一种柱状电阻器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种柱状电阻器，包括至少一个圆柱电阻，所述圆柱电阻包括第一底面和第二底面，所述第一底面上设置有凹槽，所述第二底面上与所述凹槽相对应的位置设置有凸起，所述凸起与所述凹槽相配合。本发明的柱状电阻器很好的解决了柱状电阻器的各个圆柱电阻在使用过程中容易由于摩擦力的实效而发生相对位移，导致电阻器的阻值不稳定的问题；结构简单，原理简单，其凹槽和对应凸起的结构，只要在陶瓷烧制时模具稍作改动即可，成本基本没有增加，具有推广实施的必要性和现实可能性。
【专利说明】—种柱状电阻器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种柱状电阻器。
【背景技术】
[0002]柱状电阻器组合而成的柱状电阻器，通常是非金属电阻器，非金属电阻器以其阻值范围大、体积小、安装方便等诸多优越性，被广泛应用于各个领域。而柱状电阻器通常由非金属材料(如陶瓷)烧制而成，为柱状，各个柱状的电阻器叠放在一起，经串联或并联，形成不同阻值的电阻器。
[0003]各个相邻的柱状电阻器之间，主要靠其接触面之间自有的摩擦力，来确保相互之间不发生相对位移，而仅依靠摩擦力，其可靠性是比较低得，尤其是经过长时间的使用，或者是使用过程中需要移动时，各个柱状电阻器之间可能会相对滑动，发生相对错位，导致电阻器的阻值不稳定，影响了电阻器的正常工作。
[0004]因此，需要一种新的柱状电阻器以解决上述问题。
【发明内容】
[0005]发明目的:本发明的目的是针对现有技术的柱状电阻器的缺陷，提供一种连接稳定的柱状电阻器。
[0006]技术方案:为实现上述发明目的，本发明柱状电阻器可采用如下技术方案:
一种柱状电阻器，包括至少一个圆柱电阻，所述圆柱电阻包括第一底面和第二底面，所述第一底面上设置有凹槽，所述第二底面上与所述凹槽相对应的位置设置有凸起，所述凸起与所述凹槽相配合。
[0007]更进一步的，所述凹槽的横截面为半圆形、三角形或梯形，所述凸起的横截面与所述凹槽的横截面形状相同。
[0008]更进一步的，所述第一底面和第二底面上均设置有耐高温绝缘涂层。圆柱电阻器的上下表面均涂有耐高温绝缘涂层，可以确保在电阻器片的温度过高时，不会出现氧化现象，不会彼此之间发生干扰，进一步提高了电阻器阻值的稳定性；
更进一步的，所述圆柱电阻为中空结构，所述圆柱电阻的侧壁的厚度为0.通
过采用中空的圆柱腔电阻代替埋入式电阻丝，结构强度高，散热面积大，功率密度高。
[0009]更进一步的，所述凹槽的长度为所述圆柱电阻直径的1/3-1/2。
[0010]有益效果:本发明的柱状电阻器很好的解决了柱状电阻器的各个圆柱电阻在使用过程中容易由于摩擦力的实效而发生相对位移，导致电阻器的阻值不稳定的问题；结构简单，原理简单，其凹槽和对应凸起的结构，只要在陶瓷烧制时模具稍作改动即可，成本基本没有增加，具有推广实施的必要性和现实可能性。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明的柱状电阻器的结构示意图。【具体实施方式】
[0012]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0013]请参阅图1、图2和图3所示，本发明的柱状电阻器，包括至少一个圆柱电阻1，圆柱电阻I包括第一底面11和第二底面12，第一底面11上设置有凹槽111，第二底面12上与凹槽111相对应的位置设置有凸起121，凸起121与凹槽111相配合。其中，凹槽111的横截面为半圆形、三角形或梯形，凸起121的横截面与凹槽111的横截面形状相同。第一底面11和第二底面12上均设置有耐高温绝缘涂层。圆柱电阻I的第一底面11和第二底面12均涂有耐高温绝缘涂层，可以确保在电阻器片的温度过高时，不会出现氧化现象，不会彼此之间发生干扰，进一步提高了电阻器阻值的稳定性；圆柱电阻I为中空结构，圆柱电阻I的侧壁的厚度为0.2_-1_。通过采用中空的圆柱腔电阻代替埋入式电阻丝，结构强度高，散热面积大，功率密度高。凹槽111的长度为圆柱电阻I直径的1/3-1/2。
[0014]本发明的柱状电阻器很好的解决了柱状电阻器的各个圆柱电阻I在使用过程中容易由于摩擦力的实效而发生相对位移，导致电阻器的阻值不稳定的问题；结构简单，原理简单，其凹槽和对应凸起的结构，只要在陶瓷烧制时模具稍作改动即可，成本基本没有增力口，具有推广实施的必要性和现实可能性。
【权利要求】
1.一种柱状电阻器，包括至少一个圆柱电阻，其特征在于:所述圆柱电阻包括第一底面和第二底面，所述第一底面上设置有凹槽，所述第二底面上与所述凹槽相对应的位置设置有凸起，所述凸起与所述凹槽相配合。
2.根据权利要求1所述的柱状电阻器，其特征在于:所述凹槽的横截面为半圆形、三角形或梯形，所述凸起的横截面与所述凹槽的横截面形状相同。
3.根据权利要求1所述的柱状电阻器，其特征在于:所述第一底面和第二底面上均设置有耐高温绝缘涂层。
4.根据权利要求1所述的柱状电阻器，其特征在于:所述圆柱电阻为中空结构。
5.根据权利要求1所述的柱状电阻器，其特征在于:所述圆柱电阻的侧壁的厚度为0.
6.根据权利要求1所述的柱状电阻器，其特征在于:所述凹槽的长度为所述圆柱电阻直径的1/3-1/2。
【文档编号】H01C13/02GK103839636SQ201210478077
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月22日 优先权日:2012年11月22日
【发明者】马生平 申请人:马生平