等。通过来自控制器40的指令设定成从光源部21射出波长IlOOnm的光(照明光)，使衍射条件一致后，同样地可取得衍射影像，但由于波长IlOOnm的光会透射过硅，因此即使为孔的深处部分的异常(不良)，亦可检测。波长IlOOnm的光会透射过硅，但由于晶圆W的硅的部分与孔的部分的折射率的不同而反射、散射的光彼此增强，会产生衍射光(衍射现像)。然而，此情形，可从衍射影像上的明亮度变化的位置求出在晶圆面上的那个位置有异常(不良)，但从该衍射影像不易特定该异常位于孔的深度方向的那个部分。图5是显不相对于照明光的波长的复折射率变化的图表。在图5的图表，n为实数部(折射率)，k为虚数部(衰减系数)。此k表示吸收的比例。从此k分别计算光的强度因吸收而成为l/e、l/10、l/100的距离(称为侵入长度)并作成图表，则成为图6。此处，e为自然对数的底。接着，从此关系通过计算求出具有光的强度因吸收而成为1/10的距离为1 μm、5 μm、10 μm、20 μm、30 μm…的k的波长,则成为图7。亦即，通过改变照明波长,能改变光到达的深度。在构成为能检测光的强度衰减至1/10为止到达的部分的异常(不良)的检查装置，例如，若为波长623nm的光，则仅能检测深度1 μm程度为止的异常，相对于此，波长816nm的光，能检测深度30 μm为止的异常,波长845nm的光，能检测深度50 μm为止的异常。若依序进行使用此3种类波长的检查，则能区分异常部位的大概深度。若以波长623nm的光检测出异常，则为较1 μm浅部分的异常，若以波长623nm的光未检测出异常而以波长816nm的光检测出异常，则为1 μm至30 μm为止的范围的异常，若以波长623nm的光及波长816nm的光皆未检测出异常而以波长845nm的光检测出异常,贝U为30 μm 50 μm的间的异常。此外，图7的数值(侵入长度)，为了方便了解，虽显示相对晶圆W的表面垂直的光入射时的侵入长度，但在本实施形态的检查装置10不会垂直入射，因此必须考量此进行修正。又，图7的例中，虽能检测光的强度成为1/10处的异常(不良)，但光的强度衰减至何种程度为止时可检测异常，是通过摄影装置35 (影像感测器)的感度或影像处理的内容决定。不论如何，通过使用彼此(检查之)透射率不同的复数个波长进行衍射光的检查，能区分检测出的异常位于深度方向的那个位置。如上述，根据第I实施形态，对形成有既定图案A的晶圆W(硅基板)的表面，照射具有对晶圆W的透射性(渗透性)的照明光，进行利用图案A的周期性的光的特性(例如，衍射光)的晶圆W的检查，照明光到达晶圆W的内部为止，可检测在图案A的孔的深处部分的异常(不良)，因此能进行检查至晶圆W的图案A的深部为止。又，若根据照明光的透射率(透射特性)进行至晶圆W的既定深度位置为止的检查，则能识别检测出的异常位于晶圆W的深度方向的那个位置。又，作为照明光若使用近红外线或可见光线，则能使用一般影像感测器检测来自晶圆W的光(拍摄晶圆W的像)，能以简单构成进行检查。此外，对于近红外线，会有影像感测器的感度降低而信号杂讯比(signal-noise ratio)降低的情形，因此能视需要使用冷却型影像感测器提高信号杂讯比。又，若进行用以形成硅贯通电极(TSV)的孔的检查，则能检测孔的深处部分的异常(不良)，因此能使硅贯通电极(TSV)的检查精度提升。又，若利用衍射光进行检查，则即使晶圆W的影像的像素尺寸大于图案A的尺寸或反复间距，亦可检测该区域的异常。此外，若以红外线检查形成有TSV的晶圆W，则透过晶圆W观察到下方的晶圆夹头15的形状、例如用于真空夹头的槽，会有妨碍检查之虞。为了避免此，使晶圆夹头15为没有槽等的平坦者即可。若使用将晶圆电气吸附的静电夹头方式等，则能使晶圆夹头15平坦。又，通过使用于真空夹头的槽的剖面不为矩形而为平滑的山形状，能使槽的可视变薄或看不到。另一方面，即使晶圆夹头为一般的夹头，亦可通过照明波长的设计而不妨碍检查。亦即，从形成有图案的晶圆W的表面进行检查的情形，通过选择虽到达硅的部分为止但未透射过晶圆W的厚度方向全部的照明波长，能不被晶圆夹头15妨碍而进行检查。例如，若使用波长976nm的光，则以与图7的情形相同的计算，光的强度因吸收而成为1/10的距离为500 u m。本实施形态般，晶圆W的厚度为725 u m的情形，可进行晶圆W表面的TSV的检查，且能进行不会观察到晶圆夹头15为止的检查。又，在逻辑元件的晶圆W虽会有TSV的排列不规则的情形，但即使此情形亦可将上述晶圆W的检查方法作为QC用途使用。亦即，为了蚀刻装置等的条件导出或精度确认，若使用形成有TSV规则性排列的图案的晶圆(引导晶圆)进行衍射检查，则能评估加工的均匀性等。接着，说明检查装置的第2实施形态。第2实施形态的检查装置除了使晶圆W倒反保持在晶圆夹头15的点外，与第I实施形态的检查装置10为相同构成，对各部分赋予与第I实施形态的情形相同的符号以省略详细说明(参照图2)。因此，针对使用第2实施形态的检查装置的晶圆W的检查方法进行说明。第2实施形态中，通过未图示的搬送装置将作为检查对象的晶圆W以背面朝向上方的方式预先搬送至晶圆夹头15上。此外，此时，通过薄膜状的保护构件被覆保护形成有图案A的晶圆W的表面亦可。首先，与第I实施形态的情形相同，对晶圆W的背面照射具有对晶圆W的透射性的照明光(步骤S101)。在此照射步骤，从光源部21对照明侧凹面镜25射出具有既定波长(可见光或近红外线的波长域)的照明光，被照明侧凹面镜25反射后的照明光成为平行光照射至保持在晶圆夹头15的晶圆W的背面整体。接着，与第I实施形态的情形相同，检测来自照明光照射后的晶圆W的衍射光(步骤S102)。照射至晶圆W的背面的照明光到达表面侧的反复图案A为止，在该图案A产生的衍射光，被受光侧凹面镜31聚光并到达摄影装置35的摄影面上，使晶圆W的像(衍射光的像)成像。在此检测步骤，摄影装置35的影像感测器使形成在摄影面上的晶圆W的像光电转换而产生影像信号，将影像信号输出至影像处理部45。接着，与第I实施形态的情形相同，利用检测出的衍射光的信息进行晶圆W检查(步骤S103)。在此检查步骤，影像处理部45根据从摄影装置35输入的影像信号产生晶圆W的影像(数字影像)。又，影像处理部45，在产生晶圆W的影像(数字影像)后，比较产生的晶圆W的影像数据与储存在数据库46的良品晶圆的影像数据，检查在晶圆W有无异常(缺陷)。接着，以未图示的影像显示装置输出显示影像处理部45的检查结果及此时的晶圆W的影像。第2实施形态中，使晶圆W倒反保持在晶圆夹头15，从与形成有孔(图案A)的面(表面)相反侧的面(背面)进行衍射检查。在孔形状的检查，孔的深处部分，尤其是孔底的形状大多最重要，但在一般的检查为有无异常(缺陷)的检查(判定)最难的部分。在第I实施形态虽能检查孔的深处部分，但作为检测的信息量，相较于孔的深处部分浅处部分的信息较多，因此相较于浅处部分，对孔的深处部分的异常(不良)一般而言感度变低。如第2实施形态般，若使晶圆倒反从相反侧进行衍射检查，则相较于浅处部分，能使孔的深处部分的信息量变多，因此能高感度检查孔的深处部分。又，此情形，若以基板的透射率不同的复数个波长取得衍射影像，则能通过在那个波长检测出衍射光及/或通过各波长的信号强度大约得知该孔的深度。如上述，根据第2实施形态，可获得与第I实施形态的情形相同的效果，再者，能高感度检查孔的深处部分。此外，从与形成有图案A的面相反的晶圆W的背面进行衍射检查的情形，较佳为，晶圆W的背面研磨成镜面。再者，较佳为，以在晶圆W的背面不会附着污垢等的方式进行管理。由于照明光通过晶圆W的背面二次，因此在该面为散射面(未研磨面)的情形、或在该面附着污垢等的情形，会成为检查的障碍。此外，将上述第I实施形态与第2实施形态组合，进行从表面的检查与从背面的检查，将分别的深度信息组合以进行更详细的检查亦可。又，上述实施形态中，检测在晶圆W的图案A产生的衍射光，进行晶圆W的检查，但并不限于此，例如，检测在晶圆W的图案A产生的构造性复折射导致的偏光的状态变化亦可。构造性复折射导致的偏光的状态变化，能通过在照明系20与受光系30的光路中分别配置偏光元件，使照明系20的偏光元件与受光系30的偏光兀件正交来检测。此外，照明系20的偏光兀件与受光系30的偏光兀件的关系会有对应反射光的偏光状态从正交偏移而感度上升的情形。又，例如，检测来自晶圆W的表面(或背面)的正反射光或散射光亦可。又，上述各实施形态中，以TSV形成用的孔规则形成的晶圆W(硅基板)为例进行说明，但并不限于此，例如，亦可适用于绝缘膜形成后的检查或TSV形成后的检查。又，上述各实施形态中，虽在晶圆W的表面形成有孔图案，但并不限于此，例如，为线与空间图案亦可。又，例如，即使为使晶圆W贴合的状态(积层化后状态)亦可进行内部的检查。此外，相较于单纯硅基板，在为了形成半导体将离子作为杂质植入的硅基板，光(红外线)的透射率虽变化，但与其对应选择使用于检查的波长或调整照明光量即可。又，上述各实施形态中，虽构成为在与照明光照射侧相同的侧检测衍射光(拍摄晶圆W的像)，但并不限于此，检测透射过晶圆W的相反侧的衍射光、散射光、偏光的状态变化等亦可。此外，此等光学系的构成，是依据作为检查对象的基板的厚度、图案的构造、光的透射率、应检测的异常(不良)的内容等，选择最适的光学构成即可。又，上述各实施形态中，虽构成为照明系20 (光源部21)将特定波长的照明光照射至晶圆W，但并不限于此，照明系20 (光源部21)将包含近红外域的白色光照射至晶圆W，在紧邻摄影装置35之前方适当插入仅使特定波长的光(衍射光)透射过的波长选择滤镜亦可。又，上述各实施形态中，检查装置10虽一次检查晶圆W的表面整体，但本教示并不限于此构成，例如，分成数次检查晶圆W的表面整体亦可。接着，针对通过上述检查方法进行晶圆W的检查的半导体装置的制造方法，参照图8所示的流程图进行说明。图8的流程图是显示在三维积层型的半导体装置的TSV形成程序。在此TSV形成程序，首先，在晶圆(裸晶圆等)的表面涂布光阻(步骤S201)。在此光阻涂布步骤，使用光阻涂布装置(未图示)将例如晶圆以真空夹头等固定在旋转支承台，从嘴部将液状光阻滴下至晶圆的表面后，使晶圆高速旋转形成薄光阻膜。接着，在涂布光阻后的晶圆的表面将既定图案(孔图案)投影曝光(步骤S202)。在此曝光步骤，使用曝光装置例如将既定波长的光线(紫外线等的能量线)通过形成有既定图案的光罩照射至晶圆表面的光阻，将光罩图案转印至晶圆表面。接着，进行显影(步骤S203)。在此显影步骤，使用显影装置(未图示)进行例如以溶剂溶解曝光部的光阻、使未曝光部的光阻图案残留的处理。藉此，在晶圆表面的光阻形成孔图案。接着，进行形成有光阻图案(孔图案)的晶圆的表面检查(步骤S204)。在显影后的检查步骤，使用表面检查装置(未图示)例如对晶圆的表面整体照射照明光，拍摄在光阻图案产生的衍射光导致的晶圆的像，从拍摄后的晶圆的影像检查光阻图案等有无异常。在此检查步骤，判定光阻图案的良好与否，不良的情形将光阻剥离从光阻涂布步骤重新动作、亦即进行是否进行二次加工的判断。检测出必须二次加工的异常(缺陷)的情形，将光阻剥离(步骤S205)，重新步骤S201 S203为止的步骤。此外，表面检查装置进行的检查结果，分别反馈至光阻涂布装置、曝光装置，及显影装置。若在显影后的检查步骤确认无异常，则进行蚀刻(步骤S206)。在此蚀刻步骤，使用蚀刻装置(未图示)例如以残留的光阻为光罩，除去底层的裸晶圆的硅部分，形成TSV形成用的孔。藉此，在晶圆W的表面形成由TSV形成用的孔构成的反复图案A。接着，进行通过蚀刻形成图案A的晶圆W的检查(步骤S207)。蚀刻后的检查步骤，是使用上述任一实施形态的检查方法进行。在此检查步骤，检测出异常的情形，依据异常的种类及异常的程度判断调整曝光装置的曝光条件(变形照明条件、焦点偏置条件等)或蚀刻装置的那个部分、是否将该晶圆废弃、或是否必须将该晶圆进一步分割以进行剖面检查等的详细解析。此外，异常的种类及异常的程度包含关于判别出的异常为在何种程度的深度位置产生者的信息。在蚀刻后的晶圆W发现重大且广范围的异常的情形，由于无法二次加工，因此废弃该晶圆W、或回到剖面检查等的解析(步骤S208)。若在蚀刻后的检查步骤确认无异常，则在孔的侧壁形成绝缘膜(步骤S209)，在形成有绝缘膜的孔的部分填充Cu(步骤S210)。藉此，在晶圆(裸晶圆)形成TSV。此外，在蚀刻后的检查步骤的检查结果，主要反馈至曝光装置或蚀刻装置。检测出孔的剖面形状的异常或孔径的异常时，作为用于曝光装置的焦点或剂量调整的信息进行反馈，检测出深度方向的孔形状的异常或孔深度的异常时，作为用于蚀刻装置调整的信息进行反馈。在TSV形成程序的蚀刻步骤，由于必须形成纵深比(深度/直径)高(例如，10 20)的孔，因此技术上不易，反馈进行的调整是重要。如上述，在蚀刻步骤，要求以接近垂直的角度形成深孔，近年来，广泛采用RIE (Reactive 1n Etching:反射性离子蚀刻)的方式。蚀刻后的检查的情形，监测在蚀刻装置有无异常，若检测出异常则主要进行停止并调整蚀刻装置的反馈运用。作为用以调整蚀刻装置的参数，可考量例如控制纵方向与横方向的蚀刻率比的参数、或控制深度的参数、控制在晶圆面内的均匀性的参数等。此外，若实施显影后的检查步骤，则光阻涂布装置、曝光装置、及显影装置的异常基本上在显影后的检查步骤检测，但在显影后的检查步骤未实施的情形、或蚀刻后才发现该等装置的问题的情形，进行对各装置的反馈(各装置的调整)。另一方面，将在蚀刻后的检查步骤的检查结果在之后的步骤前馈亦可。例如，在蚀刻后的检查步骤判定晶圆W的一部分晶片为异常(不良)的情形，该信息从上述检查装置10线上传至管理程序的主电脑(未图示)并储存，使用于在以后的程序的检查、测定不使用该异常部分(晶片)等的管理、或活用于在最终完成元件的阶段不进行无用的电气测试等。又，从在蚀刻后的检查步骤的检查结果，当异常部分的面积大时，与此对应调整绝缘膜形成或Cu填充的参数以减轻对良品部分的影响。根据本实施形态的半导体装置的制造方法，蚀刻后的检查步骤是使用上述实施形态的检查方法进行，因此可进行检查至蚀刻后的晶圆W的图案A的深部为止，由于检查精度提升，因此能使半导体装置的制造效率提升。此外，在上述TSV形成步骤，虽在于晶圆上形成元件前的最初阶段形成TSV，但并不限于此，形成元件后再形成TSV亦可，在元件形成的途中形成TSV亦可。此外，此情形，在元件形成过程进行离子植入等的结果，对红外线的透明度虽降低，但并非成为完全不透明，因此考量透明度的变化量选择波长或调整照明光量即可。又，即使为此方式的生产线，只要以生产线的条件导出及QC为目的在裸晶圆形成TSV并进行检查，则能进行不被离子植入导致的透明度降低影响的检查。如上述，可将在蚀刻后的检查步骤的检查结果反馈至曝光装置。因此，针对具备上述检查装置10的曝光系统，参照图9及图10进行说明。此曝光系统100具备在涂布有光阻的晶圆W的表面使既定图案(孔图案)投影曝光的曝光装置101，及经过曝光装置101进行的曝光步骤、显影装置(未图示)进行的显影步骤、蚀刻装置(未图示)进行的蚀刻步骤等进行在表面形成有图案A的晶圆W的检查的检查装置10。曝光装置101，如图9所示，具备照明系110、标线片载台120、投影单元130、局部液浸装置140、载台装置150、主控制装置200 (参照图10)。此外，以下，将图9所示的箭头X、Y、Z的方向分别作为X轴方向、Y轴方向、Z轴方向来说明。照明系110，虽省略详细图示，但具有光源、具备光学积分器等的照度均匀化光学系、及具备标线片遮廉等的照明光学系，通过照明光(曝光用光)以大致均匀的照度照明标线片遮廉所规定的标线片R上的狭缝状的照明区域。作为照明光是使用例如ArF准分子雷射光(波长193nm)。在标线片载台120上，既定图案(例如，孔图案)形成在其图案面(图9中下面)的标线片(光罩)R是通过例如真空吸附而固定保持。标线片载台120，是通过例如具备线性马达等的标线片载台驱动装置121 (参照图10)可在XY平面内移动，且能在扫描方向(此处为Y轴方向)以既定扫描速度移动。标线片载台120在XY平面内的位置信息(包含绕Z轴的旋转方向的旋转信息)是透过设在标线片载台120的具有与Y轴正交的反射面的第I反射镜123及具有与X轴正交的反射面的第2反射镜(未图示)被标线片干涉仪125检测。被标线片干涉仪125检测出的该位置信息送至主控制装置200，主控制装置200根据该位置信息透过标线片载台驱动装置121控制标线片载台120的位置(及移动速度)。投影单元130是配置在标线片载台120的下方，具有镜筒131、及保持在镜筒131内的投影光学系135。投影光学系135具有沿着照明光的光轴AX排列的复数个光学元件(透镜元件)，在两侧远心且具有既定投影倍率(例如，1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因此，若通过从照明系110射出的照明光照明标线片R上的照明区域，则通过透射过投影光学系统135的物体面与图案面大致一致配置的标线片R的照明光，照明区域内的标线片R的图案的缩小像透过投影光学系135形成在配置在投影光学系135的像面侧的晶圆W上的曝光区域(与标线片R上的照明区域共轭的区域)。接着，通过标线片载台120与保持晶圆W的载台装置150的同步驱动，使标线片R相对照明区域在扫描方向(Y轴方向)移动，且使晶圆W相对曝光区域在扫描方向(Y轴方向)移动，藉此进行晶圆W上的一个照射区域的扫描曝光，在该照射区域转印标线片R的图案(光罩图案)。在曝光装置101为了进行液浸方式的曝光而设有局部液浸装置140。局部液浸装置140,如图9及图10所示,具有液体供应装置141、液体回收装置142、液体供应管143A、液体回收管143B、嘴单元145。嘴单元145是以包围保持构成投影光学系135的最靠像面侧(晶圆侧)的光学元件、此处为前端透镜136的镜筒131的下端部周围的方式，支承于保持投影单元130的未图示的框架构件(构成曝光装置101的框架构件)。又，嘴单元145，如图9所示，其下端面设定成与前端透镜136的下端面成为大致同一面。液体供应装置141，详细虽省略图示，但具有储藏液体的槽、加压泵、温度控制装置、用以控制液体的流量的阀，透过液体供应管143A连接于嘴单元145。液体回收装置142，详细虽省略图示，但具有储藏回收后液体的槽、吸引泵、用以控制液体的流量的阀，透过液体回收管143B连接于嘴单元145。主控制装置200，如图10所示，控制液体供应装置141的作动透过液体供应管143A将液体(例如，纯水)供应至前端透镜136与晶圆W之间，且控制液体回收装置142的作动透过液体回收管143B从前端透镜136与晶圆W之间回收液体。此时，主控制装置200以供应液体的量与回收液体的量恒相等的方式控制液体供应装置141及液体回收装置142的作动。是以，在前端透镜136与晶圆W之间，一定量的液体恒替换保持，藉此形成液浸区域(液浸空间)。如上述，在曝光装置101，通过将照明光透过形成液浸区域的液体照射至晶圆W，对晶圆W进行曝光。载台装置150具有配置在投影单元130的下方的晶圆载台151、驱动晶圆载台151的载台驱动装置155 (参照图10)。晶圆载台151是通过未图示的空气滑件具有数程度之间隙而悬浮支承在基座构件105的上方，在晶圆载台151的上面通过真空吸附保持晶圆W。此外，晶圆载台151是通过构成载台驱动装置155的马达，能沿着基座构件105的上面在XY平面内移动。晶圆载台151在XY平面内的位置信息是通过编码器装置156 (参照图10)检测。编码器装置156检测出的该位置信息是传至主控制装置200，主控制装置200根据该位置信息透过载台驱动装置155控制晶圆载台151的位置(及移动速度)。在以上述方式构成的曝光装置101，若通过从照明系110射出的照明光照明标线片R上的照明区域，则通过透射过投影光学系统135的物体面与图案面大致一致配置的标线片R的照明光，照明区域内的标线片R的图案的缩小像透过投影光学系135形成在配置在投影光学系135的像面侧的晶圆W上的曝光区域(与标线片R上的照明区域共轭的区域)。接着，通过标线片载台120与保持晶圆W的晶圆载台151的同步驱动，使标线片R相对照明区域在扫描方向(Y轴方向)移动，且使晶圆W相对曝光区域在扫描方向(Y轴方向)移动，藉此进行晶圆W上的一个照射区域的扫描曝光，在该照射区域转印标线片R的图案。以上述方式实施曝光装置101的曝光步骤后，经过显影装置(未图示)进行的显影步骤、蚀刻装置(未图示)进行的蚀刻步骤等，通过上述实施形态的检查装置10进行在表面形成有图案A的晶圆W的检查。亦即，蚀刻后的检查步骤是使用上述任一实施形态的检查方法(或上述实施形态的检查方法的组合)进行。在蚀刻后的检查步骤的检查结果主要反馈至曝光装置101。此时，例如，检查装置10的控制器40(输出部)是透过连接缆线(未图示)等将关于检查结果的信息输出至曝光装置101。接着，设在曝光装置101的主控制装置200的修正处理部210，根据从检查装置10输入的检查结果，修正曝光装置101的各种设定参数。藉此，根据本实施形态的曝光系统100，依据从上述实施形态的检查装置10输入的检查结果修正曝光装置101的设定，因此能根据更高精度的检查结果进行修正，能更适切地进行曝光装置101的设定。此外，在上述曝光系统100，通过上述实施形态的检查装置10进行蚀刻后的晶圆W的检查，但并不限于此，进行显影后的晶圆的检查亦可。又，本申请发明人作成了测试晶圆，进行对各种异常(缺陷)的检测感度的验证。在此实验，作为照明光使用波长IlOOnm的近红外光。此外，光源为卤素灯，通过干涉滤镜取出波长IlOOnm的光。在波长IlOOnm的光，硅的k(消衰系数)为约0.00003，硅成为大致透明。然而，在此波长，由于影像感测器的感度亦变非常小，因此为了确保充分的S/N比(信号杂讯比)，使用冷却类型的摄影装置。又，实验中，作为照明光使用波长850nm、波长800nm、波长700nm、波长546nm(e线)、波长436nm(g线)、波长405nm(h线)等的光。图11 (a)所不的晶圆(以下，称为第I测试晶圆WA)为形成有标准形状的图案(孔图案)的晶圆。图12是显示以波长IlOOnm的照明光的4次衍射光为依据的第I测试晶圆WA的衍射影像。第I测试晶圆WA的衍射影像为捕捉来自图案部的均匀衍射光的影像。图11(b)所示的晶圆(以下，称为第2测试晶圆WB)为通过孔图案的曝光时在晶圆面内使剂量变化以就各照射分别使孔直径变化而作成的晶圆。此外，通过蚀刻形成的孔的直径(通孔的直径)亦依据剂量变化而变化。又，即使在相同的照射面内孔径亦有偏差。图13(a)是显示以波长546nm(e线)的照明光的2次衍射光为依据的第2测试晶圆WB的衍射影像。图13(a)中，为随着朝向图的上方孔径变小且随着朝向图的下方孔径变大的照射配置。又，各照射的孔径是通过CD-SEM预先测定。又，图13(b)是显示孔径与衍射光的强度变化(信号强度变化)的关系。图13(b)中，图表的纵轴为信号强度变化的比例，横轴为孔径。从图13(a)及(b)可知，衍射光的强度(信号强度)是依据孔径变化呈大致线性变化。亦即，能将孔径变化作为衍射影像的明暗变化加以检测出。此外，在检查装置10设置运算部亦可，该运算部通过最小平方法预先求出衍射光的强度(信号强度)与孔径的关系式(例如，直线近似式)，利用求出的关系式从衍射影像的信号强度求出孔径。又，在晶圆W的检查，追加通过运算部求出孔径的步骤亦可。藉此，能从晶圆W的衍射影像求出孔径。此夕卜，运算部是利用控制器40、影像处理部45等所含的CPU等的运算电路亦可，与控制器40、影像处理部45等独立设置亦可。又，图14(a)是显示与图13(a)相同的衍射影像，图14(b)及(C)是显示在此衍射影像的信号强度与孔径的相关的比较结果。图14(b)中，图表的纵轴为信号强度或孔径，横轴为晶圆面内的Y方向(图14(a)的纵方向)位置。又。图14(c)中，图表的纵轴为信号强度或孔径，横轴为在对角线方向的照射内位置。从图14(b)、(c)可知，在衍射影像的信号强度与孔径显示出具有强相关。图11(c)所示的晶圆(以下，称为第3测试晶圆WC)为孔开口部的径与第I测试晶圆WA大致相同、孔的深处的径变小的晶圆。以图案形状从第I测试晶圆WA变形成第3测试晶圆WC时对其检测的观点来比较衍射光的强度(信号强度)者为图15的图表。图15的图表中，1100BS表示在波长IlOOnm的照明光进行的从晶圆背面的衍射检查的信号变化，IlOOfs (850fs、800fs、…)表示在波长1100nm(850nm、800nm、…)的照明光进行的从晶圆表面的衍射检查的信号变化。(BS为背侧的简略，表示来自晶圆背面的衍射，fs为前侧的简略，表不来自晶圆表面的衍射。图17中亦相同)此外，图15中，分别显不设第I测试晶圆WA的信号强度为100%的信号变化率。在从晶圆表面的衍射检查，在波长IlOOnm的照明光的信号变化率最大，但信号变化率为31%。相对于此，在波长IlOOnm的照明光进行的从晶圆背面的衍射检查，可获得179%的信号变化率。可知在孔前端附近的异常检测，从晶圆背面的衍射检查效果最显著。另一方面，图16(a)是以波长IlOOnm的照明光的14次衍射光为依据的以与第I测试晶圆WA相同条件制作的另一测试晶圆的衍射影像。此影像的特征在于有甜甜圈状的偏差。沿着通过晶圆中心的X方向(图的横方向)的线将晶圆切断，以SEM观察晶圆的剖面，比较孔深度(通孔的深度)与衍射光的强度(信号强度)。其结果，在沿着图16(a)的虚线的照射内轮廓的比较，如图16(b)所示可认为与孔深度有相关。此外，图16(b)中，图表的纵轴为信号强度或孔深度，横轴为 在X方向(图的横方向)的照射内位置。然而，衍射信号在孔深度以外的形状变化亦反应，因此图16(a)的甜甜圈状的偏差可说是结合作为蚀刻「Deep RIEj (RIE:Reactive 1n Etching)导致的各种形状变化的晶圆面内不均勻性。对侧壁粗糙度的检测感度亦进行验证。作为用以形成深宽比高的孔的蚀刻方法有rBosch process」,但在此方法,在孔的侧壁容易产生特征的同心圆状的段差。依照侧壁粗糙度的大小，会成为TSV形成的妨碍。人工制作此段差者为图11(d)所示的第4测试晶圆WD。图17是显示对从第I测试晶圆WA至第4测试晶圆WD的图案变化的信号变化。此外，图17中，分别显示设第I测试晶圆WA的信号强度为100%的信号变化率。又，在此测试晶圆的组合，不仅侧壁粗糙度、剖面轮廓亦改变，因此对该两者的信号变化可合起来观测。从图17可知，有照明光的波长愈长则信号变化愈大的倾向。本发明可适用于包含能判定蚀刻后或显影后的晶圆是否为良品的检查装置的半导体的曝光系统。主要元件符号说明10检查装置
15 载台20照明系(照射部)30受光系35摄影装置(检测部)40控制器(调整部)45影像处理部(检查部)100曝光系统101曝光装置W 晶圆A 图案
权利要求
1.一种基板的检查方法，具有: 照射步骤，对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射照明光，该照明光具有对该基板渗透至既定深度的渗透性； 检测步骤，检测该照明光于该基板反射或透射过的光；以及 检查步骤，使用以在该检测步骤检测出的该图案为依据的信息进行该基板的检查。
2.如权利要求1所述的基板的检查方法，其中，该基板为硅基板； 在该检查步骤，根据该照明光对该硅基板的渗透特性，从在该检测步骤检测出的来自该硅基板的检测信号，进行至该硅基板的所欲深度位置的该检查。
3.如权利要求1或2所述的基板的检查方法，其中，作为该照明光使用约600nm 约IlOOnm的波长的光。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板的检查方法，其中，该图案为由对该基板开孔形成的复数个孔构 成的孔图案； 该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔。
5.如权利要求4所述的基板的检查方法，其具有运算步骤，该运算步骤利用来自该基板的光与该孔的直径的相关性，从在该检测步骤检测出的检测信号算出该孔的直径。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板的检查方法，其中，在该照射步骤，将该照明光照射至该基板，以在该基板的该图案使衍射光产生； 在该检测步骤，检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光。
7.如权利要求1至6中任一项所述的基板的检查方法，其中，在该照射步骤，作为该照明光，从该另一方的面照射具有到达至少该图案程度的渗透性的照明光。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板的检查方法，其中，使用该渗透性彼此不同的复数个波长的照明光，就该复数个波长的照明光分别反复该照射步骤、该检测步骤、及该检查步骤。
9.一种基板的检查装置，具备: 照射部，对在一方的面形成有从该面延伸至内部的图案的基板的该一方或另一方的面照射红外线即照明光； 检测部，检测来自该照明光照射后的该基板的光，并输出检测信号； 调整部，依据该图案调整该基板与该照射部与该检测部的中至少一个；以及 检查部，使用该检测信号的状态进行该基板的检查。
10.如权利要求9所述的基板的检查装置，其中，该基板为硅基板； 该检查部，根据该照明光对该硅基板的渗透特性与来自该硅基板的该检测信号，进行至该硅基板的所欲深度位置的该检查。
11.如权利要求9或10所述的基板的检查装置，其中，该照射部，作为该照明光将复数个波长的照明光分别照射至该基板； 该检查部，根据该照明光对该基板的渗透特性，进行该所欲深度位置的该检查。
12.如权利要求9至11中任一项所述的基板的检查装置，其中，作为该照明光使用约600nm 约IlOOnm的波长的光。
13.如权利要求9至12中任一项所述的基板的检查装置，其中，该照射部，从未形成该图案的该另一方的面侧将具有到达至少该图案程度的渗透性的光照射至该基板。
14.如权利要求9至13中任一项所述的基板的检查装置，其中，该图案为由从该基板表面朝向内部形成的复数个孔构成的孔图案； 该孔为用以在该基板形成贯通电极的孔。
15.如权利要求14所述的基板的检查装置，其进一步具备运算部，该运算部利用来自该基板的光与该孔的直径的相关性，从该检测信号算出该孔的直径。
16.如权利要求9至15中任一项所述的基板的检查装置，其中，该照射部，将该照明光照射至该基板，以在该基板的该图案使衍射光产生； 该检测部，检测该照明光照射而在该基板的该图案产生的该衍射光。
17.—种曝光系统，具备在基板表面使既定图案曝光的曝光装置、及进行被该曝光装置曝光而在表面形成有该图案的基板的检查的检查装置； 该检查装置是权利要求9至16中任一项所述的检查装置，将该检查部进行的该检查的结果输出至该曝光装置； 该曝光装置，依据 从该检查装置输入的该检查的结果，设定该曝光装置的曝光条件。
18.一种半导体装置的制造方法，具有在基板表面使既定图案曝光的曝光步骤、依据该曝光进行后的该图案对基板表面进行蚀刻的蚀刻步骤、及进行该曝光或该蚀刻进行而在表面形成有该图案的基板的检查的检查步骤，其特征在于: 该检查步骤是使用权利要求1至8中任一项所述的检查方法进行。
全文摘要
提供一种能检查至图案的深部为止的硅基板(晶圆)的检查方法。基板的检查方法，具有照射步骤(S101)，对在一方的面形成有既定图案的硅基板的一方或另一方的面照射照明光，该照明光具有对硅基板的渗透性；检测步骤(S102)，检测来自照明光照射后的硅基板的光；以及检查步骤(S103)，从在检测步骤检测出的来自硅基板的光的检测信号，进行利用图案的周期性的光的特性的硅基板的检查。
文档编号H01L21/66GK103201830SQ20118005387
公开日2013年7月10日 申请日期2011年11月9日 优先权日2010年11月9日
发明者藤森义彦 申请人:株式会社尼康