专利名称：高结温大功率二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型属于二极管领域，特别涉及一种高结温大功率二极管。
背景技术：
传统的高结温大功率二极管的上下大台面的结构相同，由于晶粒的上表面的外周设置有玻璃封装面，由于上大台面的下端面为平面，直接压附在玻璃封装面上，在组装时，由于采用机械化作业，压力直接作用在玻璃封装面上，容易造成玻璃封装面的破损，造成产品的不良率的提高，增加了公司的生产成本。
发明内容针对上述技术问题，本实用新型对二极管的上大台面的结构进行了改进，使在组·装时上大台面的下表面不与玻璃封装面接触，防止玻璃封装面的破损，提高了产品的良率，降低了生产成本。本实用新型通过以下技术方案实现高结温大功率二极管，其包括晶粒，所述的晶粒的窗口面朝上，其特征在于所述的晶粒的上端面设置有上大台面，上大台面上连接有上引线，所述的晶粒的下端面设置有下大台面，所述的下大台面的下表面连接有下引线，所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。所述的凸台面呈圆锥台状。综上所述，本实用新型通过对二极管的上大台面的结构进行改进，避免组装时上大台面的下表面直接压附在芯片的玻璃封装面上，防止了直接压附造成的玻璃封装面的破损，提高了产品的良率，降低了生产成本。
图I为本实用新型的结构示意图；图中I为上引线，2为上大台面，3为晶粒，4为下大台面，5为下引线，6为凸台面。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。 如图I所示的高结温大功率二极管,其包括晶粒3,所述的晶粒3的窗口面朝上,其特征在于所述的晶粒3的上端面设置有上大台面2，上大台面2上连接有上引线1，所述的晶粒3的下端面设置有下大台面4，所述的下大台面4的下表面连接有下引线5，所述的上大台面2的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面6。所述的下大台面上并没有设计凸台面，这样设计的下大台面能够增大晶粒与下大台面的接触面积，便于提高晶粒与下大台面的焊接质量，同时也增大了晶粒的散热面积，有效的提高了晶粒的散热的效果。所述的凸台面6呈圆锥台状。[0013]综上所述，本实 用新型通过对二极管的上大台面的结构进行改进，避免组装时上大台面的下表面直接压附在芯片的玻璃封装面上，防止了直接压附造成的玻璃封装面的破损，提高了产品的良率，降低了生产成本。
权利要求1.高结温大功率二极管，其包括晶粒，所述的晶粒的窗口面朝上，其特征在于所述的晶粒的上端面设置有上大台面，上大台面上连接有上引线，所述的晶粒的下端面设置有下大台面，所述的下大台面的下表面连接有下引线，所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。
2.根据权利要求I所述的高结温大功率二极管，其特征在于所述的凸台面呈圆锥台状。
专利摘要本实用新型属于二极管领域，特别涉及一种高结温大功率二极管。高结温大功率二极管，其包括晶粒，所述的晶粒的窗口面朝上，其特征在于所述的晶粒的上端面设置有上大台面，上大台面上连接有上引线，所述的晶粒的下端面设置有下大台面，所述的下大台面的下表面连接有下引线，所述的上大台面的下表面向下延伸设置有压紧的凸台面。本实用新型对二极管的上大台面的结构进行了改进，使在组装时上大台面的下表面不与玻璃封装面接触，防止玻璃封装面的破损，提高了产品的良率，降低了生产成本。
文档编号H01L23/367GK202678318SQ20122032300
公开日2013年1月16日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日
发明者杨吉明 申请人:常州佳讯光电产业发展有限公司