一种处理led芯片多金异常的方法
【专利摘要】本发明涉及一种处理LED芯片多金异常的方法，其步骤包括：使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；将芯片取出，清洗并吹干；所述芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；光阻去除后将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。由于本发明在处理多金异常时对芯片结构未有影响，因而可以提高产品良率、节省物料、提高生产效率。
【专利说明】一种处理LED芯片多金异常的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于LED芯片制造领域，尤其涉及一种处理LED芯片多金异常的方法。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)可将电能转化为光能，目前用于制作LED芯片的衬底的材料大抵分为蓝宝石、硅、碳化硅三种。以蓝宝石为衬底制作的发光二极管，由磊晶通过气相沉积使GaN材料在蓝宝石衬底上形成外延层。本文中的发光二极管芯片包括:N型半导体层、形成于N型半导体层上的发光层、形成于发光层上的P型半导体层、形成于P型半导体层上的透明导电层、形成于透明导电层上的P电极和形成于N型半导体层上的N电极。在传统生产中的，电极经由蒸镀完成。为降低生产成本与改善电极表面状况，可引入化镀金制程，即:进行电极的制作时，通过蒸镀形成P、N两个薄电极，在薄电极的基础上通过化镀形成满足厚度需求的进电极层，图1示出了电极的形成方式。
[0003]在实际生产中，由于化镀金制程中的异常，造成芯片表面除电极外的其他区域生成金层或金颗粒，即本文中所述的多金异常。所述的金层或金颗粒在芯片表面吸收芯片所发出的光，造成出光效率降低；若所述金层或金颗粒形成于芯片边缘，由于存在尖端放电效应，可能造成芯片在使用过程中被击穿，从而导致芯片失效。为防止所述异常发生，一般需将电极外的金层或金颗粒去除。目前对于所述芯片的处理方式主要有两种:待研磨切割后将异常芯片挑走；重工。
[0004]对上文所述的处理方式中，待研磨切割后将异常芯片挑走，造成产品的损失，所挑走的晶粒难以进行处理，同时造成人员操作的不便。
[0005]上文所述的处理方式之重工，其工艺为:去除电极及透明导电层一制作透明导电层一透明导电层黄光制程一透明导电层蚀刻与光阻去除一电极图形黄光制程一制作电极—化学镀金。在重工工艺过程中，需使用王水等强酸去除电极及透明导电层；在形成透明导电层和电极的过程中，需对透明导电层和电极进行高温热处理。此处理方式的缺点在于:一、重工工序多，流程长，造成物料损耗大，占用工时多；二、因透明导电层在正常流程中已与P型半导体层进行过热处理，两者间已有较好的融合，使用强酸将透明导电层去掉后，可能破坏P型导体层的界面，使重工时的透明导电层无法与P型半导体层很好的融合，最终造成产品正向电压偏高。
【发明内容】
[0006]针对上述对多金异常的处理方式的不足:物料、产品损耗大，占用工时多，产品不良概率增大，本发明的目的是提供一种快速有效地处理多金异常的方法，此方法具有很高的选择性，可在去除多金异常的情况下保护芯片的其他结构，对芯片的其他结构无影响。
[0007]为了实现上述目的，本发明所提供的技术方案是一种处理LED芯片多金异常的方法，其步骤包括:使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极；将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀；将芯片取出，清洗并吹干；所述芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；光阻去除后将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。
[0008]与现有技术相比，本发明的有益效果为:由于处理多金异常的过程中，对芯片结构未有影响，可使芯片不因重工导致正向电压升高；由于不需重新制作透明导电层与电极，节省了物料与工时；由于有效处理了多金异常，减少研磨切割后不良晶粒的挑选，提升了产量，减少了产品的损失；由于有效处理了多金异常，减少了金层或金颗粒的存在，保证了芯片的出光效率与稳定性。
[0009]优选的，为防止碘化钾溶液对因制程过程中裸露的透明导电层造成伤害，选用的碘化钾溶液中不含其它酸类物质，其主要成份为K+、1-、I2，其余为水；
[0010]优选的，使用常温碘化钾溶液进行腐蚀，以防止其挥发；
[0011]优选的，保护电极的光阻图形边沿比电极边沿尺寸大2-8um，以更好地保护电极；
[0012]优选的，光阻图形边沿比电极边沿尺寸大5um ；
[0013]优选的，碘化钾溶液腐蚀后用热水清洗芯片，使清洗更加干净。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0015]图1所示为芯片电极形成方式；
[0016]图2所示为电极受光阻保护后的芯片结构图；
[0017]图3所示为本发明一种处理LED芯片多金异常的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0018]图1为芯片电极形成方式，Cr层，形成在Cr层上的Pt层，形成在Pt层上的薄金层，形成在薄金层上的化镀金层。
[0019]图2为电极受光阻保护后的芯片结构图包括:N型半导体层3、形成于N型半导体层上的发光层4、形成于发光层上的P型半导体层5、形成于P型半导体层上的透明导电层
6、形成于透明导电层上的P电极81和形成于N型半导体层上的N电极82，形成在电极上的光阻保护层91和92。
[0020]本发明的流程如下:
[0021]步骤一:使用光阻涂布芯片表面，并通过黄光制程制作出保护电极的光阻图形，以保证在腐蚀过程中电极得到保护而不至于被去除。在使电极得到充分保护的情况下，使电极外的其余部分裸露无光阻保护，以确保多金异常被处理干净。
[0022]步骤二:使用碘化钾溶液腐蚀多金异常的金层或金颗粒。因碘化钾中含碘，加热易造成挥发，优选的，选择常温碘化钾溶液进行腐蚀。因在制程中，透明导电层可能会未得到保护而裸露，为防止其受到腐蚀，优选的，选择不含其他酸类物质的碘化钾溶液进行腐蚀，以确保透明导电层的完整性。
[0023]步骤三:将芯片从溶液中取并进行清洗。因碘化钾溶液中的物质附着性较强，优选的，使用热水对芯片进行清洗，可清洗更加干净。清洗后的芯片进行吹干。
[0024]步骤四:将清洗后的芯片进行光阻去除。为保证去除干净，优选的，用高温或有超声波震动的去光阻液进行清洗，使芯片表面无光阻残留。
[0025]步骤五:将去光阻后的芯片放入去离子水中进行清洗和吹干，完成流程。[0026]由上述流程可知，对比一般的处理方式，本发明的优势在于:
[0027]一、操作流程短，节省工时；
[0028]二、耗用物料相对少，成本低；
[0029]三、提升产品特性，保证发光效率；
[0030]四、防止因重工使正向电压升高而造成的不良；
[0031 ] 五、保证广品良率。
[0032]本发明通过保护电极，在对芯片结构无影响的情况下，用一种有效高效的方式处理多金异常，确保的生产的工作效率，保证了产品的性能。
[0033]以上所述均以方便说明本发明，仅属于本发明的优选实施方式，在不脱离本发明创作的精神范畴内，熟悉此技术的本领域的技术人员所做的各种简单的变相与修饰仍属于本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种处理LED芯片多金异常的方法，其特征在于包括如下步骤: (a)、使用光阻覆盖芯片，并通过黄光制程得到图形以保护电极； (b )、将电极已被保护的芯片放入至含碘的碘化钾溶液中腐蚀； (C)、等多金异常被腐蚀完后将芯片取出，清洗并吹干； (d)、芯片吹干后放入去光阻液中去除光阻；
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:碘化钾溶液中主要成份为K+、1-、I2和水。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于:所述碘化钾溶液中不含其它酸类物质。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:保护电极的光阻图形边沿比电极边沿尺寸大2-8um。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:保护电极的光阻图形边沿比电极边沿尺寸大5um。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述芯片去除光阻后下一步骤包括将芯片放入去离子水中进行清洗并吹干。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述碘化钾溶液腐蚀后用热水清洗芯片。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:使用常温碘化钾溶液进行腐蚀。
【文档编号】H01L33/00GK103633195SQ201210308838
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年8月27日 优先权日:2012年8月27日
【发明者】樊邦扬 申请人:鹤山丽得电子实业有限公司